JPH04180549A - 高強度高導電性銅基合金の製造法 - Google Patents

高強度高導電性銅基合金の製造法

Info

Publication number
JPH04180549A
JPH04180549A JP2309032A JP30903290A JPH04180549A JP H04180549 A JPH04180549 A JP H04180549A JP 2309032 A JP2309032 A JP 2309032A JP 30903290 A JP30903290 A JP 30903290A JP H04180549 A JPH04180549 A JP H04180549A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
heat treatment
heat
alloy
copper base
temperature
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2309032A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2593107B2 (ja
Inventor
Toshihiro Kanzaki
神崎 敏裕
Akira Sugawara
章 菅原
Isamu Amatsu
天津 勇
Koichi Hatakeyama
畠山 浩一
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dowa Holdings Co Ltd
Original Assignee
Dowa Mining Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dowa Mining Co Ltd filed Critical Dowa Mining Co Ltd
Priority to JP2309032A priority Critical patent/JP2593107B2/ja
Priority to US07/792,248 priority patent/US5147469A/en
Priority to US07/808,535 priority patent/US5205878A/en
Publication of JPH04180549A publication Critical patent/JPH04180549A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2593107B2 publication Critical patent/JP2593107B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67144Apparatus for mounting on conductive members, e.g. leadframes or conductors on insulating substrates
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22CALLOYS
    • C22C9/00Alloys based on copper
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22FCHANGING THE PHYSICAL STRUCTURE OF NON-FERROUS METALS AND NON-FERROUS ALLOYS
    • C22F1/00Changing the physical structure of non-ferrous metals or alloys by heat treatment or by hot or cold working
    • C22F1/08Changing the physical structure of non-ferrous metals or alloys by heat treatment or by hot or cold working of copper or alloys based thereon

