JPS5923922A - インタ−フエ−ス回路 - Google Patents

インタ−フエ−ス回路

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Publication number
JPS5923922A
JPS5923922A JP57133228A JP13322882A JPS5923922A JP S5923922 A JPS5923922 A JP S5923922A JP 57133228 A JP57133228 A JP 57133228A JP 13322882 A JP13322882 A JP 13322882A JP S5923922 A JPS5923922 A JP S5923922A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
circuit
power supply
potential side
diode
circuits
Prior art date
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Pending
Application number
JP57133228A
Other languages
English (en)
Inventor
Hideo Nakada
英夫 中田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Nippon Electric Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp, Nippon Electric Co Ltd filed Critical NEC Corp
Priority to JP57133228A priority Critical patent/JPS5923922A/ja
Publication of JPS5923922A publication Critical patent/JPS5923922A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K19/00Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
    • H03K19/0175Coupling arrangements; Interface arrangements
    • H03K19/018Coupling arrangements; Interface arrangements using bipolar transistors only
    • H03K19/01806Interface arrangements

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computing Systems (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Logic Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はインターフェース回路、特にそれぞれ相補形M
(J8集種目路を使用した2つの回路において、一方の
回路の論理情報をコンデンサに蓄えた電荷によシ、長時
間にわたシ記憶させるためのインターフェース回路に関
する。
相補形MO8集積回路の消費電流は、クロック入力のな
いような静止動作においては構成素子のp−ni合のリ
ーク電流のみでありきわめて少ないので、電源を切った
時コンデンサに蓄積した電荷で該集積回路の論理情報を
保持させるのに非常に好都合である。そこで従来は、論
理情報を保持するのにコンデンサを用いて相補形MO8
集積回路全体をバックアップしていた。しかしその回路
規模が大きくなると全リーク電流の値も当然大きくなる
ので長時間記憶を保持することが困難になる。そこで、
論理情報の記憶が必曹な回路のみを電源オフ時にコンデ
ンサでバックアップする方法が考えられる。
第1図は従来のインターフェース回路の一例を示す回路
図である。同図は電源4の低電位側を2つに分けた電源
v88 le V882で駆動される2つのインバータ
回路1.2の接続を示し、該インバータ回路1.2はそ
れぞれ相補形MO8集積回路全使用した回路の入力部、
出力部を示す。インバータ回路1では相補形インバータ
10のゲートと高電位側端子13.低電位側端子14と
の間にそれぞれ保護ダイオード11.12’に接続し且
つ入力端子15からの入力が該ゲートに与えられる。
またインバータ回路2では相補形インバータ2゜のドレ
インから出方端子25に出方される。さらにインバータ
回路1,2の高電位側端子13.23を電源スィッチ3
を介して電源4と接続して高電位電源■DDを供給し、
前記低電位側端子14およびインバータ回路2の低電位
側端子24をそれぞれ直接およびダイオード5を介して
