JPS589478A - 画像再生装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は画像再生装置に関するものである。

従来、ＣＯＤイメージセンサやｌ１ｌＯＳイメージセン
サを用いる画像再生装置が種々提案されている。

しかし、これらの画像再生装置においては、使用するＣ
ＯＤあるいは！４０Ｓイメージセンサの構造上子・分な
感度を優ることが難しく、特に暗い場バ■での撮影の際
に（才補助照明装置や明るい撮影レンズが必要となり、
携帯性、操作性に問題がある。

一方、最近では入力インピーダンスが高く電圧駆動形の
特長を保ちながら、出力電流が電圧の増。

加と共に次第に増加し、三極管と同様に王室相形１の電
流重圧特性を示すと共に、大出力、低歪、低雑音特性を
有する静電誘導トランジスタ（３ｔａｔｉＣＩｎｄｕｏ
ｔｉｏｎ　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ　；以下頭文字をとっ
てＳＩＴと称する）が提案され、またかかるＳＥＴを有
するＳＩＴイメージセンサも開発されている。

第１図ＡおよびＢはＳＩＴイメージセンサの一例の構成
を示す断面図およびその等価回路図を示すものである。

このＳＩＴイメージセンサは読み出し用ＭＯＳ形ＳＩＴ
　／とホトトランジスターとから成りぐ・増幅機能を有
する表面照射形で、浮遊領域により形成されたｎ＋ｐ接
合を含むものである。ＭＯ８形ＳＩＴ　／およびホトト
ランジスタコは分離用絶縁領域３で門下れたｐ形半導体
基体ｔに形成され、ホトトランどスタ２は表面透明′ａ
極Ｊ、ｎ１−６、・ｐ−領域７、ｐ浮遊領域におよびｎ
＋浮遊領域９を有するフローティングエミッタ構造とｌ
（つでいる。

ｎ＋浮ａ頭域りはホトトランジスタ２のエミッタである
と同時に読み出し用ＭＯＳ形ＳＩＴ　／のドレイン電極
／／に接続されている。このドレイン電極ｌ／れらドレ
イン電極７）、絶縁層７．２および導′亀層／３により
蓄積谷ｌＣ８を構成している。ＭＯ８形ＳＩＴ　／のゲ
ート領域（ｐチャンネル）／４Ｉはｎ＋浮遊領域９に接
合して形成され、このゲート領域／りの上方にはゲート
酸化膜／Ｓを介してゲート′電極／６が設けられている
。また、ｎ　のソース領域／７はｐチャンネ／ｌ／のゲ
ート領域／４ｆに接合して形成され、このソース領域／
７にソース電極／Ｓが従続されている。なお、ドレイン
電極／／、導電層／３、ゲート電極／６お１．。

よびソース電極／ｇは絶縁層／９により互いに絶縁され
ていると共に、Ｓ工Ｔ／のドレイン電極／１１導電層／
３およびホトトランジスターは絶縁層〃により絶縁され
ている。

上述したＳＩＴイメージセンサにおいて、ホトトランジ
スタ２の表向透明電極Ｓにはｐ−領域７が空乏化するに
十分な正のバイアス′電圧ｖＳ（＋）が印加される。ま
た、ＭＯ８形ＳＩＴ　／のゲート電極／６にはホトトラ
ンジスタ２を介して蓄積容量ＯＳに記憶された電圧を読
みｔ］４すための信号を共和する読、。

み出しライン２／が接続され、ソース電極Ｈには読１み
出された電圧を出力する読み出し用ビット線〃が接続さ
れる。

以下、上述したＳＥＴイメージセンサの動作を第２図を
参照して説明する。

ホトトランジスタ２の表向透明電極Ｓに第λ図Ａに示す
ようにｐ−領域７が空乏化するに十分な正のバイアス電
極Ｖ８（＋）を印加した状１塵で、該表向透明電極ｊに
入射光ｈνが入射すると、これにより励起された電子−
ホール対のうち電子は表面１．。

のｎ＋層≦に直ちに吸収され、ホールはｉ）−領域７に
加わっている＠電算により加ｆｆ１２れてｐ浮遊領域ｇ
に流れ込み、このｐ浮遊領域ｔを第２図ＢにＶｐ（ｔ）
で示すように正に帯電する。ｐ浮遊領域ざが正に帯電す
ると、ｎ＋浮遊領域９との間カ月１１α。

