TW201337222A - 紅外線感測器 - Google Patents

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Abstract

本發明之紅外線感測器，包含：偵測體、電路區塊、殼體、以及光學濾鏡；偵測體由至少1個熱釋電元件所構成，並具備第1及第2偵測部，此第1及第2偵測部構成為分別產生第1及第2訊號；電路區塊具備第1及第2放大部，此第1及第2放大部構成為分別將第1及第2訊號加以放大；殼體具有窗孔，收納偵測體及電路區塊；光學濾鏡設於窗孔，構成為使紅外線透射。光學濾鏡，在對應於第1及第2偵測部之位置，分別具有第1及第2透射區域。光學濾鏡，構成為第1透射區域之紅外線透射特性與第2透射區域之紅外線透射特性不同。

Description

紅外線感測器
本發明係有關於紅外線感測器，其具備熱釋電元件(pyroelectric element)，係用以檢測紅外線量之變化而構成。
作為例如以偵測人體等的目的而感測紅外線量之變化的元件，以往一般係使用熱釋電元件。採用了熱釋電元件的紅外線感測器，除了可作為防盜用的入侵偵測器以外，還用於照明等負載之自動控制之用。
例如，日本專利第3211074號(以下稱為「文獻1」)，揭示了一種紅外線感測器，其係於金屬製之基座部(底座部)罩上金屬製之罩體部(帽蓋套)而構成的金屬製殼體(外殼)內部，收納了熱釋電元件及訊號處理電路之結構的紅外線感測器。於該感測器，罩體部之頂面設有透射紅外線之光學濾鏡(紅外線濾鏡)，穿過光學濾鏡之紅外線會入射至熱釋電元件的偵測部。
再者，文獻1所記載的紅外線感測器，係以訊號處理電路，加上帶通放大器(band pass amplifier)及窗型比較器(window comparator)之組合而構成。藉此，紅外線感測器將熱釋電元件之輸出轉換成電壓後，以帶通放大器擷取指定頻率之訊號，再從預先設定有臨限值之窗型比較器輸出H、L位準的訊號。
日本新型第3133907號(以下稱為「文獻2」)，揭示了一種紅外線感測器，其結構係將複數之熱釋電元件(熱釋電型紅外線感測元件)與訊號處理電路(感測電路)置放於同一殼體(外殼)內。此紅外線感測器，於複數之熱釋電元件的電極分別連接有各自獨立之訊號處理電路，而各熱釋電元件分別輸出獨立之訊號。藉此，紅外線感測器成為可具有分離獨立之紅外線感測區域及感測角度的結構。
話說若紅外線感測器可同時感測不同波長區的紅外線，並將各感測結果獨立輸出，則或許可以使用該輸出，而發展出例如感測對象之類別辨識、或雜訊之去除等。亦即，若可知各波長區之紅外線變動量的分佈，則可能可由此分佈辨識感測對象之類別；又，所進行之感測，可能可以由不同波長區之紅外線變動量的差分，從入體等感測對象去除環境溫度等雜訊成份。
然而，由於文獻1之結構，從1個熱釋電元件只能得到1個輸出，因此無法同時感測不同波長區之紅外線並獨立輸出各感測結果。又，即便是文獻2之結構，由於僅僅係藉由採用複數之熱釋電元件及複數之訊號處理電路而在空間上使紅外線之感測區域隨著各熱釋電元件而分離，所以無法同時感測不同波長區之紅外線並獨立輸出各感測結果。
本發明係有鑑於上述事由所研發者，其目的在於，提供一種紅外線感測器，該紅外線感測器可同時感測不同波長區之紅外線，並獨立輸出各感測結果。
