JPS5880885A - 集積回路装置 - Google Patents
集積回路装置Info
- Publication number
- JPS5880885A JPS5880885A JP56180084A JP18008481A JPS5880885A JP S5880885 A JPS5880885 A JP S5880885A JP 56180084 A JP56180084 A JP 56180084A JP 18008481 A JP18008481 A JP 18008481A JP S5880885 A JPS5880885 A JP S5880885A
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- Japan
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- electrode
- tunnel barrier
- niobium
- film
- barrier film
- Prior art date
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- Pending
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
Landscapes
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発ｖＡは集積回路装置に係り、とりわけシンネル効果
素子集積回１１Ｍ會に関する。
素子集積回１１Ｍ會に関する。
従来トンネル効果素子集積回路装鎗においては絶縁基板
上Ｋ１１ｌの電極を形成し、該第１の電極表面の少なく
とも一部に薄い該電体からなゐ第１のトンふル障壁膜が
形成され一該第１の１シ本ル障−Ｎ！１１面には少な（
とも第２の電極が形成されて成るか、ある川も絶縁基板
上に形成された第１の電極層間ＫＩＩＩＩｔＡＩ［１の
トンネル障壁膜を形成する構成となってｖｈた。
上Ｋ１１ｌの電極を形成し、該第１の電極表面の少なく
とも一部に薄い該電体からなゐ第１のトンふル障壁膜が
形成され一該第１の１シ本ル障−Ｎ！１１面には少な（
とも第２の電極が形成されて成るか、ある川も絶縁基板
上に形成された第１の電極層間ＫＩＩＩＩｔＡＩ［１の
トンネル障壁膜を形成する構成となってｖｈた。
前記、従来技術で＃１トンネル効果素子集積回路装雪が
２次元平−に構成される為に１集積「の向上が計れな−
と云う欠点があった。
２次元平−に構成される為に１集積「の向上が計れな−
と云う欠点があった。
本発明は鉤子従来技術の欠点をなくシ、集装置の高ｖｈ
）ンネル効果素子集積回路Ｉｆｔｔを提供することを目
的とする。
）ンネル効果素子集積回路Ｉｆｔｔを提供することを目
的とする。
上記目的を達成するえめの本発明の基本的な構成社、絶
縁基板上には謳１の電極が形成され、該無１の電極表面
の少な（とも一部に社蒲ｉ誘電体からなる第１のトンネ
ル障壁Ｍが形成され、その他の部分には比較的厚い誘電
体膜が形成されるか、あるＶｈ打打電収取出しのための
接続部が形成され、前記第１のトンネル障壁膜上には少
な（とも第３の市伶が形成され、＃第２の電ｌＩｉ表面
の少な（とも一部には薄ｖｈｎ電体からなる第２のトン
ネル障ＩＩＦＭが形成され、該第２のトンネル障壁膜上
には少な（とも第３の電極が形成されて成る事？特徴と
する。
縁基板上には謳１の電極が形成され、該無１の電極表面
の少な（とも一部に社蒲ｉ誘電体からなる第１のトンネ
ル障壁Ｍが形成され、その他の部分には比較的厚い誘電
体膜が形成されるか、あるＶｈ打打電収取出しのための
接続部が形成され、前記第１のトンネル障壁膜上には少
な（とも第３の市伶が形成され、＃第２の電ｌＩｉ表面
の少な（とも一部には薄ｖｈｎ電体からなる第２のトン
ネル障ＩＩＦＭが形成され、該第２のトンネル障壁膜上
には少な（とも第３の電極が形成されて成る事？特徴と
する。
以下、賽施例を用いて本発明を詳細Ｋ１１１羽する。
第１図は本発明に係るトンネル効果素子集５１１１路装
置の一実施例を示す。
置の一実施例を示す。
石英からなる絶縁基板１上にはニオビウムからなる第１
のｗ極２が形成され、その豪面には加ムと薄＾酸化ニオ
ビウムからなる謳１０トンネル障壁膜３と、酸化シリコ
ンあるいは酸化ニオビウム等からなる層間絶縁膜４が形
成され、第１のトンネル障壁膜３上には少な（とも形成
されたニオビウムからなる第２の電極５が形成され、第
２の電極の一部には２０′ｊ−の酸化ニオビウムからな