方向にバイアスされることになる。Ｔなわち　ｎ＋浮遊
領域デから電子がｐ浮遊領域ざに注入され、注入された
電子はこのｐ浮遊領域ざを通過し、高抵抗のｐ−領域７
をドリフト走行して衣１ｍのｎ層乙に吸収される。この
ようにｎ＋浮遊１迫域９から　、。

電子が流出すると、この領域９も電子が不足して１第２
図Ｃにｖｎ（ｔ）で示すように正に帯電されることにな
る。

このｎ＋浮遊領域９の′電位Ｖｎ（ｔ）は、ｐ浮遊領域
ざが極めて薄い場合は、 となる。ただし、Ｏｆはｐ浮遊領域ｌの容置、ｇは単位
電荷、Ｓは光子密度、Ｃは光速を表わす。

上式から明らかなように、電位ｖｎ（ｔ）は入射光ｍ　
’□および露光時間ｔに比例し、Ｏｆに反比例する。

したがって、ｐ浮遊領域ｇの容敏Ｏｆは小ざい程僅かな
ホールの流入で大きな電圧変化を得ることができ、感度
を向りさせることがでさる。なお、ｎ＋浮遊領域９に接
続された蓄積装置Ｃ８は、フッ・り構造の増幅作用によ
り、Ｃ８にあまり依存せずに浮遊ｎ　＋　ｐ接合が所定
の順方向バイアスになるまでｎ＋浮遊領域ｑから電子が
流れ出すから、この領域９の電圧値にあまり影響を与え
ない。

これに対し、従来のＭＯＳイメージセンサにおい、１、
　　　ｇ−ｓ　・　０ では、蓄積領域の電位か−１１−・ｔで与えら　１れる
。したがって、Ｌ述したＳＩＴイメージセンサと比べる
と、ＳＩＴイメージセンナにおいてはＣ８／Ｃｆ倍の感
度を得ることがでさる。なお０Ｓ／ＣｆはＣｆを容易に
小ざくでさることから、１Ｏ−ｌＯＯ程度とすることか
でさる。

ＳＩＴイメージセンサにおいては、読み出しは破壊読み
出しにも、非破壊読み出しにもでさる。非破壊読み出し
を行なう場合には、第２図りに示すようなパルスを読み
出しライン２１を介してＭＯ３形１・・ＳＩＴ　／のゲ
ートに加えて１４通させる。ＭＯ８形ＳＩＴ／が導通す
ると、ソース領域／７からｐチャンネルのゲート領域／
りを介して゛電子がｎ＋浮遊領域９に流れ込んで第２図
Ｃに示すように信浮遊領域ｑの正電圧■ｎ（ｔ）を低下
させるが、このときには第２図１Ｂに示すようにｐ浮遊
領域ざの電位Ｖｐ（ｔ）が増加して浮遊ｎ＋　ｐ接合の
順方向バイアスが深くなるから流れ込んだ電子は直ちに
高抵抗のｐ−領域７に注入される。したがって、読み出
し用ビット線ｎの寄生容量ＣＢに殆んどよらないで第、
２因Ｅに示すよ。

に、ｎ＋浮遊領域ワの電位は７回読み出しが行なわれて
一旦低下しても、しばらく時間が経過するとそれ以前と
ほぼ同じように増加し続ける。

以上説明したところから明らかなように、ＳＩＴイメー
ジセンサは次のような特長を有する。

（１）　　ＳＩＴが直線性の良い不飽和形の電流電圧特
性を有することから、蓄積ｇｉｔｏ８にアナログ的に書
さ込まれた電圧に対し読み出し電圧を相当広い範囲に亘
って直線的に変化させることがでさ、シト・たがってダ
イナミックレンジを極めて広くすることができる。

（２）集積度が高いのでＳＩＴイメージセンサの個々の
エレメントの表面種を皓めて小ぎくでさ、高解像度を得
ることかでさる。

（８）破壊読み出し、非破壊読み出しのいずれも可能で
ある。

（４）　増幅率が大さいから、光検出感度が高く、入射
光量が少なくても大さな信号が得られる。

（５）　　１内々のエレメントを独立に駆動できるので
ランダムな読み出しが可能であると共に、個々の工ルメ
ントの感度を調整することもでざる。

（６）　　チャンネル中の電子の移動度が大さいことか
ら、書き込み／読み出しを高度速度で行なうことかでさ
る。

（７）蓄積容畦Ｃ８に接続すれるリフレッシュ用のＳＩ
Ｔを同一基体に形成し、このリフレッシュ用ＳＩＴを選
択的に駆動することにより畜積容ＭＣｓを容易にリフレ
ッシュすることができる。

