JPS5872037A - ガスセンサ - Google Patents
ガスセンサInfo
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- JPS5872037A JPS5872037A JP56172214A JP17221481A JPS5872037A JP S5872037 A JPS5872037 A JP S5872037A JP 56172214 A JP56172214 A JP 56172214A JP 17221481 A JP17221481 A JP 17221481A JP S5872037 A JPS5872037 A JP S5872037A
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Links
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/25—Colour; Spectral properties, i.e. comparison of effect of material on the light at two or more different wavelengths or wavelength bands
- G01N21/31—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry
- G01N21/35—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry using infrared light
- G01N21/3504—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry using infrared light for analysing gases, e.g. multi-gas analysis
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- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、焦電型赤外線検出体を内蔵して、特定ガスを
高精度、高信頼性の下に検出するようKしたガスセンサ
に関する。
高精度、高信頼性の下に検出するようKしたガスセンサ
に関する。
vJ1図は既にW案されたガスセンサを示す。10はタ
ンクル酸リチクム(LiTa03)単結晶などの焦電材
料から成り入射赤外線変化量に応じて電荷を発生する焦
電型赤外線検出体で、該検出体は矢印a方向に分極され
ている。(2)及び(3)は夫々上記赤外線検出体+1
1の表、裏面にニクロム蒸着膜にて形成された表、炎面
↑1!極、+4 ) #−を銅、燐古銅などからなる金
属性支持台で、該支持台」−には、上記裏向電極(3)
を支持名[4)1面に対向するようにして、上記赤外線
検出体illが銀ベーストなとの導電性接着剤(6)に
て向肴されている。
ンクル酸リチクム(LiTa03)単結晶などの焦電材
料から成り入射赤外線変化量に応じて電荷を発生する焦
電型赤外線検出体で、該検出体は矢印a方向に分極され
ている。(2)及び(3)は夫々上記赤外線検出体+1
1の表、裏面にニクロム蒸着膜にて形成された表、炎面
↑1!極、+4 ) #−を銅、燐古銅などからなる金
属性支持台で、該支持台」−には、上記裏向電極(3)
を支持名[4)1面に対向するようにして、上記赤外線
検出体illが銀ベーストなとの導電性接着剤(6)に
て向肴されている。
(611i上記赤外線検出体(1)が高抵抗であるが故
に斯る高抵抗を低抵抗に変換するだめのインピーダンス
変換回WJ(7+が配置さ)またアルミナ基板、(8)
は金属性のキャップ(9)及びヘッダ(lO)からなる
収納体で、該収納体内の上記ヘッダ(lO)上には」−
記渋持台(4)及び基板(6)が固定されている。(I
llは」1記ヘッダ+101 K直接的に植設されたア
