JPS5895850A - 集積回路のリ−ドフレ−ム用銅合金 - Google Patents
集積回路のリ−ドフレ−ム用銅合金Info
- Publication number
- JPS5895850A JPS5895850A JP19382581A JP19382581A JPS5895850A JP S5895850 A JPS5895850 A JP S5895850A JP 19382581 A JP19382581 A JP 19382581A JP 19382581 A JP19382581 A JP 19382581A JP S5895850 A JPS5895850 A JP S5895850A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- integrated circuit
- lead frame
- copper alloy
- conductivity
- worked
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49579—Lead-frames or other flat leads characterised by the materials of the lead frames or layers thereon
- H01L23/49582—Metallic layers on lead frames
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、集積回路のリードフレーム用鋼合金に関する
。
。
集積回路のリードフレーム用材料には従来からF・−4
2N1合金が用いられて来たが、巖近銅合金が多用され
始めた。これは、銅合金が安価であること、メッキ性が
良いこと、および樹脂パッケージとのなじみ性が良い等
のためである。
2N1合金が用いられて来たが、巖近銅合金が多用され
始めた。これは、銅合金が安価であること、メッキ性が
良いこと、および樹脂パッケージとのなじみ性が良い等
のためである。
一方、集積回路のリードフレーム材料として要求される
特性として、リード線の腰の強さ及び曲げ性の要求から
、引張強さ50 Ktf/j、伸び5s以上及び硬度(
Hv)130以上が必要であね、特に伸びと硬度との関
係については第1図の斜線部の領域の特性が必要とされ
ている。更に耐熱性についてはボンディングの際にリー
ドが軟化しくくいことが必要で6 t3、これは5分間
加熱での硬度が初期硬度の9割になるときの温度が初期
硬度(Hv)130の場合525℃以上、初期硬度(H
v)168の場合420℃以上が目安とされる。を九導
電用材料であるととから高導電性(導電率50%lAC
3以上)であることが要求される。
特性として、リード線の腰の強さ及び曲げ性の要求から
、引張強さ50 Ktf/j、伸び5s以上及び硬度(
Hv)130以上が必要であね、特に伸びと硬度との関
係については第1図の斜線部の領域の特性が必要とされ
ている。更に耐熱性についてはボンディングの際にリー
ドが軟化しくくいことが必要で6 t3、これは5分間
加熱での硬度が初期硬度の9割になるときの温度が初期
硬度(Hv)130の場合525℃以上、初期硬度(H
v)168の場合420℃以上が目安とされる。を九導
電用材料であるととから高導電性(導電率50%lAC
3以上)であることが要求される。
本発明は、集積回路のリードフレーム用材料として鋼合
金を適用するに肖り、集積回路のリードフレーム用材料
として要求される上述の特性をととごとく満足する銅合
金及びその製造方法を提供することを目的としてなされ
たものである。
金を適用するに肖り、集積回路のリードフレーム用材料
として要求される上述の特性をととごとく満足する銅合
金及びその製造方法を提供することを目的としてなされ
たものである。
すなわち本発明は、Ni3.Oシ五5−1810.5〜
0.9−を含み、Ni:Siの重量比が4=1〜6:1
であり、残部本質的にCuからなる集積回路のリードフ
レーム用鋼合金である。更に本発明は、その製造方法に
かかるものであり、上記の組成の鋼合金を熱間加工後7
50〜500℃から急冷し、ついで冷間加工し、450
〜600℃で焼鈍後最終冷関加工を行なうことを特徴と
するものである。
0.9−を含み、Ni:Siの重量比が4=1〜6:1
であり、残部本質的にCuからなる集積回路のリードフ
レーム用鋼合金である。更に本発明は、その製造方法に
かかるものであり、上記の組成の鋼合金を熱間加工後7
50〜500℃から急冷し、ついで冷間加工し、450
〜600℃で焼鈍後最終冷関加工を行なうことを特徴と
するものである。
本発明の合金においてNiと81とは金属間化合物を形
成する元素であり、Nl五〇−i5%、8115〜0.
9%テ6ッテしがもNi:81(7)重量比が4:1〜
6:1の範囲にあるのが最適である仁とがわかった。
成する元素であり、Nl五〇−i5%、8115〜0.
