JPS589954A - 電気接点材料 - Google Patents

電気接点材料

Info

Publication number
JPS589954A
JPS589954A JP56108537A JP10853781A JPS589954A JP S589954 A JPS589954 A JP S589954A JP 56108537 A JP56108537 A JP 56108537A JP 10853781 A JP10853781 A JP 10853781A JP S589954 A JPS589954 A JP S589954A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
iron group
silicide
electrical contact
group metal
contact material
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP56108537A
Other languages
English (en)
Inventor
Akira Fukui
彰 福井
Yoshinari Amano
良成 天野
Mitsuo Osada
光生 長田
Atsushi Kuroishi
黒石 農士
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Electric Industries Ltd
Original Assignee
Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Electric Industries Ltd filed Critical Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority to JP56108537A priority Critical patent/JPS589954A/ja
Priority to DE19823213265 priority patent/DE3213265A1/de
Priority to FR8206295A priority patent/FR2503926B1/fr
Priority to US06/367,603 priority patent/US4457780A/en
Publication of JPS589954A publication Critical patent/JPS589954A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Manufacture Of Switches (AREA)
  • Contacts (AREA)
  • Conductive Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は電流を通電開閉する機器に使用する電気接点材
料に関するものである。
また特にAg −W(!  系合金め特性向上を目的と
したものである。Ag−We系合金は従来そのすぐれた
耐アーク性、耐溶着性のため気中しゃ断器、開閉器等の
機器の接点として広く使用されている。
しかるに最近、ノーヒユーズブレーカを始めとする気中
しゃ断器や開閉器等の機器は小型、高性能化のすう勢に
あり、これに伴って接点材料への負荷が厳しくなり、接
点性能の向上が強く要請されている。又機器の小型化に
より接点寸法の小型化、接触圧力の低下の傾向にあり、
これによって電流しゃ断時に生ずる消耗、飛散が増大し
接点の溶着や機器の絶縁劣化、さらに定格電流開閉時に
温度上昇が起り易いといった問題が生じている。このよ
うな特性改善の要望に答えるものの一つとしてAg−W
e金合金グラファイト(Gr)を添加した接点が開発さ
れた。この接点は開閉時発生したアーク熱でGr が還
元ガスとなりweの酸化を防止して温度上昇を抑え、か
つGrの潤滑性により耐溶着性を高める効果がある。し
かし乍ら、arの添加によって逆に消耗、絶縁特性が低
下する欠点があつた。このため小型高性能のしゃ断器や
開閉器では可動接点にはAg −WC接点、固定接点に
はAg−WC−Gr接点という組合せで使用せざるを得
なかった。しかし、可動部と固定部で材質を変えて組合
せることは部品管理が極めて面倒なことである。更にこ
のような組合せによる使用法でも最近の小型高性能の機
器では接触圧力が小さく、開閉時に発生するアーク熱に
よって異常な温度上昇、消耗、絶縁劣化、溶着が多発し
更に接点性能の改善が要望されている。
本発明は以上の点に鑑みてなされたものであり耐溶着性
、耐消耗性、耐絶縁性を併せて具備し、かつ温度上昇が
低い実用性に優れた接点合金を提供するものである。更
に本発明合金は高価な銀量を可成り少くしても接点とし
