JPS5880545A - 縮小投影露光装置 - Google Patents

縮小投影露光装置

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JPS5880545A
JPS5880545A JP56178988A JP17898881A JPS5880545A JP S5880545 A JPS5880545 A JP S5880545A JP 56178988 A JP56178988 A JP 56178988A JP 17898881 A JP17898881 A JP 17898881A JP S5880545 A JPS5880545 A JP S5880545A
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Nobuyuki Akiyama
秋山 伸幸
Mitsuyoshi Koizumi
小泉 光義
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    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G03F7/70866Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece

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  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は縮小投影式露光装置のレチクルに付着する異物
ン検出てる方法及び装置に関するものである。
縮小投影式露光装置とは回路パターンを有する乾板であ
るレチクルに光を透過させて、ウェハのホトレジスト上
に回路パターンを縮小【、て投影露光させる装置である
。縮小投影式露光装置の構成を第1図に基づいて説明す
る。
光源の水銀灯lよりの光はコンデンサレンズ2、単色光
とする為の干渉フィルタ3、絞シ4、ミラ5、コンデン
サレンズ61に通り、回路パター77Aを有する乾板で
あるレチクル7を照射する。回路パターン7Aは縮小投
影レンズ8で動小さねてウェハ9のホトレジスト上に投
影露光される。この際1回に露光される面積はチップ1
個分であるので、ウェハ9 f x 、 y方向に動か
して、1チップ分づつMyfiTることにより、ウニへ
9全体を露光する。
この際に、レチクル7上に異物が付着している場合は、
露光光が゛遮断されるので、異物の付着個所に相当する
パターンの投影像の個所に露光光が届かず、ウェハの現
象後肢個所にピンホールを生じ、該ウェハが不良品とな
る。しかも、ウェハの各チップ部分は連続して自動的に
露光されるので、異物の付着を見逃すと全チップが不良
となる。従って、レチクル上の付着異物を常時検査し、
露光中に異物が付着したら、i[ちに警報を発し、露光
な中止Tると共に、レチクルを交換することが望まtす
る。
従来のこの種の異物検出装置としては、米国GCA社の
動小投影式自動マスクアライナ「DsW」に採用してい
る異物検出装置がある。この装置のm要ン第2図に示T
0第2図から明らかなように、レチクル7上の異物11
の有無の検出を、レチクル7の露光光路への搬入途中で
行っている。即ち、レチクル7の搬入路の上方にレーザ
発振器12を1dき、集光レンズ13でレーザ光を搬入
さhるレチクル7の表面に集光させるようにしである。
異物11乞付着したレチクル7が搬入され、異物11が
レーザ集光点の真下に来ると、レーザ光は異物に反射し
て散乱する。集光点の周辺にレンズ14と光−受光素子
15を設け、光電受光素子15にて散乱光を受光し、光
電受光素子15よりの区気他号により図示せざる検出器
により異物付着の有無を判断表示する。
上記の異物検査装置はレチクル搬入の途中で行うもので
ある為、レチクルヲ露光光路にセットした後の異物を検
出することはできない。然るに、露光中でもレチクル上
に異物が付着するi=J能性がある為に、レチクルを露
光光路にセットした後で異物付着の有無を検出出来る異
物検出装置が望まれている。
本発明の目的は、上記した従来技術の欠点をな(シ、レ
チクルを露光光路にセットした状態でレチクルに付着し
た異物を検出することができる縮小投影式露光装置のレ
チクルの異物検出方法及び装#を提供Tるにある。
