JPS59104355A - Ｎ−フエニルアルキルチオ−ルカ−バメ−ト誘導体、その製造法およびそれを有効成分とする除草剤 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、一般式 （２ ［式中、損は炭素数３以上のアルキレン基を、ｌｔ２は
低級アルキル基を、Ｒ８は低級アルキル基または低級ア
ルケニル基を表わす。］ で示されるＮ−フェニルアルキルチオールカーバメート
誘導体（以下、本発明化合物と記す。）、その製造法お
よびそれを有効成分とする除草剤に関するものである。

アル種のチオールカーバメート誘導体、例、ｔば、Ｎ−
ベンジル−Ｎ−イソプロピル−８−エチルチオールカー
バメート、ベーフェニルーＮ−メチル−８−（ｐ−エチ
ルベンジル）チオールカーバメート、Ｎ−ベンジル−Ｎ
−イソプロピル−８−アリールヲーオールカーバメート
が除草剤の有効ｔＡ勺として用いうろことは、特公昭５
２−２０Ｅ’、３０号公報、特開昭５４−７３７８２号
公報、本国特許第３６７６４７９号明細書に記載されで
いる。しかしながら、これらの化合物は、除草剤の１町
効成分として必ずしも常に充分なものであるとはいえな
い。

本発明化合物は、水田において問題となる柾々の雑草、
例えば、タイヌビエ等のイネ科雑草、アセテ、キカシグ
→ノ、ミソハコベ等の広葉雑草、ホタルイ等の一年生雑
草および÷ツバイ等の多年生雑草等の水田雑草を発芽時
の処理により有効に防除することかで〉、生育の進んだ
前記の雑草もイネに対する薬害を伴うことなく、防除す
ることができる。

また、本発明化合物は、畑地におけるイヌビエ、カラス
ムキ、メヒシバ等のイネ科雑草およびアオビユ等の広葉
雑草を有効に防除することもできる。

従って、本発明化合物は、水田および畑」也の除草剤の
有効成分として用し）ること力５できる。

本発明化合物は、一般式 〔式中、ｌｔｌおよびＲ２は前記と同じ意味を表わす。

〕 で示されるフェニルアルキルアミン誘導体と一般式 ％式％［１１１１ 〔式中、損は前記と同じ意味を表わす。〕で示されるク
ロロチオホーメート誘導体とを溶媒中、脱塩化水素剤の
存在下あるいは非存圧下０°Ｃ〜１５０°Ｃ，０，５時
間〜１０時間反応させることによって製造することがで
きる。

反応に供される試剤の量はフエニノし・アルキルアミン ホーメート誘導体［１１１］　０．４〜１．１当量、脱
塩化水素剤［１１１］　０．５〜１．５当量である。

溶媒には、ヘキサン、ヘプタン、リグロイン、石油エー
テル等の脂肪族炭化水素類、ベンセン、トルエン、キシ
レン等の芳香族炭化水素類、クロロポルム、四塩化炭素
、ジクロロエタン、クロロヘノセン、ジクロロベンセン
等のハロケン化炭化水素類、ジエチルエーテル、ジイソ
プロピルエ・−チル、ジオキサン、テトラヒドロフラン
、ジエチレングリコールジメチルエーテル等のエーテル
類、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチル
ケトン、イソホロン、シクロヘキサノン等のケトン類、
酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル類、ニトロエタン
、ニトロベンゼン等のニトロ化物、アセトニトリル、イ
ソブチロニトリル等のニトリル類、Ｎ、Ｎ−ジメチルポ
ルムアミド等の酸アミド類、ジメチルスルホキシド、ス
ルホラン等の硫黄化合物等あるいは、それらの混合物が
ある。

脱塩化水素剤には、ピリジン、トリエチルアミン、Ｎ、
Ｎ−ジエチルアニリン等の有機塩基、水酸化ナトリウム
、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム等の
無機塩基等がある。

反応終了後は、通常の後処理を行い、必要ならば、クロ
マトグラフィー、蒸留、再結晶等をこよって精製する。

また、本発明化合物は、一般式 〔式中、ｌｔｌおよび几２は前記と同じ意味を表わす。

〕 で示されるカルバモイルクロリド誘導体と一般式 ％式％ 〔式中、Ｒ８は前記と同じ意味を表オ）す。〕で示され
るチオール誘導体とを溶媒中、脱塩化水素剤の存在下あ
るいは脱塩化水素剤を溶媒として用い、０°Ｃ〜１５０
°Ｃ，０，５時間〜１０時間反応させることによって製
造することができる。

