JPS5872590A - ３−ブロムメチルセフアロスポリン誘導体の製造法 - Google Patents
３−ブロムメチルセフアロスポリン誘導体の製造法Info
- Publication number
- JPS5872590A JPS5872590A JP56171370A JP17137081A JPS5872590A JP S5872590 A JPS5872590 A JP S5872590A JP 56171370 A JP56171370 A JP 56171370A JP 17137081 A JP17137081 A JP 17137081A JP S5872590 A JPS5872590 A JP S5872590A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- acetone
- derivative
- acid
- compound
- Prior art date
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- Pending
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/55—Design of synthesis routes, e.g. reducing the use of auxiliary or protecting groups
Landscapes
- Cephalosporin Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（式中Ｒ１紘飯換アミノ基 Ｒ２紘水ａｔえはカルボキ
シル保鰻基を示す）で表わされる６−メチルセファロス
ポリン１１４体會光照射下にアセトン中でＮ−ブロムイ
ミド又はＮ−プｐムアきドと反応させることを特徴とす
る一般式ｌ）↑ （式中Ｒ１，Ｒ２は前記と同意義を示す）で表わされる
る一ブロムメチルセファロスポリン誘導体の製造法に関
する。
シル保鰻基を示す）で表わされる６−メチルセファロス
ポリン１１４体會光照射下にアセトン中でＮ−ブロムイ
ミド又はＮ−プｐムアきドと反応させることを特徴とす
る一般式ｌ）↑ （式中Ｒ１，Ｒ２は前記と同意義を示す）で表わされる
る一ブロムメチルセファロスポリン誘導体の製造法に関
する。
従来、一般式（１）で表わされるような３−ブロムメチ
ルセファロスポリン誘導体を得る方法としては、一般式
（１）で表わされる３−メチルセファロスポリン誘導体
を非極性滴謙中、例えばベンゼン、りｑロホルム、ジク
ロルエタン中光照射下ＫＮ−ブロムイミド又はＮ−ブロ
ムアミドと反応基せる方法が知られている（ベルギー特
許７５５２５６号あしかしこの方法ては目的とする３−
ブームメチル体以外に２−ブロム−３−メｔル体＊ ２
−ブロム−３−ブロムメチル体勢Ｏ−生物が主成する火
点かあ）収率も７０−以下でめり九＠ま九非Ｉｉ性有４
ＩＩＩ鯵課のかわｐに低域ｌｋ肪ｌｌ九とえは酢酸、ギ
酸を使用する方法がある（４１１１１＠５Ｏ−７６０８
７）。この方法扛駅率及び副生物が生成する欠点がかな
ｐ＆良されているが、反応′ｆＩＳＩＩＩ＆として酢酸
及びギ酸のような酸性ｉｌｌ謀を使用するために次のよ
うな欠点がある。
ルセファロスポリン誘導体を得る方法としては、一般式
（１）で表わされる３−メチルセファロスポリン誘導体
を非極性滴謙中、例えばベンゼン、りｑロホルム、ジク
ロルエタン中光照射下ＫＮ−ブロムイミド又はＮ−ブロ
