JPS5898929A - 原子層エツチング法 - Google Patents
原子層エツチング法Info
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- JPS5898929A JPS5898929A JP19786681A JP19786681A JPS5898929A JP S5898929 A JPS5898929 A JP S5898929A JP 19786681 A JP19786681 A JP 19786681A JP 19786681 A JP19786681 A JP 19786681A JP S5898929 A JPS5898929 A JP S5898929A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はエツチング方法に係り、とりわけ一原子層づつ
エツチングする原子層エツチング法に関する。
エツチングする原子層エツチング法に関する。
従来、基板表面のエツチング法としては、エツチング液
によるエツチング液、プラズマ−エツチング法、イオン
・エツチング法等が用いらｎてぃたＯ これら従来技術では、エツチング原子あるいは分子上基
板表面に確率的に反応あるいｒｉ働突させるため、原子
層を−１−づつエツチングするのではないためにミクロ
なエツチング原のバラツキが生じるのが物理現象として
当然の成り行きであつ几。
によるエツチング液、プラズマ−エツチング法、イオン
・エツチング法等が用いらｎてぃたＯ これら従来技術では、エツチング原子あるいは分子上基
板表面に確率的に反応あるいｒｉ働突させるため、原子
層を−１−づつエツチングするのではないためにミクロ
なエツチング原のバラツキが生じるのが物理現象として
当然の成り行きであつ几。
本発明は、かかる従来技術の欠点をなくシ、基板表面を
一原子層づつエツチングし、ミクロ的にもバラツキのな
い均一なエツチングを行なう方法を提供することを目的
とする。
一原子層づつエツチングし、ミクロ的にもバラツキのな
い均一なエツチングを行なう方法を提供することを目的
とする。
上記目的３達成するための本発明の基本的な構成は、基
板表面には反応性吸着ｔｔｌｔ形成し、該吸着層を加熱
あるいは光照射により基板の全ｒｉｉｔ几は部分的に反
応生成物を作成し、該反応生成部を除去することにより
基板表面の一原子層のみｔエツチングすることｒ％書と
する。
板表面には反応性吸着ｔｔｌｔ形成し、該吸着層を加熱
あるいは光照射により基板の全ｒｉｉｔ几は部分的に反
応生成物を作成し、該反応生成部を除去することにより
基板表面の一原子層のみｔエツチングすることｒ％書と
する。
以下、実施例に沿って本発明を詳述する。
第１図は本発明の一実施例を示す８１基板の原子層エツ
チングの反応過程を模式的に示したものである。いま、
（Ａ）８１基板１を真空容器中でＨ？ガスで表面８１０
． ｉ除去後、ヨウｇ（ｘ＊）を蒸発ガス状となし、８
１基板表［ｆｌＫｆｉｌｌで吸着させ、吸着層２會形成
する０次いで（ト）基板１１００℃程度に加熱して８１
基板１と吸着層つ累層２を反応させ、ヨウ化８１層とな
す。次いで（１ｍり＃！つ化Ｂ１層を基板１０５００℃
程蜜の加熱により蒸発除去する。この場合、ヨウ化８１
層は水洗で除去しても良い。以上の如く、吸着層の形成
と除去によシ基板８１Ｏ表面８１の一原子層が除去され
ることになる。この操作をくり返すことにより１操作４
〜５１程度の８１原子間隔程度の厚さでのエツチングが
精度良く行なえる効果がある。
チングの反応過程を模式的に示したものである。いま、
（Ａ）８１基板１を真空容器中でＨ？ガスで表面８１０
． ｉ除去後、ヨウｇ（ｘ＊）を蒸発ガス状となし、８
１基板表［ｆｌＫｆｉｌｌで吸着させ、吸着層２會形成
する０次いで（ト）基板１１００℃程度に加熱して８１
基板１と吸着層つ累層２を反応させ、ヨウ化８１層とな
す。次いで（１ｍり＃！つ化Ｂ１層を基板１０５００℃
程蜜の加熱により蒸発除去する。この場合、ヨウ化８１
層は水洗で除去しても良い。以上の如く、吸着層の形成
と除去によシ基板８１Ｏ表面８１の一原子層が除去され
ることになる。この操作をくり返すことにより１操作４
〜５１程度の８１原子間隔程度の厚さでのエツチングが
精度良く行なえる効果がある。
第２図は本発明のその他の実施例であり、いま（１（却
ｖ含んだ８１基板１１の表面に常温でヨウ素吸着層１２
ｔ−形成し、（Ｂ）基板１１′ｇｔｌＯＯ℃に加熱して
ヨウ素吸着１２と８１基板表面とに′Ｅｌつ化８１反応
層會形成し、（０）基板１１に：２００℃に加熱して８
１基板１１の表面のＢ１子１ｋＭつ化Ｂとして蒸発除去
し、（Ｄ）基板Ｂ１１１の表面のヨウ化８１層のヨウ素
ｔ２００℃程度の基板温度で水素（Ｈ８）雰囲気に晒す
ことにより、Ｈエガスとなし除去することにより、８１
基板表Ｅｔｉ１１０原子層からＢ原子ＶＳ分的に除去す
ることができる。基板表面の部分的な原子層エツチング
に関してはｇｉ、Ｎ、膜やホトレジスト膜のマスキング
効果を利用して所定面積の４の部分原子層エツチングも
可能となる。
ｖ含んだ８１基板１１の表面に常温でヨウ素吸着層１２
ｔ−形成し、（Ｂ）基板１１′ｇｔｌＯＯ℃に加熱して
ヨウ素吸着１２と８１基板表面とに′Ｅｌつ化８１反応
層會形成し、（０）基板１１に：２００℃に加熱して８
１基板１１の表面のＢ１子１ｋＭつ化Ｂとして蒸発除去
し、（Ｄ）基板Ｂ１１１の表面のヨウ化８１層のヨウ素
ｔ２００℃程度の基板温度で水素（Ｈ８）雰囲気に晒す
ことにより、Ｈエガスとなし除去することにより、８１
基板表Ｅｔｉ１１０原子層からＢ原子ＶＳ分的に除去す
ることができる。基板表面の部分的な原子層エツチング