9%テ6ッテしがもNi:81(7)重量比が4:1〜
6:1の範囲にあるのが最適である仁とがわかった。
Ni は5.0−未満では810.5〜0.9%であッ
テも導電率が50*lAC3以上とならず、またN1五
5−超では伸び591G以上、導電率50 %lAC3
以上とならない。
テも導電率が50*lAC3以上とならず、またN1五
5−超では伸び591G以上、導電率50 %lAC3
以上とならない。
81は0.5%未満ではNl五〇〜3.5 %であって
も引張9j1504f/−以上、導電率505IAC8
以上にはならず、また伸びと硬度との関係が叱1ゆの斜
線部の領域に達しない。また810.9チ超ではN1五
〇〜五5チであっても導電率が30〜45% lAC3
1i!度にしかならない。
も引張9j1504f/−以上、導電率505IAC8
以上にはならず、また伸びと硬度との関係が叱1ゆの斜
線部の領域に達しない。また810.9チ超ではN1五
〇〜五5チであっても導電率が30〜45% lAC3
1i!度にしかならない。
更にこのN1 とStとの含有比率が重要であり、Nt
:Slの重量比で4:1〜6:1の範囲内にないと好適
か金属間化合物とならず、引張強さ、伸び一硬度の関係
、耐熱性、導電率の点で集積回路のリードフレーム用材
料としての要求特性を満足しない。
:Slの重量比で4:1〜6:1の範囲内にないと好適
か金属間化合物とならず、引張強さ、伸び一硬度の関係
、耐熱性、導電率の点で集積回路のリードフレーム用材
料としての要求特性を満足しない。
次に本発明の製造方法について述べる。上記し九合金成
分圧調整した鋼合金鋳塊を熱間加工に付し、加工後75
0〜500℃から急冷する。熱間圧延後の急冷を750
℃を越える温度とする場合には、熱間加y温度を″′9
00℃以上の高温とせねばならず、製造上問題であり、
エネルギーをひたすらに消費することにもなる。一方急
冷開始温度を500℃未満とすると、硬度が高くなりす
ぎて強度の冷間加工を行なうことが困難になる。
分圧調整した鋼合金鋳塊を熱間加工に付し、加工後75
0〜500℃から急冷する。熱間圧延後の急冷を750
℃を越える温度とする場合には、熱間加y温度を″′9
00℃以上の高温とせねばならず、製造上問題であり、
エネルギーをひたすらに消費することにもなる。一方急
冷開始温度を500℃未満とすると、硬度が高くなりす
ぎて強度の冷間加工を行なうことが困難になる。
急冷処理につづいて冷間加工(望ましくは加工率9〇−
以上)する。冷間加工の後450〜6o。
以上)する。冷間加工の後450〜6o。
℃の温度で焼鈍する。この焼鈍工程では急冷処理で固溶
しているNi、 81からN1とslとの金属間化合物
を析出せしめる。焼鈍温度が450〜600℃の範囲外
ではこの金属間化合物の析出が不十分となり、強度、導
電率等集積回路のリードフレーム用材料としての要求特
性を満足しぇ危い。
しているNi、 81からN1とslとの金属間化合物
を析出せしめる。焼鈍温度が450〜600℃の範囲外
ではこの金属間化合物の析出が不十分となり、強度、導
電率等集積回路のリードフレーム用材料としての要求特
性を満足しぇ危い。
焼鈍処理後最終冷間加工(望ましくは加工率2゜−以上
)がなされ、所定の形状(厚み)等のものとされる。
)がなされ、所定の形状(厚み)等のものとされる。
次に本発明の実施例を比較例と共に示す。
高純度鋼をクリプトルミ気炉中で木炭被覆下約1200
℃で溶解した。装入する銅の約2割を残しておき目標化
学成分に応じたニッケルを投入し溶は落ち後、さらに目
標化学成分の81を含ますため、Cu−10fA St
の中間合金を装入し、溶は落ぢを確認した後前記残鋼を
装入して溶湯温度を1180℃〜1190℃まで低下さ
せて鋳鉄製金型に鋳込み50’x 80”x 13−の
インゴッ゛トを得た。第1表に得られたインゴットの化
学成分を示す。次にこのインゴットを850℃に加熱し
、厚さ15諺まで熱間加工した後500℃から水中に投
入し急冷し丸。その後9〇−以上の圧下率で冷間加工し
更に途中550℃で2時間の焼鈍を1回行い、最終板厚
がQ、25−になるように最終冷間加工した。
℃で溶解した。装入する銅の約2割を残しておき目標化
学成分に応じたニッケルを投入し溶は落ち後、さらに目
標化学成分の81を含ますため、Cu−10fA St
の中間合金を装入し、溶は落ぢを確認した後前記残鋼を
装入して溶湯温度を1180℃〜1190℃まで低下さ
せて鋳鉄製金型に鋳込み50’x 80”x 13−の
インゴッ゛トを得た。第1表に得られたインゴットの化
学成分を示す。次にこのインゴットを850℃に加熱し
、厚さ15諺まで熱間加工した後500℃から水中に投
入し急冷し丸。その後9〇−以上の圧下率で冷間加工し
更に途中550℃で2時間の焼鈍を1回行い、最終板厚
がQ、25−になるように最終冷間加工した。
第2表に本発明合金および比較合金の最終冷間加工率3
8−のときの引張強さ、伸び、硬度、導電率および軟化
