JPS59108202A - Ｎｂ↓３Ｓｎ化合物超電導線の製造方法 - Google Patents
Ｎｂ↓３Ｓｎ化合物超電導線の製造方法Info
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- JPS59108202A JPS59108202A JP57218981A JP21898182A JPS59108202A JP S59108202 A JPS59108202 A JP S59108202A JP 57218981 A JP57218981 A JP 57218981A JP 21898182 A JP21898182 A JP 21898182A JP S59108202 A JPS59108202 A JP S59108202A
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- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
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- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）技術分野
本発明は強磁場発生装置に用いられる極細多芯Ｎｂ５Ｓ
ｎ化合物超電導線およびその製造方法１ｃ関するもので
ある。
ｎ化合物超電導線およびその製造方法１ｃ関するもので
ある。
（ロ）背景技術
Ｎｂ３Ｓｎ化合物超電導材料は臨界温度、座界磁界、臨
界電流などの超電導特性が優れていることから高磁界発
生用マグネット巻線として実用化されている。近年核融
合炉研究用、高エネルギー物理研究用等の超電導マグネ
ットにおいて高磁界化の要求がますます高（なってきて
おり、ｌＯＴ〜１６Ｔの領域での臨界電流密度の向上の
研究がなされている。
界電流などの超電導特性が優れていることから高磁界発
生用マグネット巻線として実用化されている。近年核融
合炉研究用、高エネルギー物理研究用等の超電導マグネ
ットにおいて高磁界化の要求がますます高（なってきて
おり、ｌＯＴ〜１６Ｔの領域での臨界電流密度の向上の
研究がなされている。
一般に超電導材料を用いてマグネットを作製する場合、
フラックスジャンプの発生によるマグネットのクエンチ
を防ぐ為、超電導材料を極細多芯化することによりマグ
ネットの安定化をはかっている。Ｎｂ３Ｓｎ超電導材料
を多芯化する方法として第１図のようにＣｕ中にＳｎを
１０〜１３．５ 重量％含む合金のマトリックスｌ中
にＮｂ ２を挿メして引伸加工し、６００℃〜８００℃
で数１０時間拡散熱処理をすることにより、ＮｂａＳｎ
（３）極細多芯線を得る方法がある（従来法１）しか
し、この方法により得られた超電導線の臨界電流密度を
測定するとＬＯＴの磁場中での臨界１Ｅ流密度はせいぜ
い６０ｏＡ／ｍｘ２であり、近年要求が強まっている超
電導マグネットの高磁界化の為には従来法ｌによる方法
では不十分である。また従来法ｌにおいてＮｂにＴｉを
添加する方法が試みられた（従来法２）が、この方法で
はＮｂ が合金化されることにより、引伸加工におい
て第２図のように加工硬化が激しくなり、Ｎｂ の不
均一変形がおこり、線材全体での臨界電流密度はＮｂの
不均一変形により、１０Ｔの磁場中でせいぜい７００〜
８００Ａ／、２ である。
フラックスジャンプの発生によるマグネットのクエンチ