本發明之紅外線感測器，包含：偵測體(3)、電路區塊(5)、殼體(2)、以及光學濾鏡(7)。偵測體(3)由至少1個熱釋電元件(300)所構成，並具備第1及第2偵測部(31及32)，此第1及第2偵測部(31及32)構成為分別產生第1及第2訊號。電路區塊(5)具備第1及第2放大部，此第1及第2放大部 構成為分別將該第1及第2訊號加以放大。殼體(2)具有窗孔(222)，收納該偵測體(3)及該電路區塊(5)。光學濾鏡(7)設於窗孔(222)，構成為使紅外線透射。該光學濾鏡(7)，在對應於第1及第2偵測部(31及32)之位置，分別具有第1及第2透射區域(71及72)。又，該光學濾鏡(7)，構成為該第1透射區域(71)之紅外線透射特性與該第2透射區域(72)之紅外線透射特性不同。
於一實施形態，該電路區塊(5)具有訊號處理電路，該訊號處理電路構成為處理來自該偵測體(3)之訊號。該殼體(2)具有基座部以及罩體部；該基座部(21)插通有端子插銷(6)，該端子插銷(6)電性連接於該電路區塊(5)；該罩體部與該基座部(21)一同構成金屬製之殼體。該窗孔(222)，係一開口，設於該罩體部(22)之局部。該偵測體(3)於該殼體(2)內，在與該光學濾鏡(7)對向之位置，由該電路區塊(5)支撐。該第1及第2偵測部(31及32)，沿著該光學濾鏡(7)之面內，配置於不同位置。
於一實施形態，該第1透射區域(71)之面積，與該第2透射區域(72)之面積不同。
於一實施形態，紅外線感測器更具有隔間件(8)，其於該殼體(2)內配置於該偵測體(3)與該光學濾鏡(7)之間的空間，在該第1偵測部(31)與該第2偵測部(32)之間，區隔該空間。
於一實施形態，該隔間件(8)所具備之表面，形成有一反射面，該反射面將紅外線加以反射。
於一實施形態，該偵測體(3)，由第1及第2熱釋電元件(300a及300b)所組成，該第1及第2熱釋電元件(300a及300b)分別構成該第1及第2偵測部(31及32)。
於一實施形態，該熱釋電元件(300)係矩形板狀，並以至少4個固定點(302)而固定於該電路區塊(5)。該至少4個固定點(302)，分別位於該熱釋電元件(300)之面中相向之一對的邊上。
於一實施形態，該電路區塊(5)具有一基板(51)，該基板(51)具備第1面及第2面，該第1面面向該窗孔(222)，該第2面面向該基座部(21)。該偵測體(3)安裝於該基板(51)的第1面；構成該訊號處理電路(41，42)的電子零件，安裝於該基板(51)的第2面。
於一實施形態，該偵測體(3)係由該熱釋電元件(300)與第1及第2電極部(302a及302b)所構成，該第1及第2電極部(302a及302b)，分別連接該熱釋電元件(300)的兩端。該熱釋電元件(300)與該第1電極部(302a)構成該第1偵測部(31)，而該熱釋電元件(300)與該第2電極部(302b)構成該第2偵測部(32)。
於一實施形態，該偵測體(3)係由平行設置之第1及第2熱釋電元件(300a及300b)與第1及第2電極部(302a及302b)所構成，該第1及第2電極部(302a及302b)，分別連接該第1及第2熱釋電元件(300a及300b)。該第1熱釋電元件(300a)與該第1電極部(302a)構成該第1偵測部(31)，而該第2熱釋電元件(300b)與該第2電極部(302b)構成該第2偵測部(32)。
本發明之優點在於，可同時感測不同波長區之紅外線，並獨立輸出各感測結果。
以下將更詳細地敘述本發明的較佳實施形態。參考以下之詳細敘述及所附圖式，可更加理解本發明之其他特徵及優點。
1‧‧‧紅外線感測器
2‧‧‧殼體
21‧‧‧基座部(stem)
22‧‧‧罩體部
210‧‧‧正面部
211‧‧‧凸緣部
212‧‧‧貫穿孔
213‧‧‧凸部
221‧‧‧平底座
222‧‧‧窗孔
3‧‧‧偵測體
30‧‧‧偵測部
31‧‧‧第1偵測部
32‧‧‧第2偵測部
300‧‧‧熱釋電元件
300a、300b‧‧‧第1及第2熱釋電元件
