JPS5898909A - コンデンサ - Google Patents
コンデンサInfo
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- JPS5898909A JPS5898909A JP19809781A JP19809781A JPS5898909A JP S5898909 A JPS5898909 A JP S5898909A JP 19809781 A JP19809781 A JP 19809781A JP 19809781 A JP19809781 A JP 19809781A JP S5898909 A JPS5898909 A JP S5898909A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/14—Organic dielectrics
- H01G4/18—Organic dielectrics of synthetic material, e.g. derivatives of cellulose
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- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Organic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、耐熱性、高誘電率、高温の誘電損失が低い性
質をもつ誘電体を昂いた小形高性能コンデンサを提供す
るもので、これによって、電子機器、電力機器の小形化
、高性能化に貢献するものである。
質をもつ誘電体を昂いた小形高性能コンデンサを提供す
るもので、これによって、電子機器、電力機器の小形化
、高性能化に貢献するものである。
コンデンサの誘電体として、現在絶縁紙やプラスチック
フィルム特に、ポリエチレンテレフタレート、ポリプロ
ピレンフィルムが広く用いられているが、近年の電子機
器及び電力機器の小形化、高性能化の要求にともない高
誘電率、低誘電損失、高誘電耐力のある誘電体を用いた
小形、高性能のコンデンサの開発が望まれている。
フィルム特に、ポリエチレンテレフタレート、ポリプロ
ピレンフィルムが広く用いられているが、近年の電子機
器及び電力機器の小形化、高性能化の要求にともない高
誘電率、低誘電損失、高誘電耐力のある誘電体を用いた
小形、高性能のコンデンサの開発が望まれている。
高誘電率誘電体として、古くからセルロース誘導体が注
目され、例えば、シアノエチルセルロース。
目され、例えば、シアノエチルセルロース。
アセチルセルロース、ニトロセルロース等が開発されて
いるが、誘電損失が高く、絶縁耐圧が低い欠点を持ち、
特に６０℃以上の高温下での電気特性の低下が著しいた
め実用に充分寄与していない。
いるが、誘電損失が高く、絶縁耐圧が低い欠点を持ち、
特に６０℃以上の高温下での電気特性の低下が著しいた
め実用に充分寄与していない。
本発明は、従来における以上のような点に鑑みなされた
もので、高誘電率、低誘電損失、高絶縁耐力のすぐれた
電気特性、及び耐熱性の良好なプルラン誘導体を誘電体
に使用することにより小形高性能コンデンサを提供する
ものである。
もので、高誘電率、低誘電損失、高絶縁耐力のすぐれた
電気特性、及び耐熱性の良好なプルラン誘導体を誘電体
に使用することにより小形高性能コンデンサを提供する
ものである。
以下に図面を用い本発明の説明を行う。
少なくとも一対の電極間に、下記の一般式で示される様
なプルラン誘導体を誘電体として作った長帯状フィルム
、又は、シート状のものを配置し、それを捲回又は、積
層してコンデンサ素子を作製した。
なプルラン誘導体を誘電体として作った長帯状フィルム
、又は、シート状のものを配置し、それを捲回又は、積
層してコンデンサ素子を作製した。
以下余白
３７
但し、Ｒは、−ＣＨＣＨＣＮ、−ａ−ｃＨ３，および２
２ −Ｎ０２よりなる群から選ばれる少なくとも一種の極性
基よりなる。
２ −Ｎ０２よりなる群から選ばれる少なくとも一種の極性
基よりなる。
さらに、グルコース単位における３個の水酸基に対する
極性基の置換度（１００％置換を置換度３とする）は、
２．０〜３．０のものを使用した。置換度２．０未満の
ものは、フィルム成形性が悪く、さらに耐水性、吸湿性
、熱安定性が良好ではなかった０ 下の表に本発明に使用されたプルラン誘導体の一例の比
誘電率（εｒ）を、同極性基を持ったセルロース誘導体
の比誘電率と比較して示す。