本発明による異物検出方法及び装置は、光源からの光を
フィルタにより単色光とTると共に光量を1節して、回
路パターン乞有Tるレチクルを照明l−、ウェハのホト
レジスト上に回路パターン像を縮小投影する縮小投影式
露光装置におけるレチクル上の異物の検出方法及び検出
装置に係るものである・ しかして、本発明による異物検出方法は、異物検出時に
前記フィルタ及び光ta節手段を光路より退去して前記
の光源よりの元をそのまま異物検出用の照明光として用
い、該照明光でレチクル面を照射し、該レチクル面より
の反射散乱光を光電受光素子にて受光し、該素子よりの
出力に基づいて異物の有無を判断することヲ特徴とする
方法である。
また、本発明による異物検出装置は、異物検出時に前記
フィルタ及び光量調節手段を光路よシ退去して、前記の
光源よりの光をそのまま異物検出用の照明光として用い
、該照明光がレチクル面に到る光路に、該照明光を部分
的に透過する透光手段を有す遮光板を設け、該照明光に
てレチクル面を部分的に照射すると共に、該照射部分を
レチクル全面に移動させる遮光板の走査手段を設け、前
記照射部分に向けられて照射部分の移動と共に移動し、
該レチクル面よりの反射散乱光を受光Tる複数個の光電
受光素子、及び該素子よりの出力に基づいて異物の有無
を判断表示する手段を設けてなることを特徴とする装置
である。
本発明による異物検出装置の好ましい態様においては、
前記透光手段が、ピンホール又はスリットである。
本発明による異物検出装置の他の好ましい態様において
は、前記透光手段が、レンズを嵌装したピンホール又は
スリットであシ、該レンズが透過光をレチクル表面又は
裏面に集光せしめるようにしである。また、更に好まし
い態様においては、遮光板がレチクルの厚さに相当する
幅で上下に移動可能としである。
い態様においては前記光゛成骨光素子が、先端にレンズ
、ピンホール板又はスリット板を有している。
次に、先ず本発明の方法を第3図に基づいて説明する。
第3図には第1図に示したと同様の縮小投影式結党装置
を水銀灯lよりレチクル7までの部分のみ記載しである
。異物検出用照明光として水銀灯1よりの光をそのまま
使用する。即ち、この側光装置では水銀灯1の光で露光
の為にレチクル7を照射しているが、該露光光は干渉フ
ィルタ3で単色光とし、絞シ4で光量χ調節しであるの
で、その強度は極めて弱い。そこで、異物検出時は、干
渉フィルタ3を矢印のように光路より退去させ、絞り4
Y充分開放して光路を塞がないよ−うにして、水銀灯1
の光をそのまま使用する。
水銀灯lの光はコンデンサレンズ2、ミラ5、及びコン
デンサレンズ6を通りレチクル7面を照射Tる。レチク
ル7面に異物11が存在すると、照射光が異物11に当
り反射散乱光を発生する。そこで、レチクル7の上側に
レチクルの照明面に向けて複数個の光電受光素子16を
設けておき、該素子164Cてこの反射散乱光を受光さ
せ、受光量に応する出力電気信号を得る。この出力を検
出器(図示せず)で設定値と比較でることにより異物0
)fi無を検出する。光電受光素子16は露光光路を妨
害l。
ない個所に設けるか、異物検出後、総光時は露光光路よ
り退去せしめるようにしておくことか必要である。また
、異物検出時は、ウニ/X9上に設けたシャッタ10(
第1図参照)を閉じるか、ウエノ)9を露光光路より退
去せしめておくことは勿論である・ レチクル7上にはクロム等で作られた回路ノくターン7
Aが存在する。回路ノくターン7A O)厚みは薄く、
10μm以下、一般に数μmであり、七〇)縁部は主と
して光の進入方向に平行になっているQ)で、照明光で
レチクル74’照射した場合に、回路ノくターン7Aに
よる反射散乱光も発生するが、そσ)散乱光は弱(背景
光として観察される。従って、異物11の有無の判断は
一個の光電受光素子16Q)異物11よりの散乱光の受
光量と回路ノ(ターン7Aよりの散乱光、即ち背緻光の
受光量との比較により行なわわる。光電受光素子16を
第3図に示すように使用し、光電受光素子16の受光領
域の制限又は照明光の照射領域の制限を行なわない場合
は、光電受光素子16が相当範囲の背景光を受光するこ
とになるので、検出できる異物の大ぎさはこの背景光の
受光量より大な散乱光を発生する(素子が受光できる)
大きさとなる。この大きさは概ね直径Iμm以上である
直径側μm以上の異物の検出では検出能力が不充分な場
合は前述の光電受光素子の受光領域の制限又は照明光の
