JPS588291B2 - 非酸化物粉末の合成装置 - Google Patents
非酸化物粉末の合成装置Info
- Publication number
- JPS588291B2 JPS588291B2 JP53111560A JP11156078A JPS588291B2 JP S588291 B2 JPS588291 B2 JP S588291B2 JP 53111560 A JP53111560 A JP 53111560A JP 11156078 A JP11156078 A JP 11156078A JP S588291 B2 JPS588291 B2 JP S588291B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- reaction
- synthesis apparatus
- heater
- oxide powder
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J19/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J19/26—Nozzle-type reactors, i.e. the distribution of the initial reactants within the reactor is effected by their introduction or injection through nozzles
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J2219/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J2219/00049—Controlling or regulating processes
- B01J2219/00051—Controlling the temperature
- B01J2219/00054—Controlling or regulating the heat exchange system
- B01J2219/00056—Controlling or regulating the heat exchange system involving measured parameters
- B01J2219/00058—Temperature measurement
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J2219/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J2219/00049—Controlling or regulating processes
- B01J2219/00051—Controlling the temperature
- B01J2219/00074—Controlling the temperature by indirect heating or cooling employing heat exchange fluids
- B01J2219/00087—Controlling the temperature by indirect heating or cooling employing heat exchange fluids with heat exchange elements outside the reactor
- B01J2219/00094—Jackets
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J2219/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J2219/00049—Controlling or regulating processes
- B01J2219/00051—Controlling the temperature
- B01J2219/00132—Controlling the temperature using electric heating or cooling elements
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は窒化珪素、シリコンイミド、炭化珪素、窒化硼
素、窒化アルミニウム等の非酸化物粉末の合成に適する
気相合成装置に関するものである。
素、窒化アルミニウム等の非酸化物粉末の合成に適する
気相合成装置に関するものである。
前記のような非酸化物粉末を合成する従来の合成装置に
は、犬別して外熱犬気相合成装置と内熱式気相合成装置
とがある。
は、犬別して外熱犬気相合成装置と内熱式気相合成装置
とがある。
外熱式気相合成装置は熱源の内側}ごアルミナなどのセ
ラミックス製等の炉心管を設け、この反応炉心管内にガ
スを通し高温で気相反応させる装置である。
ラミックス製等の炉心管を設け、この反応炉心管内にガ
スを通し高温で気相反応させる装置である。
この装置においては、炉心管に、例えば800〜190