301‧‧‧元件
302‧‧‧電極
301a(301)‧‧‧第1及第2元件
301b(301)‧‧‧第1及第2元件
302a(302)‧‧‧電極
302b(302)‧‧‧電極
303‧‧‧狹縫
40‧‧‧IC
41‧‧‧第1IC
42‧‧‧第2IC
5‧‧‧電路區塊
51‧‧‧基板
511‧‧‧凹部
52‧‧‧構件連接墊
53‧‧‧穿孔配線
54IC‧‧‧接合墊
55‧‧‧金屬細線(接合線)
56‧‧‧端子接合墊
57‧‧‧密封框
58‧‧‧密封材料
59‧‧‧屏蔽板
591‧‧‧透孔
592‧‧‧基準圖案
6‧‧‧端子插銷
7‧‧‧光學濾鏡
71‧‧‧第1透射區域
72‧‧‧第2透射區域
8‧‧‧隔間件
第1A圖係本發明第1實施形態之紅外線感測器的外觀立體圖，第1B圖係拆除罩體部之狀態之紅外線感測器的立體圖。
第2A及2B圖分別係由正面方向及背面方向觀察該紅外線感測器中的電路區塊之情形的立體圖。
第3A~3C圖係該電路區塊之組裝步驟的說明圖。
第4圖係顯示該電路區塊之內部的立體圖。
第5圖係顯示第1實施形態之紅外線感測器之電路區塊內部之一例的立體圖。
第6圖係顯示：將第1實施形態之紅外線感測器之一例的罩體部加以拆除之狀態的立體圖。
第7圖係第1實施形態之紅外線感測器之光學濾鏡的剖面圖。
第8A~8C圖係顯示本發明第2實施形態之紅外線感測器之主要部位的立體圖。
第9A及9B圖分別係顯示本發明第3實施形態之紅外線感測器之主要部位的立體圖及側視圖。
(實施形態1)
如第1圖所示，本實施形態之紅外線感測器1，係於金屬製之殼體2內，收納偵測體3及電路區塊5而構成；該偵測體3係由屬於紅外線感測元件之熱釋電元件300所構成；該電路區塊5裝載有包含訊號處理電路之IC(積體電路)。又，裝載於電路區塊5的IC包含第1IC41以及第2IC42(請參考第2B圖)，但下文中，於不需特別區分第1IC41與42時，僅稱為「IC40」。
殼體2係基座部(stem)21及罩體部22所構成，該基座部21係金屬製且形成為圓盤狀，該罩體部22係金屬製且形成為圓筒狀，該圓筒狀具備設定出正面(於第1A圖中為頂面)的平底座221。罩體部22之背面(於第1圖中為底面)係開放，藉由從前方蓋住基座部21之組合方式來與基座部21接合，而形成殼體2。第1A圖顯示紅外線感測器1之外觀，第1B圖顯示拆掉罩體部22之狀態(以二點鏈線繪示罩體部22)之紅外線感測器1。
基座部21為平圓盤形狀，其正面部210之外周較背面部之外周更為後退，於背面部形成凸緣部211。藉由使罩體部22之開口邊緣接合至基座部21的凸緣部211正面(於第1B圖為頂面)，而使基座部21與罩體部22接合。於基座部21，插入有複數支(於本實施形態為4支)與電路區塊5電性連接的端子插銷6，使殼體2之外部與殼體2內之電路區塊5可以電性連接。
具體而言，基座部21於正面部210之內側形成有複數個(於本實施形態為4個)貫穿孔212，各貫穿孔212都插入有端子插銷6。在此，基座部21中，貫穿孔212之直徑形成得比端子插銷6之直徑大，藉由以填料填滿貫穿孔212之內周面與端子插銷6之間的間隙，以固定端子插銷6。又，對於插入了接地連接用之端子插銷6的貫穿孔212，採用導電性的填料，使殼體2成為接地電位；而對其他貫穿孔212則採用絶緣性的填料，以確保殼體2與端子插銷6間的絶緣性。於凸緣部211之外周面的局部，形成有定位用的凸部213。
於罩體部22的之平底座221的中央部，形成有四角狀(在此係正方形狀)的開口，以作為將紅外線導入至殼體2內的窗孔222。於此窗孔222，以塞在窗孔222的方式，設置使紅外線透射之光學濾鏡7。殼體2內之窗孔222的後方(正下方)配置有偵測體3，藉此，紅外線就由殼體2的外側，透射光學濾鏡7，而入射至偵測體3；此點會於後文再行詳述。