ムアミドと反応基せる方法が知られている（ベルギー特
許７５５２５６号あしかしこの方法ては目的とする３−
ブームメチル体以外に２−ブロム−３−メｔル体＊ ２
−ブロム−３−ブロムメチル体勢Ｏ−生物が主成する火
点かあ）収率も７０−以下でめり九＠ま九非Ｉｉ性有４
ＩＩＩ鯵課のかわｐに低域ｌｋ肪ｌｌ九とえは酢酸、ギ
酸を使用する方法がある（４１１１１＠５Ｏ−７６０８
７）。この方法扛駅率及び副生物が生成する欠点がかな
ｐ＆良されているが、反応′ｆＩＳＩＩＩ＆として酢酸
及びギ酸のような酸性ｉｌｌ謀を使用するために次のよ
うな欠点がある。
酸性ｓ課であるためその取り扱いが危険であシを九製造
設備も耐酸性のものが必要であること。
設備も耐酸性のものが必要であること。
反応後、＃ｋＪｌｌＩや水洗い等にょシ除去することが
１難で８９、また生ずる廃液の処１もむつかしいこと。
１難で８９、また生ずる廃液の処１もむつかしいこと。
酸で切れやすいカルボキシル保護基、１！、ｔｔｆベン
ズヒドリルエステルでは一部保―基が切れてしまうため
、カルボキシル保−基として使用できるものが制限され
てしまうこと。また非極性溶媒と酢酸の混液中同様に反
応して目的トスる３−ブロムメチル大ファロスホリン誘
導体を得る方法がある（％開明５４−４８７９５゜特開
１４５５−１５６２９す。この方法において−３−ブロ
ムメチル体以外に２−ブロム−３−メチル体、２−ブロ
ム−３−ブロムメチル体が副生ずることが示されておシ
、この２−ブロム−３−メチル体及び２−ブロム−３−
ブロムメチル体を３−ブロムメチル体に転化する方法が
示されているが、いずれｋしても収率が低い。
ズヒドリルエステルでは一部保―基が切れてしまうため
、カルボキシル保−基として使用できるものが制限され
てしまうこと。また非極性溶媒と酢酸の混液中同様に反
応して目的トスる３−ブロムメチル大ファロスホリン誘
導体を得る方法がある（％開明５４−４８７９５゜特開
１４５５−１５６２９す。この方法において−３−ブロ
ムメチル体以外に２−ブロム−３−メチル体、２−ブロ
ム−３−ブロムメチル体が副生ずることが示されておシ
、この２−ブロム−３−メチル体及び２−ブロム−３−
ブロムメチル体を３−ブロムメチル体に転化する方法が
示されているが、いずれｋしても収率が低い。
本発男看は以上のような事業を背景に鋭意研究した結果
、３−メチルセファロスポリン誘導体（鳳）を大照射下
ＫＳｌｉ性有機Ｓ謙や低級脂肪酸やその両者の混合物の
かわりにアセトン中でＮ−ブロムイミド又はＮ−ブロム
アミドと反応させると副生物かはとんど生成せずに３−
ブロムメチルセファロスポリン誘導体が鳥収皐で得られ
るという予期せざる知見を得て本発明を完成し九〇反応
溶媒としてアセトンを用いると員纏によって簡単に除去
することができ、回収することも容易にであ）、ｌ九特
別の設備を必要としないなどの長所を有する。
、３−メチルセファロスポリン誘導体（鳳）を大照射下
ＫＳｌｉ性有機Ｓ謙や低級脂肪酸やその両者の混合物の
かわりにアセトン中でＮ−ブロムイミド又はＮ−ブロム
アミドと反応させると副生物かはとんど生成せずに３−
ブロムメチルセファロスポリン誘導体が鳥収皐で得られ
るという予期せざる知見を得て本発明を完成し九〇反応
溶媒としてアセトンを用いると員纏によって簡単に除去
することができ、回収することも容易にであ）、ｌ九特
別の設備を必要としないなどの長所を有する。
以下本発明をＪ！に詳細に説明する。本発明の方法に出
発物質として使用される前記一般式＜１）を有する化合