温度を示す。なお機械的性質はJIS S号試験片にて
測定し、硬度はビッカース硬度針で測定し、導電率はJ
IS H0505に従って測定した。−こζに軟化温度
とは室温から550℃tでの各温度で5分間硝石炉にて
加熱を行ない硬度を測定し、室温での硬度の9割に応す
ると′きの温度を意味する。
8−のときの引張強さ、伸び、硬度、導電率および軟化
温度を示す。なお機械的性質はJIS S号試験片にて
測定し、硬度はビッカース硬度針で測定し、導電率はJ
IS H0505に従って測定した。−こζに軟化温度
とは室温から550℃tでの各温度で5分間硝石炉にて
加熱を行ない硬度を測定し、室温での硬度の9割に応す
ると′きの温度を意味する。
第 1 宍
第 2 表
第1表、第2表から知られるようK、本発明合金1〜6
け、いずれも集積回路のリードフレーム用材料としての
要求特性である強度、伸び一硬度。
け、いずれも集積回路のリードフレーム用材料としての
要求特性である強度、伸び一硬度。
導電率、耐熱性をいずれも満足しており、一方比較合金
7〜16は、上記要求特性のいずれかを欠いている。
7〜16は、上記要求特性のいずれかを欠いている。
第1図は、集積回路のリードフレーム用材料の要求特性
のうち伸び一硬度の関係を示す図である特許出願人
株式会社神戸製鋼所 代理人 弁理士 丸 木 曳 入 箱 1 図 破波 (Hv)
のうち伸び一硬度の関係を示す図である特許出願人
株式会社神戸製鋼所 代理人 弁理士 丸 木 曳 入 箱 1 図 破波 (Hv)
Claims (2)
- (1) Ni五〇〜五5チ、SiO,5〜0.9チ
を含み、Ni : 81の重量比が4:1〜6:1の範
囲にあり、残部本質的にCuから表る集積回路のリード
フレーム用鋼合金。 - (2) Ni五〇〜3.5チ、Si0.5〜0.9チ
を含み、Ni : Stの重量比が4=1〜6:1の範
囲にあり、残部本質的KCuからまる銅合金を熱間加工
後750〜500℃から急冷し、ついで冷間加工し、4
50〜600℃での焼鈍機最終冷間加工を行なうことを
特徴とする集積回路、のリードフレーム用鋼合金の製造
方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19382581A JPS5895850A (ja) | 1981-12-02 | 1981-12-02 | 集積回路のリ−ドフレ−ム用銅合金 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19382581A JPS5895850A (ja) | 1981-12-02 | 1981-12-02 | 集積回路のリ−ドフレ−ム用銅合金 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5895850A true JPS5895850A (ja) | 1983-06-07 |
Family
ID=16314367
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP19382581A Pending JPS5895850A (ja) | 1981-12-02 | 1981-12-02 | 集積回路のリ−ドフレ−ム用銅合金 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5895850A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58123846A (ja) * | 1982-01-20 | 1983-07-23 | Nippon Mining Co Ltd | 半導体機器用リ−ド材 |
JPS58123862A (ja) * | 1982-01-20 | 1983-07-23 | Nippon Mining Co Ltd | 半導体機器のリ−ド材用銅合金の製造方法 |
JPS59145746A (ja) * | 1983-12-13 | 1984-08-21 | Nippon Mining Co Ltd | 半導体機器のリ−ド材用銅合金 |
JPS59145749A (ja) * | 1983-12-13 | 1984-08-21 | Nippon Mining Co Ltd | 半導体機器のリ−ド材用銅合金 |
JPH0310036A (ja) * | 1989-09-28 | 1991-01-17 | Nippon Mining Co Ltd | 半導体機器用リード材 |
JPH08325681A (ja) * | 1985-04-26 | 1996-12-10 | Olin Corp | 改善された組合せの極限引張強さ、電気伝導性および耐応力緩和性を有する銅基合金の製造方法 |
-
1981
- 1981-12-02 JP JP19382581A patent/JPS5895850A/ja active Pending
