JPS588547B2 - 表示装置 - Google Patents

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JPS588547B2
JPS588547B2 JP8463079A JP8463079A JPS588547B2 JP S588547 B2 JPS588547 B2 JP S588547B2 JP 8463079 A JP8463079 A JP 8463079A JP 8463079 A JP8463079 A JP 8463079A JP S588547 B2 JPS588547 B2 JP S588547B2
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phosphor
display device
fluorescent
phosphors
zns
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JP8463079A
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隆夫 任田
恒治 新田
洋二 福田
富造 松岡
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Panasonic Holdings Corp
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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  • Luminescent Compositions (AREA)
  • Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
  • Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は表示装置にかかり、一つの螢光表示装置を用い
て、必要に応じて異なる色で表示することのできる表示
装置を提供するものである。
従来、低速電子線励起による螢光体としては、青緑色を
発光するZnO:Zn螢光体が古くから知られている。
この螢光体は5eV程度の低速電子線で発光する。
その輝度は電子の加速電圧や、励起電流密度とほぼ比例
して増減する。
ZnO:Zn螢光体はこのような特徴を生かして、低速
電子線で動作する螢光表示管に使用されている。
螢光表示管は、熱陰極から電子を取り出し、20〜50
eVの加速エネルギーを与えて、陽極上に設けられた螢
光膜に入射させ、それを発光させて文字やパターンを表
示するものである。
このような螢光表示管は古くから電卓の数字表示素子と
して使われており、最近では家電製品、自動車、計測機
器などの各種動作表示にも広く使用されている。
螢光表示管を各種の動作表示に使用する場合、多色表示
機能を付加することにより、表示をわかりやすくし、さ
らに情報量を増加させることができる。
このような背景から、低速電子線励起により、ZnO:
Znの青緑色以外の発光を示す螢光体の開発が積極的に
行なわれ、Sn02:Eu螢光体や従来の高速電子線励
起用螢光体と導電性のZnOや■n2O3粉末との混合
物が低速電子線励起により効率よく発光することが見い
出されている。
また、これらの螢光体を用いて多色螢光表示管も開発さ
れている。
しかし、この多色螢光表示管では互いに電気絶縁された
表示陽極上に、異なる発光色を示す低速電子線励起用螢
光体で構成された螢光膜を設けたものであり、文字やパ
ターンを異なる2色で表示できる表示管の場合、単色の
表示管に必要な陽極の2倍の数の陽極が必要となり、製
造工程が複雑になる。
そして、厳密には同一表示部分の発光色を変えるのでは
ないため、表示が不明瞭になる。
以上のように、このように多色表示管は、製造面からも
使用面からも問題の多いものであった。
本発明は、ZnO:Zn螢光体やSn02:Eu螢光体
などの発光特性を検討するなかで、見い出されたもので
ある。
すなわち、本発明は、発光波長と発光の電流密度依存性
の互いに異なる複数種の電子線励起用螢光体の混合物で
構成された螢光膜を有する螢光表示装置を使用し、その
印加電圧をパルス状にして、デューティーファクターを
変えることにより、複数種の発光色を得られるようにし
、これまでのこの種の装置にあった種々の問題点を解決
した新規な表示装置を提供しようとする.ものである。
螢光膜を構成する螢光体の一つとして、発光の電流密度
依存性が強い飽和特性を示すSn02:Eu螢光体を含
むものが螢光表示装置に適している。
さらに、Sn02:Bu螢光体と混合される螢光体と.