物においてＲ１１置換アミノ基で、その置換基としては
アシル１及びアシル基以外のアミノ保談基が含まれる。
発物質として使用される前記一般式＜１）を有する化合
物においてＲ１１置換アミノ基で、その置換基としては
アシル１及びアシル基以外のアミノ保談基が含まれる。
アシル基としてれ反応中、安定なものであれはよいが、
例えはフエ；ルア七チル、フェノ中ジアセチル、ホルミ
ル。
例えはフエ；ルア七チル、フェノ中ジアセチル、ホルミ
ル。
アセチル、チェニルアセチル、値−アミノフェニルアセ
チル、＃−ヒドロキシフェニルア七チル、Ｐ−ヒドロキ
シフェニルグリシジ、ベンジルオキシカルボニル、５−
アミノ−５−カルボ午シーバレリル等が挙けられる。ま
喪アシル基中にアミノ基、ヒドロキ７基、カルボキシル
基がある場合は保―基で保験されているものも含まれ、
これらの保譲基としては通常使用し得る全ての基が含ま
れる。またアシル基以外のアミノ保−基として社例えば
トリチル、２−二）ロフェニルチオ、ベンジリデン、２
−ヒドロキシベンジリデン、アミノ基が７タール酸と結
合してイミド形成する場合、又Ｌジもしくはトリアルキ
ルシリル勢が挙けられる。又、出発瞼質として使用され
る一般式（１）中Ｒ２は水素またはカルボキシル保−基
で、保験基として紘通常のカルボキシル基の保護基とし
て使用し得る全ての基を含み、例えはメチル、エチル、
亀三級フテル。
チル、＃−ヒドロキシフェニルア七チル、Ｐ−ヒドロキ
シフェニルグリシジ、ベンジルオキシカルボニル、５−
アミノ−５−カルボ午シーバレリル等が挙けられる。ま
喪アシル基中にアミノ基、ヒドロキ７基、カルボキシル
基がある場合は保―基で保験されているものも含まれ、
これらの保譲基としては通常使用し得る全ての基が含ま
れる。またアシル基以外のアミノ保−基として社例えば
トリチル、２−二）ロフェニルチオ、ベンジリデン、２
−ヒドロキシベンジリデン、アミノ基が７タール酸と結
合してイミド形成する場合、又Ｌジもしくはトリアルキ
ルシリル勢が挙けられる。又、出発瞼質として使用され
る一般式（１）中Ｒ２は水素またはカルボキシル保−基
で、保験基として紘通常のカルボキシル基の保護基とし
て使用し得る全ての基を含み、例えはメチル、エチル、
亀三級フテル。
ベンジル、ジフェニルメチル、トリフェニルメチル、Ｐ
−ニトロベンジル、Ｐ−メトキシベンジル、ベンゾイル
メチル、アセチルメチル、メトキンメチル、Ｐ−ニトロ
ベンゾイルメチル。
−ニトロベンジル、Ｐ−メトキシベンジル、ベンゾイル
メチル、アセチルメチル、メトキンメチル、Ｐ−ニトロ
ベンゾイルメチル。
フタルイミドメチル、２，２．２−）リクロルエチル、
アセトキシメチル、トリチル、７エナシル勢のエステル
、さらＫ ＢＣｊ ３． ＢＦ ５ 、 Ｓ ＆Ｃノ４
． ＰＣｊ５゜ＰＯＣノ３．ＣＯＣノ２．ｃＨ５ｓｔｃ
ノ３．（ＣＨす２ｓｔｃＪ２．（ｃＨ３）５Ｓ纂Ｃノ、
（ＣＨ！、偽Ｓ≦Ｃ）、（ＣＨ３０）２５≦Ｃノ２．（
ＣＪＯ）２ＰＣＪ 。
アセトキシメチル、トリチル、７エナシル勢のエステル
、さらＫ ＢＣｊ ３． ＢＦ ５ 、 Ｓ ＆Ｃノ４
． ＰＣｊ５゜ＰＯＣノ３．ＣＯＣノ２．ｃＨ５ｓｔｃ
ノ３．（ＣＨす２ｓｔｃＪ２．（ｃＨ３）５Ｓ纂Ｃノ、
（ＣＨ！、偽Ｓ≦Ｃ）、（ＣＨ３０）２５≦Ｃノ２．（
ＣＪＯ）２ＰＣＪ 。
（Ｃ２Ｈ５０）２ＰＣＪＯＰＣＪＩＩＩ！の式で示され
る化合物とカルボン酸との反応によって、誘導される力
Ａｄｄキシル基における誘導体が挙げられる。
る化合物とカルボン酸との反応によって、誘導される力
