JPS5893436A - リチウム電池バツクアツプ回路 - Google Patents

リチウム電池バツクアツプ回路

Info

Publication number
JPS5893436A
JPS5893436A JP56192172A JP19217281A JPS5893436A JP S5893436 A JPS5893436 A JP S5893436A JP 56192172 A JP56192172 A JP 56192172A JP 19217281 A JP19217281 A JP 19217281A JP S5893436 A JPS5893436 A JP S5893436A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
battery
switch element
power supply
switch
battery backup
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP56192172A
Other languages
English (en)
Inventor
漆原 健彦
高口 憲二
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Shibaura Electric Co Ltd filed Critical Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
Priority to JP56192172A priority Critical patent/JPS5893436A/ja
Publication of JPS5893436A publication Critical patent/JPS5893436A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Stand-By Power Supply Arrangements (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 発明の技術分野 本発明は、たとえば半導体メモリ(;対してリテクム電
池i:よりΔツクアツfk行なうためのヲデクム電池Δ
ツクアツf回路1:関する。
発明の技術的背景 たとえばランダムアクセスメモ9ス以下RムMと略称す
る)V不揮発性メモリとして使用する場會、電電C二よ
るΔツタアッfv行なうことでラードオンリーメモリと
同様の特性を持たせることができ、また通常動作時には
lムMと同様(二容sC;書き換え可能なメそツ會lI
[現できることが知られている。
第1gはRIMIIc対する従来の電a/#ツクアツ″
fWjA路を示すものであり、12は主電源、ISは電
源スイツチ回路、14は電源ツインであり、バックアッ
プ弔電@xiは一端が接地され、他端がスイッチ素子(
たとえばダイオード)xgwH示極性の向きに介して前
配電源ライy14(二接続されている。上記スイッチ素
子11は、RAMIIの通常動作時、すなわち主電源1
1の使用時に電池xiの消費電力を抑えるため、電源フ
ィン14と電池11とを切り離すためのものであり、電
源ツイン14側から見て逆方向の極性で挿入されている
背景aIgの閾題点 ところが、上記通常動作時にスイッチ素子ticよるg
41rL電流C;より4aIit二逆罐流が流れ4おそ
れがある。特に、上記電池Xiとしてy?りム電mt’
Fliいる場會、リテクム電池の特性は逆電流が流れる
ことにより破壊あるいは劣化のおそれが強いので、その
防止対策が必要である。
暢明の目的 本発明は上記の事情(;麿みてなされたもので、リデク
ム111fjjAに流れ込む逆電流【著しく低減し得る
ヲテクム電池dツクアッグ回路な提供するものである。
発明の概要 本発明は、リデクム゛R#Aと電源ラインとの間に!I
I!続されている第1のスイッチ素子と同様特性のWi
2のスイッデ嵩子tyfクム電池シニ並列直二少なくと
も1個接続することC二よって、−第1のスイッチ素子
成二よる洩れ′電流の殆んどン第2のスイッチ素子C:
流TようC二したものである。
″ 発明の実施例 以下、−向を参照して本発明の一実施例を詳m直二説明
する。
第2図C二示すリデクム電池パツクアツf回路は、第1
wJt−参照して前述した電池ノックアップ回$g二比
べて、バックアップ用電池がリテクム電池2−である点
および第1のスイッチ素子1#と同様特性の第2のスイ
ッチ素子(たとえばIイオーP)21を上記リデクム電
池20に並列に少なくとも1個かつ前記第1のスイッチ
素子1#と同方向の向きで接続されている点が異なる。
その他は同じであるので、$2図中第1図と同一部分は
同一符号V付してその説明を省略する。
上記構成においては、通常動作時、すなわち電源スイツ
チ回路11がオン状態であって輩ムMIIC主電源11
から電源が供給されているとき、第1のスイッチ素子1
6は逆方向i;電圧が印加されるまたとになり、洩れ電
流が流れる。この洩れ電流の方向−二対するリテクム電
池1−の抵抗分は、このとき逆方向に電圧が印加されて
いる第2のスイッチ素子21のインーーダンスに比べて
充分高いので、上記第1のスイッチ素子ICの洩れ電流
の殆んどが82のスイッチ素子11C;流れ込み、リブ
ラム電池X OS=は上記at′L11i流が殆んど流
れ込まない。
一方、バックアップ時、すなわち電源スィッチIgIQ
XIがオフ状層であって被Δツクアッグ回路であるR&
MJZCリデウム電池20から電源が供給されていると
き、第1のスイッチ素子11に層方向に電圧が印加され
ることになり非常C:低いインピーダンスt#呈してい
るが、第2のスイッチ素子21)よ逆方同C;電圧が印
加されているので非常C二高いインビーダンスを呈して
おり、リデクム電a2#から第2のスイッチ素子21へ
は殆んど電流が流れることはない。
上記実施例のラブラム電池バックアップ回路(:よれば
、リテクム電池20C:第1のスインを素子l#からの
その洩れ電流が殆んど流れ込むとと燻ないので、リデク
ム電池20の破壊、劣化のおそ3v殆んど無くすること
ができる。
なお、上記実施例では、リテクム電a20と′!會−列
5二IIlのスイッチ素子1d側から見て逆方向の橿性
で第2のスイッチ素子21を1llll接続したが、さ
ら1;同様C;複数個並列C;接続しても上記実施例と
同様の効果が得られる。
発明の効果 本発明のリデクム電池Δツクアツノ回路i二よれば、リ
デクム電池と電源ラインとの間6二9!続されている1
1g1のスイッチ素子と同様特性の第2のスイッチ素子
をリテクム電池l;並列C二かつ第1のスイッチ素子と
同方向に少なくともfilfl#続すること5二よって
、第1のスイッチ素子による洩れ電流の殆んどな第2の
スイッチ素子に流すようC1,だので、リゾ9ム鑞池に
洩it電流が流れ込むことY防止でき、リテクム′4池
の破壊や劣化t′防止することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の電池Δツクアラf回路な示す回路図、第
21i1は本発明に係るツテウム4池パツクアツf回路
の一実施例を示す1141図である。 11・・・童ムM(被dツクアッf回路)、I4”7g
フィン、1#・・・第1のスイッチ素子、1 #−−−
ヲデウム電池、21・・・第2のスイッチ。 第1図 第2図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. ΔツクアツfNヲテクム11IJlkと、このツtりム
    電龜と被パックアッypB路の電源ラインとの間砿:接
    続され電源ライン側から見て逆方向の極性で挿入された
    第1のスイッチ素子と、この第1のスイッチ素子と同様
    特性を有しこの第1のスイッチ素子側から見て逆方向の
    極性で前記リテクム電@l”、並列接続された少なくと
    も1個の*Zaスイツf素子とンA(llf−シてなる
    ことt特徴とするリテクム電池バックアップ回路。
JP56192172A 1981-11-30 1981-11-30 リチウム電池バツクアツプ回路 Pending JPS5893436A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP56192172A JPS5893436A (ja) 1981-11-30 1981-11-30 リチウム電池バツクアツプ回路