ース端子で、該端子は上記支持台(4)及び接着剤+f
i+を介して」二記衷面電極(3)に電気的に接続され
ている。(12)及び(1311ま夫々上記へツタ(l
O)に絶縁材を介して植設されたリード端子、(14)
は上記表面電極(2)とインピーダンス変換回fj11
(7)どを結線するリード線、(1b)、(16)は夫
々」二記インビーグンス父換回路(7)とリード端子(
12)、(1り(とを結線するリード線である。
に斯る高抵抗を低抵抗に変換するだめのインピーダンス
変換回WJ(7+が配置さ)またアルミナ基板、(8)
は金属性のキャップ(9)及びヘッダ(lO)からなる
収納体で、該収納体内の上記ヘッダ(lO)上には」−
記渋持台(4)及び基板(6)が固定されている。(I
llは」1記ヘッダ+101 K直接的に植設されたア
ース端子で、該端子は上記支持台(4)及び接着剤+f
i+を介して」二記衷面電極(3)に電気的に接続され
ている。(12)及び(1311ま夫々上記へツタ(l
O)に絶縁材を介して植設されたリード端子、(14)
は上記表面電極(2)とインピーダンス変換回fj11
(7)どを結線するリード線、(1b)、(16)は夫
々」二記インビーグンス父換回路(7)とリード端子(
12)、(1り(とを結線するリード線である。
Qηは上記赤外線検出体tllに表面電極(2)側り・
ら赤外線を入射せしめるべく上記キャップ(9)に穿設
された開口、(+81は波長2〜20.gmの赤外線を
透過するシリコン又はゲルマニウムからなり上記開口0
′7)を閉塞する赤外線フィルタ、吐は該フィルタの内
面に形成され被検出ガスの吸収赤外線だけを実質的に透
過する狭帯域赤外線フィルタで、該フィルタはテルル化
鉛(PbTe)の如き高屈折率物質及び硫化亜鉛(Zn
S)の如き低屈折率物質を多層に重ねた構造からなって
いる。今、被検出ガスをメタン(CH4)、−酸化炭素
(CO)、−酸化窒素(NO)又は二酸化窒素(NO2
)とし第2図はL耐ガスセンサの回路を示し、上記イン
ピーダンス変換回路(7)は1010〜1011Ωの高
入力抵抗−)、FET(電界効果トランジスタ)(21
)及び約10にΩの出力抵抗−にて構成されている。
ら赤外線を入射せしめるべく上記キャップ(9)に穿設
された開口、(+81は波長2〜20.gmの赤外線を
透過するシリコン又はゲルマニウムからなり上記開口0
′7)を閉塞する赤外線フィルタ、吐は該フィルタの内
面に形成され被検出ガスの吸収赤外線だけを実質的に透
過する狭帯域赤外線フィルタで、該フィルタはテルル化
鉛(PbTe)の如き高屈折率物質及び硫化亜鉛(Zn
S)の如き低屈折率物質を多層に重ねた構造からなって
いる。今、被検出ガスをメタン(CH4)、−酸化炭素
(CO)、−酸化窒素(NO)又は二酸化窒素(NO2
)とし第2図はL耐ガスセンサの回路を示し、上記イン
ピーダンス変換回路(7)は1010〜1011Ωの高
入力抵抗−)、FET(電界効果トランジスタ)(21
)及び約10にΩの出力抵抗−にて構成されている。
而して、通常、上記ガスセンサ内部へは、ガスセンサ外
部の常温物体から放射され」二記赤外線フ赤外線が上記
狭帯域赤外線フィルタ(19)を透過して今の赤外線が
ガスセンサ外部へ透過17ており、所るガスセンサ外部
へ透過する赤外線は上述のガスセン゛す内部へ透過する
赤外線と相殺され、この状態で上記赤外線検出体ill
へ入射する赤外線量#−i変化ぜず一定である。
部の常温物体から放射され」二記赤外線フ赤外線が上記
狭帯域赤外線フィルタ(19)を透過して今の赤外線が
ガスセンサ外部へ透過17ており、所るガスセンサ外部
へ透過する赤外線は上述のガスセン゛す内部へ透過する
赤外線と相殺され、この状態で上記赤外線検出体ill
へ入射する赤外線量#−i変化ぜず一定である。
この様な状態において、何らかの原因でCH4、C0X
N01又はNO2ガスが上記ガスーレンザの
1吸−収され、従って上記狭帯域赤外線フィルタ(
19)をガスセンサ外部から透過する赤外線がなくなる
から上記相殺が行なわれなくなる。即ち、上記赤外線検