に関してはｇｉ、Ｎ、膜やホトレジスト膜のマスキング
効果を利用して所定面積の４の部分原子層エツチングも
可能となる。
以上は８１基板の原子層エツチングのみｔ例に示したか
、他のあらゆる物質、形状の表面原子層のエツチングに
本発明は適用できる。
、他のあらゆる物質、形状の表面原子層のエツチングに
本発明は適用できる。
更に部分的にエツチングされｔ部分やエツチング残部に
他の原子を部分的に原子層エピタキシャル法で墳めるこ
とも可能となる。
他の原子を部分的に原子層エピタキシャル法で墳めるこ
とも可能となる。
以上の如く、本発明による原子層エツチングは原子の大
きさの精度というｌオーダーの高精度のエツチングを可
能とする効果がある。
きさの精度というｌオーダーの高精度のエツチングを可
能とする効果がある。
Ｂ１図は本発明による原子−エツチングの反応過程を示
す模式図、第２図は本発明による部分原子層エツチング
の過程を示す模式図である。 １．１１・・・基板 ２．１２・・・吸着層Ｉ２→ エ
エ エ 、２ 第１図
す模式図、第２図は本発明による部分原子層エツチング
の過程を示す模式図である。 １．１１・・・基板 ２．１２・・・吸着層Ｉ２→ エ
エ エ 、２ 第１図
Claims (1)
- 基板表面には反応性吸着層を形成し、紋吸着１′−を加
熱あるいは光照射により基板の全面又Ｆｉ部分的に反応
生成物を作成し、該反応生成物を除去することにより基
板！！面の一原子層のみｔエツチングすることｔ特命と
する原子ノーエツチング法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19786681A JPS5898929A (ja) | 1981-12-09 | 1981-12-09 | 原子層エツチング法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19786681A JPS5898929A (ja) | 1981-12-09 | 1981-12-09 | 原子層エツチング法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5898929A true JPS5898929A (ja) | 1983-06-13 |
| JPH0379862B2 JPH0379862B2 (ja) | 1991-12-20 |
Family
ID=16381631
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19786681A Granted JPS5898929A (ja) | 1981-12-09 | 1981-12-09 | 原子層エツチング法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5898929A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4678536A (en) * | 1984-11-21 | 1987-07-07 | Hitachi, Ltd. | Method of photochemical surface treatment |
| EP0562848A2 (en) * | 1992-03-27 | 1993-09-29 | Hitachi, Ltd. | Surface treating method |
| JP2005252186A (ja) * | 2004-03-08 | 2005-09-15 | Semiconductor Leading Edge Technologies Inc | エッチング装置及びエッチング方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49390A (ja) * | 1972-04-15 | 1974-01-05 | ||
| JPS50130370A (ja) * | 1974-04-01 | 1975-10-15 |
-
1981
- 1981-12-09 JP JP19786681A patent/JPS5898929A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49390A (ja) * | 1972-04-15 | 1974-01-05 | ||
| JPS50130370A (ja) * | 1974-04-01 | 1975-10-15 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4678536A (en) * | 1984-11-21 | 1987-07-07 | Hitachi, Ltd. | Method of photochemical surface treatment |
| EP0562848A2 (en) * | 1992-03-27 | 1993-09-29 | Hitachi, Ltd. | Surface treating method |
| JP2005252186A (ja) * | 2004-03-08 | 2005-09-15 | Semiconductor Leading Edge Technologies Inc | エッチング装置及びエッチング方法 |
| JP4540368B2 (ja) * | 2004-03-08 | 2010-09-08 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0379862B2 (ja) | 1991-12-20 |
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