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP56192172A JPS5893436A (ja) 1981-11-30 1981-11-30 リチウム電池バツクアツプ回路

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS5893436A true JPS5893436A (ja) 1983-06-03

Family

ID=16286874

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP56192172A Pending JPS5893436A (ja) 1981-11-30 1981-11-30 リチウム電池バツクアツプ回路

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS5893436A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4670661A (en) * 1984-08-01 1987-06-02 Tokyo Electric Co., Ltd. Battery backup circuit
JPS62163531A (ja) * 1986-01-13 1987-07-20 株式会社ユアサコーポレーション 充電装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4670661A (en) * 1984-08-01 1987-06-02 Tokyo Electric Co., Ltd. Battery backup circuit
JPS62163531A (ja) * 1986-01-13 1987-07-20 株式会社ユアサコーポレーション 充電装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH035063B2 (ja)
JPS5893436A (ja) リチウム電池バツクアツプ回路
JPH0350359B2 (ja)
JPS5959092A (ja) 電気的負荷用二方向駆動装置
JP2003051196A5 (ja) 不揮発性メモリ及びそれを用いた電子機器
JP3990334B2 (ja) 半導体集積回路装置およびその動作方法
JP3080624B2 (ja) 不揮発性シャドウ・メモリセル
JP2696769B2 (ja) 信頼性を向上させるためにトンネル素子の数を減らした不揮発性シャドウ・メモリセル
JPH03123118A (ja) プログラマブルスイッチ回路
JPH0516119B2 (ja)
JPH0715796B2 (ja) 不揮発性ramメモリセル
JPH04111298A (ja) メモリ回路
JP2004159451A (ja) 電源バックアップ回路、電子機器及び半導体装置
JP7282749B2 (ja) 不揮発性記憶回路
JP3737487B2 (ja) データ保持装置
JPH0470207A (ja) 中間電位発生回路
JPH0343854B2 (ja)
JP2005236355A (ja) 不揮発性論理回路およびその駆動方法
JPS61280711A (ja) 電源開閉回路
JPS58146099A (ja) メモリ保護装置
JPS5977698A (ja) 不揮発性メモリセル
SU834767A1 (ru) Элемент пам ти
JPS6057160B2 (ja) 不揮発性記憶装置
JPH11176153A (ja) 半導体集積回路
JPS5923922A (ja) インタ−フエ−ス回路