を防ぐ為、超電導材料を極細多芯化することによりマグ
ネットの安定化をはかっている。Ｎｂ３Ｓｎ超電導材料
を多芯化する方法として第１図のようにＣｕ中にＳｎを
１０〜１３．５ 重量％含む合金のマトリックスｌ中
にＮｂ ２を挿メして引伸加工し、６００℃〜８００℃
で数１０時間拡散熱処理をすることにより、ＮｂａＳｎ
（３）極細多芯線を得る方法がある（従来法１）しか
し、この方法により得られた超電導線の臨界電流密度を
測定するとＬＯＴの磁場中での臨界１Ｅ流密度はせいぜ
い６０ｏＡ／ｍｘ２であり、近年要求が強まっている超
電導マグネットの高磁界化の為には従来法ｌによる方法
では不十分である。また従来法ｌにおいてＮｂにＴｉを
添加する方法が試みられた（従来法２）が、この方法で
はＮｂ が合金化されることにより、引伸加工におい
て第２図のように加工硬化が激しくなり、Ｎｂ の不
均一変形がおこり、線材全体での臨界電流密度はＮｂの
不均一変形により、１０Ｔの磁場中でせいぜい７００〜
８００Ａ／、２ である。
また従来法ｌにおいて、Ｃｕ中にＳｎをｌＯ〜１３．５
重量％含む合金にＴｉ を添加させる方法（従来法３
）も試みられたが、Ｃｕ５ｎ合金にＴｉを添加すること
により、もともと４０％加工ごとに約５００°Ｃで１時
間の軟化をしなければならなく、Ｃｕ５ｎ 合金の加
工硬化が第２図６，４．のようにさらに激しくなり、３
０％加工ごとに軟化しなければならなくなり、工業生産
上きわめてコストが高くなる。またＣｕ５ｎ 合金の
粒界に析出物ができ、軟化熱処理中に粒界での割れがお
こることがあり、製造における歩どまりはきわ・めて悪
くなり、また得られる臨界電流密度もＩＯＴの磁場中で
せいぜい９００ Ａ／、２である。
重量％含む合金にＴｉ を添加させる方法（従来法３
）も試みられたが、Ｃｕ５ｎ合金にＴｉを添加すること
により、もともと４０％加工ごとに約５００°Ｃで１時
間の軟化をしなければならなく、Ｃｕ５ｎ 合金の加
工硬化が第２図６，４．のようにさらに激しくなり、３
０％加工ごとに軟化しなければならなくなり、工業生産
上きわめてコストが高くなる。またＣｕ５ｎ 合金の
粒界に析出物ができ、軟化熱処理中に粒界での割れがお
こることがあり、製造における歩どまりはきわ・めて悪
くなり、また得られる臨界電流密度もＩＯＴの磁場中で
せいぜい９００ Ａ／、２である。
従来法１〜３の方法はＣｕ中のＳｎ濃度は１０〜１３．
５重量％であり、Ｎｂ３Ｓｎ生成の為に必要な Ｓｎの
量が限られる為、’ ＮＩｇＳｎの臨界電流密度を向上
させるには限界がある。従来例１におけるＣｕ 中の
Ｓｎ 濃度が低い欠点をとり除く為に、ＳｎにＣｕを１
〜４０重量％添加した合金とＮｂ を加工後、拡散熱
処理によ’Ｑ ＮｂａＳｎ ）￥ｉ動動線線得る方法（
従来法４・）がある。従来法４・０１つの製造方法とし
て５ｎＣｕ合金１１をＮｂバイブ１０に挿入し引伸加工
後、複数本束ねてＣｕ パイプ１３に挿入し、それを
引伸加工し拡散熱処理により第３図のような断面のＮｂ
５Ｓｎ多芯超電導線を得る。しかし従来法４・の方法で
は第２図のように５ｎＣｕ 合金９は加工により強度
はほとんど変化しないが、Ｎｂ７は加工により強度が上
昇していき、この２種の金属の複合体を加工することは
非常に難しく、Ｓｎの径はせいぜい５０μｍ程度まで小
さくできる程度で、生成するＮｂ５Ｓｎの径も太ぎくな
ってしまい、この線を使用して巻いたマグネットの安定