照射領域の制4821−行う。このように制限を行なっ
た検出方法については、次の本発明の詳細な説明より自
から明らかにされるであろう。
次に本発明の装置を実施例を示す第4図及び第5図に基
づいて説明する。この実施例の装置は、本発明の方法を
照射光の照射領域を制限して実施する装置である。勿論
、この装置においても、異物検出時には干渉フィルタ及
び絞シを光路より退去させて、水銀灯ようの光を異物検
出用の照明光11#I として使用する。照明光がレチクル7面に到る光路の、
コンデンサレンズ6とレチクル7の間に照明光を部分的
に透過する透光手段を有する遮光仮題を配置しである。
遮光板側は片側を直線ガイド19で支持され、レチクル
7に平行にレチクルの一方の方向、例えばY方向(矢印
21で示す。)に移動可能とされ、更に露光光路より退
去出来るよう透光手段として、第4図P装置では、遮光
板側の移動方向21に直角で、レチクル7の幅を超える
リットnにシリンドリカルレンズ23Y嵌装した透光手
段が設けである。シリンドリカルレンズ乙は透過光をレ
チクル7の表面又は裏面に集光せしめるようにしである
。第5図の装置においてはレチクル7の表面に集光せし
めるようにしである。
シリンドリカルレンズるより集光されたレチクル7の表
面の帯状光を符号スで示しである。
また遮光仮題の下面には、スリブ)22又はシリよるレ
チクル7の照明部分に向けて複数個の光電受光素子16
が取付けである。また、図示してないが、これらの装置
には光′成受光素子16よりの電気信号を入力し5、入
力値を設定値と比較することにより異物の有無を検出し
、こtiv表示する検出器が設けられである。
第4図の装置においては、レチクル7は遮光板側の一動
位置毎に、スリット〃の巾の光束によシミ15分的に照
射される。従って回路パターンに反射して生じる散乱光
、即ち背景光は著しく低減され、−個の光電受光素子1
6に、より受光される背景光の光電が低減される。従つ
゛て異物が存在するときは、異物による散乱光の強度が
小さJとも、即ち異物の大きさが小さくとも、異物の有
無を検出することができる。また、遮光板20 Y、 
2]の方向に片道移動することにより、レチクル7の全
面を走査し、全面に亘り異物□、Qi有無を検出するこ
とができる。   lこの装置によるときは、スリット
四の幅其他の条件にもよるが、概ね加μm以上の異物を
完全に検出することができる。
第5図の装置においては、レチクル7は遮光板側の移動
位置毎に帯状光Uの狭い幅の領域で部分的に照射される
。しかしながら、帯状光24Fiスリツトρの巾の光束
をシリンドリカルレンズおで集光して形成されたもので
あるので、帯状党別の全体としての光量は、レンズ器が
ない場合のスリット四の透過光量に等しく(レンズによ
る吸収等がないとする。)、帯状党別の照度は、レンズ
おがない場合の透過光の照射帯の照度より大きい。従っ
て、光電受光素子16の背景光の受光量は、第4図の装
置の場合と殆んど変らないが、異物が存在した場合に、
異物を照射する光が強くなっているので、その反射散乱
光が強くなり、更に小さな異物をも検出することができ
る。この装置では・スリット幅その他の案件によるが、
概ね5/Jm以上の異物を完全に検出することができる
第5図の装置においては、シリンドリカルレンズ乙の東
元位置をレチクル7の表面としである。
この場合、レチクル7表面に異物が付着している14 
 にi とぎは、′該異物より強力な散乱光が発生するので、微
小な異物、例えば5pm以上の異物、!検出できるが、
レチクル7面面に異物が付着しているときは、照射光が
拡がってあたるので、反射拡散光が弱くなり%検出可能
な異物の大きさも、例えば10μm以上と、大きくなる
そこで、本発明の装置の一態様においては、レンズ付ス
リットを有する遮光板を・レチクルの厚さに相当Tる幅
で上下に移動可能としである。実施例を第6図に示す。
第6図において、遮光板側は直線ガイド19に沿って移
動する遮光板本体20Aに2枚の板ばねあで支持されて
いる。また遮光板側は図示せざ乞手段により板ばねあの
個所でレチクル7の厚さに相当する幅で上下に移動可能
とされている。其他の構成は第5図に示す装置と同じで
ある。第6図では、照射光がシリンドリカルレンズ乙に
よってレチクル7の裏側に集光され、裏側に帯状光5が
形成されている状態を示しである。
この装置においては、遮光板側の移動の際に、往路と復