Ａｄｄキシル基における誘導体が挙げられる。
本発明を実施するＫは一般式（１）で表わされる３−メ
チルセファロスポリン誘導体をタングステンランプ、水
銀ランプ勢の照射下にアセトン中でＮ−ブロムイミド又
ａＮ−プロムアきドと反応させる。Ｎ−７０ムイξド又
ｕＮ−７０ムアミドｉｊ ｌ−３倍モルが使用される。
チルセファロスポリン誘導体をタングステンランプ、水
銀ランプ勢の照射下にアセトン中でＮ−ブロムイミド又
ａＮ−プロムアきドと反応させる。Ｎ−７０ムイξド又
ｕＮ−７０ムアミドｉｊ ｌ−３倍モルが使用される。
反応温度は４１１Ｋｍ定されないが、通常ａ−２０〜４
０℃で行なわれる。又、反応１１１１１ＩＩ＆としてア
セトンを使用するが、これに相溶性で反応に関与しない
有機１１課、儒えはジクロルエタン、塩化メチレン、タ
ロロホルム、ベンゼン、トルエン、＃駿エチル、酢酸ブ
チル、Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ、Ｎ−ジメチ
ルア七ドアばド、アセトニトリル、メタノール、エタノ
ール、プロノくノール、ブタノール勢との混合物を用い
てもよい。又、このアセトンは含水アセトンでも反応が
進み、１〇−含水１！皺まで使用できるので好都合でら
るｏＮ−ブロムイミドとしてはＮ−ブロムコハク酸イミ
ド、Ｎ−ブロムフタルイミド。
０℃で行なわれる。又、反応１１１１１ＩＩ＆としてア
セトンを使用するが、これに相溶性で反応に関与しない
有機１１課、儒えはジクロルエタン、塩化メチレン、タ
ロロホルム、ベンゼン、トルエン、＃駿エチル、酢酸ブ
チル、Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ、Ｎ−ジメチ
ルア七ドアばド、アセトニトリル、メタノール、エタノ
ール、プロノくノール、ブタノール勢との混合物を用い
てもよい。又、このアセトンは含水アセトンでも反応が
進み、１〇−含水１！皺まで使用できるので好都合でら
るｏＮ−ブロムイミドとしてはＮ−ブロムコハク酸イミ
ド、Ｎ−ブロムフタルイミド。
１．３−ジブロム−５，５−ジアルキルヒダントイン勢
が、Ｎ−ブロムアミドとしてはＮ−ブロム低級脂肪酸ア
ミドが挙げられる０ 次に実施例を挙けて本発明の方法を具体的に説明する。
が、Ｎ−ブロムアミドとしてはＮ−ブロム低級脂肪酸ア
ミドが挙げられる０ 次に実施例を挙けて本発明の方法を具体的に説明する。
ｌＩ論例 １
７−フェノキシアセトアミド−６−プロムメチル、３−
セフェム−４−カルボン酸スルホキシド２゜２、２−
） ジクロルエチルエステル０７−フニノキシアセトア
ミドデスアセトキシセ７７０スボラン酸スルホキシド２
．２．２− ） ジクロルエチルエステル１．９８＆（
４ミリモル）。
セフェム−４−カルボン酸スルホキシド２゜２、２−
） ジクロルエチルエステル０７−フニノキシアセトア
ミドデスアセトキシセ７７０スボラン酸スルホキシド２
．２．２− ） ジクロルエチルエステル１．９８＆（
４ミリモル）。
Ｎ−プロムコノ−り酸イミド０．７ ＋ ｆ（α４９モ
ル）。
ル）。
アセトン８０ｄ、水Ｉｓ／の溶液に窒素ガス気流中２５
〜５０℃で５００Ｗタングステンツン１を４５分間照射
し、さらに氷冷下Ｎ−ブロムコハク酸イミドα７１ｐ（
４（νモル）を加え、４５分間攪拌し友。Ｓ媒を減圧下
留去し、残留物紘シリカゲルを用いてカラムクロマドグ
２殉−に付し、ベンゼン・酢酸エチルＯ混液で溶出した
。目的物の７ツクシヨンの溶媒を留去すると、７−フェ