しては、ZnO:Zn螢光体、Zn2St04:Mn螢
光体、ZnS:Ou系螢光体、(Zn,ca)S:Ou
系螢光体、ZnGa2o4:Mn螢光体、Y3A150
12:Oe螢光体、Y3(AltGa)5012:Oe
螢光体、La202S:Tb螢光体、Gd2028:T
b螢光体、,Y202S:Tb螢光体、ZnS:Ag系
螢光体、および(ZntOd)S:Ag系螢光体からな
る螢光体群より選ばれた少なくとも一つの螢光体が、発
光色や輝度の点で好ましい。
また、発光色の変化の応答性改善のためには、ZnS:
Ou系螢光体、(Zn,Cd)S:Cu系螢光体、Zn
S:Ag系螢光体、および(Zn,Cd)S:Ag系螢
光体については、低抵抗化処理されていることが望まし
い。
次に本発明の表示装置の原理、実施例について図面を用
いて説明する。
第1図は異なる発光波長を有する低速電子線用螢光体の
発光スペクトルの代表例を示す。
第2図は本発明の基本原理となる一例の特性であり、代
表的な螢光体の電子線の加速電圧50Vにおける発光の
電流密度依存性を示す。
ZnO:Zn螢光体、Sn02+Zn2Si04:Mn
螢光体、ZnO2+ZnS:Ou螢光体、Sn02+低
抵抗化処理を施したZnS:Ou系螢光体、SnO2+
ZnS:Ag系螢光体、Sn02+(ZntCa)S:
Ag系螢光体、Sn02+Y3(AI,Ga)50,2
:Oe螢光体、Sn02十Gd202S:Tb螢光体な
どの発光の電流密度依存性は、100Vまでの電圧にお
いてほぼ直線的であるが、SnO2:Eu螢光体は飽和
特性を示す。
これらの特性測定の際、高速電子線励起用螢光体にSn
O2粉末を混合して100v以下の電圧で発光させたが
、Sn02:Eu螢光体と混合しても混合前におけると
きと同じ特性が得られる。
第1図および第2図に示すような発光特性が互いな異な
る螢光体の混合物で螢光面を構成し、これに電子ビーム
を当てて発光させる。
このとき、第2図の特性を利用して、陽極と陰極との間
の印加電圧のパルス巾またはパルス周期を変 テイーファクターを変化させることによって、異なる発
光色を現出することができるものである。
第3図A,Bに、ZnO:Zn螢光体およびSn02:
Eu螢光体について、陽極電圧を70Vとして、パルス
巾twおよびパルス周期Tを変えたときの発光強度をそ
れぞれ示している。
図から明らかなように、デューテイーファクターtw/
Tに応じて、ZnO:Zn螢光体の発光輝度が直線的に
変化しているのに対して、Sn02:Bu螢光体ではデ
ューティーファクターの値が大きくなると発光輝度が飽
和する傾向が望められる。
第4図Aは本発明において使用される螢光表示装置の一
実施例の一部破断斜視図であり、同図Bはその断面図で
ある。
図において、1は透明なガラス外囲器で、その内部には
、最前部から後方へ向かって順次フィラメント状の熱電
子放射能を有する陰極2、網状の加速電極3、文字表示
電極構体4が平行に並置されている。
文字表示電極構体4は、ガラス支持基板5と、その前面
上に形成されたたとえば9個の文字セグメントからなる
陽極6と、さらにその上に形成された螢光膜6とで構成
されている。
8はリード線であり、これらは電極2,3,4のそれぞ
れをガラス外囲器1の外部へ電気的に導出するためのも
のである。
この螢光表示装置の構造は、従来の装置のそれと基本的
に同じである。
上記螢光膜7は、互いに発光波長と発光強度の電流密度
依存性の異なる複数の螢光体を混合して、電極6上に塗
布、形成したものである。
たとえばZnO:Zn螢光体、Zn2SiO4:Mn螢
光体、ZnS:Ou系螢光体、(Zn,Cd)S二Ou
系螢光体ZnGa204:Mn螢光体、Y3Al501
2:Oe螢光体、Y3(AItGa)5O+2:Oe螢
光体、La202S:Tb螢光体、Gd202S:Tb
螢光体、Y202S:Tb螢光体、ZnS:Ag系螢光
体ならびに(Zntea)S:Ag系螢光体からなる螢
光体群より選ばれた少なくとも一つの螢光体と、SnO
2:Eu螢光体との混合物を使用することができる。
Sn02:Eu螢光体と高速電子線励起用螢光体との混
合物を使用し、デューテイーファクターの大きい状態か
ら小さい状態ヘスイツチしたとき、第5図に一例を示す
ように、デューテイーファクターの小さい状態における
発光輝度の応答性が悪いときがある。