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
  • Conductive Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (イ)技術分野 本発明は、リードフレーム等に代表される電気・電子部
品用材料などに好適な高強度高導電性銅基台金の製造法
に関するものである。
(ロ)従来技術 近時、エレクトロニクス産業の発達に伴ない、リードフ
レーム等の電気・電子部品用材料もその使用量が増大す
ると共に、特性面ではより高信頼性が要求され、コスト
面でもより低廉化が要求されている。
ここでリードフレームとは、rICのリートを製造工程
の途中及び製造後に支える単一な枠構造」のことであり
、要求される特性としては、(1)熱及び電気伝導性が
良いこと: リードフレームの王な働きの一つとして、Siチー、プ
の劣化を防ぐため、チiプに生じた熱を放散させること
が挙げられるが、その効率を上げるため、熱伝導性の良
いこと、しかもリード部分での発熱を小さくするために
、電気伝導性の良いことが要求される。
ここで、一般に熱伝導性と電気伝導性の間には比例関係
が認められているので、その評価としては導電率の大き
さを測定することで代表できる。
(2)強度が高いこと: リードフレームはICのリードを製造工程の途中ならび
に製造後に支えるので、このために充分な強度が要求さ
れる。その評価基準としては引張強度・耐力が犬、きい
こと 夛ひス+1フネス(ツの強さ)か充分であること
等かψげられる。
(3)充分な1ljFi熱性を有するこ、と:リードフ
レームは製造工程中あるいは工程後にある程度の加熱を
受けることが予想される。従って、このような外的負荷
による強度劣化を起こさぬような充分な耐熱性が必要で
ある。しかし、実際的には耐熱温度が高過ぎると 素材
製造時に焼鈍温度が高くなる等、コスト的に不利になる
ことが予想される。従って、実用的には350℃で数分
間程度の加熱で軟化しなければ充分である。
(4)曲げ加工性が良好であることよ リードフレームではリード部に曲げが施されるものがほ
とんどであるので、曲げ加工性が良好であることが要求
される。その評価としては■・W曲げ、繰り返し曲げ試
験等が挙げられる。
(5)メツキ性及び半田付は性が良好であること:リー
ドフレームではインナーリードにAg・Auメツキが、
またアウターリード゛に半田メー、キが施される場合が
多い。従って、良好なメツキ性、半田付は性、更にその
耐候性が必要である。
リードフレームでは、以」−のような諸特性が要求され
ているのである。
このようなリードフレームに要求される諸特性を兼備し
た電気・電子部品用材料としてtよ、@銅、リン青銅、
ベリリウム銅、低錫含有銅、Fe−P含有銅などの銅基
合金が一般に使用されているが、いずれも要求される諸
特性を充分に満たしているとはいえなかった。
Co−P含有銅も安価で優れた特性を持つ#4基合金と
して特開昭55−34632号公報ならびに特開昭55
−44553号公報等が提案されているが、いずれもC
o、Pの含有量が適切でなく、あるいは加工熱処理が適
切でないため、リードフレーム等の電気・電子用部品材
料として充分な諸特性を兼備し得るものではなかった。
(ハ)発明の開示 本発明は、リードフレーム等の電気会電子部品用材料に
要求される上記のような諸特性を兼備した銅基台金、更
に詳しくは強度9弾性及び熱(電気)伝導性に優れ、し
かも耐熱性及び曲げ加工性等に優れた電気・電子部品用
材料としては好適な銅基合金を開発すへく鋭意研究の結
果開発されたものである。
即ち、本発明はCo : 0.01〜3.Owt%、P
:0.01〜0.5 wt%、残部Cu及び不可避的不
純物からなる銅基合金において、所定サイズにて750
℃以丑の温度域から1℃/秒以上の冷却速度で450℃
以下まで急冷した後、そのままのサイズで480〜60
0℃の温度で30〜600分間の熱処理を行ない、しか
る後冷間加工と520℃以下の熱処理を1回あるいは複
数回繰返して最終サイズに仕−Fげるようにした高強度
高導電性銅基合金の製造法を提供するものである。
本発明は、銅基合金においてCo、Pを適量添加し、か
つ適切な加工熱処理を施して、Co−P系の化合物をC
uマトリックス中に均一微細に析出させることにより、
リードフレーム等の電気・電子部品用材料として好適な
上記特性を発現せしめた析出強化型の銅基合金を提供す
ることに基本的な特徴がある。
次に、本発明に係る銅基合金の成分組成範囲及び加工熱
処理を上記の通りに限定した理由について説明する。
CO: COは銅マトリツクス中に固溶して強度・骨性を向上さ
せ、更にPと化合物を形成して分散析出することにより
、熱(電気)伝導性を向上させつつ更に強度拳骨性を向
上させ、また、耐熱性の向上にも寄与する元素である。
しかし、Co含有量が0.01wt%未満では上記のよ
うな効果が充分得られず、一方3.Owt%を超えると
Pとの共存でも熱(電気)伝導性の劣化が著しく、また
製造時の焼鈍温度が高くなる等、経済的にも不利となる
。従って、Co含有量は0.O1〜3、Owt%とする
P: Pは溶湯の脱酸剤として働イと共に、Coと化合物を形