性は悪く、またＳｎ の径が大きいことから拡散熱処
理に要する時間がかかり生成したＮｂ３Ｓｎの結晶粒の
低下がおこる。従って従来法４による超電導線の臨界電
流密度を測定するとＬＯＴの磁場中でたかだか１２００
Ａ／ｍｊｒＬ２ であり、従来法１〜３による方法よ
りも臨界電流密度は高いものの、従来法ｌによる方法に
比べてＳｎ 濃度が高いという従来法４の方法の長所
は十分生かされていなかった。以上のように従来法１で
は臨界電流密度が低い欠点があり、従来法２ではＮｂ
合金の硬化により、従来法３ではＣｕ５ｎ合金の硬化
により、従来法３では５ｎＣｕ 合金の強度が弱いこと
による加工上の問題点があった。
５重量％であり、Ｎｂ３Ｓｎ生成の為に必要な Ｓｎの
量が限られる為、’ ＮＩｇＳｎの臨界電流密度を向上
させるには限界がある。従来例１におけるＣｕ 中の
Ｓｎ 濃度が低い欠点をとり除く為に、ＳｎにＣｕを１
〜４０重量％添加した合金とＮｂ を加工後、拡散熱
処理によ’Ｑ ＮｂａＳｎ ）￥ｉ動動線線得る方法（
従来法４・）がある。従来法４・０１つの製造方法とし
て５ｎＣｕ合金１１をＮｂバイブ１０に挿入し引伸加工
後、複数本束ねてＣｕ パイプ１３に挿入し、それを
引伸加工し拡散熱処理により第３図のような断面のＮｂ
５Ｓｎ多芯超電導線を得る。しかし従来法４・の方法で
は第２図のように５ｎＣｕ 合金９は加工により強度
はほとんど変化しないが、Ｎｂ７は加工により強度が上
昇していき、この２種の金属の複合体を加工することは
非常に難しく、Ｓｎの径はせいぜい５０μｍ程度まで小
さくできる程度で、生成するＮｂ５Ｓｎの径も太ぎくな
ってしまい、この線を使用して巻いたマグネットの安定
性は悪く、またＳｎ の径が大きいことから拡散熱処
理に要する時間がかかり生成したＮｂ３Ｓｎの結晶粒の
低下がおこる。従って従来法４による超電導線の臨界電
流密度を測定するとＬＯＴの磁場中でたかだか１２００
Ａ／ｍｊｒＬ２ であり、従来法１〜３による方法よ
りも臨界電流密度は高いものの、従来法ｌによる方法に
比べてＳｎ 濃度が高いという従来法４の方法の長所
は十分生かされていなかった。以上のように従来法１で
は臨界電流密度が低い欠点があり、従来法２ではＮｂ
合金の硬化により、従来法３ではＣｕ５ｎ合金の硬化
により、従来法３では５ｎＣｕ 合金の強度が弱いこと
による加工上の問題点があった。
（ハ）発明の開示
本発明は従来法１〜４・の問題点である加工上の問題点
と臨界電流が低いことを一気に解決する方法であり、Ｎ
ｂとＳｎ合金からなる複合体を熱処理によＦ） Ｎｂａ
Ｓｎ化合物超電導層を生成させることにより得られるＮ
ｂ３Ｓｎ化合物超電導線において、Ｓｎ中に１〜１８重
量％のＣｕと０．０１〜５重量％のＴｉ を含有せし
めてなるＮｂ３Ｓｎ化合物超電導線及びその製造方法で
あり、加工°が簡単であり、従来法に比較し、臨界電流
密度が非常に高いことを特徴とする。ここでＳｎ合金中
のＣｕの濃度を１〜１８重量％とした理由は１％未満で
は熱処理中に生成するＮｂ３Ｓｎ化合物の量がわずかし
かなく、複合材としての臨界電流密度が非常に低い。ま
た１８重量％を超えると５ｎ−Ｃｕ合金がもろくなり引
伸加工が極めて困難で複合材にしても断線に至らしめる
ためである。
と臨界電流が低いことを一気に解決する方法であり、Ｎ
ｂとＳｎ合金からなる複合体を熱処理によＦ） Ｎｂａ
Ｓｎ化合物超電導層を生成させることにより得られるＮ
ｂ３Ｓｎ化合物超電導線において、Ｓｎ中に１〜１８重