出イ木(1)へ入射する赤外線量が波長士−己、4゜化
(減少)する。萌る変化が生じると表面電極(2)側に
負信号が生起しリード端子(1勇に検知信号が出力され
、よってCH4、Co、NO又はNO2ガスの漏れか検
出される。
N01又はNO2ガスが上記ガスーレンザの
1吸−収され、従って上記狭帯域赤外線フィルタ(
19)をガスセンサ外部から透過する赤外線がなくなる
から上記相殺が行なわれなくなる。即ち、上記赤外線検
出イ木(1)へ入射する赤外線量が波長士−己、4゜化
(減少)する。萌る変化が生じると表面電極(2)側に
負信号が生起しリード端子(1勇に検知信号が出力され
、よってCH4、Co、NO又はNO2ガスの漏れか検
出される。
しかし乍ら、上記構造では、ガス漏れ発生時、即ち所る
ガスにより所定波長の赤外線が吸収されて上記赤外線検
出体(1)の入射赤外線鼠が変化した時点でしか上記リ
ード端子(+31に検知信号が出力されず、従ってガス
セン丈周辺にガスか充満した後の状態では最早入射赤外
量には変化が生じないから、この場合はガス漏れが発生
しでいるKも拘わらずガス漏れ検出がなされない。
ガスにより所定波長の赤外線が吸収されて上記赤外線検
出体(1)の入射赤外線鼠が変化した時点でしか上記リ
ード端子(+31に検知信号が出力されず、従ってガス
セン丈周辺にガスか充満した後の状態では最早入射赤外
量には変化が生じないから、この場合はガス漏れが発生
しでいるKも拘わらずガス漏れ検出がなされない。
又、ガス漏れ量が僅かずりしか増大しない場合、即ち漏
れガスによる赤外me−収量が僅かずつしか増大しない
場合、・ま、上記赤外線検出体j1)の入射赤外線胤の
変化が小さく、従って上記リード端子(+31に出力さ
れる検知信号が小さいからSN比が極めて悪い、J 本発明は所る点に鑑みてなされたもので、以下本発明実
DI5.倒ガスセンサを第3図に基づいて詳述する。尚
、第1図、第2比1と同一部分には同一符号を記してそ
の説明を省略する、。
れガスによる赤外me−収量が僅かずつしか増大しない
場合、・ま、上記赤外線検出体j1)の入射赤外線胤の
変化が小さく、従って上記リード端子(+31に出力さ
れる検知信号が小さいからSN比が極めて悪い、J 本発明は所る点に鑑みてなされたもので、以下本発明実
DI5.倒ガスセンサを第3図に基づいて詳述する。尚
、第1図、第2比1と同一部分には同一符号を記してそ
の説明を省略する、。
(23)、(支))・・・はアルミニクt1、金、銀な
どの赤外線非透過材料からなり、上記狭帯域赤外線フィ
ルタ(+9)の下面にて紙面に垂直方向に延設された線
状の第1赤外線非透過体で、該非透過体の幅W)J:
1 rsm −2ttm 、厚さDHo、1−1 On
pmどな−、ている。更に上記第1赤外線非透過悼1゛
ハ)、(ロ)・・・は互いに所定寸法【を有して離間し
ており、その寸法tに上記帽Wの寸法と同一である。(
241fd上上載収納体ε)内において間隔d (=
0.1 p m −1cm )を有して上記狭帯域赤外
#、フィルタ(I帽で近接対向する赤外線透過体で、該
透過体け−に記赤外w9.フィルタO@と同様(て波長
2〜207mの赤外線を透過するシリコン又はゲルマニ
ウムからなっている。(社)、妨・・・行上記赤外線透
過体!24)の」二面にて上記@1赤外線非透温休瞥、
(n)・・・と向一方向(紙面に垂面な方向)に延設さ
れた線状の第2赤外線非透刺体で、該非透過体は十記第
1赤外線非透過体(イ))、噛)・・・と同様にアルミ
ニウム、金、銀などの赤外線非透過材料からなり、第2
赤外線非透過体し5)、(頌・・・の幅Wは17m〜2
W+1厚さdけ0.11−1O0zとなっている。更に
、上記第2赤外線非透過体体)、幼・・・け互いに所定
寸法t′を有して離間しており、その寸法t′は上記幅
Wの寸法と同一である。
どの赤外線非透過材料からなり、上記狭帯域赤外線フィ
ルタ(+9)の下面にて紙面に垂直方向に延設された線
状の第1赤外線非透過体で、該非透過体の幅W)J:
1 rsm −2ttm 、厚さDHo、1−1 On
pmどな−、ている。更に上記第1赤外線非透過悼1゛
ハ)、(ロ)・・・は互いに所定寸法【を有して離間し
ており、その寸法tに上記帽Wの寸法と同一である。(
241fd上上載収納体ε)内において間隔d (=
0.1 p m −1cm )を有して上記狭帯域赤外
#、フィルタ(I帽で近接対向する赤外線透過体で、該
透過体け−に記赤外w9.フィルタO@と同様(て波長
2〜207mの赤外線を透過するシリコン又はゲルマニ
ウムからなっている。(社)、妨・・・行上記赤外線透
過体!24)の」二面にて上記@1赤外線非透温休瞥、
(n)・・・と向一方向(紙面に垂面な方向)に延設さ
れた線状の第2赤外線非透刺体で、該非透過体は十記第
1赤外線非透過体(イ))、噛)・・・と同様にアルミ
ニウム、金、銀などの赤外線非透過材料からなり、第2
赤外線非透過体し5)、(頌・・・の幅Wは17m〜2
W+1厚さdけ0.11−1O0zとなっている。更に
、上記第2赤外線非透過体体)、幼・・・け互いに所定
寸法t′を有して離間しており、その寸法t′は上記幅
Wの寸法と同一である。
し6)は2枚の圧電板を張り合わせて形成された振動体
、即ちバイモルフで、該バイモルフは下端にて上記ヘッ
ダ(lO)に設けられた絶縁台−に固定され、上端には
上記赤外線透過体124)が取着されている。
、即ちバイモルフで、該バイモルフは下端にて上記ヘッ
ダ(lO)に設けられた絶縁台−に固定され、上端には
上記赤外線透過体124)が取着されている。
上記バイモルフ□□□の形状は直方体であり、その高さ
hは1−3m、厚みmけ50zm−5sim、幅(紙面
に垂直方向の寸法) #′i0.5〜15mである。
hは1−3m、厚みmけ50zm−5sim、幅(紙面
に垂直方向の寸法) #′i0.5〜15mである。
そして、上記バイモルフ(ハ)は水晶、ロッシェル塩、
酒石酸エチレン、ジアミン、酒石酸カリ、第一リン酸カ
リ、第一リン酸アンモン、5#1酸リチクム、チタン酸
バリクム、硫酸グリシンなどの単結晶や、チタン酸パリ
クム系磁器、ジルコン酸・チタン酸鉛系磁器、ニオブ酸
系磁器などの磁器材料からなっている。(ハ)及び(2
9)は夫々史に上記ヘッダ(10)に絶縁材を介して植
設されたリード端子で、該リード端子は大々上記バイモ
ルフ(イ)の両面に形成された電極例、叫)に結線され
ている。
酒石酸エチレン、ジアミン、酒石酸カリ、第一リン酸カ
リ、第一リン酸アンモン、5#1酸リチクム、チタン酸
バリクム、硫酸グリシンなどの単結晶や、チタン酸パリ
クム系磁器、ジルコン酸・チタン酸鉛系磁器、ニオブ酸
系磁器などの磁器材料からなっている。(ハ)及び(2
9)は夫々史に上記ヘッダ(10)に絶縁材を介して植
設されたリード端子で、該リード端子は大々上記バイモ
ルフ(イ)の両面に形成された電極例、叫)に結線され
ている。
而して、w1゛る電極−1@1)間にリード端子(2眠
四を介して所定振幅の交流信号を印加すると、上記バイ
モルフ(2(2)は交流信号の周波数に応じて拉んで赤
外線透過体例を矢印へ方向に周期的に振動せしめ、これ
により上記第2赤外線非透過体し眠(2))・・・は上
記第1赤外線非透過体(23)、(イ))・・・又は上
記狭帯域赤外線フィルタ(19)において第1赤外線非
透過休tt<+、(O)・・・が存在しない部分(1部
分)に周期的に移動して鹸なる。、 そして、まずCH4、C01NO又はNO2ガスの漏れ
が発生していないとする。この状態で上記第2赤外線非
透過休しくへ)、動)・・・が狭帯域赤外線フィルタ(
19)の1部分に叡なった場合、ガスセンサ外線)透過
が阻止される。
四を介して所定振幅の交流信号を印加すると、上記バイ
モルフ(2(2)は交流信号の周波数に応じて拉んで赤
外線透過体例を矢印へ方向に周期的に振動せしめ、これ
により上記第2赤外線非透過体し眠(2))・・・は上
記第1赤外線非透過体(23)、(イ))・・・又は上
記狭帯域赤外線フィルタ(19)において第1赤外線非