成し分散析出することにより熱(電気)伝導性を向上さ
せつつ強度・骨性を向上させる。
しかし、P含^量が0.01wt5未満では−と記のよ
うな効果が充分に得られず 一方0.5wi%を超える
とCoとの共存下でも1!!(電気)伝導性の劣化が著
しく′ また熱間加T性にも悪影響を及ぼす。
従って、P含有量は、 0.01〜0.5 wt%とす
る。
なお、該銅基合金においては、Zr、Fe。
Mg、Zn、Sn、Ag、Cr、Si、B。
Te、Ti 、Ni、Be、Pb、Ai、Ca。
Mo 、Mn、Cd、Ga、Ge、Biのうちの1種ま
たは2種以上を総量で0.5 wt%未満含有させるこ
とにより、熱(電気)伝導性を犬きく損なうことなく強
度・弾性を更に向上させることができ、他の諸特性にも
悪影響を及ぼすことはない。
従って、Co、Pに加えて更に上記添加元素を含有する
銅基合金も本発明に孫る銅基合金である。
次に 製造条件について説明する。
加工熱処理: 本発明法による銅基合金では、加工熱処理工程として、
まず750℃以上の温度域から1℃/秒以上の冷却速度
で45C1以下まで急冷される。
これは マトリックスを過飽和固溶体状態とし、以後の
熱処理によりCo−P系の化合物を均一微細に析出させ
るために必要不可欠な工程であり、急冷開始温度が75
0℃未満あるいは冷却速度が1℃/秒未満ではマトリッ
クスを充分過飽和固溶体とすることができず、以後の加
工熱処理をどのように工夫しても強度と導電率をバラン
ス良く発現することはできない。また、450℃より高
い温度域にて上記の急冷を縛了すると、その時点で粗大
な析出物が生じてしまい、やはり以後の加工熱処理をい
かに工夫しても強度と導電率を7<ランス良く発現する
ことはできない。
更に、本発明法による銅基合金は、そのままのサイズで
480〜600℃の温度で30〜600分間の条件で熱
処理が施される。
この工程は、Co−P系の化合物を均一微細に析出させ
るためのもので、熱処理温度が480℃未満では析出が
充分起こらず、また600℃を超えると再固溶が生じて
しまうため、いずれの場合も以後の加工熱処理をいかに
工夫したとしても強度と導電率をバランス良く発現する
ことはできない。
更に、上記温度域においてもその熱処理時間が30分間
未満ではやはり析出が充分に起こらず、以後の加工熱処
理をどのように工夫したとしても強度と導電率をバラン
ス良く発現することはできない。
一方、600分間を超える熱処理を施してもそれ以上の
析出は起らず、従って特性の向上が望めないばかりか、
コスト面で不利となるので、該熱処理時間の上限を60
0分間とした。
最後に、本発明法による銅基合金は、冷間加工と520
℃以下の温度での熱処理を繰り返して最終サイズに仕上
げられる。該工程は最終的な銅基合金の特性も発現せし
めるために必要なものであり、冷間加工は強度の向上、
熱処理は導電率の向上に特に寄与するものである。
ここでの熱処理温度が520℃を超えると、析出物の再
固溶及びマトリックスの軟化が生じ、強度の劣化が著し
くなる。従って、該工程での熱処F!温度は520℃以
ドとした。この加工熱処理工程は、それぞれ−回づつの
冷間加工と熱処理によっても充分目的とする特性を発現
し得るものではあるが、それらを複数回繰返すことによ
り諸特性の向Eが更に期待できる。
と記の理由により、加工熱処理工程は750℃の温度域
から1℃/秒以上の冷却速度で450℃ν下まで急冷し
た後、そのままのサイズで480〜600℃の温度で3
0〜600分間の熱処理を行い、しかる後に冷間加工と
520℃以下の熱処理を1回あるいは複数回繰返して最
終サイズに仕上げるものとした。
次に、本発明を実施例により詳細に説明する。
(ニ)実施例 実施例1 第1表に化学成分値(重量%)を示す銅基合金No、 
l ”  No、 10を高問波溶解炉を用いて溶製し
、40■曹×40■■×150■−の鋳塊に鋳造した。
ただし、溶解鋳造時の雰囲気はArガスシールとした。
各鋳塊の底から3分の1の位置から40■重×40信a
X 20 asに試片を切り出し、850℃熱間圧延に
よって厚さlO層露まで圧延し、熱間圧延後に水急冷及
び酸洗を行なった。
ヒ記のようにして得られた圧延材を厚さ2.5waまで
冷間圧延し、850℃の温度で60分間の熱処理を行な
い、熱処理後に水急冷及び酸洗を行なった。このときの
冷却速度(750〜450℃温度域)は1”C/秒を充
分超えるものであった。
次に、この熱処理材をそのままの板厚で530℃の温度
で180分間の焼鈍を行ない、焼鈍検水急冷及び酸洗を
行なった。
次に、この熱処理材を厚さ1.25m1まで冷間圧延し
、470℃の温度で150分間の焼鈍を行ない、焼鈍検
水急冷及び酸洗を行なった。
更に、この熱処理材を厚さ0.25+smまで冷間圧延
し、290℃の温度で180分間の焼鈍を行ない、焼鈍
検水急冷及び酸洗を行なった。
このようにして得られた試験材を用いて各所定の試験片
を作製し、硬度、引張強度、導電率及び曲げ加丁性紮試
験測定した。その結果を第1表に丞す。
なお 硬度、引張強度及び4電車の側層はそれぞれJ 
l5−2−2244.JIS−Z−2241及びJIS
−H−0505に従って行なった。
曲げ加工性は90’W曲げ試験(CES−MOo 02