電源4と接続して前記電源V881およびVss2に供
給する。
また前記出力端子25と入力端子15を接続し、前記高
電位側端子23.低電位側端子24をそれぞれ電源バッ
クアップ用のコンデンサ8の+、一端子に接続して構成
される。電源スイッチ3オン時には′電源4−電源スイ
ッチ3−インバータ回路1−インバータ回路2−コンデ
ンサ8−インバータ回路2−ダイオード5−電源4のパ
スでインバータ回路2に電源を供給するとともに、コン
デンサ8を充電し、また゛電源スイッチ3オフ時には前
記ダイオード5が逆方向にバイアスされる(すなわちカ
ンード側がアノード側より高電位となる)ためコンデン
サ8からインバータ回路1への電流が流れないので、該
コンデンサ8に充電された電荷は該インバータ回路1に
供給されることはなくインバータ回路2のみに供給され
る。従って該インバータ回路2はコンデンサ8によって
バッファ、グされ、その論理情報の長時間記憶が保持さ
れる。
しかるに、このとき前記出力端子25の電位がrLJレ
ベル(すなわち前記電源v882と等しいレベル)であ
ると、前記電源VsslrHJレベル(すなわち前記高
電位電源VDDと等しいし慢)となっているため、保護
ダイオード12は順方向にバイアスされコンデンサ8に
充電された電荷は前記+端子−高電位側端子23.13
−相補形イーンバータ1〇−保護ダイオード12−入力
端子15−出力端子25−相補形インバータ20(nチ
ャネル側)−低電位側端子24−一端子のパスで放゛亀
される。従ってコンデンサ8の電極間の電位差が減少す
るのでインバータ回路2はバックアップされず、その論
理IH報が失われるという欠点があった。
本発明の目的はそれぞれ相補形MO8集漬回路で溝底さ
れる2つの回路間に簡単なインターフェース回路を設け
ることにより上記の欠点を除去し、電源オフ時に論理情
報を保持すべき回路のみをバックアップできるようにし
たインターフェース回路を提供することにある。
本発明によるインターフェース回路幻1、それぞれ相補
形+′vl U 8集積回路で、溝底され低電位側およ
び高電位側のいずれかの電源を2つの別個の電源で駆動
する第1および第2の回路の間のインターフェース回路
であって、ダイオードおよび抵抗性インピーダンスから
なることを特徴とす、へ。寸たその実施態様は前記第1
および第2の回路の低電位側電源を2つの別個の電源で
駆動する場合は、111記第2の回路の出力端子および
前記第1の回路の入力端子をそれぞれ前記ダイオードの
アノードおよびカソードに接続し、且つ該カソードと前
記第1の回路の低電位側電源との間に前記抵抗性インピ
ーダンス金接続してなり、前記第1および第2の回路の
高電位側電源を2つの別個の電源で駆動する場合は、前
記第2の回路の出力端子および前記第1の回路の入力端
子をそれぞれ前記ダイオードのカソードおよびアノード
に接続し、且つ該アノードと前記第1の回路の高電位側
電源との間に前記抵抗性インピーダンス全接続してなる
次に第2図および第3図を参照して本発明について説明
する。
第2図および第3図はそれぞれ本発明のインターフェー
ス回路の第1および第2の実施例を示す回路図であり、
従来のインターフェース回路と同じ構成要件にはそれぞ
れ第1図と同じ符号を付しである。
まず第2図は電源4の低電位側を2つに分けた電源V8
81 V1382で駆動される2つのインバータ回路1
,2、特許請求の範囲先箱(2)項記載の第1.第2の
回路に対応)の接続例を示し、インバータ回路1.2の
高電位側端子13.23を雷。
源スイッチ3を介して電源4と接続して高電位電源VD
D ’c供給し、低電位側端子14および24全それぞ
れ直接およびダイオード5を介して′電源4と接続して
′電源V881およびvs8□を供給する。また出力端
子25.入力端子15(特許請求の範囲第(2)項記載
の出力端子、入力端子に対応)をそれぞれダイオード6
のアノード、カソードに接続するとともに該入力端子1
5と低電位側端子14との間にプルダウン抵抗7を接続
してインターフェース回路を形成する。さらに高電位側
端子23、低電位側端子24をそれぞれコンデンサ8の
+、一端子に接続する。電源スイッチ3オン時には上記
第1図におけると同様にインバータ回路2に電源供給が
行われるとともにコンデンサ8が充電される。このとき
前記出力端子25の電位が「L」レベル(前記電源■8
82と等しいレベル)であれば前記入力端子15の電位
はプルダウン抵抗7全介し低電位側端子14と同じ「−
L」レベル(前記電源vsstと等しいレベル)に保た
れる。
また電源スイッチ3オフ時には前記出力端子25の電位
が前記rLJレベルであり、従って保護ダイオード12
(第1図に図示)が順方向にバイアスされても、前記ダ
イオード6が逆方向にバイアスされるのでコンデンサ8
VC充電されり重荷がインバータ回路1を通るパス(第
1図の説明で述べた)で放電されることはないので従来
のインターフェース回路の欠点が除去される。すなわち