以上のようにＳＩＴイメージセンサにおいては、１・・
従来のＣＯＤイメージセンサやＩｉ［ＯＳイメージセン
サにない優れた特長を有する。しかしながら、かかるＳ
ＩＴイメージセン、すを画素単位にマトリックス状に多
数配列して第３図に示すように受光面３／を形成し、こ
の受光面３／を矢印で示す順序に従って一第１画素３）
−ｌから最終画素３２−ｎまで順次アクセスして画像情
報を得る場合には、最終画素３２−ｎに近い画累程すな
わちアクセスされるタイミングが遅い画素程露光時間が
長いため、受光面３／の全面に一様な光が入射している
場合には各画素情、・報が一様とならず順次のアクセス
に従って増加し１てしまい画像情報に輝度むらが生じる
不具合があるＯ 本発明の目的はに述した不具合を解決し、携帯性、操作
性に優れ、高感度でしかも被写体像の照度分布に正確に
追従する画像情報が得られるよう適切に構成した画像再
生装置を提供しようとするものである。

本発明の画像再生装置は、被写体像を受光するように画
素単位に＄故配列した静電誘導トランシト・スタイメー
ジセンサより成る受光面と、この受光面の各画素を第１
の順序に従って順次アクセスして画素情報を読み出す第
１のアクセス処理回路と、前記受光面の各画素を前記第
１の順序とは反対の第２の順序に従って順次アクセスし
て画素情報を１読み出す第２のアクセス処理回路と、前
記第１および第２のアクセス処理回路からの順次の画業
情報を各画素毎に対応するロケーションに記憶して加算
する記憶・加算回路とを具え、この記憶・加算回路の出
力から前記被写体像に対応する肉像情。

報を得るよう構成したことを特徴とするものであする０ 以下図面を参照して本発明の詳細な説明する。

第１図Ａ、ＢおよびＣは本発明の詳細な説明するための
線図である。第３図において受光面３ノの全ての画素を
同時にリフレッシュした後、一様な光を照射し、矢印で
示す第１の順序に従って一定時間中に第７の画素３ノー
７から最終画素３２−ｎまで順次アクセスすると、順次
の画素情報は第弘図Ａに示すようにアクセスＩｌｌα序
に従って増加する。Ｉ・□また、逆に第１の順序とは反
対の第２の順序に従って上記と同一時間中に最終画素３
ノーｎから第１の画素３２−／までＩ［１ｇ次アクセス
すると、順次の画素情報は第グ図Ｂに示すように増加の
勾配が＠を図Ａの場合とは逆になる。ここで受光面３／
はＳ工Ｔ１イメージセンサにより構成され、非破壊読み
出しおよびランダムアクセスが可能であるから、受光面
３／を第１の用臼次に従ってアクセスした後直ちに第２
の順次に従ってアクセスしてそれぞれのアクセスにおけ
る同−Ｎ素の情報を加昇すれば、各自・・１図Ｃに実線
で示すように一様な入射光に対応する一様な画素情報を
得ることかでさる。なお、第を図Ｃにおいて破線■は第
７の順序に従った順次の画素′１′＃＠を、破線■は第
２の順序に従った順次の画素情報を示す。

＠Ｓ図は本発明の画像再生装置の一例の構成を示すブロ
ック線図である。受光面３／はＳ工Ｔイメージセンサを
画素単位にマトリックス状に多数配列して構成し、制御
回路グ／により駆動およびリフレト・ツシュし得るよう
構成する。受光面３／のリフレッシュは各画素を構成す
るＳＩＴイメージセンサを第６図に示すように、読み出
し用ＭＯＳ形ＳＩＴ　／とホトトランジスタ２との池に
リフレッシュ用のＳＩＴグ２を設け、このＳ工Ｔ１２の
ソースまたはドレイン電１極を蓄積容量Ｃ８に、ドレイ
ンまたはソース電極をアースにそれぞれ接続して、ゲー
ト電極にリフレッシュライング３を介して所要のリフレ
ッシュ電圧を印加してＳＩＴグ２を導通させることによ
り、蓄積容量Ｃ８の電荷を放電してリフレッシュし得る
　・。