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58123846A (ja) * | 1982-01-20 | 1983-07-23 | Nippon Mining Co Ltd | 半導体機器用リ−ド材 |
JPS58123862A (ja) * | 1982-01-20 | 1983-07-23 | Nippon Mining Co Ltd | 半導体機器のリ−ド材用銅合金の製造方法 |
JPS6045698B2 (ja) * | 1982-01-20 | 1985-10-11 | 日本鉱業株式会社 | 半導体機器用リ−ド材 |
JPS6058783B2 (ja) * | 1982-01-20 | 1985-12-21 | 日本鉱業株式会社 | 半導体機器のリ−ド材用銅合金の製造方法 |
JPS59145746A (ja) * | 1983-12-13 | 1984-08-21 | Nippon Mining Co Ltd | 半導体機器のリ−ド材用銅合金 |
JPS59145749A (ja) * | 1983-12-13 | 1984-08-21 | Nippon Mining Co Ltd | 半導体機器のリ−ド材用銅合金 |
JPS6215621B2 (ja) * | 1983-12-13 | 1987-04-08 | Nippon Mining Co | |
JPS6215622B2 (ja) * | 1983-12-13 | 1987-04-08 | Nippon Mining Co | |
JPH08325681A (ja) * | 1985-04-26 | 1996-12-10 | Olin Corp | 改善された組合せの極限引張強さ、電気伝導性および耐応力緩和性を有する銅基合金の製造方法 |
JPH0310036A (ja) * | 1989-09-28 | 1991-01-17 | Nippon Mining Co Ltd | 半導体機器用リード材 |
JPH0437151B2 (ja) * | 1989-09-28 | 1992-06-18 | Nippon Mining Co |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4559200A (en) | High strength and high conductivity copper alloy | |
US4260432A (en) | Method for producing copper based spinodal alloys | |
JPH09104956A (ja) | 高強度高導電性銅基合金の製造法 | |
JPH04180549A (ja) | 高強度高導電性銅基合金の製造法 | |
CA1119920A (en) | Copper based spinodal alloys | |
JPS5895850A (ja) | 集積回路のリ−ドフレ−ム用銅合金 | |
JP5054876B2 (ja) | 集積回路グリッドの製造のための硬化Fe−Ni合金およびその製造方法 | |
CN115747564B (zh) | 一种铜镍硅磷系合金及其制备方法 | |
JPS5893860A (ja) | 高力高導電性銅合金の製造方法 | |
JPS58197241A (ja) | 耐溶融金属侵食性にすぐれた高強度高導電性Cu合金 | |
JP2000144284A (ja) | 耐熱性に優れる高強度・高導電性Cu−Fe系合金板 | |
JP3763234B2 (ja) | 高強度高導電率高耐熱性銅基合金の製造方法 | |
JPH11323463A (ja) | 電気・電子部品用銅合金 | |
JPS63111151A (ja) | 電気および電子部品用銅合金及びその製造方法 | |
JPH09316569A (ja) | リードフレーム用銅合金及びその製造法 | |
JP4199320B2 (ja) | 支持体の製造方法 | |
JPS58213847A (ja) | 電気電子部品用銅合金及びその製造法 | |
JPS60114556A (ja) | 銅基合金の製造方法 | |
KR960015217B1 (ko) | 저항용접기 전극용 동-크롬-지르코늄-마그네슘-세리움-란탄-니오디미움-프라세오디미움 합금의 제조방법 | |
JP2945208B2 (ja) | 電気電子機器用銅合金の製造方法 | |
JPS6314832A (ja) | メッキ密着性及びハンダ接合性に優れた電子機器用銅合金とその製造法 | |
JPH0428837A (ja) | 高冷却能を有する高強度Cu合金製連続鋳造鋳型材およびその製造法 | |
JPH06212374A (ja) | 強度及び曲げ加工性が優れた銅合金材の製造方法 | |
JPH01162736A (ja) | 特性異方性の少ない高強度高靭性Cu合金 | |
JPS63145734A (ja) | 電子機器用銅合金とその製造法 |