論理情報の長時間記憶を要する回路(第2図ではインバ
ータ回路2を指す)のみがバックアップされる。
次に第3図は電源4の高電位側を2つに分けた電源VD
DI  VDDZで駆動される2つのインバータ回路1
.2、特許請求の範囲第(3)項記載の第1゜M2の回
路に対応)の接続を例示し、インバータ回路1.2の低
電位側端子14.24を電源4と接続して低電位電源V
ss’z供給し、高電位側端子13および23をそれぞ
れ直接およびダイオード5を介して電源スィッチ3と接
続して電源VDDIおよびVDDZを供給する。また出
力端子25.入力端子15(特許請求の範囲第(3)項
記載の出力端子、入力端子に対応)をそれぞれダイオー
ド6のカソード、アノードに接続するとともに該入力端
子15と高電位側端子13との間にプルアップ抵、1y
C7’ tiliしてインターフェース回路を形成する
。上記以外の接続は第2図に示したものと同じである。
この第2の実施例における動作は上記第2図のものに準
じるので説明を省くが、第1の実施例と同じ効果が得ら
れる。
上記各実施例は本発明を制限するものではない。
すなわち第1および第2の回路としてインバータ回路を
例示したが、NANJJ、 NUI?、ゲート回路など
相補形IVL(JS集績回路で構成されるものであれば
インバータ回路に限らない。また抵抗性インピーダンス
はインダクタンスなどiK流抵抗性のものであればよい
ことはいうまでもない。
以上の説明により明らかなように本発明のインターフェ
ース回路によれば、電源オフ時に論理情報を保持すべき
回路のみをバックアップすることができるので、該回路
の論理情報の長時間記憶が可能になるという効果が生じ
る。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来のインターフェース回路の一例を示す回路
図、第2図および第3図はそれぞれ本発明のインターフ
ェース回路の第1および第2の実施例を示す回路図であ
る◎ 図において、 1.2・・・・・・インバータ回路、3・・・・・・電
源スィッチ、4・・・・・・電源、5.6・・・・・・
ダイオード、7.7’・・・・・・抵抗、8・・・・・
・コンデンサ、10.20・・・・・・相補形インバー
タ、11.12・・・・・・保獲ダイオード、13.2
3・・・・・高′藏位側端子、14.24・・・・低電
位側端子、15・・・・・・入力端子、25・・・・・
・出力端子。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)それぞれ相補形MOB集積回路で構成され低電位
    側および高電位側のいずれかの電源を2つの別個の電源
    で駆動する第1および第2の回路の間のインターフェー
    ス回路であって、ダイオードおよび抵抗性インピーダン
    スからなることを特徴とするインターフェース回路。
  2. (2)それぞれ相補形MO8集積回路で構成され低電位
    側電源を2つの別個の電源で駆動する第1および第2の
    回路の間のインターフェース回路であって、前記第2の
    回路の出力端子および前記第1の回路の入力端子をそれ
    ぞれダイオードのアノードおよびカソードに接続し、且
    つ該カソードと前記第1の回路の低電位側電源との間に
    抵抗性インピーダンスを接続してなることを特徴とする
    特許請求の範囲第(11項記載のインターフェース回路
  3. (3)それぞれ相補形MOB集積回路で構成され高電位
    側電源を2つの別個の電源で駆動する第1および第2の
    回路の間のインターフェース回路であって、前記第2の
    回路の出方端子および前記第1の回路の入力端子をそれ
    ぞれダイオードのカソードおよびアノードに接続し、且
    つ該アノードと前目ピ第1の回路の高電位側電源との間
    に抵抗性インピーダンスを凄続してなることを特徴とす
    る特許請求の範囲第(1)項記載のインターフェース回
    路。
JP57133228A 1982-07-30 1982-07-30 インタ−フエ−ス回路 Pending JPS5923922A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6313630U (ja) * 1986-03-05 1988-01-29
JPH0270903U (ja) * 1988-11-18 1990-05-30
JPH0493137A (ja) * 1990-08-09 1992-03-25 Nippondenso Co Ltd 工作機械のスピンドル装置

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6313630U (ja) * 1986-03-05 1988-01-29
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