JPS5876743A - 残留ガラスの非破壊的検査方法 - Google Patents

残留ガラスの非破壊的検査方法

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JPS5876743A
JPS5876743A JP57117897A JP11789782A JPS5876743A JP S5876743 A JPS5876743 A JP S5876743A JP 57117897 A JP57117897 A JP 57117897A JP 11789782 A JP11789782 A JP 11789782A JP S5876743 A JPS5876743 A JP S5876743A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 れるアルミナ／ガラス・セラミック基板の製造中に残留
ガラスを検出する１こめの方ソノ，に係る１。
本発明の目的は、アルミナ／ガラス・セラミック基板を
用いて形成きれた半導体モジュールＶＣ於ける残留ガラ
スの存在を検出するｆこめの男破壊的方法全提供するこ
とである，、 今日、半導体素子の製造に於てＯ−１、半導体素子を支
持するため（ｒ（、セラミック基鈑が月１いらノ土でい
る。製造工程中、セラミックｌ，（４１υ−１１７％Ｖ
１達し得る大きな縮みを生じる１、−４−の様々縮７７
−　＆−［、正確な位置に配置されねげなら７Ｊ：い半
ｒーＩ４ーパッド接続部の位置に影響全１ｊえるσ）了
゛、１）々密（・′こ：ｌｉｌｌ　ｆｉｌｌｌ芒れる。
この縮みの問題な・軽減すン）１ζめに、多層セラミッ
ク基板の一１一方の層にＩＩＩい１′）れている）リ’
ｔｒ。
性金属ペーストにアルミナとガラスとσ）４，ｌ，合物
／バ加えられる。
しかしながら、構造体中に１１６成τＢ１でいる金属で
充填てれた貫通孔と隣接する層との間でガラスが移動す
ることが８Ｌ祭芒れ、そのガラスｉｔ　Ｉ’ｌ通孔を充
填してい乙金属中の毛管を経て−１）管部用により半導
体パッド接続部の表面に移動する。パソド衣面」二にか
なりの量のガラスが序在する場合には、直通孔中の導電
性素子及びパッドに適当な電気的接続部を設けるために
金の如き導電性金属ケめっきすることが難しくなる。そ
の様な極めて薄い残“昭ガラスを７１なる視覚的検介又
は簡ｉ１な検出手段で検出することは不可能である。
半導体素子／バ接合される基板のパッドの表面上に存在
する余分の残留ガラスの嘆け、適当な非破壊的検査が不
可能なために、著しい歩留りの損失音生じている４つ 本発明の方法に於て０才、アルミナと、例えば６朋珪酸
ガラス・フリットと會含むセラミック粉末の組成物がス
ラリ状にボール・ミリングされ、半導体技術に於て周知
の如く未焼結セラミック・シートに流し込み成形され、
それから高温で焼結される。それらの未・焼結シートは
、半導体チップ及び電子回路全支持するために用いられ
る基板の形状に処理される。そのために、セラミック基
板は、所望のパターンに貫通孔が形成される様にパンチ
される。次に、導電性パターン全付着するために、（３
） 有機結合剤中に於けるアルミナと、ガラス・フリットと
、モリフ゛テンとの４Ｌ合′１勿／バ１占（位１−にス
クリーン印刷される。導電性ペーストでン【−）るぞの
７１６合物は、貫通孔中に浸入して充ＪＩ４　シ、半導
体チップのパッドへの電気的接続部の形成を可能にする
１、」−記導電性混合物は、未焼結シー１・の１−自と
下向との間に電気的径路′ｆｆ：設け、セラミックＪ、
シ４＋；！′−１：に配置きれた幾つかの回路素子への
１４続４伸ｌ°能にする。その未焼結ン−１・が焼結さ
７］５、そのと面から残留ガラス全除去するために蒸気
ケ吹き伺けら力。
る。
本発明の方法に従って、未焼結シー１・４−［構成する
友めに用いられたガラス拉子ム１ｚびｌｌｋ［ｌｌＴｉ
孔を充」（αするペーストのために用いらワ、タガラス
・フリットが、選択された範囲の波喝の放Ｑ、１ヶ力１
１．えＣ）れて螢′＃、を発する希土類元素酸化物でド
ーフ洟７する３、−好実、怖例に於ては、未焼結ノート
のために用いられたガラス粒子及びＶ（ｉｉ’ｆｉ孔を
充１イｌ＋すＺ、ペーストのために用いられたガラス・
フリット／バ酸化サマリウム（Ｓ　ｍ２０；４　）と混
合さ７７、る１、希口ｔ＋ｆ　：／＋’：素酸（４） 化物は、アルミナと、又はアルミナ及びモリブテンと混
合される前のガラス材料の約１％を構成する。
処理されたセラミック基板上に半導体チップが付着され
る前に、上記基板が３５０乃至５００ナノメータの範囲
の放射に芒ら芒れる。、その放射は基板聚面に直接施装
れ、顕微４に達して視覚的に倹を芒れる。酸化サマリウ
ム孕ドープσれたガラス又はオレンジ色の螢光を発して
、残留ガラスの移動、傾向及び配置の明確な表示を与え
る。セラミック基板の表面が、基板表面上への導電性リ
ードの効果的めっきを妨げる様な、望ましくない輻゛の
残留ガラスケ含む場合にｄｌその様な残留ガラス全除去
するために、その基板に蒸気が吹付けられる。その基板
から残留ガラスが完全に除去されたか全調べろために、
励起音生せしめる放射の下でそのノ＆板が再度検査され
る。経済的及び実際的に可能な回数だけ、蒸気の吹付け
による再処理が行わね５、それでも残留ガラスが完全に
除去されなかった場合に１１、その部分が廃棄される１
、観察σれた特定の色及びそのスペクトルが、用いられ
た特定の希土類元素の！１ｉ、ｌｒ性であることし１明
らかである。酸化ザマリウム（Ｓ１１１２０３）の代り
に、酸化ユーロピウム（Ｉｉ：　＋＋　７．０３　）が
ガラスを・ド−プするために用いられてもよく、その１
１％合にｉｒ１同一のスペクトル即ち３５０乃至５００
ナノメータの放射に応答して薄紫色の螢）Ｌヶ発する。
又は、黄色の螢光を発する酸化ジスプロシウム（１）ｙ
ｚ０３　）が用いられてもよい。
基板表面から残留ガラスが除か：ｌ′１．た後、金から
形成され得る導電性素子のパターンか半導体１．Ｑ板の
金属相互接続パッドににめつき坏れる６、それから、集
積回路が導電性素子と適切１／Ｃ’Ｆｌ：Ｑ気的に接続
される様に、半導体チップ７′Ｉ−基板−にに伺；ｌ”
ｆされる。
セラミック基板を有する半導体モジュールの製造中に残
留ガラス葡非破壊的に検出する本発明の方法は、余分な
量の残留ガラスを有する組立体の再処理又は廃棄全可能
Ｖこして、歩留りの改善及びコストの低減化を達成する
３、

