JPS59106457A - Ｎ−（α−置換ベンジル）チオ−ルカ−バメ−ト誘導体、その製造法およびそれを有効成分とする除草剤 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、一般式 ％式％ 〔式中、Ｒ１は水素原子またはメチル基を、助は低級ア
ルキル基を、助は低級アルキル基を、狗は低級アルキル
基または低級アルケニル基を表わす。〕 で示されるＮ−（α−置換ペンシル）チオールカーバメ
ート誘導体（以下、本発明化合物と記す。）、その製造
法およびそれを有効成分とする除草剤に関するものであ
るう ある種のチオールカーバメートｕ導体、例えば、Ｎ−ベ
ンジル−Ｎ−イソプロピル−８−エチルチオールカーバ
メート、Ｎ−フェニル−Ｎ−メチル−５−（ｐ−エチル
ペンシル）チオールカーバメート、Ｎ−ベンジル−Ｎ−
イソプロピル−８−アリルチオールカーバメートカ、除
草剤の有効成分として用いうろことは、特公昭５２−２
０５８０号公報、特開昭５４−７８７８２号公報、米国
特許第８６７６４７９号明細書に記載されている。しか
しながら、これらの化合物は、除草剤の有効成分として
必ずしも常に充分なものであるとはいえない。

本発明化合物は、水田において問題となる種々の８９、
例えば、タイヌビエ等のイネ科雑草、アセテ、キカシグ
サ、ミゾハコベ等の広葉雑草、ホタルイ等の一年生雑草
およびマツバイ等の多年生雑草等の水田雑草を発芽時の
処理により有効に防除することができ、生育の進んだ前
記の雑草もイネに対する薬害を伴うことなく、防除する
ことができる。

また、本発明化合物は、畑地におけるイヌビエ、カラス
ムギ、メヒシバ等のイネ科雑草およびアオビユ等の広葉
雑草を有効に防除することもできる。

従って、本発明化合物は、水田および畑地の除草剤の有
効成分として用いることができる。

本発明化合物は、一般式 〔式中、Ｒ１，Ｒ２および助は前記と同じ意味を表わす
。〕 で示されるα−置換ペンジルアミン誘導体とＣｔ−Ｃ−
Ｓ　−Ｒ，ｉ ＋Ｉ　　　　　　　　［ｍ］ 〔式中、釉は前記と同じ意味を表オ〕すう　〕で示され
るクロロチオホーメート誘導体とを溶媒中、脱塩化水素
剤の存在下あるいは非存在下、０℃〜１５０℃、０．５
時間〜１０時間反応させることによって製造することが
できる。

反応に供される試剤の量は、α−行換ペンジルアミン誘
導体〔■〕１当量に対して、クロロチオホーメート誘導
体［ｍ］　０．４〜１．１当量、脱塩化水素剤０．５〜
１．５当量である。

溶媒には、ヘキサン、ヘプタン、リグロイン、石油エー
テル等の脂肪族炭化水素類、ベンセン、トルエン、キシ
レン等の芳香族炭化水素類、クロロホルム、四塩化炭素
、ジクロロエタン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン
等のハロゲン化炭化水素類、ジエチルエーテル、ジイソ
プロピルエーテル、ジオキサン、テトラヒドロフラン、
ジエチレングリコールジメチルエーテル等のエーテル類
、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケ
トン、イソホロン、シクロヘキサノン等のケトン類、酢
酸エチル、酢酸ブチル等の、ｘ　ｙ、　５−７Ｌ７類、
ニトロエタン、ニトロエタンセン等のニトロ化物、アセ
トニトリル、イソブチロニトリル等のニトリル類、Ｎ、
Ｎ−ジメチルポルムアミド等の酸アミド類、ジメチルス
ルホキシド、スルホラン等の硫黄化合物等あるいは、そ
れらの混合物がある。

脱塩化水素剤には、ピリジン、トリエチルアミン、Ｎ、
Ｎ−ジエチルアニリン等の有）ｒ麦塩基、水酸化ナトリ
ウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム
等の無機塩基等がある。

反応終了後は、通常の後処理を行い、必要ならば、クロ
マトグラフィー、蒸留、再結晶等によって精製する。

また、本発明は、一般式 ％式％ 〔式中、Ｒ１，Ｒ２およびＲ８は前記と同じ意味を表わ
す。］ で示されるカルバモイルクロリド誘導体と一般式 ％式％（） 〔式中、Ｒ４は前記と同じ意味を表わす。〕で示される
チオール誘導体とを溶媒中、脱塩化水素剤の存在下ある
いは脱塩化水素剤を溶媒として用い、０℃〜１５０℃、
０．５時間〜１０時間反応させることによって製造する
ことができる。