この現象は、螢光膜のチャージアップによるものと考え
られる。
ZnS系螢光体や(Zn,Cd)S系螢光体を用いる場
合には、低抵抗化処理を施すことにより応答性が改善さ
れることが見い出された。
低抵抗化処理は、たとえばZnS系螢光体や(Zn,C
d)S系螢光体と、亜鉛または亜鉛とアルミニウムとを
石英管に真空封入し、800〜1200℃の範囲内の湿
度で0.5〜20時間程度熱処理することによりなされ
る。
螢光体の混合割合については、螢光体粒子の大きさ、比
表面積によって異なるものであり、特にある一定の比率
に限定されるものではない。
第4図Cは文字表示電極構体4の構造の一例を示すもの
であり、陽極6上に、たとえばZnO:Zn螢光体粒子
9とSn02:Eu螢光体粒子10とが固着されている
次に上記螢光表示装置の表示動作について簡単に説明す
る。
陰極2に通電し、熱電子を放射し得る状態に保持して、
加速電極3と陽極6とに同じ電圧を印加しておく。
この状態で、文字信号に応じて電極6に選択的に電圧を
印加一てやると、文字を表示することができる。
そのとき、印加電圧をパルス状とし、そのデューテイー
ファクターを変えることによって、螢光膜70発光色を
選釈することができる。
下表に、Sn02:Eu螢光体とZnS:Cu系螢光体
との重量比が4対6である螢光表示装置を用いて、グリ
ッド電圧、陽極電圧をそれぞれ20Vおよび70Vとし
、1kHzの繰り返し周波数でデューテイーファクター
を変えたときの発光色の変化のようすを表す。
なお、ここでは電子源として熱電子源を使用した場合に
ついて述べたが、プラズマ発生用のガス、たとえばヘリ
ウム、ネオン、アルゴンなどをガラス外囲器に封入して
おき、これをプラズマとし、その電子で螢光体を励起さ
せ、発光させることもできる。
次に、第4図に示した螢光表示装置を使用して構成した
、本発明の表示装置の実施例について説明する。
第6図Aはその一実施例の構成を示す。
図において、11は螢光表示装置であり、ここではその
主な構成要素のみを示している。
12は単安定回路で、その入力端子13.14間に印加
される文字信号によって、可変抵抗RとコンデンサCと
からなる時定数回路の時定数ORに応じた巾のパルス出
力を発生する。
単安定回路の出力パルスは螢光表示装置の電極2,6間
に印加される。
15は陰極2に通電し、それを発熱させるためのヒータ
電源、16は電極2,3間に一定のバイアス電圧を与え
るためのバイアス電源である。
このような構成の装置において、単安定回路120時定
数ORを変えてやると、それに応じたパルス巾で周期が
一定の出力電圧が得られる。
パルス巾が狭いときには、螢光膜70発光色において、
輝度の電流密度依存注が飽和傾向を示す螢光体による発
光邑が顕著なものとなる。
パルス巾が広くなると、輝度の電流密度依存性がリニア
またはスーパーリニアな傾向を示す螢光体による発光が
顕著となる。
第6図Bはこの実施例の構成を一部変形し、電極2,6
間にバイアス電源16でバイアス電圧を印加するととも
に、単安定回路12の出力電圧を電極2,3間に印加す
るよう構成したものである。
この場合、螢光表示装置11の加速電極3を、たとえば
文字セグメント状とし、それに出力パルス電圧を選択的
に印加する。
ここで、螢光膜7をSn02:Eu螢光体とZnS:C
u:Al螢光体とを重量比で、4対6の割合で混合した
もので形成し、陽極電圧を70Vとし、単安定回路12
の出力パルス(20V)の周期を1ミリ秒一定とした。
そして、出力パルス巾が40マイクロ秒のときには、螢
光膜7の発光色は橙色であり、それが0、1ミリ秒のと
きには赤と緑の混合色であり、0.9ミリ秒のときには
黄緑色であった。
第7図Aは、池の実施例の構成を示す。
図において、17はNANDゲート回路で、その一方の
入力端は入力端18に直接接続され、池方の入力端は抵
抗RとコンデンサCとからなる時定数回路を介して入力
端子18に接続されている。
この実施例においては、NANDゲート回路11の出力
パルス電圧が電極2,6間に、また、電源16によるバ
イアス電圧が電極2,3間にそれぞれ印加される。
第7図Bは上記実施例の構成を一部変更し、NANDゲ
ート回路17の出力パルス電圧を電極2,3間に、また
電源16によるバイアス電圧を電極2,6間にそれぞれ
印加するよう構成したものである。