0℃に耐える耐熱性物質で、しかも合成原科ガスと反応
しないものであることが必要である。
0℃に耐える耐熱性物質で、しかも合成原科ガスと反応
しないものであることが必要である。
従って炉心管は高価なものとなるばかりでなく、消耗も
激しい上、炉心管壁に反応生成物が被覆され、それだけ
収量が減ずる。
激しい上、炉心管壁に反応生成物が被覆され、それだけ
収量が減ずる。
また場合によっては、炉心管と合成原科ガスとの反応を
避けるため、炉の温度を下げて使用しなければならない
等の問題点が多い。
避けるため、炉の温度を下げて使用しなければならない
等の問題点が多い。
内熱式気相合成装置としては、従来、装置の内部に加熱
体を設け、その上部に板状体物を置いたものが知られて
いる。
体を設け、その上部に板状体物を置いたものが知られて
いる。
しかしながら、この装置に5いては、反応生成物が板状
体物質上にフィルム伏のものを得るには適するが、粉末
物を得ることが困難である。
体物質上にフィルム伏のものを得るには適するが、粉末
物を得ることが困難である。
また炉内でのガスの高温部の接触面積が小さいため反応
生成物の収率が悪く、またガスが高温度と接触する時間
をガス流量でしか制御できない欠点がある。
生成物の収率が悪く、またガスが高温度と接触する時間
をガス流量でしか制御できない欠点がある。
本発明は内熱式気相合成装置を改良し、反応生身成物の
非酸化性粉末を高収率に得、また原科ガスの合成反応時
間も芥易に制御し得られる合成装置を提供せんとするも
のである。
非酸化性粉末を高収率に得、また原科ガスの合成反応時
間も芥易に制御し得られる合成装置を提供せんとするも
のである。
本発明の合成装置を図面によって説明する。
基体16に水冷ジャケット付のベルジャー3を1シール
部14で取付けて真空槽を形成する。
部14で取付けて真空槽を形成する。
真空槽内は不活性ガスを充満させる。
6は網伏または線伏のヒーターで、一段以上水平に設け
る。
る。
線次ヒーターは直線または曲線であってもよく、段数は
反応帯域の広さによつC決定する。
反応帯域の広さによつC決定する。
熱効率をよ:くするために、熱しゃへい板4を水冷され
た電極5の外側に設けることが好ましい。
た電極5の外側に設けることが好ましい。
8は熱電対でこれにより反応温度を検出する。
ベルジャー3の頂部に設けられたガス導入部1から槽内
に反応ガスを導入し、シャワー2から反応部に放出する
。
に反応ガスを導入し、シャワー2から反応部に放出する
。
1反応部で生成した非酸化物粉末は反応後のガスと共に
下流に流れ、粉末採取器9で集められ、試料溜10に落
下する。
下流に流れ、粉末採取器9で集められ、試料溜10に落
下する。
反応後のガスは排出口13から排出される。
7は真空ポンプに連結した管、11は冷却水入口、12
は冷却水出口である。
は冷却水出口である。
1 次に電極およびヒーターの実施態様を第2図〜第4
図に基いて説明する。
図に基いて説明する。
第2図は電極とヒータ一部の切断平面図、第3図は電極
とヒーターの接合部の断面図、第4図はヒーター保持部
の断面図である。
とヒーターの接合部の断面図、第4図はヒーター保持部
の断面図である。
1 電極4は四角伏に対向して設け、互にセラミック等
の絶縁体17によって絶縁され、電極の中空部に冷却水
が導入管11より導入され、排出管12より排水される
。
の絶縁体17によって絶縁され、電極の中空部に冷却水
が導入管11より導入され、排出管12より排水される
。
ヒーターは対向する電極間に設けられ、各段で交互に方
向を変えて設けることが好ましい。
向を変えて設けることが好ましい。
第2図においで点線で示すヒーターは実線ヒーターの下
段に設けられたヒーターを示す。
段に設けられたヒーターを示す。
またヒーターは電極4に溶接された支持台18の上にそ
の先端を電極に接するように設置され、押え板19によ
り押えて保持される。
の先端を電極に接するように設置され、押え板19によ
り押えて保持される。
押え板19は第4図に示すように、支持台18に止めね
じ20等により押圧させる。
じ20等により押圧させる。
該装置の操作を説明すると、ベルジャー3、電極5、基
体16に冷却水を流し、反応部以外は温度が上がらない
ようにする。
体16に冷却水を流し、反応部以外は温度が上がらない
ようにする。
ベルジャー3と基体16とをシール部14でシールする
。
。
その後ガス導入部1とガス排出口13のコックを閉じ、
真空ポンプ(図示してない)を作動させて管7がら空気
を引出し、槽内を真空とする。
真空ポンプ(図示してない)を作動させて管7がら空気
を引出し、槽内を真空とする。
一定真空度に到達したら、ガス導入部1から不活性ガス
(例えばAr y N2 + He )または還元性ガ
ス(H2)を導入し、ガス置換し、排出口13よりガス
を排出する。
(例えばAr y N2 + He )または還元性ガ
ス(H2)を導入し、ガス置換し、排出口13よりガス
を排出する。
電極5より高融点金属(W,Mo ,Pt , SiC
)製の金.網または線伏のヒーター6#こ通電して加
熱する。
)製の金.網または線伏のヒーター6#こ通電して加
熱する。
熱電対8で検出された温度が所定反応温度1こ達した時