量％のＣｕと０．０１〜５重量％のＴｉ を含有せし
めてなるＮｂ３Ｓｎ化合物超電導線及びその製造方法で
あり、加工°が簡単であり、従来法に比較し、臨界電流
密度が非常に高いことを特徴とする。ここでＳｎ合金中
のＣｕの濃度を１〜１８重量％とした理由は１％未満で
は熱処理中に生成するＮｂ３Ｓｎ化合物の量がわずかし
かなく、複合材としての臨界電流密度が非常に低い。ま
た１８重量％を超えると５ｎ−Ｃｕ合金がもろくなり引
伸加工が極めて困難で複合材にしても断線に至らしめる
ためである。
Ｓｎ合金中のＴｉの濃度をｏ、ｏｉ〜５重量％とした理
由ハ０．０１％未満では５ｎ−Ｃｕ合金の強度を向上さ
せ得ないばかりか、臨界電流密度の向上もわずかである
ためであり、５重量％を越えると効果も飽和し、やはり
Ｓｎ 合金の割れのために引伸加工が不可能であるため
である。
由ハ０．０１％未満では５ｎ−Ｃｕ合金の強度を向上さ
せ得ないばかりか、臨界電流密度の向上もわずかである
ためであり、５重量％を越えると効果も飽和し、やはり
Ｓｎ 合金の割れのために引伸加工が不可能であるため
である。
以下に実施例により本発明の内容と効果を詳しく説明す
る。
る。
実施例１゜
外径３．５ｍｘｙｆ、内径９ ｍａｍのＮｂパイプにＳ
ｎ に７重量％のＣｕおよび０．８重量％のＴｉ
を含む８，５ｍσの線を挿入し引伸加工によりＱ、５
ｍｙｎ、＊の径にしたものを２７１本束ね内径Ｌ Ｏｍ
ｘｅ 、外径２１Ｂ〆 のＣｕパイプに挿入し引伸加工
をした。このＴｉを添加した５ｎＣｕ 合金線の加工に
よる強度の変化を調べると第２図の８のようになり、従
来法４における５ｎＣｕ 合金線（９）よりも強度が
高くなっており、Ｎｂとの強度差が少なくなる。この為
、従来法４では５ｎＣｕ 合金の径がＮｂと５ｎＣｕ
との強度差により５０μｍ夏で断線するのに対し、本実
施例では約８μｍダまで断線することなく伸線できた。
ｎ に７重量％のＣｕおよび０．８重量％のＴｉ
を含む８，５ｍσの線を挿入し引伸加工によりＱ、５
ｍｙｎ、＊の径にしたものを２７１本束ね内径Ｌ Ｏｍ
ｘｅ 、外径２１Ｂ〆 のＣｕパイプに挿入し引伸加工
をした。このＴｉを添加した５ｎＣｕ 合金線の加工に
よる強度の変化を調べると第２図の８のようになり、従
来法４における５ｎＣｕ 合金線（９）よりも強度が
高くなっており、Ｎｂとの強度差が少なくなる。この為
、従来法４では５ｎＣｕ 合金の径がＮｂと５ｎＣｕ
との強度差により５０μｍ夏で断線するのに対し、本実
施例では約８μｍダまで断線することなく伸線できた。
外径０．４程ｙの線を６５０°Ｃで２００時間の熱処理
後８Ｔ〜１６Ｔの磁場中で測定すると、第４・図のよう
な臨界電流密度についての結果を得た。第４・図には比
較の為従来法１〜４の測定結果も示しである。
後８Ｔ〜１６Ｔの磁場中で測定すると、第４・図のよう
な臨界電流密度についての結果を得た。第４・図には比
較の為従来法１〜４の測定結果も示しである。
本実施例により得られる線利のｌｏＴ の磁場中での臨
界電流密度は２０００Ａ／イユ２ であり、従来法４嘲
に比較して６７％向上しており、■２Ｔ〜１６Ｔの磁場
中では８０％以上向上することがわかった。
界電流密度は２０００Ａ／イユ２ であり、従来法４嘲
に比較して６７％向上しており、■２Ｔ〜１６Ｔの磁場
中では８０％以上向上することがわかった。
実施例２
Ｓｎ中のＣｕおよびＴｉ Ｑ量をかえた第１表に示す
６種類の合金試料のインゴットを作成し、スウエージン