て使用可能な安価な接点合金を提供するものであ°る。
一 本発明による合金は、鉄族金属と銀にIVa、Va。
Vla族金属の珪化物及びグラファイトを分散含有せし
め、珪化物が銀及び鉄族金属中に分散したことを特徴と
する電気接点材料である。
以下本発明による合金の特徴を説明する。
発明者等は銀に鉄族金属と各種珪化物を添加した合金の
検討を種々行った結果、該鉄族金属中に珪化物が分散し
た合金が電流の開閉時に発生するアーク熱での消耗、飛
散が極端に少く、機器の絶縁劣化や溶着の少い効果を示
すことを見出した。
鉄族金属と珪化物の固溶反応は一般に高温でしか起らな
いが、銀が存在すると焼結時銀が液相となり、この液相
を介して反応が促進されることが判明した。
しかし乍ら、鉄族金属や珪化物は耐酸化性が悪く開閉時
に発生するアーク熱によって酸化し、接点表面に絶縁体
の8102を形成し接触抵抗を増大させ機器の温度上昇
が高くなる欠点がある。このため鉄族金属や珪化物の酸
化防止として還元性に優れたGrを上記接点合金に添加
せしめると、Grは電気開閉時の熱で分解して還元ガス
を発生し鉄族金属や珪化物を酸化から防止し接触抵抗を
小さく抑え、機器の温度上昇を低下せしめると共にGr
の潤滑、性により耐溶着性を高めることがわかった。
即ち、鍋中に、高温度での機械強度や結合強度の優れた
鉄族金属に珪化物を固溶せしめて耐消耗性や耐溶着性を
向上し、更に還元性と潤滑性の優れたGrを添加するこ
とにより、従来のA g 、= W/C系やAg −W
e−Gr系接点では期待できなかった高性能の耐溶着性
、耐消耗性、耐絶縁性、温度上昇特性を共に具備した合
金を得ることができた。
鉄族金属はPa 、 Go 、 Ni等であり、j−7
0重量%であり好ましくは20−!;0重量%が適当で
ある。5重量%以下では鉄族金属が鍋中に分散し、珪化
物の固溶が起きず耐消耗性が向上しない。
また60重量%以上ではGrを添加しても接触抵抗が低
下せず温度上昇特性の向上効果がない。
珪化物としてはW、  Mo、Ta、Nb、Ti、Or
Zr 、 v等のIVa 、 Va 、 VIa族の珪
化物が効果があり、その量としてはj〜7七重量%が好
ましく、特に20−30重量%が特性が良い。珪化物が
5重量−以下では鍋中の珪化物量が少な過ぎて耐溶性が
不充分であり、704重量以上ではGrを添加しても接
触抵抗か低下せず温度上昇特性の向上が認められない。
次[Grの有効範囲は1〜//重量係であり好ましくは
3〜7重量%である。1重量%以下Tは鉄族金属や珪化
物が上記範囲内であっても温度上昇特性の向上が認めら
れず、また11重量%以上では合金製造が困難であり実
用性がない。
尚、本発明の目的を害しない0.7重量−程度のAl 
、 Si 、 Se 、 Te 、 Bi 、 Zn 
、 Cd 、 In 、 Sn 、 Ca。
Na等の金属元素が入っても差しつかえない。
次に実施例によって本発明による接点合金の特徴を具体
的に説明する。
実施例1 第1表、第2表、第3表及び第1表に示した割合で各粉
末を配合し、混合後成型体を作り、該成型体を水素雰囲
気中で1lOO0Cの温度で焼結した。
この焼結体を再加圧して気孔率が殆んど零の合金を作製
した。合金中温1表のものは比較材としての従来の合金
である。
第1表        単位二重量% 第2表               単位:重量%第
3表           単位:重量%第ダ表   
    単位二重量% 上述のようにして作成した合金についてA、STM試験
機により通電特性と消耗特性の評価を行った。
条件としては、ACloOV 、 !;OA 、 pf
/、 0.接触圧力200gr 、開離力200gr 
、接点形状6xjX/、jtUとし、2万回の開閉を行
ったo2万回開閉での電圧のバラツキ巾と消耗量の結果
を第3表に示す。
第5表 実施例2 実施例1で作成した合金、A6 、 Ba 、 C2及
び比較材1111 、 D2 、 D3 、 D4  
の合金から可動接点4’X7XJJl11の寸法に、固
定接点lrxざX211jlの寸法に切削加工したのち
台金に抵抗鑞付けで接合せしめこれをjQA定格の配線
用しゃ断器に組込み下記に示す試験条件にて接点性能評
価をした結果、第6表を得た。
試験条件: 過負荷試験: AC220V 、 200Apf 30
回耐久試験: AC220V 、 30Apf !iI
f回温度上昇試験: Ac、zxOv 、  5oAx
H短絡試験: ACj220V 、 7.jKA  p
f OJ/PO−Co 、  2PO−G。
第6表 第6表で示すように本発明合金は消耗量が少く温度上昇
が低く−、絶縁耐圧も高く高性能の接点特性を有してい
ることがわかる。
本発明合金は上述の通り接点性能が優れているのみでな
く、鉄族金属、珪化物を多゛量に含有しており高価な銀
量な大巾に節減できるので工業的価値の高いものである
−324−・