反応に供される試剤の量はカルバモイルクロリド誘導体
〔■〕　１当量に対してチオール誘導体［Ｖ’］　０．
５〜１．１当量、脱塩化水素剤０．５〜１．５当量であ
る。

溶媒には、ヘキサン、ヘプタン、゛リグロイン、石油エ
ーテル等の脂肪族炭化水素類、ベンゼン、トルエン、キ
シレン等の芳香族炭化水素類、クロロホルム、四塩化炭
素、ジクロロエタン、クロロベンゼン、ジクロ口ベンゼ
ニ７等のハロゲン化炭化水素類、ジエチルエーテル、ジ
イソプロピルエーテル、ジオキサン、テトラヒドロフラ
ン、ジエチレングリコールジメチルエーテル等のエーテ
ル類、アセトン、メチルエチル嬰トン、メチルイソブチ
ルケトン、イソホロン、シクロヘキサノン等のケトン類
、メタノール、エタノール、イソプロパツール、Ｌ−ブ
タノール、オクタツール、シクロヘキサノール、メチル
セロソルブ、ジエチレングリコール、グリセリン等のア
ルコール類、酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル類、
ニトロエタン、ニトロベンゼン等のニトロ化物、アセト
ニトリル、イソブチロニトリル等のニトリル類、ピリジ
ン、トリエチルアミン、Ｎ、Ｎ−ジエチルアニリン、ト
リブチルアミン、Ｎ−メチルモルポリン等の第三級アミ
ン類、Ｎ、Ｎ−ジメチルポルムアミド等の酸アミド類、
ジメチルスルホキシド、スルホラン等の硫黄化合物、水
等あるいは、それらの混合物がある。

脱塩化水素剤には、ピリジン、トリエチルアミン、Ｎ、
Ｎ−ジエチルアニリン等のＷ　ｉ　塩基、水酸化すｌ・
リウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウ
ム等の無機塩基等がある。

反応終了後は、通常の後処理を行い、必要ならば、クロ
マトグラフィー、蒸留、再結晶等によってオ青製する。

次に本発明化合物の製造例を示す。

製造例１　　（本発明化合物１の製造）Ｎ−メチル−α
−フェニルエチルアミン１．４ｇとトリエチルアミン１
．２ｇをトルエン５０艷に溶かし、０℃〜１０℃で攪拌
下１．３ｇのエチルクロロチオホーメートを滴下した。

滴下後、２時間反応混合物を加熱還流した。

冷後、反応混合物を水、希塩酸、金型炭酸ナトリウム水
溶液、水で洗い、溶媒を留去してＮ−メチル−Ｎ−（α
−フェニルエチル）−Ｓ−エチルチオールカーバメート
１．８ｇを得た。ｎ　　１．５４７１ 製造例２　　（本発明化合物１３の製造）アリルメルカ
プタン１，４ｇをピリジン５０−に溶かし、ヘーメチル
ーＮ−（α−フェニルエチル）カルバモイルクロリド４
．Ｏｇを加えて６時間加熱還流した。

次いで、減圧下にピリジンを留去し、残留物にエーテル
と水を加え、振とうした後、分液してエーテル層を得、
さらにエーテルを留去した。得られた残渣をヘキサン−
アセトンを溶出液とするシリカゲルカラムクロマトグラ
フィーに付し、Ｎ−メチル−へ−（α−フェニルエチル
）−５−アリルチオールカーバメート８．６１を得た。

７ ｎ　　１．５５１３ このような製造法によって製造できる本発明化合物のい
くつかを、第１表に示す。

第１表 一般式 のＮ〜（α−置換ベンジル）チオールカーバメート誘導
体 本発明化合物を製造する場合、原料化合物であるカルバ
モイルクロリド誘導体［ＩＶ］はα−置換ベンジルアミ
ン誘導体ｒ［］とホスゲンとを溶媒中、脱塩化水素剤の
存在下、０℃〜１ｏ−ｏ℃、０、５　時間〜１０時間反
応させることによって製造することができる。その際の
試剤の使用量はα−置換ペンジルアミン銹導体〔町１当
量に対して、ホスゲン１〜５当量、脱塩化水素剤１〜５
当量である。