グ、伸線により２＃Ｌ〆の線とした。このうち試料■は
Ｔｉ 添加量が多すぎ、スウエージング加工中にわれ
てしまい引伸加工することが不可能であった。Ｎｂ−も
スウェージング、伸線により２ ｍｘｔｌｆの線とし、
Ｎｂ線１０８本と、５種類のＳｎ合金線１９本を第５図
シて示すように配置して束ねた第１表 ものを、外径５ＱｍｍＳ、内径２６．５ ｒｒｕｎ、ｊ
ｌのＣｕパイプに挿入して４種類の複合体を作成し、こ
の複合体を伸線により減面加工し、Ｑ、８ｒａｙｎｆに
した。
６種類の合金試料のインゴットを作成し、スウエージン
グ、伸線により２＃Ｌ〆の線とした。このうち試料■は
Ｔｉ 添加量が多すぎ、スウエージング加工中にわれ
てしまい引伸加工することが不可能であった。Ｎｂ−も
スウェージング、伸線により２ ｍｘｔｌｆの線とし、
Ｎｂ線１０８本と、５種類のＳｎ合金線１９本を第５図
シて示すように配置して束ねた第１表 ものを、外径５ＱｍｍＳ、内径２６．５ ｒｒｕｎ、ｊ
ｌのＣｕパイプに挿入して４種類の複合体を作成し、こ
の複合体を伸線により減面加工し、Ｑ、８ｒａｙｎｆに
した。
得られた複合体を６９０°Ｃで１００時間の熱処理をす
ると第６図に示すようにＳｎ 合金線２１と、一体化し
たＮｂ 線２３０間にＮｂａＳｎ化合物層２２が生成
した。このようにして得られたｌ’Ｊｂ３ｓｎ化合物超
電導線のＩＯＴ における臨界電流密度は第７図のよう
にＳｎ 合金中にＴｉ を含有させない場合に比較し
てＴｉを含有させると、８０％〜１２０％向上する。
ると第６図に示すようにＳｎ 合金線２１と、一体化し
たＮｂ 線２３０間にＮｂａＳｎ化合物層２２が生成
した。このようにして得られたｌ’Ｊｂ３ｓｎ化合物超
電導線のＩＯＴ における臨界電流密度は第７図のよう
にＳｎ 合金中にＴｉ を含有させない場合に比較し
てＴｉを含有させると、８０％〜１２０％向上する。
実施例３゜
６２０°Ｃ，６５０℃、 ６８０℃、 ６９５℃、 ７
１０°Ｃ，７５０’ｃ、 ｓｏｏｏＣの温度でそれぞ
れ１００時間の熱処理をしてＬＯＴ の磁場中でＩｃ
測定をした結果、第８図のデータを得た。５ｎＣｕ
合金にＴｉ を添加することにより、熱処理温度
が低くてすむようになり、Ｎｂ３Ｓｎの結晶粒が小さく
なり臨界電流密度が向上する。Ｔｉ を添加すると熱
処理温度が低くてもよい理由は、熱処理温度では５ｎＣ
ｕ 合金が液体になり、その液体が固体のＮｂと反応し
てＮｂ５Ｓｎ 層が生成されるが、液体である５ｎＣ
ｕ 合金中のＴｉ が反応の触媒として作用し、Ｎ
ｂ５Ｓｎ層の生成が促進されるものと推定される。従来
法８ではＴｉ を添加したＣｕ５ｎ 合金が熱処理温
度において固体であるのでＴｉ を添加しても効果が
少ないのに対し、本発明による方法では５ｎＣｕ 合
金は熱処理温度で液体となりＴｉ を添加することに
より著し７い効果が認められる。Ｔｉ を添加してい
ない試料■２５ではＴｉ の触媒効果がない為、熱処
理温度は６９５°Ｃ以上が望ましいが、このような高温
ではＮｂＢＳｎの結晶粒が粗大化してしまい、得られる
臨界電流密度はＩＯＴ の磁場中でせいぜいｌ ２００
．Ａ／ｍｆｉ２ 程度であるのに対しＴｉ を添加し
た試料■２６では１９００〜２３００Ａ／航２である。
１０°Ｃ，７５０’ｃ、 ｓｏｏｏＣの温度でそれぞ
れ１００時間の熱処理をしてＬＯＴ の磁場中でＩｃ
測定をした結果、第８図のデータを得た。５ｎＣｕ
合金にＴｉ を添加することにより、熱処理温度