光學濾鏡7，係於單晶矽所構成之載體表面，將多種金屬材料等蒸鍍好幾層而形成。光學濾鏡7係為較窗孔222大一圈的四角(矩形)板狀，其外周部之正面(頂面)係向下挖了一層，以形成為較其他部位薄；其外周部以導電性黏接劑等，黏接於平底座221之背面(底面)的窗孔222周圍。藉此，光學濾鏡7亦具備防禦外界之電磁雜訊的防護罩之功能。為了更進一步提昇可靠性，亦可將罩體部22之內側或外側，以氨基甲酸乙酯樹脂或環氧樹脂等加以被覆。
再者，於本實施形態，為了使紅外線感測器1低剖面化(low-profile)，故罩體部22之深度尺寸(前後方向之尺寸)設定得比外徑小。
偵測體3，係由熱釋電元件300所構成；該熱釋電元件300係由組酸鋰或鋯鈦酸鉛(PZT)等材料所形成，並具有自發極性。於本實施形態，熱釋電元件300形成為正方形之板狀。此偵測體3，利用表面電荷隨著入射至熱釋電元件300之正面的紅外線所造成的溫度變化而變化的現象(熱釋電效應)，而得以感測紅外線之變化量。偵測體3係在殼體2內與光學濾鏡7對向之位置，由電路區塊5所支撐，以配置於窗孔222之後方(正下方)。
於本實施形態，偵測體3係如第1B圖所示，於面對光學濾鏡7之面內，具有配置於不同位置的複數偵測部，例如第1偵測部31及第2偵測部32。如此這般面對光學濾鏡7而排列配置之第1偵測部31與第2偵測部32，各自個別接收紅外線且各自產生第1訊號及第2訊號。第1偵測部31與第2偵測部32係由1個熱釋電元件300所構成，以熱釋電元件300之中心為對稱點而構成為點對稱。下文中，於不需特別區分第1偵測部31及第2偵測部32時，僅稱作「偵測部30」。
第1偵測部31(30)係藉由分別於熱釋電元件300之正反面(第1及第2面)，形成與熱釋電元件300之材料大致相同之材料所製成之厚度5~50μm左右的矩形板狀之第1及第2元件301a(301)(於第1圖，僅繪示正面之元件)而構成。同樣地，第2偵測部32，係藉由分別於熱釋電元件300之正反面(第1及第2面)，形成與熱釋電元件300之材料大致相同之材料所製成之厚度5~50μm左右的矩形板狀之第1及第2元件301b(301)而構成。再者，並不需要以其他材料支撐元件301的結構。又，各偵測部30間係隔著例如10μm以上之間隔而排列。
於熱釋電元件300之正面，形成有連接著第1及第2元件301a的第1電極部，以及連接著第1及第2元件301b之第2電極部。第1電極部包含2個電極302a(302)，第2電極部包含2個電極302b(302)。如此這般，第1偵測部 31係由熱釋電元件300以及第1電極部所構成，第2偵測部32係由熱釋電元件300及第2電極部所構成。更詳而言之，第1電極部包含：連接於第1偵測部31正面側之第1元件301a的電極302a、以及連接於背面側之第2元件的電極302a，而排列於熱釋電元件300正面的第1邊上。又，第2電極部包含：連接於第2偵測部32正面側的第1元件301b之電極302b、以及連接於背面側之第2元件的電極302b，而排列於熱釋電元件300正面的第2邊上。第1邊與第2邊係於熱釋電元件300的外周緣上，在第1偵測部31及第2偵測部32排列之方向上對向之一對的邊。換言之，第1及第2電極部係分別連接於熱釋電元件300的兩端。