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 セラミックを形成するアルミナ粒子と、選択烙れた波長
    の散材に応答して螢光を発する希土類元素酸化物でドー
    プ芒れたガラス材料とより成る混合Ｉ勿をＦ周整し、 −に記混合物と結合剤とを含む未焼結シートに形成し、 １’：ｉ？未焼結シートを・焼成して、セラミックＷ板
    を・形成し、 上記のドープ芒れたガラス材料中に螢光全誘起きせるた
    めに、上記の焼成σれたセラミック基板を−に記散材で
    照Ｃけすることケ含む、アルミナ・セラミック基板に於
    ける残留ガラスの非破壊的検査方法。
JP57117897A 1981-10-19 1982-07-08 残留ガラスの非破壊的検査方法 Granted JPS5876743A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US06/313,072 US4406844A (en) 1981-10-19 1981-10-19 Fabrication of semiconductor modules with ceramic substrates and detection of residual glass
US313072 1981-10-19

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JPS5876743A true JPS5876743A (ja) 1983-05-09
JPS634959B2 JPS634959B2 (ja) 1988-02-01

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ID=23214264

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JP57117897A Granted JPS5876743A (ja) 1981-10-19 1982-07-08 残留ガラスの非破壊的検査方法

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EP (1) EP0078370A1 (ja)
JP (1) JPS5876743A (ja)
CA (1) CA1182591A (ja)

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EP0078370A1 (en) 1983-05-11
CA1182591A (en) 1985-02-12
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