溶媒には、ベンゼン、トルエン、ヘキサン、クロロホル
ム、テトラヒドロフラン等がある。

脱塩化水素剤には、ピリジン、トリエチルアミン、Ｎ、
Ｎ−ジメチルアニリン、Ｎ、Ｎ−ジエチルアニリン、Ｎ
−メチルピペリジン等がある。

反応終了後は、通常の後処理を行い、必要ならば、クロ
マトグラフィー、蒸留等によって精製する。

本発明化合物を除草剤の有効成分として用いる場合は、
通常固体担体、液体相体、界面活性剤その他の製剤用補
助剤と混合して、乳剤、水和剤、懸濁剤、粒剤等に製剤
する。

これらの製剤には有効成分として本発明化合物を、重量
比で１〜６０％、好ましくは２〜５０％含有する。

固体担体には、カオリンクレー、アタパルジャイトクレ
ー、ベントナイト、酸性白土、パイロフィライト、タル
ク、珪藻土、方解石、クルミ粉、尿素、硫酸アンモニウ
ム、合成含水酸化珪素等の微粉末あるいは粒状物があり
、液体担体には、キシレン、メチルナフタレン等の芳香
族炭化水素類、イソプロパツール、エチレングリコール
、セロソルブ等のアルコール類、アセトン、シクロヘキ
サノン、イソホロン等のケトン類、大豆油、綿実油等の
植物油、ジメチルスルホキシド、アセトニトリル、水等
がある。

乳化、分散、湿展等のために用いられる界面活性剤には
、アルキル硫酸エステル塩、アルキル（アリール）スル
ホン酸塩、ジアルキルスルホコハク酸塩、ポリオキシエ
チレンアルキルアリールエーテルリン酸エステル塩等の
陰イオン界面活性剤、ポリオキシエチレンアルキルエー
テル、ポリオキシエチレンアルキルアリールエーテル、
ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンブロックコポ
リマー、ソルビタン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレ
ンソルビタン脂肪酸エステル等の非イオン界面活性剤等
がある。製剤用補助剤には、リグニンスルボン酸塩、ア
ルギン酸塩、ホリビニルアルコール、アラビアガム、Ｃ
ＭＣ（カルボキシメチルセルロース）、ＰＡＰ　（酸性
リン酸イソビル）等がある。

次に製剤例を示す。なお、本発明化合物は第１表の化合
物番号で示す、部は重量部を示す。

製剤例１ 本発明化合物６．５０部、リグニンスルホン酸カルシウ
ム３部、ラウリル硫酸ナトリウム２部および合成含水酸
化珪素４５部をよく粉砕混合して水和剤を得る。

製剤例２ 本発明化合物８．１０部、ポリオキシエチレンスチリル
フェニルエーテＩｔ、１４部、ドデシルベンゼンスルホ
ン酸カルシウム６部、キシレン３０部およびイソホロン
４０部、をよく混合して乳剤を得る。

製剤例８ 本発明化合物１Ｏ１２部、合成含水酸化珪素１ｆｆｉ、
１１クニンスルホン酸力ルシウム２部、ベントナイト８
０部およびカオリンクレー６５部をよく粉砕混合し、水
を加えてよく練り合せた後、造粒乾燥して粒剤を得る。

製剤例４ 本発明化合物２．２５部、ポリオキシエチレンソルビタ
ンモノオレエート３部、ＣＭＣ３部、水６９部を混合し
、粒度が５芝クロン以下になるまで湿式粉砕して懸濁剤
を得る７これらの製剤は、そのままであるいは水等で希
釈し、茎葉処理あるいは土壌処理する。土壌処理の場合
は製剤を土壌表面に散布する（必要に応じ、散布後土壌
と混和する。）かまたは土壌に濯註する。

また、他の除草剤と混合して用いることにょｈ巴料、土
壌改良剤等と混合して用いることもできる。

本発明化合物を除草剤の有効成分として用いる場合、そ
の施用量は、通常１アールあたり５ｇ〜１００ｇ、好ま
しくは、９ｇ〜３０ｆであり、乳剤、水和剤、懸濁剤等
は、（必要ならば、展着剤等の散布補助剤を添加した）
水で希釈し、１アールあたり１リツトル〜１０リツトル
の割合で施用し、粒剤等はなんら希釈することなくその
まま施用するう 展着剤には、前記の界面活性剤のほか、ポリオキシエチ
レン樹脂ｍ　（エステル）、リグニンスルホン酸塩、ア
ビエチン酸塩、ジアフチルメタンジスルホン酸塩、パラ
フィン等がある。