よう構成する。なお、第６図において第１図と同ｌ−符
号は同一の作用を成すものを表わす。

受光面３１上Ｏこ結像される被写体像の画像情報はＩ制
御回路Ｉｔ／の制御の下に第１のアクセス処理回路グＳ
により第１の画素３２−／から最終画素３２−ｎに向う
第７の順序に従って順次アクセスして読み出すと共に、
第一のアクセス始理回路ゲ乙により最終画素３２−ｎか
ら第１の画素３２−７に向う第１の順序とは逆の第２の
順序に従って順次アクセスして読み出し、これら第１お
よび第一のアクセス処理回路グＳおよび砧からのそれぞ
れの画像情報をＳＩＴメモリより成る記憶・加算回路〃
に供給する。記′□憶・加算回路グアは制御回路４Ｉｌ
の制御の下に、第１および第一のアクセス処理回路グＳ
および侭からのそれぞれの画像情報を各画素に対応する
ロケーションに加算して記憶するよう構成し、その出力
画像情報をコンパレータａに供給すると共に、増幅１器
〃を介してモニタ装置Ｓθおよび必要に応じてビデオテ
ープ、ビデオディスク等の画像記録装置３／に供給する
。モニタ装ＭＳθは適正露出値の制御機能を具え、この
適正露出値に対応する信号をコンパレータａｔ；供給す
る。コンパレータ侵はモニタ　□装置ｊθからの適正露
出値と記憶・力１１算回路〃の出力画像情報のピーク値
とを比較し、その比較結果に基いて第１および第２アク
セス処理回路グＳおよ侭によるアクセスを制御するよう
構成する。

次に第５図に示す画像再生装置ｎの動作例を説明・する
。

今、図示しない写真レンズにＪ：り受光面３／上に被写
体像が結像しているものとする。先ず、制御回路グ／に
より受光面３／の各画素のＳＩＴイメージセンサヲ全て
リフレッシュすると共に記憶・加算口１路ＩＩ７のＳＩ
’Ｉ’メモリの内容を全てクリアした後、第７のアクセ
ス処理回路グ５にアクセス開始信号を供給して、該第１
のアク十ス処理回路グ５により受光面３／を第１の画素
３ノーｌから最終画素３２−ｎに向う第１の順序に従っ
て順次アクセスして画素情報□を読み出し、この画素情
報を記憶・加算回路ｑの対応するロケーションにそれぞ
れ記憶する。第１のアクセス処理回路グＳによる第１の
順序に従ったアクセスが終了した後、制御回路ダ／から
第２のアクセス処理回路〃にアクセス開始信号を供給し
、゛終画素３ノーｎから第１の画素３２−７に向う第１
の順序とは逆の第２の順序に従って順次アクセスして画
素情報を読み出す。この第２の順序に従う順次の画素情
報は、第１の順序に従う画素情報を記憶した記憶・加算
回路グアの対応するロケーションに記憶して画素毎に加
算する。この記憶・加算回路げに記憶・加算された画素
情報は順次読み出され、シリアルな画像情報としてコン
パレータｑに供給すれる。コンパレータｑでは、この画
像情報１゛□のピーク値とモニタ装置Ｓθからの適正露
出値を表わす信号とを比較し、これらか一致するまで第
１および第２のアクセス処理回路ＩＩＳおよび侭による
第１の順序および第２の順序に従うアクセスを一組とし
て、これら第１および第一のアクセス処理□回路ａｓお
よびＦ４に交互にアクセス開始信号を供給して第１の順
序および第一の順序に従うアクセスを繰り返し行なわせ
て各画素情報な記憶・加算回路〃の対応するロケーショ
ンＧこ加算して記憶させ、画像情報のピーク値とモニタ
装置３θからの適正側□出値を表わす信号とが一致した
ときに、以後の一１組のアクセスを行なわないように第
１および第２のアクセス処理回路グ５および弼にアクセ
ス終了信号を供給してアクセスを終了する。したがって
第１および第２のアクセス処理回路グＳおよび弼の双方
のアクセス総数は偶数となる。このように、画像情報の
ピーク値と適正露出値とを比較して第１および第２のア
クセス処理回路グｊおよび弼によるアクセスを制御する
ことにより自１１２Ｉ＋１１出制御を行なうことかでき
る。このようにして、記憶・加算ｊ′□回路ｐにｌフレ
ームの適正露出の画像情報か記憶された後は、この画像
情報を増幅器ダ９を介してモニタ装置ｊθに繰り返し供
給することにより、該モニタ装置Ｓθにおいて受光面３
ノ上に結像された被写体像を再生することができると共
に、必要に応じ。