透過休tt<+、(O)・・・が存在しない部分(1部
分)に周期的に移動して鹸なる。、 そして、まずCH4、C01NO又はNO2ガスの漏れ
が発生していないとする。この状態で上記第2赤外線非
透過休しくへ)、動)・・・が狭帯域赤外線フィルタ(
19)の1部分に叡なった場合、ガスセンサ外線)透過
が阻止される。
一方、上記第2赤外線非透過体伝戦□□□・・・が上記
9モ1赤外線非透過体(23)、(イ))・・・に重な
った場合、上記狭帯域赤外線フィルタ(I匈の1部分の
領域においては第1図のガスセンサと同様にガスセンサ
外部と内部の赤外線検出体(1)側との間で透過する赤
外線が互いに相殺される。この状態は上記赤外線透過が
阻止された場合と実質的に同じである。又、上記@1、
第2赤外線非透過体(財)、(ロ)・・・及び陵、(2
均・・・の領域においては同様にガスセンサ外部と内部
の赤外線検出体fll側との間での赤外線透過が阻止さ
れる。
9モ1赤外線非透過体(23)、(イ))・・・に重な
った場合、上記狭帯域赤外線フィルタ(I匈の1部分の
領域においては第1図のガスセンサと同様にガスセンサ
外部と内部の赤外線検出体(1)側との間で透過する赤
外線が互いに相殺される。この状態は上記赤外線透過が
阻止された場合と実質的に同じである。又、上記@1、
第2赤外線非透過体(財)、(ロ)・・・及び陵、(2
均・・・の領域においては同様にガスセンサ外部と内部
の赤外線検出体fll側との間での赤外線透過が阻止さ
れる。
従って、ガス漏れが発生1−ていない時は、−上記第2
赤外線非透過休シ敷(25)・・・の移動に拘わらず上
記赤外線検出体fl)へ入射する赤外線量は変化せず一
定である。
赤外線非透過休シ敷(25)・・・の移動に拘わらず上
記赤外線検出体fl)へ入射する赤外線量は変化せず一
定である。
而して、CH4、C01NO又はNO2ガスの3又t′
i6.2 p mの赤外線が殆ど吸収されるから、上記
第2赤外線非透過体(社)、(2)・・・が上記第1赤
外線非透過休t、’3)、t231・・・に重なっノも
場合における上記相殺状態が崩れる。即ち、上記赤外線
検出体(1)の入射赤外線量が変化(減少)する。尚、
−1−、記第1赤外WA昇透過体(%L @d、・・・
が狭帯域赤外ηQ 7 、tルタ(19)の1部分に重
なった場合CL1赤外線検出体illの入射赤外線量は
ガス漏れ非発生時と同じでf)る。
i6.2 p mの赤外線が殆ど吸収されるから、上記
第2赤外線非透過体(社)、(2)・・・が上記第1赤
外線非透過休t、’3)、t231・・・に重なっノも
場合における上記相殺状態が崩れる。即ち、上記赤外線
検出体(1)の入射赤外線量が変化(減少)する。尚、
−1−、記第1赤外WA昇透過体(%L @d、・・・
が狭帯域赤外ηQ 7 、tルタ(19)の1部分に重
なった場合CL1赤外線検出体illの入射赤外線量は
ガス漏れ非発生時と同じでf)る。
従って、上記ガス漏れ発生中f/j J?いて〇よ、」
二記赤外線検出体t1)の入射赤外線ゼ:は第2赤外線
非透過田t)6:、125゛・・・の周期的移動に伴っ
て周J9:l (fjJに変化するから、ガスaI+検
出は継続的になさねる。しかも、入射赤外線rt&′i
勺酸に大1!<変化するから、リード1巷子(1萄((
出力さノ]5る検知信号は充分子大き(S N Jtは
極めて良い。
二記赤外線検出体t1)の入射赤外線ゼ:は第2赤外線
非透過田t)6:、125゛・・・の周期的移動に伴っ
て周J9:l (fjJに変化するから、ガスaI+検
出は継続的になさねる。しかも、入射赤外線rt&′i
勺酸に大1!<変化するから、リード1巷子(1萄((
出力さノ]5る検知信号は充分子大き(S N Jtは
極めて良い。
かくして、水弁5Li:IがスセンサVζJ:れLr1
特定ガスを高情Jf、高信頼性の下(τ検出できる。
特定ガスを高情Jf、高信頼性の下(τ検出できる。
第1図は既に捉¥されたガスセンサの断rli tU、
第2図りま同回路図、第3図14’本発明′東施例ガス