次に、本発明化合物が除草剤の可動成分として有用であ
ることを試験例で示す。なお、本発明化合物は、第１表
の化合物番号で示し、比較対照に用いた化合物は第２表
の化合物記号で示す。

第２表 才た、雑草および作物に対する除草効力は、調査時の供
試植物の発芽および生育阻害の程度を肉眼観察し、化合
物を供試していない場合と全くないしほとんど違いがな
いものをｒＯＪとし、供試植物が枯死ないし生育が完全
に阻害されているものを「５」として、０〜５０６段階
に評価し、０．１．２．８．４．５、で示す。

試験例１　　　畑地土壌混和処理試験 直径１０ｃ！ｎ、深さ１０ｍの円筒型ブプスチックホッ
トに畑地土壌を詰め、イヌビエ、カラスムギ、メヒシバ
、アオビユを播種し、覆土した。

製剤例２に準じて供試化合物を乳剤にし、その所定量を
水で希釈し、１アールあたり１０リツトル散布の割合で
、小型噴霧器にて土壌表面に散布した後、深さ４ｃ１ｎ
までの土壌表層部分をよく混和した。散布後２０日間温
室内で育成し、除草効力を調査した。その結果を第３表
に示す。

第　　８　　表 試験例２　　水田土壌処理試験 直径８α、深さ１２（７）の円筒プラスチックポットに
水田土壌を詰め、タイヌビエ、広葉雑草（アセテ、キカ
シグサ、ミゾハコベ′）、ホタルイの種子１〜２ｃｍの
深さに混ぜ込んだっ三甚水して水田状態とした後、２葉
期のイネを移植し、温室内で育成した。６日後（各雑草
の発生初期）に製剤例２に準じて、供試化合物を乳剤に
し、その所定量を水で各駅し、１ポツトあたり５ミリリ
ツトルの割合で、水面に滴下した。滴下後２０日間温室
内で育成し、除草効力を調査した。その結果を第４表に
示す。

第４表 試験例３　　　水田土壌兼茎葉処理試験１１５０００ａ
ワグネルポツトに水田土壌を詰め、タイヌビエ、広葉雑
草（アゼナ、キカシグサ、ｉゾハコベ）、ホタルイの種
子およびマツバイ越冬芽を１〜２ｃｍの深さに混ぜ込ん
だ。湛水した水田状態とした後、３葉期のイネを移植し
、温室内で育成した。１１日後（タイヌビエの２葉期）
に、製剤例２に準じて供試化合物を乳剤にし、その所定
量を水で希釈し、１ポツトあたり１０ミリリツトルの割
合で水面に滴ドした。滴下後２０日間温室内で育成し、
除草効力を調査した。その結果を第５表に示す。

第５表

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）一般式 〔式中、幻は水素原子またはメチル基を、助は低級アル
   キル基を、助は低級アルキル基を、絢は低級アルキル基
   または低級アルケニル基を表わす。〕 で示されるＮ−（α−置換ベンジル）チオールカーバメ
   ート誘導体う 〔式中、Ｒ１は水素原子まｔこはメチル基を、助は低級
   アルキル基を、助は低級アルキル基を表わす。］ で示されるα−置換ペンジルアミン訪導体と一般式 ％式％ 〔式中、絢は低級アルキル基または低級アルケニル基を
   表わす。〕 で示されるクロロチオポーメート誘導体とを反応させる
   ことを特徴とする一般式 ％式％ ｒ式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３および絢は前記と同じ意味を
   表わす。〕 で示されるＮ−（α−置換ベンジル）チオールカーバメ
   ートの製造法。 −３）一般式 ＲＩ　　Ｒａ Ｒ２０ 〔式中、Ｒ１は水素原子またはメチル基を、役は低級ア
   ルキル基を、幻は低級アルキル基を表わすっ〕 で示されるカルバモイルクロリド誘導体と−た 〔式中、Ｒ４は低級アルキル基まγは低級アルケニル基
   を表わす。〕 で示されるチオール誘導体とを反応させることを特徴と
   する一般式 ％式％ 〔式中、ｋｌ、Ｒ２、Ｒ８およびｋは前記と同じ意味を
   表わす。〕 で示されるＮ−（α−置換ベンジル）チオールカーバメ
   ートの製造法。 （４）一般式 ％式％ 〔式中、Ｒ１は水素原子またはメチル基を、助は低級ア
   ルキル基を、良は低級アルキル基を、狗は低級アルキル
   基または低級アル