ノキシアセトアミド−３−ブロムメチル−Δ−セフェム
ー４−カルボン酸スルホキシド２．２．２− ）ジクロ
ルエチルエステルの白色結晶１．ａａｆｔｅ九。 収率
８２８２−６Ｎスペクトル（Ｄ Ｍ Ｓ Ｏ−ｄｂ
８ｐｐｍ）３．９７ （２Ｈ，ＡＢｑ）２位＝シシ、
４．６０（２Ｈ，ブロード幻−〇〇２８ ｆ、 ４．７
０ （２Ｈ，Ｓ） −Ｃ！！、 ＯＦ４，５．１０（Ｉ
Ｈ。
〜５０℃で５００Ｗタングステンツン１を４５分間照射
し、さらに氷冷下Ｎ−ブロムコハク酸イミドα７１ｐ（
４（νモル）を加え、４５分間攪拌し友。Ｓ媒を減圧下
留去し、残留物紘シリカゲルを用いてカラムクロマドグ
２殉−に付し、ベンゼン・酢酸エチルＯ混液で溶出した
。目的物の７ツクシヨンの溶媒を留去すると、７−フェ
ノキシアセトアミド−３−ブロムメチル−Δ−セフェム
ー４−カルボン酸スルホキシド２．２．２− ）ジクロ
ルエチルエステルの白色結晶１．ａａｆｔｅ九。 収率
８２８２−６Ｎスペクトル（Ｄ Ｍ Ｓ Ｏ−ｄｂ
８ｐｐｍ）３．９７ （２Ｈ，ＡＢｑ）２位＝シシ、
４．６０（２Ｈ，ブロード幻−〇〇２８ ｆ、 ４．７
０ （２Ｈ，Ｓ） −Ｃ！！、 ＯＦ４，５．１０（Ｉ
Ｈ。
ｄ、Ｊ−４，５Ｈｆ）６位三〇一旦、ｓ、＋ ５ （２
Ｈ−ＡｍＯ−ｃｑＣＣＪＩｓ ｅ ６．０９ （ＩＨ、
ｄ ｄ 、 Ｊ 謬４．５ Ｈｚ、 ９ Ｈｚ） ７
位ミＣ一旦、 ６．８〜７５ （５Ｈ，ｍ月’ＡＯＣＨ
２ＣＯ−、＆Ｉ５ （ＩＨ，ｊ、９Ｈｚ）アンドＮ一旦 実施例 ２゜ ７−フエツキシアセトア建ドー３−プロ五メチル−へ３
−セフェム−４−カルボン酸スルホキシド２゜２．２−
１１クロルエチルエステル。
Ｈ−ＡｍＯ−ｃｑＣＣＪＩｓ ｅ ６．０９ （ＩＨ、
ｄ ｄ 、 Ｊ 謬４．５ Ｈｚ、 ９ Ｈｚ） ７
位ミＣ一旦、 ６．８〜７５ （５Ｈ，ｍ月’ＡＯＣＨ
２ＣＯ−、＆Ｉ５ （ＩＨ，ｊ、９Ｈｚ）アンドＮ一旦 実施例 ２゜ ７−フエツキシアセトア建ドー３−プロ五メチル−へ３
−セフェム−４−カルボン酸スルホキシド２゜２．２−
１１クロルエチルエステル。
７−フニノキシアセトアミドデスアセトキシセフアロス
ポラン酸スルホキシド２．２．２−トリクロルエチルエ
ステル＋９ｓｆ（α０４モル）。
ポラン酸スルホキシド２．２．２−トリクロルエチルエ
ステル＋９ｓｆ（α０４モル）。
Ｎ−７’０ムコハク酸イミドＺｉｆ（０，０４モル）。
アセトン７００ｇ／の溶液に窒素ガス気流中２５〜３０
℃で５００Ｗタングステンラング２個を５０分間照射し
、さらに水冷下Ｎ−グロムコハク酸イミド７ｕＩＩ（α
０４モル）を加え、１時間照射し、その後Ｎ−ブロムコ
ハク酸イミド３６ｆ（０，０２モル）を加え、１時間照
射しながら攪拌した。溶媒を減圧下留去し、残餉物を塩
化メチレン７００ｓ／に溶解し、水、５％塩酸水。
℃で５００Ｗタングステンラング２個を５０分間照射し
、さらに水冷下Ｎ−グロムコハク酸イミド７ｕＩＩ（α
０４モル）を加え、１時間照射し、その後Ｎ−ブロムコ
ハク酸イミド３６ｆ（０，０２モル）を加え、１時間照
射しながら攪拌した。溶媒を減圧下留去し、残餉物を塩
化メチレン７００ｓ／に溶解し、水、５％塩酸水。
水、５−重１水、水でそれぞれ洗浄後節水硫酸マグネシ
ウムで脱水した。次に減圧で溶媒を留去し、得られるオ
イルにメタノール５０ｓ／を加え結晶化させ一夜冷蔵庫
に放置した。析出した結晶を一過し、メタノールで洗浄
後、減圧乾燥して７−フエツキシアセトアミドー３−ク
ロムメチル−Δ３−セフェムー４−カルボ／酸スルホ中