、ガス導入部1から反応ガスを槽内に導入する。
、ガス導入部1から反応ガスを槽内に導入する。
反応ガスの流量は反応速度を勘案して調整する。
反応後はヒーター6の加熱を止め、槽内の不,活性ガス
または還元性ガスを放出し、試料溜め10より非酸化物
粉末を取り出す。
または還元性ガスを放出し、試料溜め10より非酸化物
粉末を取り出す。
本発明の合成装置は内熱式気相合成装置であるため、従
来の外熱式気相合成装置におけるような炉心管を必要と
せず、反応生成物の炉心管壁への.付着もなく、収率よ
く反応生成物を得ることができる。
来の外熱式気相合成装置におけるような炉心管を必要と
せず、反応生成物の炉心管壁への.付着もなく、収率よ
く反応生成物を得ることができる。
また、槽内の加熱を金網伏または線伏物のヒーターとし
たため、反応ガスとの接触面積が極めて犬となり、且つ
反応ガスの西過も各易であり、更にまた、これらのヒー
ターを数段に設けて反応帯域を広くすることができるの
で、反応収率を非常に大きくすることができる。
たため、反応ガスとの接触面積が極めて犬となり、且つ
反応ガスの西過も各易であり、更にまた、これらのヒー
ターを数段に設けて反応帯域を広くすることができるの
で、反応収率を非常に大きくすることができる。
また反応帯域の幅の調整と反応ガスの供給流速とを調整
することによって、最適反応条件に合致させることが容
易1こできる等優れた効果を奏する。
することによって、最適反応条件に合致させることが容
易1こできる等優れた効果を奏する。
実施例 1
モノシランガスを窒素ガスで3係に希釈した混合ガスと
、アンモニアガスを111/minの流量で槽内に供給
し、N2ヌはN 2 +H 2 1 1!/m i n
〜3 1/min中で1300℃で気相反応を行った結
果微粉末を得た。
、アンモニアガスを111/minの流量で槽内に供給
し、N2ヌはN 2 +H 2 1 1!/m i n
〜3 1/min中で1300℃で気相反応を行った結
果微粉末を得た。
州ちれた微粉末を脱水不溶化重量法、ケルダール法、質
量分析法で分析し、Si=51.0重量係、N=31.
7重量係、H=2.7重量係、O=15.5重量係であ
った。
量分析法で分析し、Si=51.0重量係、N=31.
7重量係、H=2.7重量係、O=15.5重量係であ
った。
この粉末の形状は球状で平均粒子直径500人の微粉末
であり、X線回析ならびに電子線回析の結果、非晶質で
あった。
であり、X線回析ならびに電子線回析の結果、非晶質で
あった。
実施例 2
モノシランガスを窒素ガスで3係1こ希釈した混合ガス
を1 l/minの流量で、アンモニアガスを窒素ガス
で40係に希釈した混合ガスを2、5 137m i
nの流量で槽内に供給し、N2ガス3l/min中で1
700゜Cで気相反応を行った結果、少し褐色味を帯び
た微粉末が得られた。
を1 l/minの流量で、アンモニアガスを窒素ガス
で40係に希釈した混合ガスを2、5 137m i
nの流量で槽内に供給し、N2ガス3l/min中で1
700゜Cで気相反応を行った結果、少し褐色味を帯び
た微粉末が得られた。
X線回折計、電子顕微鏡で調べた結果、平均粒子直径8
00人のα一S i3 N4粉末であった。
00人のα一S i3 N4粉末であった。
図面は本発明の非酸化物粉末の合成装置の一実施態様を
示す説明図で、第1図はその縦断面図、第2図は電極と
ヒータ一部の切断平面図、第3図は電極とヒーターの接
合部の断面図、第4図はヒーター保持部の断面図である
。 1:ガス導入部、2:シャワー、3;ベルジャー、4:
熱しゃへい板、5:電極、6:ヒーター、7:真空装置
接続管、8二熱電対、9:粉末採取器、10:試料溜、
11:冷却水入口、12:冷却水出口、13:排出口、
14:シール部、15:真空弁、16:基板、17:絶
縁体、18:支持台、19:押え板、20:止めねじ。
示す説明図で、第1図はその縦断面図、第2図は電極と
ヒータ一部の切断平面図、第3図は電極とヒーターの接
合部の断面図、第4図はヒーター保持部の断面図である
。 1:ガス導入部、2:シャワー、3;ベルジャー、4:
熱しゃへい板、5:電極、6:ヒーター、7:真空装置
接続管、8二熱電対、9:粉末採取器、10:試料溜、
11:冷却水入口、12:冷却水出口、13:排出口、
14:シール部、15:真空弁、16:基板、17:絶
縁体、18:支持台、19:押え板、20:止めねじ。
Claims (1)
- 1 内部を不活性ガスまたは還元性ガス雰囲気下とした
合成装置において、該合成装置の内部に網目伏または線
状のヒーターを略水平に一段以上設け、該合成装置の上
部に反応ガス導入口を、下部に反応非酸化生成物の採取
槽と未反応ガス排出口を設けたことを特徴とする非酸化
物粉末の気相合成装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP53111560A JPS588291B2 (ja) | 1978-09-11 | 1978-09-11 | 非酸化物粉末の合成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP53111560A JPS588291B2 (ja) | 1978-09-11 | 1978-09-11 | 非酸化物粉末の合成装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5539225A JPS5539225A (en) | 1980-03-19 |