て画像記録装＠ｊ／に記録することができる。

なお以上の動作例においてはスチル画像を再生するよう
にしたが、ムービー画像を得る場合には上記のスチル画
像再生のルーチンをムービーカメラが必要とするフレー
ム数／ｓｅＯのスピードで繰　□り返せばよい− 第７図は本発明の画像再生装置の他の例の構成を示すブ
ロック図である。この画像再生装置は、受光面３１をＳ
ＩＴイメージセンサで構成することによりランダムアク
セスができることを利用し、受光面３／の任意の画素領
域のみＰ更に選択的にアクセスして、例えば暗い部分を
明るくする等部分的−作用を成すものを表わす。このた
め本例では、゛”受光面３／上の任意の画素領域を指定
するエリア指定回路６／　’ｉ設け、このエリア指定回
路４／から第７および第２のアクセス処理回路グ５およ
びｆＪに指・定された領域の画素のアドレスエリアを指
定して、このアドレスエリア内を更にアクセスするよう
構！成する。エリア指定回路６１による任意の画素領域
の指定は、列えばモニタ装ｆｌｉｓθに表示される再生
画像を観察し、その画面上の任意の領域、例えば１１ｆ
度の低い領域Ｓ鎮をカーソルで囲むことにより行なうこ
とができる。なお、本例ではこのエリア指定回路６／か
らコンパレータ侵に適正露出値を表１わず信号を供給す
る。

次に第７図に示す画像再生装置Ｈの動作例を説明する。

第５図において説明したと同様にして記憶・加算回路グ
アに適正露出のｌフレームの＋１ｎｒ像情報を記憶し、
この画像情報を増幅器グ９を経てモニタ装置３０に供給
して被写体像′ｆｒ−峡出する。ここでモニタ装置ｊθ
の画面上で領域ＳθＡの像が暗く、この部分を明るく補
正するには、先ずモニタ装ｍ３θの画面・を観察しなが
ら領域ＳｏＡ＆カーソルで囲むことにより、エリア指定
回路４／においてモニタ装置Ｓθの補正すべき領域Ｓθ
Ａと対応する受光面３／上の補正すべき画素領域Ｊ／Ａ
のアドレスエリアを設定し、これにより第１および第２
のアクセス処理回路グＳおよびＩＩ６に補正子べき画素
のアドレスエリアする。

第１および第２のアクセス処理回路グＳおよび侘は、エ
リア指定回路６１から指定されたアドレスエリア内で、
上述したと同様に第１の順序に従ったアクセスと第２の
順序に従ったアクセスとを交互に行□出し、その画素情
報を予じめｌフレームの画像情報を記憶した記憶・加算
回路〃の対応するロケーションに加算して記憶する。こ
のように、部分的な加算露光を行なうと、このときの画
素領域、？／Ａの露光時間は少く共最初のｌフレームの
アクセス時間ｔ工と、補正のためのアクセス時間ｔ２と
の和となる。また、記憶・加算回路停には予じめＮ光時
間ｔ０に対する画像情報が記憶されているから、該記憶
・加算回路ｐの補正すべき画素領域３／Ａの　□各画素
に対応するロケーションには、少く共、２ｔ工＋ｔ２の
露光時間の画素情報が記憶されることになり、画素領域
Ｊ／Ａの感度を十分高めることができる。

なお、以上の動作例においてはスチル画像を再゛生ずる
ようにしたが、補正すべき画素領域を固定して、受光面
Ｊ／　＋　順次リフレッシュしながら指定されたエリア
のみアクセスする回数を増やして順次の補正されたｌフ
レームの画像情報を得、この１１［１の補正されたｌフ
レームの画像情報をモニタ□装置Ｓθに、あるいは一旦
画像記録装置５１に記録し１てからモニタ装置望に供給
することによりムービー画像を再生するでともできる。

なお、本発明は」二連した例にのみ限定されるものでは
なく、幾多の変形または変更が可能である。

例えば第１および第２の順序に従うそれぞれのアクセス
終了後、受光面３１を一旦リフレッシュしてもよい。ま
た、第１および第２の順序に従うアクセスは複数回毎交
互に行なってもよい。更に適正露出値と比較する画像情
報はピーク値に限らず、１′平均値であって・もよい。