シト２．２．２− ）リクロルエチルエステルの結晶２
ａ３ｆを得た０ 収率 ８８％。
ウムで脱水した。次に減圧で溶媒を留去し、得られるオ
イルにメタノール５０ｓ／を加え結晶化させ一夜冷蔵庫
に放置した。析出した結晶を一過し、メタノールで洗浄
後、減圧乾燥して７−フエツキシアセトアミドー３−ク
ロムメチル−Δ３−セフェムー４−カルボ／酸スルホ中
シト２．２．２− ）リクロルエチルエステルの結晶２
ａ３ｆを得た０ 収率 ８８％。
実施例 ３゜
７−フエニルアセトアイドー３−ブロムｌｆｋ−ｇ−竜
フエムー４−カル′ボン酸スルホキシド２，２゜２−）
９／ロルエチルエステル０ ７−フェニルアセトアミドデスアセト中シセπロスポツ
ン酸スルホ中シト２．２．２− ） リ／ ａ ルエチ
ルエステル１．９２ｆ（４ミリモル）、Ｎ−ブロムコハ
ク酸イミド１．０７Ｆ（６ミリモルン。
フエムー４−カル′ボン酸スルホキシド２，２゜２−）
９／ロルエチルエステル０ ７−フェニルアセトアミドデスアセト中シセπロスポツ
ン酸スルホ中シト２．２．２− ） リ／ ａ ルエチ
ルエステル１．９２ｆ（４ミリモル）、Ｎ−ブロムコハ
ク酸イミド１．０７Ｆ（６ミリモルン。
アセトン８０−の滴液に窒素ガス気流中氷冷下３００Ｗ
タングステンランプを１時Ｍ照射し、さらＫＮ−７０ム
コハク酸イミドＱ、５６ｖ（２ミリモル）を加え、同温
で１時間照射しながら攪拌し九〇麺媒を減圧下留去し、
残留−を塩化メチレン２５０ｍｔにＩｌ！解し、水、５
−劃り水。
タングステンランプを１時Ｍ照射し、さらＫＮ−７０ム
コハク酸イミドＱ、５６ｖ（２ミリモル）を加え、同温
で１時間照射しながら攪拌し九〇麺媒を減圧下留去し、
残留−を塩化メチレン２５０ｍｔにＩｌ！解し、水、５
−劃り水。
５饅重１水、水てそれぞれ洗浄後、無水硫酸！グネシウ
ムで脱水し九０法に減圧で＃１課を１去し、得られるオ
イルにメタノールを加え結晶化させ、析出した結晶をＦ
３ｍし、エーテルで仇浄後減圧乾燥して７−フェニルア
セトアミド−３−フロムメチル−が−セフェム−４−カ
ルホン酸スルホキシド２□２．２− トリクロルエチル
エステルの結晶１５９ｇを得た。 収率 ７Ｉｔｓ。
ムで脱水し九０法に減圧で＃１課を１去し、得られるオ
イルにメタノールを加え結晶化させ、析出した結晶をＦ
３ｍし、エーテルで仇浄後減圧乾燥して７−フェニルア
セトアミド−３−フロムメチル−が−セフェム−４−カ
ルホン酸スルホキシド２□２．２− トリクロルエチル
エステルの結晶１５９ｇを得た。 収率 ７Ｉｔｓ。
ＮＭＲスペクトル（ＤＭＳＯ−ｅｔｂ ’５ｐｐｍ＞
ｓ、 ６２ （２８，Ａｎｑ）−ｃシＰＡ、 ３．９０
（２Ｈ，ＡＢｑ）２位＝ＣＨ２，４，５８（２Ｈ，Ａ
Ｂｑ） −ＣＨ２Ｂｒ、 ５．０ＣＩ （ＩＨ” 、Ｊ
−４，５Ｈｚ）６位＝Ｃ−Ｈ，５，＋ ４ （２Ｈ，Ａ
Ｂｑ）−ＣＨ２ＣＣＪ３．５．８７ （ＩＨ，ｄ−ｄ、
１＝４５Ｈｚ、９Ｈｚ）７位三〇−Ｈ，７，２７（５
Ｈ，５）ＰＡＣＨ２＋、８．３８（１Ｈ９ｄ、９Ｈｚ）
アミドＮ −Ｈ 実施例 ４゜ ７−フェノキシアセトアミド−５−ブロムメチル−＆−
セフェムー４−カルホン除スルホキシドベンズヒドリル
エステル ７−フェノキシアセトアミドデスアセトキシセファロス
ポラン酸スルホキシドベンズヒドリルエステル２．＋２
ｆ（４ミリモル）、Ｎ−ブロム；ハク酸イξド１．ａ７
ｆｃ６ミリモル）、アセトン１５０−の溶１１Ｋｌｉ素
ガス気流中氷冷下、５００Ｗタングステンランプを２時
間照射しながら攪拌し九〇溶媒を賦圧下留去し、残曽物