極性基の置換度（１００％置換を置換度３とする）は、
２．０〜３．０のものを使用した。置換度２．０未満の
ものは、フィルム成形性が悪く、さらに耐水性、吸湿性
、熱安定性が良好ではなかった０ 下の表に本発明に使用されたプルラン誘導体の一例の比
誘電率（εｒ）を、同極性基を持ったセルロース誘導体
の比誘電率と比較して示す。
表
表から明らかな様にセルロース誘導体と比較して高い誘
電率を示した。
電率を示した。
なお便宜上以下の説明ならびに図面では、上記表中の記
号でもって該当の化合物を表わすものとする。
号でもって該当の化合物を表わすものとする。
次に第１図に上記表に示した化合物を誘電体として用い
たコンデンサ素子の誘電損失ｔａｎδ（１００Ｈｚ）
と温度との関係を示す。この図から明らかなように、
従来の化合物り、Ｅ、Ｆを誘電体として用いたコンデン
サ素子は、８０ｕ以上の温度で、１０％以上もの高い誘
電損失を示したのに対し、Ａ、Ｂ、Ｃを用いた本発明品
は、８０’Ｃにおいても６チ以下の低い値を示した。
たコンデンサ素子の誘電損失ｔａｎδ（１００Ｈｚ）
と温度との関係を示す。この図から明らかなように、
従来の化合物り、Ｅ、Ｆを誘電体として用いたコンデン
サ素子は、８０ｕ以上の温度で、１０％以上もの高い誘
電損失を示したのに対し、Ａ、Ｂ、Ｃを用いた本発明品
は、８０’Ｃにおいても６チ以下の低い値を示した。
次に上記各コンデンサ素子について８０℃雰囲気中で連
続直流昇圧破壊試験を行なった結果を第２図に示す。な
お同試験における昇圧速度は１２６／ ｓｅａである。
続直流昇圧破壊試験を行なった結果を第２図に示す。な
お同試験における昇圧速度は１２６／ ｓｅａである。
この図から明らかなように１本発明品は、従来品と比較
して絶縁破壊電圧がかなシ高い水準にある。
して絶縁破壊電圧がかなシ高い水準にある。
以上に説明したように、本発明によるものは、従来のセ
ルロース誘導体を用いたものと比較して高誘電率を有し
、かつ高温における誘電損失が小さく、絶縁耐力が高い
ため、小形化が計られ、高温雰囲気における信頼性の向
上が実現した。
ルロース誘導体を用いたものと比較して高誘電率を有し
、かつ高温における誘電損失が小さく、絶縁耐力が高い
ため、小形化が計られ、高温雰囲気における信頼性の向
上が実現した。
次により具体的に本発明の実施例について説明する。
実施例１
本発明品四として、一対のアルミニウム箔を電極として
、その間にシアノエチルプルラ／（ハ）〈置換度２．７
〉の長帯状フィルムを誘電体として巻回したコンデンサ
素子と、従来品ｑとして、上記とＩｎの電極を用いてシ
アノエチルセルロースｐ）＜置換度２．７〉を誘電体と
して巻回したコンデンサ素子を各１０個８０℃雰囲気中
で６０ｖ／μｍの交流電圧を印加して破壊寿命試験を行
なった。その試験結果を第３図に示す。
、その間にシアノエチルプルラ／（ハ）〈置換度２．７
〉の長帯状フィルムを誘電体として巻回したコンデンサ
素子と、従来品ｑとして、上記とＩｎの電極を用いてシ
アノエチルセルロースｐ）＜置換度２．７〉を誘電体と
して巻回したコンデンサ素子を各１０個８０℃雰囲気中
で６０ｖ／μｍの交流電圧を印加して破壊寿命試験を行
なった。その試験結果を第３図に示す。
図から明らかなように１本発明品は、１０００時間以上
経過しても全数稼動（残存率１００％）したが、従来品
は、１００時間内に全数破壊（残存率０％）した。
経過しても全数稼動（残存率１００％）したが、従来品
は、１００時間内に全数破壊（残存率０％）した。
実施例２
本発明品（Ｂ）として、アセチルプルラン（Ｂ）＜置換
度２．９〉フィルムの片面にアルミニウムを蒸着し、そ
れを重去合せて捲回し作製したコンデンサ素子と、従来
品閲として、同電極構成のアセチルセルロース＠）＜置
換度２．９〉誘電体フィルムを捲回して作製したコンデ
ンサ素子各１０個を、同時に８０℃雰囲気でｓｏＶ／μ
ｍの交流電圧を印加した時の容量減少率の変化を調べた
。その結果を第４図に示す。
度２．９〉フィルムの片面にアルミニウムを蒸着し、そ
れを重去合せて捲回し作製したコンデンサ素子と、従来
品閲として、同電極構成のアセチルセルロース＠）＜置
換度２．９〉誘電体フィルムを捲回して作製したコンデ
ンサ素子各１０個を、同時に８０℃雰囲気でｓｏＶ／μ
ｍの交流電圧を印加した時の容量減少率の変化を調べた
。その結果を第４図に示す。
図から明らかな様に、従来品は、熱劣化に伴う欠陥発生
がセルフヒーリング（自己回復）現象を多発して容量低
下が著しく、１００時間以内で容量がまったく失なわれ
てしまった。これに対し。
がセルフヒーリング（自己回復）現象を多発して容量低