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)元素周期律表のIVa 、 Va 、 Via 
     族金属の珪化物が5〜70重量%、グラファイト/−
    11重量%、鉄族金属5〜60重量%、残部銀からなり
    、珪化物が鉄族金属及び鍋中に分散したことを特徴とす
    る電気接点材料。
  2. (2)珪化物がタングステン、モリブデン、タンタル、
    ニオブ、チタン、クロム、ジルコニウム、バナジウムの
    うち少くとも1種Ω珪化物であることを特徴とする特許
    請求の範囲(1)項記載の電気接点材料ら
  3. (3)鉄族金属がニッケル、鉄、コバルトのうち少くと
    も1種であることを特徴とする特許請求の範囲(1)項
    記載の電気接点材料。     ′
JP56108537A 1981-04-10 1981-07-10 電気接点材料 Pending JPS589954A (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP56108537A JPS589954A (ja) 1981-07-10 1981-07-10 電気接点材料
DE19823213265 DE3213265A1 (de) 1981-04-10 1982-04-08 Elektrisches kontaktmaterial
FR8206295A FR2503926B1 (fr) 1981-04-10 1982-04-09 Materiaux de contact electrique
US06/367,603 US4457780A (en) 1981-04-10 1982-04-12 Electric contact materials

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP56108537A JPS589954A (ja) 1981-07-10 1981-07-10 電気接点材料

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS589954A true JPS589954A (ja) 1983-01-20

Family

ID=14487318

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP56108537A Pending JPS589954A (ja) 1981-04-10 1981-07-10 電気接点材料

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS589954A (ja)