JPS588291B2 true JPS588291B2 (ja) | 1983-02-15 |
Family
ID=14564471
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP53111560A Expired JPS588291B2 (ja) | 1978-09-11 | 1978-09-11 | 非酸化物粉末の合成装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS588291B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62219895A (ja) * | 1986-03-20 | 1987-09-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | スピ−カ用エツジ |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2699304B2 (ja) * | 1988-06-24 | 1998-01-19 | 川崎製鉄株式会社 | 超微粉の製造装置 |
ES2304644T3 (es) * | 2005-01-31 | 2008-10-16 | Basf Se | Procedimiento para la obtencion de productos solidos nanoparticulares. |
-
1978
- 1978-09-11 JP JP53111560A patent/JPS588291B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62219895A (ja) * | 1986-03-20 | 1987-09-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | スピ−カ用エツジ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5539225A (en) | 1980-03-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN101270959B (zh) | 快速反应合成式高温气氛炉以及合成陶瓷粉末的方法 | |
JPH0369593A (ja) | ダイヤモンドの合成方法および合成装置 | |
JPS6070177A (ja) | 化学的蒸着装置 | |
JP2001146412A (ja) | 流動床反応器及び高純度の多結晶シリコンの製造方法 | |
US4724160A (en) | Process for the production of semiconductor materials | |
JP2001181846A (ja) | Cvd装置 | |
CN109804110B (zh) | 用于敷设碳层的设备和方法 | |
JPS588291B2 (ja) | 非酸化物粉末の合成装置 | |
TWI579419B (zh) | 製備顆粒狀多晶矽的反應器和方法 | |
JPH0382765A (ja) | 微粒および/または等軸粒組織のコーティングを有する物品 | |
JP2007512949A (ja) | 気相から超微細な粒子を析出させるための装置および方法 | |
JP6726617B2 (ja) | マイクロ波複合加熱炉 | |
JP2598652B2 (ja) | 気相化学反応装置 | |
JPS61163195A (ja) | ダイヤモンド気相合成法及びその装置 | |
EP0502657A1 (en) | Improved apparatus for producing diamonds by chemical vapor deposition and articles produced thereform | |
JPH0226812A (ja) | 高純度窒化アルミニウム粉末の製造方法 | |
JPS5941772B2 (ja) | 超微粉合成炉 | |
US3950479A (en) | Method of producing hollow semiconductor bodies | |
JPS63156532A (ja) | 竪型気相化学反応装置 | |
JPS56100125A (en) | Manufacture of silicon carbide whisker | |
CN220062555U (zh) | 一种低压预热自蔓延燃烧合成炉装置 | |
JPH0487181A (ja) | セラミックヒータ及びその製造法 | |
JPS6241704A (ja) | 窒化アルミニウムの合成法 | |
JPS60131969A (ja) | 化学気相成長処理装置 | |
JPS63277503A (ja) | 高純度窒化アルミニウム粉末の連続的製造方法及び装置 |