が低くてすむようになり、Ｎｂ３Ｓｎの結晶粒が小さく
なり臨界電流密度が向上する。Ｔｉ を添加すると熱
処理温度が低くてもよい理由は、熱処理温度では５ｎＣ
ｕ 合金が液体になり、その液体が固体のＮｂと反応し
てＮｂ５Ｓｎ 層が生成されるが、液体である５ｎＣ
ｕ 合金中のＴｉ が反応の触媒として作用し、Ｎ
ｂ５Ｓｎ層の生成が促進されるものと推定される。従来
法８ではＴｉ を添加したＣｕ５ｎ 合金が熱処理温
度において固体であるのでＴｉ を添加しても効果が
少ないのに対し、本発明による方法では５ｎＣｕ 合
金は熱処理温度で液体となりＴｉ を添加することに
より著し７い効果が認められる。Ｔｉ を添加してい
ない試料■２５ではＴｉ の触媒効果がない為、熱処
理温度は６９５°Ｃ以上が望ましいが、このような高温
ではＮｂＢＳｎの結晶粒が粗大化してしまい、得られる
臨界電流密度はＩＯＴ の磁場中でせいぜいｌ ２００
．Ａ／ｍｆｉ２ 程度であるのに対しＴｉ を添加し
た試料■２６では１９００〜２３００Ａ／航２である。
Ｔｉ を添加するとＮｂ３Ｓｎの生成速度がはやくな
り熱処理温度が低いほうが望ましく６９５°Ｃ以下で高
い臨界電流を得るが、６００°Ｃ未満では温度が低すぎ
てＮｂＢＳｎが生成しにくくなる。従って熱処理温度は
６００°Ｃ以上６９５°Ｃ以下が最も適当である熱処理
条件である。
り熱処理温度が低いほうが望ましく６９５°Ｃ以下で高
い臨界電流を得るが、６００°Ｃ未満では温度が低すぎ
てＮｂＢＳｎが生成しにくくなる。従って熱処理温度は
６００°Ｃ以上６９５°Ｃ以下が最も適当である熱処理
条件である。
１以上のように本発明はＮｂとＳｎ合金からなる複合体
を熱処理によｌ：１Ｎｂａｓ、ｎ化合物超電導層を生成
させることにより得られるＮｂＢＳｎ化合物超電導線に
おいてＳｎ中に１〜１８重量％のＣｕと０．０１〜５重
量％のＴｉを含有せしめてなるＮｂ３Ｓｎ 化合物超重
導線お工びその製造方法であり、Ｓｎ 合金に含有され
たＴｉが熱処理において液体になったＳｎ合金中でＮｂ
ａＳｎ 生成の為の触媒作用として効果的に作用し、
臨界電流密度が向上し、かつＴｉをＳｎ合金に添加する
ことによりＳｎ 合金の加工硬化特性がＮｂ の加工
硬化特性に近ずき、ＮｂとＳｎの複合体の加工性が向上
することを大きな特徴とする。
を熱処理によｌ：１Ｎｂａｓ、ｎ化合物超電導層を生成
させることにより得られるＮｂＢＳｎ化合物超電導線に
おいてＳｎ中に１〜１８重量％のＣｕと０．０１〜５重
量％のＴｉを含有せしめてなるＮｂ３Ｓｎ 化合物超重
導線お工びその製造方法であり、Ｓｎ 合金に含有され
たＴｉが熱処理において液体になったＳｎ合金中でＮｂ
ａＳｎ 生成の為の触媒作用として効果的に作用し、
臨界電流密度が向上し、かつＴｉをＳｎ合金に添加する
ことによりＳｎ 合金の加工硬化特性がＮｂ の加工
硬化特性に近ずき、ＮｂとＳｎの複合体の加工性が向上
することを大きな特徴とする。
第１図：従来法ｌにより得られるＮｂａＳｎ （３）極
細多芯線でｌがＣｕ５ｎ＋ ２がＮｂ０ 第０図：各種金属の加工硬化特性を示す図であり、４が
Ｔｉを添加したＣｕ５ｎ合金、５がＣｕ５ｎ合金、６が
Ｔｉを添加したＮｂ合金、７はＮｂ、８はＴｉを添加し
た５ｎＣｕ合金及び９は５ｎＣｕ合金の引張強さを示す
。 第８図：従来法４により得られるＮｂ５Ｓｎ多芯超電導
線で１０がＮｂ、１１が５ｎＣｕ＋ １２がＮｂａＳｎ