−6 、 R=0.1mm圧延方向及びその垂直方向)
を行ない、由央部の山表面が良好なものはO印、シワの
発生したものはΔ印1割れがしたものはX印として評価
した。
(以下余白) 第1表 第1表に示した結果から、本発明に係るNo、1〜 N
o、 6の銅基合金は、硬度、引張強度及び導電率のノ
ヘランスに優れ 曲げ加工性も良好である。
従って、リードフレーム等の゛電気・′電子部品用材料
として好適な非常に優れた特性を有する銅基合金である
これに対して COをほとんど含まない比較合金No、
 7では導figは高いものの硬度と強度が充分でなく
、またPをほとんど含まない比較合金No、8及びCO
の含有量が本発明の成分組成範囲より多い比較合金NO
39では硬度と強度は高いものの導電率が低くなってお
り、更に比較合金No。
9では曲げ加工性の劣化も生じていて、いずれの合金も
リードフレーム等の電気・電子部品用材料として充分な
特性を有しているとはいえなかった。
更に、Pの含嶌量が本発明の規定より多い比較合金No
、lOでは熱間圧延中に割れが生じ、それ以降の実験は
行なえなかった。
実施例2 実施例1の第1表中の本兇明合金No、3に本す組成の
銅基合金において1次に示すA−Fの)III r。
熱処理によって試験材を作智し、これらについて′V施
引例1同様の方法で硬度、引張強度、導唯率及び曲げ前
玉性を測定試論した。その結果を第2表に示す。
ここで 加工熱処理A−F工捏とは、所定の化学成分4
m(重量%)を示す銅基合金をArガス雰囲気中で高周
波溶解炉を用いて溶製し、40 mmX40m*X 1
50+mの鋳塊に鋳造した後、それぞれ加工熱処理を施
した。
A工程:実施例1の工程と同じ、(本発明例)鋳塊の底
から3分の1の位置より40s+mX40ッmX 20
 tsraに試験片を切り出し、850℃熱間圧延によ
って厚さlO腸腸まで圧延し、熱間圧延後に水急冷及び
酸洗を行なった。
上記のようにして得られた熱延材を厚さ2.5■まで冷
間圧延し、850℃の温度で60分間の熱処理を行ない
、熱処理後水急冷及び酸洗を行なった。このときの冷却
速1c750〜450℃塩度城)は1”C,/秒を充分
超えるものであった。
次に、この熱処理材をそのままの板厚で530℃の温度
で180分間の焼鈍を行ない、焼鈍接水急冷及び酸洗を
行なった。
次に、この熱処理材を厚さ1.25mmまで冷間圧延し
、470℃の温度で150分間の焼鈍を行ない、焼鈍接
水急冷及び酸洗を行なった。
更に、この熱処理材を厚さ0.25−一まで冷間圧延し
、290℃の温度で180分間の焼鈍を行ない、焼鈍接
水急冷及び酸洗を行なった。
B工程: (本発明例) 鋳塊の底から3分の1の位置より40 mmX 40m
mX 20 mmに試験片を切り出し、850℃熱間圧
延によって厚さ2.51まで圧延し、熱間圧延後水急冷
及び酸洗を行なった。このときの急冷開始温度は750
℃シ上であり、冷却速度(750〜450℃温度域)は
1℃/秒を充分超えるものであった。
次に この熱延材をそのままの板厚で530℃の温度で
180分間の焼鈍を行ない、焼鈍接水急冷及び酸洗を行
なった。
次に、この熟延材紮厚ざ’+、:’5m+*まで冷間圧
延し、470℃の温度で150分間の焼鈍を行ない、焼
鈍接水急冷及び酸洗を行なった。
更に、この熱処理材を厚ざ0.25mtiまで冷間圧延
し1290℃の温度で180分間の焼鈍を行ない、焼鈍
接水急冷及び酸洗を行なった。
C工程: (比較例) 鋳塊の底から3分の1の位置より40+ms+X40m
wX20m+sに試験片を切り出し、熱処理せずに厚さ
2.5mmまで冷間圧延し、その板厚で530℃の温度
で180分間の焼鈍を行ない、焼鈍接水急冷及び酸洗を
行なった。
次に、この熱処理材を厚さ1.25mmまで冷間圧延し
、470℃の温度で150分間の焼鈍を行ない、焼鈍接
水急冷及び酸洗を行なった。
更に、この熱処理材を厚さ0.25購層まで冷間圧延し
、290℃の温度で180分間の焼鈍を行ない、侠鈍後
水急冷及び酸洗を行なった。
D工程: (比較例) 鋳塊の底から3分の1位置より4011×40腸謬X2
0■■に試験片を切り出し、850’C熱間圧延によっ
て厚さ10■諺まで圧延し、熱間圧延後水急冷及び酸洗
を行なった。
と記のようにして得られた熱延材を厚さ2.5mlまで
冷間圧延し、850℃の温度で60分間の熱処理を行な
い、熱処理後炉冷及び酸洗を行なった。このときの冷却
速度(750〜450℃温度域)は1℃/秒より遅いも
のであった。
次に、この熱処理材をそのままの板厚で530℃の温度
で180分間の焼鈍を行ない、焼鈍接水急冷及び酸洗を
行なった。
次に、この熱処理材を厚さ1.25■■まで冷間圧延し
、470℃の温度で150分間の焼鈍を行ない、焼鈍接
水急冷及び酸洗を行なった。
更に、この熱処理材を厚さ0.25mmまで冷間圧延し
、290℃の温度で180分間の焼鈍を行ない、焼鈍接
水急冷及び酸洗を行なった。
E工程: (比較例) 鋳塊の底から3分の1の位置より40+smX40mm
X 20 mmに試験中を切り出し、850℃熱間圧延
によって厚さ10emまで圧延し、熱間圧延後水急冷及
び酸洗を行なった。
得られた熱延材を厚さ2.5ms+まで冷間圧延し、8
50℃の温度で60分間の熱処理を行ない、熱処理後水