下が著しく、１００時間以内で容量がまったく失なわれ
てしまった。これに対し。
本発明品は、１００時間経過しても、容量減少率が、１
チ以下であった。
チ以下であった。
実施例３
本発明品０として、ニトロプルラン（Ｃｌ＜置換度２．
６〉誘電体フィルムの両面にアルミニウム蒸着したもの
を積層して作製したコンデンサ素子と、従来品（ト）と
して、ニトロセルロース（Ｆ）＜置換度２．６〉誘電体
フィルムを上記同様の構成で作製したコンデンサ素子に
、雰囲気６０℃６０１ＲＨ中で５０Ｖ／μｍの交流電圧
を印加した時の容量減少率の変化を測定した。その結果
を第６図に示す。
６〉誘電体フィルムの両面にアルミニウム蒸着したもの
を積層して作製したコンデンサ素子と、従来品（ト）と
して、ニトロセルロース（Ｆ）＜置換度２．６〉誘電体
フィルムを上記同様の構成で作製したコンデンサ素子に
、雰囲気６０℃６０１ＲＨ中で５０Ｖ／μｍの交流電圧
を印加した時の容量減少率の変化を測定した。その結果
を第６図に示す。
図から明らかなように、従来品は、吸湿性が高いため、
１００時間以内に容量が消失したが、本発明品は１００
時間以上経過しても容量減少率は４％以内であった。
１００時間以内に容量が消失したが、本発明品は１００
時間以上経過しても容量減少率は４％以内であった。
なおここで、前記実施例１〜３のそれぞれにおける、本
発明によるコンデンサ素子の構成を第６図（’）＋ （
ｂ）、 （Ｃ）に同実施例１〜３の順に示す。図におい
て１は誘電体フィルム、２は金属箔電極、２′は蒸着金
属電極である。なおまた、誘電体の作製法としては、前
記のようにプルラン誘導体を単独でフィルム成形する以
外に、他のプラスチック基板上に塗布し薄膜を作製して
それを誘電体として用いる事も可能であり、その場合の
特性は単独フィルムの場合とほぼ同一である。
発明によるコンデンサ素子の構成を第６図（’）＋ （
ｂ）、 （Ｃ）に同実施例１〜３の順に示す。図におい
て１は誘電体フィルム、２は金属箔電極、２′は蒸着金
属電極である。なおまた、誘電体の作製法としては、前
記のようにプルラン誘導体を単独でフィルム成形する以
外に、他のプラスチック基板上に塗布し薄膜を作製して
それを誘電体として用いる事も可能であり、その場合の
特性は単独フィルムの場合とほぼ同一である。
本発明は、以上のように誘電損失が低くかつ絶縁耐圧が
高く、さらに高温で特性が安定しているなど性能のすぐ
れたコンデンサを提供するものである。
高く、さらに高温で特性が安定しているなど性能のすぐ
れたコンデンサを提供するものである。
第１図〜第６図は本発明の効果を示す図で、このうち第
１図は誘電損失の温度特性−を、第２図は誘電体材料の
違いによる絶縁破壊電圧の違いを、第３図は絶縁破壊寿
命試験結果を、第４図および第６図は耐熱寿命試験結果
を、それぞれ示す。第６図（−）、 （１））、 （ｃ
）は本発明の実施例１，２．３におけるコンデンサの構
成をそれぞれ示す図である。 １・・−・−・誘電体フィルム、２．２′−・・−・・
電極。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 ：Ｊ量慶（’Ｃ） 第２図 化撃物 まトチｉＬＬｒ１Ｍ （ｖ〜間フ ン第５２） 汗通ｒ子開（１１間） 第６図
１図は誘電損失の温度特性−を、第２図は誘電体材料の
違いによる絶縁破壊電圧の違いを、第３図は絶縁破壊寿
命試験結果を、第４図および第６図は耐熱寿命試験結果
を、それぞれ示す。第６図（−）、 （１））、 （ｃ
）は本発明の実施例１，２．３におけるコンデンサの構
成をそれぞれ示す図である。 １・・−・−・誘電体フィルム、２．２′−・・−・・
電極。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 ：Ｊ量慶（’Ｃ） 第２図 化撃物 まトチｉＬＬｒ１Ｍ （ｖ〜間フ ン第５２） 汗通ｒ子開（１１間） 第６図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （リ 少なくとも一対の電極間に配置される誘電体がプ
ルラン誘導体から構成されたことを特徴とするコンデン
サ。 に））プルラン誘導体が下記の一般式で表される化合物
であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のコ
ンデンサ。 以下余白 ９ ただし、Ｒは、−ｃＨ２ｃＨ２ｃＮ、−ｃ−ｃＨ３，オ
ヨび−Ｎｏ２よりなる群から選ばれる少なくとも一種の
極性基よりなる。 （３）下記の一般式で表されるプルラン誘導体がシる特