及び、１３がＣｕ である。 第４図：従来法１〜４・と実施例１α８）により得られ
た超電導線の８Ｔ〜１６Ｔの磁場中での臨界電流密度特
性、従来法１〜４が １４．１５．１６．１７に対応する。 第５図：実施例２におけるＮｂ線翰、Ｓｎ合金線０９の
配置図、２１はＣｕ である。 第６図：第５図の複合体を引伸加工後、熱処理により得
られるＮｂ＋Ｓｎ化合物超電導線、２１・がＴｉ添加５
ｎＣｕ合金、２２がＮｂａＳｎ＋ ２３がＮｂ、２４が
Ｃｕである。 第７図：Ｓｎ合金へのＴｉの添加量によるＬＯＴの磁場
中での臨界電流密度の変化を示 す図。 第８図：実施例３（ｆｉにおける熱処理温度による臨界
電流密度の変化を示す図であり、 ２５は実施例３の試料■の特性。 矛１図 才２図 ０１２３４５ 加工層（ｊ２ｎＡｏ／Ａ） 第４回 ８ １０ １２ １４ １６届り易
（Ｔ） 第５図 オ６図 オフ図 ５ｎＣｕ合金甲のＴｉ量（重量％）
細多芯線でｌがＣｕ５ｎ＋ ２がＮｂ０ 第０図：各種金属の加工硬化特性を示す図であり、４が
Ｔｉを添加したＣｕ５ｎ合金、５がＣｕ５ｎ合金、６が
Ｔｉを添加したＮｂ合金、７はＮｂ、８はＴｉを添加し
た５ｎＣｕ合金及び９は５ｎＣｕ合金の引張強さを示す
。 第８図：従来法４により得られるＮｂ５Ｓｎ多芯超電導
線で１０がＮｂ、１１が５ｎＣｕ＋ １２がＮｂａＳｎ
及び、１３がＣｕ である。 第４図：従来法１〜４・と実施例１α８）により得られ
た超電導線の８Ｔ〜１６Ｔの磁場中での臨界電流密度特
性、従来法１〜４が １４．１５．１６．１７に対応する。 第５図：実施例２におけるＮｂ線翰、Ｓｎ合金線０９の
配置図、２１はＣｕ である。 第６図：第５図の複合体を引伸加工後、熱処理により得
られるＮｂ＋Ｓｎ化合物超電導線、２１・がＴｉ添加５
ｎＣｕ合金、２２がＮｂａＳｎ＋ ２３がＮｂ、２４が
Ｃｕである。 第７図：Ｓｎ合金へのＴｉの添加量によるＬＯＴの磁場
中での臨界電流密度の変化を示 す図。 第８図：実施例３（ｆｉにおける熱処理温度による臨界
電流密度の変化を示す図であり、 ２５は実施例３の試料■の特性。 矛１図 才２図 ０１２３４５ 加工層（ｊ２ｎＡｏ／Ａ） 第４回 ８ １０ １２ １４ １６届り易
（Ｔ） 第５図 オ６図 オフ図 ５ｎＣｕ合金甲のＴｉ量（重量％）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１） ＮｂとＳｎ合金からなる複合体を熱処理により
ＮｂａＳｎ化合物超亀導層を生成させることにより得ら
れるＮｂｇＳｎ化合物超電導線において、Ｓｎ 中に
１〜１８重量％のＣｕと０．０１〜５重量％のＴｉを含
有せしめてなることを特徴とするＮｂ５ｓｎ化合物超電
導線。 ｆ２） Ｎｂ ｓＳｎ化合物超電導線の製造法において
、Ｎｂ・ぐイブに１〜１８重量％のＣｕと０．０１〜５
重量％のＴｉを含有するＳｎ合金線を挿入して複合体と
し、これを引伸加工後複数本束ねて引伸加工し、これを
熱処理噂してＮｂＢＳｎ化合物を生成せしめることを特
徴とするＮｂ３Ｓｎ化合物超電導線の製造方法。 （３）ＮｂａＳｎ化合物超電導線の製造法において、複
数本のＮｂ線と１〜１８重量％のＣｕと０．０１〜５重
量％のＴｉを含有するＳｎ 合金線を複数本混合して
密に撚合わせ又は束ねて引伸加工したものを熱処理して
ＮｂａＳｎ化合物を生成せしめることを特徴とするＮｂ
５Ｓｎ化合物超電導線の製造方法。 （４）特許請求の範囲第（３）項、第（４）項記載の製
造法において熱処理の温度範囲が６００°Ｃ〜６９５°