急冷及び酸洗を行なった、このときの冷却速度(750
〜450”C温度域)は1℃/秒を充分超えるものであ
った。
次に、この熱処理材を厚さ1.25層層まで冷間圧延し
、470℃の温度で150時間の焼鈍を行ない、焼鈍後
木急冷及び酸洗を行なった。
更に、この熱処理を厚さ0.25mmまで冷間圧延し 
290℃の温度で180分間の焼鈍を行ない、焼鈍接水
急冷及び酸洗を行なった。
F工程: (比較例) 鋳塊の底から3分の1の位置より40mmX40wsX
 20 amに試験片を切り出し、850”C熱間圧延
によって厚さ10mmまで圧延し、熱間圧延後水急冷及
び酸洗を行なった。
得られた熱延材を厚さ2.5■■まで冷間圧延し、85
0’Cの温度で60’分間の熱処理を行ない、熱処理後
水急冷及び酸洗を行なった。このときの冷却速度(75
0〜450℃温度域)は1”07秒を充分超えるもので
あった。
次に、この熱処理材を、そのままの板厚で530℃の温
度で180分間の焼鈍を行ない、焼鈍接水急冷及び酸洗
を行なった。
更に、この熱処理材を厚さ0.25mmまで冷間圧延し
、そのまま熱処理無しで仕上げた。
(以下余白) 第  2  表 第2表にボした結果から1本発明法によるA。
B工程では、硬度、引張強度及び導電率の7ヘランスに
優れ1曲げ加工性も良好である。従って。
リードフレーム等の電気・電子部品用材料として好適な
非常に清れた特性を有するものである。
これに対し、比較例のC−F工程では、硬度。
強度及び導電率のいずれも劣化しており、更に比較例D
−F工程では曲げ加工性の劣化も生じていた。従って、
比較例C−Fのいずれの工程によるものもリードフレー
ム等の電気・電子部品用材料としては充分な特性を有し
ているとはいえなかった。
実施例3 実施例1の第1表中に示す本発明合金No、 3(A工
程)と市販の低錫含有銅(C50500EH: 1.2
5@t%Sn、残部Cu)について、硬度。
引張強度、導電率、耐熱特性1曲げ加工性、半田耐候性
及びメツキ密着性を試験測定した。その結果を第3表に
示す。
なお、硬度、引張強度、導電率9曲げ加工性の測定試験
は、実施例1と同様の測定試験法である。
半田耐候性は試験片に溶融半田メツキ(Sn−40%P
b、デイ−、ブ:260℃×5秒、弱活性ロジンフラッ
クス使用)を行ない、200℃で1000時間保持した
後、試験片に90°W曲げを施し、曲げ部を観察して、
メー7キが密着しているものはO印、剥離したものはx
印として評価した。
メー、キ密着性は試験片に3gmのAgメツキを施し、
500℃にて10分間保持した後、目視により表面に膨
れの発生しているものはX印、発生していないものはO
印として判定した。
更に、耐熱性試験は試料の硬度が初期硬度の80%とな
るときの温度(30分間保持)とした。
(以下余白) 第3表に示した結果から、本発明に係る銅基合金は従来
の代表的なリードフレーム等の電気番電子部品用材料で
ある低錫含有鋼に比較して硬度。
強度、電気伝導性ならびに耐熱性が格段に向上している
ことが分る。
従って、本発明法により製造される銅基合金が従来の低
錫含有鋼に比較してリードフレーム等の電気・電子部品
用材料として極めて優れていることが明らかである。
(ホ)発明の効果 上記の実施例からも明らかなように、本発明法により製
造される銅基合金は、高強度、高弾性。
高熱(電気)伝導性を有し、しかも加工性、メツキ耐熱
密着性及び耐熱性に優れており、各種用途に適用できる
ことは勿論であるが、特にリードフレーム等の電気Φ電
子部品用材料として好適な高強度高導電性銅基合金であ
る。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)Co:0.01〜3.0wt% P:0.01〜0.5wt% 残部Cu及び不可避的不純物からなる銅基合金を750
    ℃以上から1℃/秒以上の冷却速度で450℃以下まで
    急冷した後、480〜600℃の温度で30〜600分
    間熱処理を行ない、しかる後冷間加工と520℃以下の
    熱処理を行なうことを特徴とする高強度高導電性銅基合
    金の製造法。
JP2309032A 1990-11-15 1990-11-15 高強度高導電性銅基合金の製造法 Expired - Lifetime JP2593107B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2309032A JP2593107B2 (ja) 1990-11-15 1990-11-15 高強度高導電性銅基合金の製造法
US07/792,248 US5147469A (en) 1990-11-15 1991-11-14 Process for producing copper-based alloys having high strength and high electric conductivity
US07/808,535 US5205878A (en) 1990-11-15 1991-12-16 Copper-based electric and electronic parts having high strength and high electric conductivity