を酢酸エチルｚｏｏ＊に溶解し、水、３−劃り水＊ｓｊ
重曹水、水でそれぞれ洗浄後無水硫酸！グネシウムで脱
水しえ。次に減圧で溶媒を髄去し、得られる結晶化物に
メタノールを加えて濾過し、メタノールで洗浄後減圧乾
燥して７−フェノ今ジアセトアミドー３−プロムメｆル
ー１Ｓ５−４７１ム−４−カルボン酸スルホ中シドペ優 ズヒドリルエステルの結晶１．９ Ｏｆを得た。
ｓ、 ６２ （２８，Ａｎｑ）−ｃシＰＡ、 ３．９０
（２Ｈ，ＡＢｑ）２位＝ＣＨ２，４，５８（２Ｈ，Ａ
Ｂｑ） −ＣＨ２Ｂｒ、 ５．０ＣＩ （ＩＨ” 、Ｊ
−４，５Ｈｚ）６位＝Ｃ−Ｈ，５，＋ ４ （２Ｈ，Ａ
Ｂｑ）−ＣＨ２ＣＣＪ３．５．８７ （ＩＨ，ｄ−ｄ、
１＝４５Ｈｚ、９Ｈｚ）７位三〇−Ｈ，７，２７（５
Ｈ，５）ＰＡＣＨ２＋、８．３８（１Ｈ９ｄ、９Ｈｚ）
アミドＮ −Ｈ 実施例 ４゜ ７−フェノキシアセトアミド−５−ブロムメチル−＆−
セフェムー４−カルホン除スルホキシドベンズヒドリル
エステル ７−フェノキシアセトアミドデスアセトキシセファロス
ポラン酸スルホキシドベンズヒドリルエステル２．＋２
ｆ（４ミリモル）、Ｎ−ブロム；ハク酸イξド１．ａ７
ｆｃ６ミリモル）、アセトン１５０−の溶１１Ｋｌｉ素
ガス気流中氷冷下、５００Ｗタングステンランプを２時
間照射しながら攪拌し九〇溶媒を賦圧下留去し、残曽物
を酢酸エチルｚｏｏ＊に溶解し、水、３−劃り水＊ｓｊ
重曹水、水でそれぞれ洗浄後無水硫酸！グネシウムで脱
水しえ。次に減圧で溶媒を髄去し、得られる結晶化物に
メタノールを加えて濾過し、メタノールで洗浄後減圧乾
燥して７−フェノ今ジアセトアミドー３−プロムメｆル
ー１Ｓ５−４７１ム−４−カルボン酸スルホ中シドペ優 ズヒドリルエステルの結晶１．９ Ｏｆを得た。
収率 ７８７８
一０Ｎスペクトル（ＤＭ！３０−−６８１ｐ烏）１９３
（２Ｈ，ＡＢｑ）２位：Ｃ！４２．４．４８ （２Ｈ
，ＡＢ？）−ＣＨ２１ｒｓ ４．７０ （２Ｈ＠ Ｓ）
ＣＩ（２０Ｆ Ａ 、ｉ ｌ Ｑ （ｌ Ｈｌｄ、
Ｊ−４，５Ｈｚ３６位三Ｃ−Ｈ，６，１５（ＩＨ，ｄ−
ｔｔ、 Ｊ −４Ｈｚ、９Ｈｚ）、６．８〜７．６
（１６Ｈ，ｍ）ＰＡＯＣＨ２ＣＯ−。
（２Ｈ，ＡＢｑ）２位：Ｃ！４２．４．４８ （２Ｈ
，ＡＢ？）−ＣＨ２１ｒｓ ４．７０ （２Ｈ＠ Ｓ）
ＣＩ（２０Ｆ Ａ 、ｉ ｌ Ｑ （ｌ Ｈｌｄ、
Ｊ−４，５Ｈｚ３６位三Ｃ−Ｈ，６，１５（ＩＨ，ｄ−
ｔｔ、 Ｊ −４Ｈｚ、９Ｈｚ）、６．８〜７．６
（１６Ｈ，ｍ）ＰＡＯＣＨ２ＣＯ−。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （式中Ｒ１は置換アミノ基 Ｒ２は水素ま九はカルボキ
シル保−基を示す）で表わされる３−メチルセファロス
ポリン帥導体を光照射下にアセトン中でＮ−プームイミ
ド又ｄＮ−プロムアきドと反応させることを４１１１と
する一般式（式中Ｒｌ 、 Ｒ２は前記と同意義を示す
）で表わされる３−プロムメチルセツアースボリンー導
体の製造法〇 −Ｒ１がフェニルアセトアミド又はフェノキシアセトア
ミドである特許請求の範囲第−項記載の方法。 １３１ Ｒ２が一般に使用されている容Ｔｏに脱離する
ことができる保験基である特許請求の範囲第一項記載の
方法。 （ＩＦ） Ｒ２が２．２．２− トリクロロエチル、ベ
ンジル。 Ｐ−二トロベ／ジル、Ｐ−メトキシベンシル。 ジフェニルメチルである特許請求の範囲第一項ｔ！載の