Ｃであることを特徴とするＮｂ５Ｓｎ化合物超電導７１
泉の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57218981A JPS59108202A (ja) | 1982-12-13 | 1982-12-13 | Ｎｂ↓３Ｓｎ化合物超電導線の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57218981A JPS59108202A (ja) | 1982-12-13 | 1982-12-13 | Ｎｂ↓３Ｓｎ化合物超電導線の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59108202A true JPS59108202A (ja) | 1984-06-22 |
| JPH0373968B2 JPH0373968B2 (ja) | 1991-11-25 |
Family
ID=16728392
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57218981A Granted JPS59108202A (ja) | 1982-12-13 | 1982-12-13 | Ｎｂ↓３Ｓｎ化合物超電導線の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59108202A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6086705A (ja) * | 1983-10-18 | 1985-05-16 | 科学技術庁金属材料技術研究所長 | 繊維分散型Νｂ↓３Ｓｎ超電導線材の製造法 |
| JPS6086704A (ja) * | 1983-10-18 | 1985-05-16 | 科学技術庁金属材料技術研究所長 | Νｂ↓３Ｓｎ超電導線材の製造法 |
-
1982
- 1982-12-13 JP JP57218981A patent/JPS59108202A/ja active Granted
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6086705A (ja) * | 1983-10-18 | 1985-05-16 | 科学技術庁金属材料技術研究所長 | 繊維分散型Νｂ↓３Ｓｎ超電導線材の製造法 |
| JPS6086704A (ja) * | 1983-10-18 | 1985-05-16 | 科学技術庁金属材料技術研究所長 | Νｂ↓３Ｓｎ超電導線材の製造法 |
| JPH0349163B2 (ja) * | 1983-10-18 | 1991-07-26 | Kagaku Gijutsucho Kinzoku Zairyo Gijutsu Kenkyu Shocho | |
| JPH0349164B2 (ja) * | 1983-10-18 | 1991-07-26 | Kagaku Gijutsucho Kinzoku Zairyo Gijutsu Kenkyu Shocho |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0373968B2 (ja) | 1991-11-25 |
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