反応に供される試剤の量はカルノ＜モイルクロリド誘導
体〔■］１当量に対して、チオール誘導体［Ｖ］　０．
５〜１，１当量、脱塩化水素剤０．５〜１．５当量であ
る。

ン谷媒（こは、ヘキサン、ヘプタン、リグロイン、石油
エーテル等の脂肪族炭化水素類、ヘンセン、トルエン、
キシレン等の芳香族炭化水素類、クロロポルム、四塩化
炭素、ジクロロエタン、クロロヘノセン、ジクロロベン
セン等の／’ｖロゲン化炭化水素類、ジエチルエーテル
、ジイソプロピルエーテル、ジオキサン、テトラヒドロ
フラン、ジエチレングリコールジメチルエーテル等のエ
ーテル類、アセ！・ン、メチルエチルケトン、メチルイ
ソブチルケトン、イソホロン、シクロヘキサツノ等のケ
トン類、メタノール、エタノール、イソプロパツール、
も−ブタノール、オクタツール、シクロヘキサノール、
メチルセロソルフ、ジエチレングリコール、グリセリン
等の７　中コール類、酢酸エチル、酢酸ブチル等のエス
テル類、ニトロエタン、ニトロベンゼン等の二ｌ・口化
物、アセトニトリル、イソブチロニトリル等のニトリル
類、ピリジン、１−リエチルアミン、Ｎ、Ｎ−ジエチル
アニリン、トリガチルアミン、ヘーメチルモルホリン等
の第三級アミン類、へ、Ｎ−ジメチルポルムアミ菊！’
の酸アミド類、ジメチルスルホキシド、スルホラン等の
硫黄化合物、水等あるいは、それらの混合物がある。

脱塩化水素剤には、ピリンン、トリエチルアミン、Ｎ、
Ｎ−ジエチルアニリン答の有機塩基、水酸化ナトリウム
、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム等の
無機塩基がある。

反応終了後は、通常の後処理を行い、必要ならば、クロ
マトグラフィー、蒸留、再結晶等によって精製する。

次に本発明化合物の製造例を示す。

製造例１　（本発明化合物５の製造） Ｎ−メチル−δ−フェニルブチルアミン１、６　Ｑ　、
！＝　＋−リエチルアミン１．２ｆを１ヘルエン５０ｒ
ｎｌに溶がし、０°ｃ〜１０”（、で撹拌−Ｆｌ、３ｙ
のエチルクロロチオホーメートを滴下した１ｔＮＦ後、
２時間反応混合物をカ鳴還流した。

雨後、反応混合物を水、希塩酸、希重炭酸すトリウム水
溶液、水で洗い、溶媒を留去してＮ−メチルＮ−（δ−
フェニルフブチ）−８−エチルチオールカーバメート２
−１９　ヲｍりｎＤｌ、　５８６２゜ 製造例２（本発明化合物１８の製造） イソプロピルメルカプタン１，５１をピリジン５０ｍｃ
に溶がし、Ｎ−メチル−Ｎ−（γ−フェこルプロビル）
カルバモイルクロリド４．２ｇを加えて６時間加熱還流
した。次いで、減圧下にピリジンを留去し、残留物にエ
ーテルと水を加え、振とうした後、分液してエーテル層
を得、さらにエーテルを留去シタ。

得られた残渣をヘキサン−アセトンを溶出液とするシリ
カヶル力う人りロマトグラフィーに付しヘーメチルー（
γ−フェニルプロピル）−８−このような！！！！造法
によって製造できる本発明。　　化合物のいくつかを、
第１表に示す。

第　　１　　表 一般式　　　　　　　　（ＩＩ）　Ｎ−フェニルアル本
発明化合物を製造する場合、原料化合物であるカルバモ
イルクロリド誘導体［■］　ハ、−ｙエニルアルキルア
ミン誘導体［ｕ］とホスケントラ溶媒中、脱塩化水素剤
の存在下、０°ｃ〜１００℃、０．５時間〜１０時間反
応させることによって製造ぐることがＣきる。その際の
試剤の使用量はフェニルアルキルアミン誘導体Ｃｒｔ：
ｚ当量に対して、ホスケン１ル５当厘、脱塩化水素剤１
〜５当量である。

ＲＲ（こは、ベンゼン、トルエン、ヘキサン、クロロホ
ルム、テトラヒドロフラン等かある。

脱塩化水素剤には、ピリジン、トリエチルアミン、Ｎ、
Ｎ−ジメチルアニリン、Ｎ、Ｎ−ジエチルアニリン、Ｎ
−メチルピペリジン等かある。

反応終了後は、通常の後処理を行い、必要ならば、クロ
マトグラフィー、蒸留等によって精製する。

本発明化合物を除草剤の有効成分として用いる場合は、
通常固体担体、液体担体、界面粘性剤その他の製剤用補
助剤と昆合して、乳剤、水和剤、懸濁剤、粒剤等に製剤
する。