Cited By (70)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11001925B2 (en) 2016-12-19 2021-05-11 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus
US11004977B2 (en) 2017-07-19 2021-05-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
US11069510B2 (en) 2017-08-30 2021-07-20 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US11094582B2 (en) 2016-07-08 2021-08-17 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition method to form air gaps
US11094546B2 (en) 2017-10-05 2021-08-17 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US11101370B2 (en) 2016-05-02 2021-08-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US11107676B2 (en) 2016-07-28 2021-08-31 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
US11114294B2 (en) 2019-03-08 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOC layer and method of forming same
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
US11127589B2 (en) 2019-02-01 2021-09-21 Asm Ip Holding B.V. Method of topology-selective film formation of silicon oxide
US11127617B2 (en) 2017-11-27 2021-09-21 Asm Ip Holding B.V. Storage device for storing wafer cassettes for use with a batch furnace
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
US11244825B2 (en) 2018-11-16 2022-02-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US11242598B2 (en) 2015-06-26 2022-02-08 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US11251068B2 (en) 2018-10-19 2022-02-15 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and substrate processing method
US11251035B2 (en) 2016-12-22 2022-02-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11251040B2 (en) 2019-02-20 2022-02-15 Asm Ip Holding B.V. Cyclical deposition method including treatment step and apparatus for same
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
US11270899B2 (en) 2018-06-04 2022-03-08 Asm Ip Holding B.V. Wafer handling chamber with moisture reduction
US11274369B2 (en) 2018-09-11 2022-03-15 Asm Ip Holding B.V. Thin film deposition method
US11282698B2 (en) 2019-07-19 2022-03-22 Asm Ip Holding B.V. Method of forming topology-controlled amorphous carbon polymer film
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
US11289326B2 (en) 2019-05-07 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Method for reforming amorphous carbon polymer film
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US11296189B2 (en) 2018-06-21 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US11315794B2 (en) 2019-10-21 2022-04-26 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for selectively etching films
US11342216B2 (en) 2019-02-20 2022-05-24 Asm Ip Holding B.V. Cyclical deposition method and apparatus for filling a recess formed within a substrate surface
US11339476B2 (en) 2019-10-08 2022-05-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing device having connection plates, substrate processing method
US11345999B2 (en) 2019-06-06 2022-05-31 Asm Ip Holding B.V. Method of using a gas-phase reactor system including analyzing exhausted gas
US11355338B2 (en) 2019-05-10 2022-06-07 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing material onto a surface and structure formed according to the method
US11361990B2 (en) 2018-05-28 2022-06-14 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method and device manufactured by using the same
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11378337B2 (en) 2019-03-28 2022-07-05 Asm Ip Holding B.V. Door opener and substrate processing apparatus provided therewith
US11387106B2 (en) 2018-02-14 2022-07-12 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US11387120B2 (en) 2017-09-28 2022-07-12 Asm Ip Holding B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US11393690B2 (en) 2018-01-19 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Deposition method
US11390945B2 (en) 2019-07-03 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Temperature control assembly for substrate processing apparatus and method of using same
US11390946B2 (en) 2019-01-17 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US11398382B2 (en) 2018-03-27 2022-07-26 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an electrode on a substrate and a semiconductor device structure including an electrode
US11396702B2 (en) 2016-11-15 2022-07-26 Asm Ip Holding B.V. Gas supply unit and substrate processing apparatus including the gas supply unit
US11401605B2 (en) 2019-11-26 2022-08-02 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus
US11410851B2 (en) 2017-02-15 2022-08-09 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US11417545B2 (en) 2017-08-08 2022-08-16 Asm Ip Holding B.V. Radiation shield
US11414760B2 (en) 2018-10-08 2022-08-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate support unit, thin film deposition apparatus including the same, and substrate processing apparatus including the same
US11424119B2 (en) 2019-03-08 2022-08-23 Asm Ip Holding B.V. Method for selective deposition of silicon nitride layer and structure including selectively-deposited silicon nitride layer
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11430640B2 (en) 2019-07-30 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus
US11437241B2 (en) 2020-04-08 2022-09-06 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for selectively etching silicon oxide films
US11443926B2 (en) 2019-07-30 2022-09-13 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft

Cited By (70)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US11242598B2 (en) 2015-06-26 2022-02-08 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US11101370B2 (en) 2016-05-02 2021-08-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US11094582B2 (en) 2016-07-08 2021-08-17 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition method to form air gaps
US11107676B2 (en) 2016-07-28 2021-08-31 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US11396702B2 (en) 2016-11-15 2022-07-26 Asm Ip Holding B.V. Gas supply unit and substrate processing apparatus including the gas supply unit
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11001925B2 (en) 2016-12-19 2021-05-11 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus
US11251035B2 (en) 2016-12-22 2022-02-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US11410851B2 (en) 2017-02-15 2022-08-09 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11004977B2 (en) 2017-07-19 2021-05-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11417545B2 (en) 2017-08-08 2022-08-16 Asm Ip Holding B.V. Radiation shield
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
US11069510B2 (en) 2017-08-30 2021-07-20 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus
US11387120B2 (en) 2017-09-28 2022-07-12 Asm Ip Holding B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US11094546B2 (en) 2017-10-05 2021-08-17 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
US11127617B2 (en) 2017-11-27 2021-09-21 Asm Ip Holding B.V. Storage device for storing wafer cassettes for use with a batch furnace
US11393690B2 (en) 2018-01-19 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Deposition method
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US11387106B2 (en) 2018-02-14 2022-07-12 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
US11398382B2 (en) 2018-03-27 2022-07-26 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an electrode on a substrate and a semiconductor device structure including an electrode
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US11361990B2 (en) 2018-05-28 2022-06-14 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method and device manufactured by using the same
US11270899B2 (en) 2018-06-04 2022-03-08 Asm Ip Holding B.V. Wafer handling chamber with moisture reduction
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US11296189B2 (en) 2018-06-21 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11274369B2 (en) 2018-09-11 2022-03-15 Asm Ip Holding B.V. Thin film deposition method
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
US11414760B2 (en) 2018-10-08 2022-08-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate support unit, thin film deposition apparatus including the same, and substrate processing apparatus including the same
US11251068B2 (en) 2018-10-19 2022-02-15 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and substrate processing method
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11244825B2 (en) 2018-11-16 2022-02-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US11390946B2 (en) 2019-01-17 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US11127589B2 (en) 2019-02-01 2021-09-21 Asm Ip Holding B.V. Method of topology-selective film formation of silicon oxide
US11342216B2 (en) 2019-02-20 2022-05-24 Asm Ip Holding B.V. Cyclical deposition method and apparatus for filling a recess formed within a substrate surface
US11251040B2 (en) 2019-02-20 2022-02-15 Asm Ip Holding B.V. Cyclical deposition method including treatment step and apparatus for same
US11114294B2 (en) 2019-03-08 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOC layer and method of forming same
US11424119B2 (en) 2019-03-08 2022-08-23 Asm Ip Holding B.V. Method for selective deposition of silicon nitride layer and structure including selectively-deposited silicon nitride layer
US11378337B2 (en) 2019-03-28 2022-07-05 Asm Ip Holding B.V. Door opener and substrate processing apparatus provided therewith
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11289326B2 (en) 2019-05-07 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Method for reforming amorphous carbon polymer film
US11355338B2 (en) 2019-05-10 2022-06-07 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing material onto a surface and structure formed according to the method
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
US11345999B2 (en) 2019-06-06 2022-05-31 Asm Ip Holding B.V. Method of using a gas-phase reactor system including analyzing exhausted gas
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
US11390945B2 (en) 2019-07-03 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Temperature control assembly for substrate processing apparatus and method of using same
US11282698B2 (en) 2019-07-19 2022-03-22 Asm Ip Holding B.V. Method of forming topology-controlled amorphous carbon polymer film
US11430640B2 (en) 2019-07-30 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus
US11443926B2 (en) 2019-07-30 2022-09-13 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
US11339476B2 (en) 2019-10-08 2022-05-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing device having connection plates, substrate processing method
US11315794B2 (en) 2019-10-21 2022-04-26 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for selectively etching films
US11401605B2 (en) 2019-11-26 2022-08-02 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus
US11437241B2 (en) 2020-04-08 2022-09-06 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for selectively etching silicon oxide films

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS589954A (ja) 電気接点材料
JPH0156490B2 (ja)
JPS5811754A (ja) 電気接点材料
JP2006228684A (ja) 真空バルブ用接点材料並びに真空バルブ及びその製造方法
JPS6357896B2 (ja)
JPS5811753A (ja) 電気接点材料
JPS589953A (ja) 電気接点材料
JP2003147407A (ja) 電気接点部材とその製造法及びそれを用いた真空バルブ並びに真空遮断器
JPS63118032A (ja) 真空しや断器用接点材料
EP0126347B2 (en) Contact material for vacuum circuit interrupter, contact member of such material, a vacuum circuit interrupter and the use of such material
JPH0230370B2 (ja) Denkisetsutenzairyonoseizoho
JPS5884945A (ja) 電気接点材料
JPS5884939A (ja) 電気接点材料
JP6302276B2 (ja) 電気接点材料、電気接点対および遮断器
JPS6059978B2 (ja) 電気接点材料
JPS5884946A (ja) 電気接点材料
JPS5884947A (ja) 電気接点材料
JPS5884942A (ja) 電気接点材料
JPH0241571B2 (ja)
JP4515695B2 (ja) 真空遮断器用接点材料
JPS5884938A (ja) 電気接点材料
JPS5914218A (ja) 真空しや断器用接点材料
JPS58100650A (ja) 電気接点材料
JPS5884944A (ja) 電気接点材料
JPS5884937A (ja) 電気接点材料