許請求の範囲第２項記載のコンデンサ。 以下余白 ただし、Ｒは−ＣＨ２ＣＨ２ＣＮ、 −ａ−ｃＨ３，お
よび−Ｎｏ２よりなる群から選ばれる少なくとも一種の
極性基よりなる。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19809781A JPS5898909A (ja) | 1981-12-08 | 1981-12-08 | コンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19809781A JPS5898909A (ja) | 1981-12-08 | 1981-12-08 | コンデンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5898909A true JPS5898909A (ja) | 1983-06-13 |
| JPS6129086B2 JPS6129086B2 (ja) | 1986-07-04 |
Family
ID=16385440
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19809781A Granted JPS5898909A (ja) | 1981-12-08 | 1981-12-08 | コンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5898909A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59188910A (ja) * | 1983-04-11 | 1984-10-26 | 信越化学工業株式会社 | コンデンサ− |
| FR2664430A1 (fr) * | 1990-07-04 | 1992-01-10 | Centre Nat Rech Scient | Transistor a effet de champ en couche mince de structure mis, dont l'isolant et le semiconducteur sont realises en materiaux organiques. |
-
1981
- 1981-12-08 JP JP19809781A patent/JPS5898909A/ja active Granted
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59188910A (ja) * | 1983-04-11 | 1984-10-26 | 信越化学工業株式会社 | コンデンサ− |
| FR2664430A1 (fr) * | 1990-07-04 | 1992-01-10 | Centre Nat Rech Scient | Transistor a effet de champ en couche mince de structure mis, dont l'isolant et le semiconducteur sont realises en materiaux organiques. |
| WO1992001313A1 (fr) * | 1990-07-04 | 1992-01-23 | Centre National De La Recherche Scientifique (Cnrs) | Transistors a effet de champ en couche mince de structure mis, dont l'isolant et le semiconducteur sont realises en materiaux organiques |
| US5347144A (en) * | 1990-07-04 | 1994-09-13 | Centre National De La Recherche Scientifique (Cnrs) | Thin-layer field-effect transistors with MIS structure whose insulator and semiconductor are made of organic materials |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6129086B2 (ja) | 1986-07-04 |
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