これらの製剤には有効成分として本発明化合物を、重墳
比で１〜６０．％、好ましくは２〜５０％含有する。

固体担体には、カオリンクレー、アクパルジャイトクレ
ー、ベントナイト、ｊ！２性白土、パイロフィライト、
タルク、珪藻土、方解石、クルミ扮、尿素、硫酸アンモ
ニウム、合成含水酸化珪素等の微粉末あるいは粒状物が
あり、液体担体には、キシレン、メチルナフタレン等の
芳香族ＩＡ化水素類、イソプロパツール、エチレングリ
コール、セロソルブ等のアルコール類、アセトン、シク
ロヘキサノン、イソホロン等のケトン類、大豆ｎｂ、綿
実油等の植物油、ジメチルスルポキシド、アセト二二ト
リル、水等がアル。

乳化、分散、湿層等のために用いられる界面活性剤にｉ
Ｊ　ｓ　アルキル硫酸エステル塩、アルキル（アリール
）スルホン酸塩、ジアルキルスルホコハク酸塩、ポリオ
キシエチレンアルキルアリールエーテルリン酸エステル
塩等の陰イオン界面ｉ　ｉＱｌ削、ポリオキンエチレン
アルキルエーテル、ポリオキシエチレンアルキルアリー
ルエーテル、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレン
ブロノクコポリマー、ソルビタン脂Ｕｊ　酸エステル、
ポリオキシエチレンソルビタンＨ肪Ｍｌエステル等の非
イオン界面活性剤等がある。製剤用補助剤には、リグニ
ンスルホン酸坦、アルキン酸基、ポリビニルアルコール
、アラビアガム、ＣＭＣ（カルボキシメチルセルロース
）、ｆ’　Ａ　Ｉ’　（酸性リン酸イソロピル）等があ
る。

次に製剤例を示す。なお、本発明化合物は第１表の化０
１番号でろべす。部は重量部を示す。

製剤例１ 本発明化合物１４．５０部、リグニンスルホン酸カルシ
ウム８部、ラウリル硫酸ナトリウノ・２部および合成含
水酸化珪素４５部をよく粉砕混合して水和剤を得る。

製剤例２ 本発明化合物３．１０部、ポリオキシエチレンスチリル
フェニルエーテル１４部、ドテンルベンゼンスルホン酸
カルシウム６部、キシレン３０部およびイソホロン４０
部をＪ：＜混合して乳剤を得る。

製剤例３ 本発明化合物４．２部、合成含水酸化珪素１部、リグニ
ンスルポ：７酸カルシ１クム２部、ベントナイト３０部
およびカゴリンクレー６５部をよく粉砕混合し、水を加
えてよく練り合せた後、造粒乾燥して粒剤を得る。

製剤例４ 本発明化合物７．２５部、ポリオキシエチレンソルヒタ
ンモノオレエ−１”　３　部、ＣＭ　ｔ；８部、水６９
部を混合し、粒度が５ミクロン以下になるまで温式粉砕
して懸濁剤を得る。

これらの製剤は、そのままであるいは水等で希釈し、糸
葉処理あるいは土壌処理する。土壌処理の場合は製剤を
土壌表面に散布する（必要に応じ、散布後土壌と混合す
る）かまたは土壌に潅注する。

まｊこ、他の除草剤と混合して用いることにより、除草
効力の増強を期待できる。さらに、殺虫剤、殺タニ剤、
殺線虫剤、殺菌剤、植物生長調節剤、肥料、土壌改良剤
等と混合して用いることもできる。

本発明化合物を除草剤の有効成分として用いる場合、そ
の誰用量は、通常１アールあたり５ｇ〜１００ｆ、好ま
しくは、９ｇ〜３０ｇであり、乳剤、水和剤、懸濁剤等
は、（必要ならば、展着剤等の散布補助剤を添加した）
水で希釈し、１アールあたり】リットル〜・１０す・ノ
トルの割合で施用し、粉剤等はなんら希釈することなく
そのまま施用する。

展着剤には、前記の界面活性剤の（まカシ、ポ１ノオキ
シエチレン樹脂酸（エステル）、ＩＪり゛ニンスルホン
酸塩、アビエチン酸塩、ジプーブチルメタンジスルホン
酸塩、ツマラフイン等力’アル。