る第１のトンネル障壁膜６が形成され１層間絶縁膜とし
てのＪＪ＃ｖｈｊＩｌ化シリコン等からなる誘電体膜７
が形成、第２のトンネル障１１１８６上には少な（とも
厘３のニオビウム等からなる電極８が形成されて成る、
上記の如（、トンネル効果素子ｔ−３次元に配するＮＫ
より、集装置の高めトンネル効果素子集１１１’［０１
路装會が構成で負る効果がある。
のｗ極２が形成され、その豪面には加ムと薄＾酸化ニオ
ビウムからなる謳１０トンネル障壁膜３と、酸化シリコ
ンあるいは酸化ニオビウム等からなる層間絶縁膜４が形
成され、第１のトンネル障壁膜３上には少な（とも形成
されたニオビウムからなる第２の電極５が形成され、第
２の電極の一部には２０′ｊ−の酸化ニオビウムからな
る第１のトンネル障壁膜６が形成され１層間絶縁膜とし
てのＪＪ＃ｖｈｊＩｌ化シリコン等からなる誘電体膜７
が形成、第２のトンネル障１１１８６上には少な（とも
厘３のニオビウム等からなる電極８が形成されて成る、
上記の如（、トンネル効果素子ｔ−３次元に配するＮＫ
より、集装置の高めトンネル効果素子集１１１’［０１
路装會が構成で負る効果がある。
第１図ｄ本発明によるトンネ化効果累子集ｔｌｌ路装置
の一実施例を示す断面図である。 １−・絶縁基＠ ２．６．８・・電４１ ３．＃・・
トンネル障１１Ｊ［４，７・・層間絶縁膜。 以 上 出願人 株式会社諏訪精工舎 代理人 弁理士、最 上 史嬬ｐ 第１図
の一実施例を示す断面図である。 １−・絶縁基＠ ２．６．８・・電４１ ３．＃・・
トンネル障１１Ｊ［４，７・・層間絶縁膜。 以 上 出願人 株式会社諏訪精工舎 代理人 弁理士、最 上 史嬬ｐ 第１図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 絶縁基板上に＃′ｉ第１の電極が形成され、該第１の電
極表面の少な（とも一部には薄い誘電体からなゐ第１の
トンネル障壁膜が形成され、その他の部分には比較円陣
い誘電体膜が形成されるか、＆るい汀＊ｔｔｉ＊ ｎ出
しのたーめの接続部が形成され。 繭重１１！１のトンネル障壁膜上には少な（とも謳３の
１極が形成され、該第２の電極表面の少な（とも一部に
は薄い誘電体からなる第２のシンネル障Ｉｌ膜が形成さ
れ、該第２のトンネル障壁膜上には少な（とも第３の電
極が形成されて成る事を特徴とするトンネル効果素子集
積口路装會。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56180084A JPS5880885A (ja) | 1981-11-10 | 1981-11-10 | 集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56180084A JPS5880885A (ja) | 1981-11-10 | 1981-11-10 | 集積回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5880885A true JPS5880885A (ja) | 1983-05-16 |
Family
ID=16077165
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56180084A Pending JPS5880885A (ja) | 1981-11-10 | 1981-11-10 | 集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5880885A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5350986A (en) * | 1976-10-20 | 1978-05-09 | Fujitsu Ltd | Josephson integrated circuit by multilayer structure |
-
1981
- 1981-11-10 JP JP56180084A patent/JPS5880885A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5350986A (en) * | 1976-10-20 | 1978-05-09 | Fujitsu Ltd | Josephson integrated circuit by multilayer structure |
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