路で遮光板Iの高さを変えて移動すれば−往復でレチク
ル7の表と裏についた微小な異物な丁べて検出すること
ができる。また、遮光板21)を上下に移動する方法に
変えて、装着したシリンドリカルレンズ乙の焦点位置の
異なる2個の遮光仮題を使用するか、焦点位置が異なる
シリンドリカルレンズるを嵌着した2個のスリット22
ヲ有する一個の遮光板を使用してもよい。
本発明の装置において、透光手段として前述のスリット
又はシリンドリカルレンズを嵌装したスリットに代えて
円形、短形又は正方形等の孔(ピンホール)としてもよ
い。これらの孔(ピンホール)とするときは、孔の大き
さによるが一般に長孔(スリット)の場合に較べて異物
検出能を高くすることができる。しかしながら遮光板を
XY方向に移動しなければレチクル全面を走査すること
ができない。勿論、レンズには普通のレンズを使用する
。また、一般に光電受光素子の設置台数を少(すること
ができる。異物検出能は光電受光素子の受光する背景光
の光量と異物よりの反射散乱光の光量との差によって決
る。従って異物検出能者を出来るだけ大きくすることが
必要である。受光する背景光の光ltヲ小さくてるため
kは、光電受光素子の受光領域における照明区域を狭く
するか(照度一定条件)、受光領域自身を狭くすればよ
い。長孔の幅を小さくTるとか、長孔を小径の円孔、角
孔等に変えること、この径を出来る丈小さくすることは
照明区域を狭くすることに役立つ。
一方、これによりレチクルの全面走査操作が逐次面倒に
なる。レンズの使用は照度が大となる故実質的に照明区
域を狭くてることにはならない。また、ft*受元受子
素子光領域自身を狭くすることは、光磁受光素子の先端
にレンズ又はスリット、ピンホール専有する板を設ける
ことにより達成できる〇 異物よりの反射散乱光の光量を大にする為には、照明光
の光度を大とてるしかない。照明光の光源111゜ を強力なものにすれば、それに応じて背景光も大となる
。が、異物よりの反射散乱光との光度の差が大となるの
で異物検出能の向上に′は役立つ。本発明の装置では、
本体の露光装置の光源を使用するが一光度を大とする為
に異物咳出時にはフィルタ及び絞りを除いている。こね
以上強力な照明光ン得る為には、別の光源より光を導入
′しなければならない。このことは装置ン複雑にするの
で不利である。本発明の装置では、上述の処理により充
分な検出能を発揮することができ、更に好まI7い態様
によれば、レンズによシ異物を照射する照明光を更に強
力にすることにより更に検出能馨向上せしめている。
以上の如(、本発明の方法及び装置によるときは、縮小
投影式露光装置の露光光路に装着後のレチクル上の異物
付着の有無を随時検出Tることができる。また、他の光
源を使用せず露光装置の光源を利用するので、装置を簡
単にすることができる。しかも優れた検出精度をあげる
ことができ、適切な条件で実施することによりレチクル
表面及び裏面に付着する約5μm以上の異物を検出Tる
ことができる。従って、本発明の方法及び装置により装
着後のレチクルについて、随時又は間欠的に、例えば3
分毎に、異物の有無を検出できるので、不良ウニ八を製
造する虞れが著しく減少し、本発明の方法及び装置によ
り縮小投影式露光装置の付加価値を大幅に向上すること
ができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は縮小投射式露光装置の一例の構成図、第2図は
従来の異物検出装置の一例のa要因、第3図は本発明の
異物検出方法の説明の為の原理図、第4図(at 、 
(b)及び第5図ta+ 、 (bl 、 (elは本
発明の装置のそれぞれ異なる実施例の平面図(a図)、
正面図(b図)及び側面図(0図、但し第5図のみ)、
第6図(al 、 (b)は本発明の装置の更に異なる
実施例の正面図(a図)及び側面図(b図)である。 1・・・水m灯、2.6・・・コンデンサレンズ、3・
・・干渉フィルタ、4・・・絞υ、5・・・ミラ、7・
・・レチクル、7A・・・回路パターン、8・・・細′
小投影レンズ、9・・・ウニ八、10・・・シャッタ、
11・・・異物、12,15゜16・・・光゛越受光素
子、19・・・血縁カイト、茄・・・遮光板、n・・・
スリット、n・・・シリンドリカルレンズ、看。 5・・・帯状光、あ・・・板ばね。 第1関 第4図 (a) j14因 (b) 第5図(Φ 第5IIA(b)