センサの断面図である。、 (1)・・・赤外線検出体、(8)・・・収納体、Q@
・・・狭帯域赤外線フィルタ、 匈)、□□□・・・第1赤外線非透過体、(ロ)、妬・
・・・第2赤外線非透過体、暗・・・バイモルフ。 出願人 三洋電機株式会社9、〈畳丁7)1、代理人
弁理士 佐野静笑 4ソ (「 α〕 区 区 210− 区 ) 0) 0 琺
第2図りま同回路図、第3図14’本発明′東施例ガス
センサの断面図である。、 (1)・・・赤外線検出体、(8)・・・収納体、Q@
・・・狭帯域赤外線フィルタ、 匈)、□□□・・・第1赤外線非透過体、(ロ)、妬・
・・・第2赤外線非透過体、暗・・・バイモルフ。 出願人 三洋電機株式会社9、〈畳丁7)1、代理人
弁理士 佐野静笑 4ソ (「 α〕 区 区 210− 区 ) 0) 0 琺
Claims (1)
- +11 収納体内に設けられ入射赤外線変化量に応じ
て電荷を発生する焦電型赤外線検出体、上記収納体外か
ら上記赤外線検出体へ入射する赤外線の通過域に設けら
れ被検出ガスの吸収赤外線だけを実質的に透過する狭帯
域赤外線フィルタ、該フィルタを透過する赤外線を断続
するための断続手段を備えたことを特徴とするガスセン
サ。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56172214A JPS5872037A (ja) | 1981-10-27 | 1981-10-27 | ガスセンサ |
US06/407,582 US4485305A (en) | 1981-08-20 | 1982-08-12 | Infrared detector with vibrating chopper |
GB08223932A GB2105033B (en) | 1981-08-20 | 1982-08-19 | Infrared ray detector |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56172214A JPS5872037A (ja) | 1981-10-27 | 1981-10-27 | ガスセンサ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5872037A true JPS5872037A (ja) | 1983-04-28 |
Family
ID=15937704
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP56172214A Pending JPS5872037A (ja) | 1981-08-20 | 1981-10-27 | ガスセンサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5872037A (ja) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4952696A (ja) * | 1972-09-19 | 1974-05-22 | ||
JPS5558438A (en) * | 1978-10-25 | 1980-05-01 | Horiba Ltd | Device for measuring concentration by infrared ray |
-
1981
- 1981-10-27 JP JP56172214A patent/JPS5872037A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4952696A (ja) * | 1972-09-19 | 1974-05-22 | ||
JPS5558438A (en) * | 1978-10-25 | 1980-05-01 | Horiba Ltd | Device for measuring concentration by infrared ray |
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