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2309032A JP2593107B2 (ja) 1990-11-15 1990-11-15 高強度高導電性銅基合金の製造法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH04180549A true JPH04180549A (ja) 1992-06-26
JP2593107B2 JP2593107B2 (ja) 1997-03-26

Family

ID=17988062

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2309032A Expired - Lifetime JP2593107B2 (ja) 1990-11-15 1990-11-15 高強度高導電性銅基合金の製造法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US5147469A (ja)
JP (1) JP2593107B2 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7180176B2 (en) * 2001-08-23 2007-02-20 Dowa Mining Co., Ltd. Radiation plate and power semiconductor module IC package
JP2008235557A (ja) * 2007-03-20 2008-10-02 Rohm Co Ltd リードフレームおよび半導体装置
JP2013239740A (ja) * 2013-08-02 2013-11-28 Rohm Co Ltd 半導体装置

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5443665A (en) * 1991-04-05 1995-08-22 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Method of manufacturing a copper electrical conductor, especially for transmitting audio and video signals and quality control method for such conductors
US5360591A (en) * 1993-05-17 1994-11-01 Kohler Co. Reduced lead bismuth yellow brass
US5879477A (en) * 1993-05-17 1999-03-09 Kohler Co. Reduced lead bismuth yellow brass
US5653827A (en) * 1995-06-06 1997-08-05 Starline Mfg. Co., Inc. Brass alloys
JP3550233B2 (ja) * 1995-10-09 2004-08-04 同和鉱業株式会社 高強度高導電性銅基合金の製造法
JP3303778B2 (ja) * 1998-06-16 2002-07-22 三菱マテリアル株式会社 0.2%耐力および疲労強度の優れた熱交換器用継目無銅合金管
US6551373B2 (en) 2000-05-11 2003-04-22 Ntn Corporation Copper infiltrated ferro-phosphorous powder metal
US6749699B2 (en) 2000-08-09 2004-06-15 Olin Corporation Silver containing copper alloy
JP4729680B2 (ja) * 2000-12-18 2011-07-20 Dowaメタルテック株式会社 プレス打ち抜き性に優れた銅基合金
US6676894B2 (en) 2002-05-29 2004-01-13 Ntn Corporation Copper-infiltrated iron powder article and method of forming same
US7182823B2 (en) * 2002-07-05 2007-02-27 Olin Corporation Copper alloy containing cobalt, nickel and silicon
US8211250B1 (en) * 2011-08-26 2012-07-03 Brasscraft Manufacturing Company Method of processing a bismuth brass article
US8465003B2 (en) 2011-08-26 2013-06-18 Brasscraft Manufacturing Company Plumbing fixture made of bismuth brass alloy
EP2883970A4 (en) * 2012-07-31 2016-06-29 Mitsubishi Cable Ind Ltd Overlay wire made of a copper alloy and method for producing a top wire from a copper alloy