次に、本発明化合物か除草剤の有効ｒＪ見分として有用
であることを試験例で示す。なお、本発明化合物は、第
１表の化合物番号で示し、比較対照に用いた化合物は第
２表の化合物を己号で示す。

第　　２　　表 また、雑草および作物に対する除草効力は、調査時の供
試植物の発芽および生育阻害の程度を肉眼観察し、化合
物を供試していない場合と全くないしはとノしど違いが
ないものを「０」とし、供試植物が枯死ないし生育が完
全に阻害されているものを「５」として、θ〜５０６段
階に評価し、０．１．２．８．４．５で示す。

試験例１　畑地土壌混和処理試験 直径］、　Ｏｃｍ　、深さ１０ｃｒｎの円筒型プラスチ
ックボットに畑地土壌を詰め、イヌヒエ、カラスムギ、
メヒシバ、アオヒュヲｍｍｔ、、ｉ土した。製剤例２に
準じて供試化合物を乳剤にし、その所定量を水で希釈し
、１アールあたり１０１Ｊツトル散布の割合で、小型噴
翠器にて土壌表面に散布した後、深さ４ｃｔｎまでの土
壌表層部分をよく混和した。散布後２０日間温室内で育
成し、除草効力を調査した。その結果を第３表に示す。

第　　３　　表 試験例２　水田土壌処理試験 直径８　ｃｍ　、深さ１２Ｌｙｎの円筒型プラスチック
ボットに水田土壌を詰め、タイヌビエ、広葉雑草（アセ
テ、キカシグサ、ミゾハコベ）、ホタルイの種子を１〜
２１ｃｒｎの深さに混ぜ込んだ。湛水して水田状態とし
た後、２葉期のイネを移植し、温室内で育成した。６日
後（各雑草の発生初期）に製剤例２に準じて、供試化合
物を乳剤にし、その所定量を水で希釈し、１ボツトあた
り５ミリリツトルの割合で、水面に滴ドした。滴下後２
０日間温室内で育成し、除草効力を調査した。その結果
を第４表に示す。

第　　４　　表 試験例３　水田茎葉兼土壌処理試験 １１５０００ａ　　ワグ不ルボノトに水田土壌を詰め、
タイヌビエ、広葉雑草（アレナ、キカシクザ、εソハコ
ｌ＼）、ホタルイの種子およびマツバイ越冬芽を１〜２
　ｃＴｎの深さに混ぜ込んだ。湛水して水田状態とした
後、３葉期のイネを移植し、温室ビ」で育成した。１１
日後（タイヌビエの２葉期）に、製剤例２に準し゛Ｃ供
試化合物を乳剤にし、その所定量を水で希釈し、■ポッ
トあたり１０ミリリツトルの割合で水面に滴下した。滴
゛ド後２０日間温室内で育成し、除草効力を調査Ｉ７た
。その結果を第５表に示す。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）一般式 【２ １式中、＋１１は炭素数３以上のアルキレン基を、ＩＬ
   ２は低級アルキル基を、ｌｔｇは低級アルキル基または
   低級アルケニル基を表わす。〕で示されるＮ−フェニル
   アルキルチオールカーバメート誘導体。 （２）一般式 〔式中、几１は炭素数３以上のアルキレン基を、几２は
   低級アルキル基を表わす。〕で示されるフェニルアルキ
   ルアミン誘導体と一般式 ％式％ 〔式中、Ｉｔｓは低級アルキル基または低級アルケニル
   基を表わす。〕 で示されるクロロチオホーメート誘導体とを反応させる
   ことを特徴とする一般式 ［２ 〔式中、托１．几２およびＲｐは前記と同じ意味を表わ
   す。〕 テ示すしるヘーフェニルアルキルチオールカーバメート
   誘導体の製造法。 （８）一般式 〔式中、損は炭素数３以上のア）Ｌｉキレン基を、几２
   は低級アルキル基を表わす。〕で示されろカルバモイル
   クロリド誘導体と一般式 ％式％ 〔式中、几８は低級アルキル基または低級アルケニル基
   を表わす。〕 テホサれるチオール鶴導体とを反応させることを特徴と
   する一般式 （２ 〔式中、ＪＬｔ　、几２およ０ζＪｕｇは前記と同じ意
   味を表わす。〕 で示されるＮ−フェニルアルキルチオールカーバメ−１
   ・誘導体の！１！造法。 （４）一般式 （） し式中、■・１は炭素数８以−ヒのアルキ１／ン基を、
   Ｒ２は低級アルキル基を、ｉｔｓは低級アルキル基また
   は低級アルケニル基を表わす。〕で示されるＮ−フェニ
   ルアルキルチオールカーバメート誘導体を有効成分とす
   ることを特徴とする除草剤。