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、光源よりの光をフィルタにより単色光と−「ると共
    に光景を調節して、回路パターンケ有するレチクル’に
    照明し、ウェハのホトレジスト上に回路パターン像を縮
    小投影する縮小投影式露光装置におけるレチクル上の異
    物の検出方法にお−いて、異物検出時に前記フィルタ及
    び光を調節手段を光路より退去して、前記の光源よりの
    光をそのまま異物検出用の照明光として用い、該照明光
    でレチクル面を照射し、該レチクル面よりの反射散乱光
    な光電受光素子にて受光し、該素子よりの出力に基づい
    て異−物の有無ン判断することχ特徴とする異物検出方
    法。 2、光源よりの光ケフィルタにより単色光とすると共に
    光量を調節して、回路パターンを有するレチクルを照明
    し、ウェハのホトレジストに回路パターン像を縮小投影
    する紬小投影弐鮎光装置におけるレチクル上の異物検出
    装置において、異物2.1 検出時に前記フィルタ及び光量調節手段を光路より退去
    して、前記の光源よりの光なそのまま異物検出用の照明
    光として用い、該照明光がレチクル面に到る光路に、該
    照明光を部分的に透過する透光手段を有す遮光板を設け
    、該照明光にてレチクル面を部分的に照射すると共に、
    該照射部分をレチクル全面に移動させる遮光板の走査手
    段を設け、前記照射部分に向けられて照射部分の移動と
    共に移動l2、該レチクル面よりの反射散乱光を受光す
    る複数個の光電受光素子、及び該素子よりの出力に基づ
    いて異物の有無を判断表示する手段を設けてなることを
    特徴とする異物検出装置。 3、前記透光手段が、ピンホール又Lスリットである特
    許請求の範囲第2項の異物検出装置。 4、前記透光手段が、レンズを嵌装したピンホール又は
    スリットであり、該レンズが透過光をレチクル表面又は
    裏面に集光せしめるようにしである特許請求の範囲第2
    項の異物検出装置。 5、前記遮光板が、レチクルの厚さに相当する幅で上下
    に移動可能としである特許請求の範囲第4項の異物検出
    装置。 6.前記光電受光素子が、先端にレンズ、ピンホール板
    又はスリット板を有する特許請求の範囲第3項、第4項
    又は第5項の異物検出装置。
JP56178988A 1981-11-10 1981-11-10 縮小投影露光装置 Granted JPS5880545A (ja)

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JPS5880545A true JPS5880545A (ja) 1983-05-14
JPH0326379B2 JPH0326379B2 (ja) 1991-04-10

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008519965A (ja) * 2004-11-12 2008-06-12 ブイエフエス・テクノロジーズ・リミテッド 粒子検出器、システムおよび方法

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008519965A (ja) * 2004-11-12 2008-06-12 ブイエフエス・テクノロジーズ・リミテッド 粒子検出器、システムおよび方法

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JPH0326379B2 (ja) 1991-04-10

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