以上詳細に説明したように、本発明においては、第１の
順序に従うアクセスとこの第７の順序とは反対の第２の
順序に従うアクセスとにより読み出した画素情報な画素
毎に加算することにより、各□画素における露光時間が
等しくなるようにしたから、被写体像の照度分布に正確
に追従する輝度むらのない良好な画像情報を得ることが
できる。また、受光面をＳＩＴイメージセンサで構成し
たから゛、ＳＩＴイメージセンサの広ダイナミツクレン
ジ、高□゛集積度の特性を有効に利用できる。したがっ
て高１感度、高解像度の画像情報Ｔｉ：得ることができ
ると共に、小形かつ軽量とすることができるから操作性
、携帯性に優れた画像書主装置を得ることができる。更
に、受光面Ｆ　ＳＩＴイメージセンサで構成することに
より、ランダムアクセスおよび非硬゛壊読み出しが可能
であるから、画像情報の部分的な補正ができると共に、
自動露出制御を行なうこともできる。更に”また、上述
した実施例のように記憶・加算回路グアをＳｉＴメモ゛
りで構成した場合には、°□アナログ情報をそのまま記
憶できると共にこれを非破壊読み出しすることができる
から、／Ｄおよび凭り、コンバータが不要となり、した
がって更に小形に構成することができると共に安価にで
きる。

【図面の簡単な説明】

第１図ＡおよびＢはＳＩＴイメージセン゛すの一例の構
成を示す断面図および等価回路図、第２図に−ＥはＳＩ
Ｔイメージセンサの動作な説明するための信号波形図、
第３図はＳ工Ｔイ°メージセンサを用いて画像情報を得
る場合の問題点を説明するた□゛めの線図、第１図Ａ、
ＢおよびＣは本発明の詳細な説明するための線図、第５
図は本発明の画像再生装置の一例の構成を示すブロック
図、第６図は受光面の／画素を構成、するＳＩＴイメー
ジセンサの一例の等価回路図、第７図ＯＳ１本発明の画
像再生装置の他の例の構成号示すブロック図である。 ／・・・読み出し用ＭＯＳ形ＳＩＴ　、λ・・・ホトト
ランジスタ、ＯＳ・・蓄積容量、３ノ・・・受ツ６面、
３ノー／〜３ノーｎ・・・画業、ブト・制御回路、り２
・・・リフレッシュ用ＳＩＴ。 ４’Ｓ・・・第１のアクセス処理回路、弓・・・第２の
アク上１ス処理回路、〃・・・記憶・用Ｉ算回路、ＶＺ
・・・コンパレータ、Ｆ９・・・増幅器、Ｓθ・・・モ
ニタ装Ｗ、３／・・・画像記録装置、にｌ・・・エリア
指定回路。 、２３１ 第２ 第１図 （Ａ） （Ｂ、） 第４図 第５図 ガ ３２−ｆ　　　　　　　　　　　　　　４５ｆ３ ７ ４Ｉ３２−″ ｑ にハ に’ｆ　　　　　　　　　　　　りθ 第６図 ｆ ３

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、　被写体像を受光するように画素＋１λ位に多数配
   列した＃車誘導トランジスタイメージセン・すより成る
   受光面と、 この受光面の各画素を第１０）順序に従って順次アクセ
   スして画素情報を読み出す第１のアクセス処理回路と、 前記受光面の各画素を前記第１の順序とは１・・反対の
   第２の順序に従って順次アクセスして画素情報を読み出
   す第２のアクセス処理回路と、 前記第１および＠２のアクセス処理回路がらのｌｌｌｌ
   ｆｆ次の画素情報を各画素毎に対応する口・ケーション
   に記憶して加算する記憶・加算回路とを具え、 この記憶・加算回路の出方から前記被写体像に対応する
   画像１１報を得るよう構成したことを特徴とする画像再
   生装置ａ。 ２　前記第１および第２のアクセス処理回路を（前記受
   光面の任意の画素領域のみを更に選択的にアクセスし得
   るよう構成したことを特徴とする特許請求の範囲第１項
   記載の画像再生装置。 ３、　前記第１および第２のアクセス処理回路を交互に
   同数回作動させて画像情報を得るよう構成したことを特
   徴とする特許請求の範囲第１項または惰２項記載の画像
   再生装置。