以上の実施例では、パルス巾可変の駆動回路として、単
安定回路や論理回路を使用して構成した場合について述
べたが、一般に使用されているパルス巾変調回路を用い
てそれを構成できることも言うまでもないことである。
また、パルス巾を一定にして、パルスの周期を変化させ
るパルス周期変調回路を用いても、同様の表示装置を形
成することができる。
これは、第3図から明らかなように、それぞれの螢光体
の発光輝度が、デューテイーファクターにより決定され
るからである。
以上の説明から明らかなように、本発明にかかる表示装
置は、螢光膜を互いに発光波長と発光強度の電流密度依
存性が異なる複数種の螢光体の混合物で構成した螢光表
示装置を、デューテイーファクター可変の駆動回路で駆
動制御しているので、その出力パルスの巾または、パル
スの周期を選択することによって、螢光表示装置の発光
色を容易に変えることができる。
この装置を使用することによってデイジタル表示の多様
化が可能となり、各種応用機器の表示機能を高めること
ができる。
そして、本発明をキャラクタディスプレイやグラフィッ
クディスプレイに適用して効果のあることは明らかであ
る。
【図面の簡単な説明】
第1図は代表的な低速電子線用螢光体の発光スペクトル
を示す図、第2図はそれらの50eVの電子線照射にお
ける発光の電流密度依存性を示す。 第3図は発光強度のパルス巾およびパルス周期依存性を
示し、同図A,BはそれぞれZnO:Zn螢光体、およ
びSnO2:Eu螢光体の結果である。 第4図は本発明の表示装置において使用される螢光表示
装置の一例を示す図で、同図Aは一部破断斜視図、同図
Bは断面図、同図Cは文字表示電極構体の断面図である
。 第5図はSnO2:Eu螢光体とZnS二Cu螢光体と
の重量比が4対6である螢光表示装置をパルス駆動中に
そのデューテイーファクターを変えたときの発光輝度の
変化の様子を示す図である。 第6図Aは本発明の表示装置の一実施例の構成を示す図
、同図Bはそれを一部変形した実施例の構成を示す図、
第7図Aは同じく池の実施例の構成を示す図、同図Bは
それを一部変形した実施例の構成を示す図である。 1・・・・・・ガラス外囲器、2・・・・・・陰極、3
・・・・・・加速電極、4・・・・・・文字表示電極構
体、5・・・・・・支持基板、6・・・・・・陽極、7
・・・・・・螢光膜、11・・・・・・螢光表示装置、
12・・・・・・単安定回路、13,14・・・・・・
入力端子、17・・・・・・NANDゲート回路、18
・・・・・・入力端子、R,C・・・・・・時定数回路
を構成する抵抗、コンデンサ。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1発光波長と発光強度の電流密度依存性の互いに異なる
    複数種の電子線励起用螢光体の混合物で構成された螢光
    膜を有する螢光表示装置を、デューテイーファクターの
    可変なパルス駆動回路で駆動制御して、前記螢光表示装
    置の発光色を選択しるように構成してなることを特徴と
    する表示装置。 2螢光膜がSn02:Eu螢光体を含むことを特徴とす
    る特許請求の範囲第1項に記載の表示装置。 3螢光膜が、Sn02:Bu螢光体と、ZnO:Zn螢
    光体、Zn2Sio4:Mn螢光体、ZnS:Cu系螢
    光体、(Zn,Cd)S:Ou系螢光体、ZnGa2o
    4:Mn螢光体、Y3Al5012:Oe螢光体、Y3
    (AlyGa)5012:Oe螢光体、La202S:
    Tb螢光体、Gd202S:Tb螢光体、Y202S:
    Tb螢光体、ZnS:Ag系螢光体、ならびに(Znt
    Od)S:Ag系螢光体からなる螢光体群より選ばれた
    少なくとも一つとの混合物で構成されていることを特徴
    とする特許請求の範囲第1項に記載の表示装置。
JP8463079A 1979-07-04 1979-07-04 表示装置 Expired JPS588547B2 (ja)

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JPS569789A JPS569789A (en) 1981-01-31
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