JPS50130370A - - Google Patents

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JPS50130370A
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Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS55113329A (en) * 1979-02-23 1980-09-01 Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai Light dry etching
JPS5863136A (ja) * 1981-10-09 1983-04-14 Seiko Epson Corp 光ドライエツチング装置
JPS5898929A (ja) * 1981-12-09 1983-06-13 Seiko Epson Corp 原子層エツチング法
JPS58145131A (ja) * 1982-02-23 1983-08-29 Fujitsu Ltd クロム膜のドライエツチング方法
JPS5933830A (ja) * 1982-08-20 1984-02-23 Toshiba Corp ドライエツチング方法
JPS5961124A (ja) * 1982-09-30 1984-04-07 Fujitsu Ltd 薄膜形成方法
JPS5967634A (ja) * 1982-10-09 1984-04-17 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の加工方法
JPS5990930A (ja) * 1982-11-17 1984-05-25 Toshiba Corp ドライエツチング方法及び装置
JPS59155935A (ja) * 1983-02-25 1984-09-05 Agency Of Ind Science & Technol プラズマを用いたパタ−ン形成法
JPS59220925A (ja) * 1983-05-31 1984-12-12 Toshiba Corp ドライエッチング方法
JPS60154619A (ja) * 1984-01-24 1985-08-14 インタ−ナショナル　ビジネス　マシ−ンズ　コ−ポレ−ション 金属層をエツチングする方法
JPS60187026A (ja) * 1984-01-24 1985-09-24 インタ−ナショナル　ビジネス　マシ−ンズ　コ−ポレ−ション 金属層をエツチングする方法
JPS60216554A (ja) * 1984-04-12 1985-10-30 Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd フオトエツチング法
JPS60253230A (ja) * 1984-05-29 1985-12-13 Mitsubishi Electric Corp 微細パタ−ン形成方法
JPS6112054A (ja) * 1984-06-22 1986-01-20 インタ−ナショナル　ビジネス　マシ−ンズ　コ−ポレ−ション 半導体パツケ−ジ製造方法
JPS6153732A (ja) * 1984-08-23 1986-03-17 Daikin Ind Ltd シリコン酸化膜の光照射によるエツチング方法
JPS62167883A (ja) * 1981-09-17 1987-07-24 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 炭素被膜を有する複合体の作成方法

Cited By (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS55113329A (en) * 1979-02-23 1980-09-01 Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai Light dry etching
JPS62167883A (ja) * 1981-09-17 1987-07-24 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 炭素被膜を有する複合体の作成方法
JPH0237087B2 (ja) * 1981-09-17 1990-08-22 Handotai Energy Kenkyusho
JPS5863136A (ja) * 1981-10-09 1983-04-14 Seiko Epson Corp 光ドライエツチング装置
JPS5898929A (ja) * 1981-12-09 1983-06-13 Seiko Epson Corp 原子層エツチング法
JPH0379862B2 (ja) * 1981-12-09 1991-12-20 Seiko Epson Corp
JPS58145131A (ja) * 1982-02-23 1983-08-29 Fujitsu Ltd クロム膜のドライエツチング方法
JPS5933830A (ja) * 1982-08-20 1984-02-23 Toshiba Corp ドライエツチング方法
JPS5961124A (ja) * 1982-09-30 1984-04-07 Fujitsu Ltd 薄膜形成方法
JPH0456447B2 (ja) * 1982-09-30 1992-09-08 Fujitsu Ltd
JPS5967634A (ja) * 1982-10-09 1984-04-17 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の加工方法
JPS5990930A (ja) * 1982-11-17 1984-05-25 Toshiba Corp ドライエツチング方法及び装置
JPH0526329B2 (ja) * 1983-02-25 1993-04-15 Kogyo Gijutsuin
JPS59155935A (ja) * 1983-02-25 1984-09-05 Agency Of Ind Science & Technol プラズマを用いたパタ−ン形成法
JPS59220925A (ja) * 1983-05-31 1984-12-12 Toshiba Corp ドライエッチング方法
JPS60154619A (ja) * 1984-01-24 1985-08-14 インタ−ナショナル　ビジネス　マシ−ンズ　コ−ポレ−ション 金属層をエツチングする方法
JPS60187026A (ja) * 1984-01-24 1985-09-24 インタ−ナショナル　ビジネス　マシ−ンズ　コ−ポレ−ション 金属層をエツチングする方法
JPS60216554A (ja) * 1984-04-12 1985-10-30 Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd フオトエツチング法
JPS60253230A (ja) * 1984-05-29 1985-12-13 Mitsubishi Electric Corp 微細パタ−ン形成方法
JPS6112054A (ja) * 1984-06-22 1986-01-20 インタ−ナショナル　ビジネス　マシ−ンズ　コ−ポレ−ション 半導体パツケ−ジ製造方法
JPH0516185B2 (ja) * 1984-06-22 1993-03-03 Intaanashonaru Bijinesu Mashiinzu Corp
JPS6153732A (ja) * 1984-08-23 1986-03-17 Daikin Ind Ltd シリコン酸化膜の光照射によるエツチング方法

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