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56171370A JPS5872590A (ja) | 1981-10-28 | 1981-10-28 | ３−ブロムメチルセフアロスポリン誘導体の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56171370A JPS5872590A (ja) | 1981-10-28 | 1981-10-28 | ３−ブロムメチルセフアロスポリン誘導体の製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5872590A true JPS5872590A (ja) | 1983-04-30 |
Family
ID=15921917
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56171370A Pending JPS5872590A (ja) | 1981-10-28 | 1981-10-28 | ３−ブロムメチルセフアロスポリン誘導体の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5872590A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0238060A2 (en) | 1986-03-19 | 1987-09-23 | Banyu Pharmaceutical Co., Ltd. | Cephalosporin derivatives, processes for their preparation and antibacterial agents |
| US5244892A (en) * | 1990-10-16 | 1993-09-14 | Kyorin Pharmaceutical Co., Ltd. | Cephem compounds, and antibacterial agents |
| US5336673A (en) * | 1990-07-05 | 1994-08-09 | Dae Woong Pharmaceutical Co., Ltd. | 3-substituted cephem compounds |
-
1981
- 1981-10-28 JP JP56171370A patent/JPS5872590A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0238060A2 (en) | 1986-03-19 | 1987-09-23 | Banyu Pharmaceutical Co., Ltd. | Cephalosporin derivatives, processes for their preparation and antibacterial agents |
| US5336673A (en) * | 1990-07-05 | 1994-08-09 | Dae Woong Pharmaceutical Co., Ltd. | 3-substituted cephem compounds |
| US5244892A (en) * | 1990-10-16 | 1993-09-14 | Kyorin Pharmaceutical Co., Ltd. | Cephem compounds, and antibacterial agents |
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