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS53103926A (en) * 1977-02-23 1978-09-09 Furukawa Electric Co Ltd:The Copper alloy for electric conductor of stable contact resistance and its manufacture
JPS5534632A (en) * 1978-08-30 1980-03-11 Furukawa Electric Co Ltd:The High tensile, electrically conductive copper alloy

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5579848A (en) * 1978-12-12 1980-06-16 Kobe Steel Ltd Copper alloy with superior strength, electric conductivity and softening resistance and manufacture thereof

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS53103926A (en) * 1977-02-23 1978-09-09 Furukawa Electric Co Ltd:The Copper alloy for electric conductor of stable contact resistance and its manufacture
JPS5534632A (en) * 1978-08-30 1980-03-11 Furukawa Electric Co Ltd:The High tensile, electrically conductive copper alloy

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7180176B2 (en) * 2001-08-23 2007-02-20 Dowa Mining Co., Ltd. Radiation plate and power semiconductor module IC package
JP2008235557A (ja) * 2007-03-20 2008-10-02 Rohm Co Ltd リードフレームおよび半導体装置
JP2013239740A (ja) * 2013-08-02 2013-11-28 Rohm Co Ltd 半導体装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2593107B2 (ja) 1997-03-26
US5147469A (en) 1992-09-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3550233B2 (ja) 高強度高導電性銅基合金の製造法
JPH04180549A (ja) 高強度高導電性銅基合金の製造法
JPH0741887A (ja) 電気、電子部品用銅合金及びその製造方法
JP4056175B2 (ja) プレス打抜き性が優れたリードフレーム、端子、コネクタ、スイッチ又はリレー用銅合金板
JP4393663B2 (ja) 端子用銅基合金条およびその製造方法
JPH036341A (ja) 高強度高導電性銅基合金
US5205878A (en) Copper-based electric and electronic parts having high strength and high electric conductivity
JP4186095B2 (ja) コネクタ用銅合金とその製造法
JPS6199647A (ja) 半導体用リ−ドフレ−ム材およびその製造法
JP4043118B2 (ja) 耐熱性に優れる電気・電子部品用高強度・高導電性Cu−Fe系合金板
JPS61119660A (ja) 高力高導電性銅基合金の製造方法
JPS61272339A (ja) 繰返し曲げ性に優れた電子部品用リ−ド材およびその製造法
JPS6250428A (ja) 電子機器用銅合金
JPH09316569A (ja) リードフレーム用銅合金及びその製造法
JP2733117B2 (ja) 電子部品用銅合金およびその製造方法
JP2597773B2 (ja) 異方性が少ない高強度銅合金の製造方法
JPS58213847A (ja) 電気電子部品用銅合金及びその製造法
JPS63128158A (ja) 高力高導電性銅基合金の製造方法
JP3032869B2 (ja) 高強度高導電性銅基合金
JPS61143564A (ja) 高力高導電性銅基合金の製造方法
JP2945208B2 (ja) 電気電子機器用銅合金の製造方法
JPS63109132A (ja) 高力導電性銅合金及びその製造方法
JP2534917B2 (ja) 高強度高導電性銅基合金
JPS6141751A (ja) リ−ドフレ−ム用銅合金材の製造法
JP3044384B2 (ja) 高強度高導電性銅基合金およびその製造法

Legal Events

Date Code Title Description
R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071219

Year of fee payment: 11

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071219

Year of fee payment: 11

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071219

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081219

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081219

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091219

Year of fee payment: 13

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101219

Year of fee payment: 14

EXPY Cancellation because of completion of term