更進一步地，偵測體3為了使各偵測部30所感測到的溫度變化不會朝外部流失，且為了使各偵測部30之熱容變小以提昇感測靈敏度，而在各偵測部30之外周緣的局部，形成有狹縫303。於第1圖的例子中，狹縫303係在各偵測部30之外周緣中，沿著在第1偵測部31及第2偵測部32排列之方向上對向之一對的邊而形成。藉由設置如此之狹縫303，還可以在偵測體3裝載於電路區塊5的狀態下，抑制來自電路區塊5的熱應力對偵測部30所造成的影響。狹縫303之寬度尺寸係例如至少10μm(10μm以上)。再者，狹縫303，亦可係在各偵測部30之外周緣中，除了必須設置元件301-電極302間之配線之部位以外，設置於整個外周緣。
另一方面，電路區塊5具備形成為圓盤狀之絶緣性的基板51。基板51具有：面對罩體部22之窗孔222的第1面、以及面對基座部21之第2面。電路區塊5，藉由將偵測體(熱釋電元件300)3安裝於基板51之正面(第1面)以支撐偵測體3。基板51如第2A圖所示，於正面(頂面)形成有複數個(在此為4個)構件接合墊52，藉由將電極302以導電性黏接劑固定於此等構件接合墊52，以安裝偵測體3。包含構件接合墊52之導體圖案，係以金屬板或鍍覆等而形成。在此，導體圖案包含以厚度方向貫穿基板51的穿孔配線53(請參考第4圖)，構件接合墊52透射穿孔配線53而與設在基板51背面的IC接合墊54(請參考第2B圖)連接。
電路區塊5係採用玻璃纖維及環氧樹脂等有機材料、或陶瓷之類的無機材料以作為絕緣體；基板51亦係由此等材料(在此係玻璃環氧樹脂)所形成。就導體圖案而言，主要係使用銅，並配合連接方法而以銀或金來施加表面處理。再者，對於基板51的絶緣性基材，並不限定於上述這般形成導體圖案的結構，亦可係以成形樹脂等來承載形成為指定形狀之金屬板(例如銅板)的結構。
又，於本實施形態，在基板51之第1面中，在相當於偵測部30之後面正下方之部位，如第2A圖所示，在與熱釋電元件300之間形成有凹部511，以確保隔熱用的空隙。凹部511較熱釋電元件300小了一圈，形成於基板51正面的構件接合墊52之間的位置，熱釋電元件300係橫跨凹部511之兩側而配置。凹部511的深度，係設定為例如至少0.1mm(0.1mm以上)。藉由形成如此之凹部511，偵測部30就不會直接接觸電路區塊5的表面，因此得以在熱釋電元件300與電路區塊5之間加以隔熱，偵測體3的靈敏度就會提高。然而熱釋電元件300在凹部511之兩側的架設，要避免因為用以確保靈敏度的凹部511而使得熱釋電元件300相對於罩體部22的平底座221或電路區塊5之表面的法線傾斜。
如第2B圖所示，IC40配置於基板51的背面側，其部份端子係以金、鋁或銅所構成之金屬細線(接合線)55，使用超音波、或是熱能與超音波並用之打線接合技術，而連接至IC接合墊54。更進一步地，於基板51之背面，除了有IC接合墊54以外，還形成有用以連接IC40之導電焊墊，IC40的其他端子就以金屬細線55而連接於導電焊墊。又，於基板51之背面，形成有對應端子插銷6之數量的複數(在此為4個)之端子接合墊56，用以連接端子插銷6。4個端子接合墊56，於基板51之背面外周部，沿著基板51之背面的外周緣而等間隔配置。
在此，第1IC41(40)及第2IC42(40)分別包含第1及第2訊號處理電路，此構成係用以處理來自偵測體3的第1偵測部31及第2偵測部32的第1及第2訊號。第1及第2訊號處理電路分別具備：連接於第1偵測部31之第1 放大部、以及連接於第2偵測部32的第2放大部。第1放大部及第2放大部份別將來自第1偵測部31及第2偵測部32的第1及第2訊號個別處理(放大)並輸出。
於本實施形態，第1放大部係由第1IC41所構成，第2放大部係由第2IC42所構成。亦即，第1IC41連接於第1偵測部31，並將來自第1偵測部31之第1訊號加以放大而輸出，第2IC42連接於第2偵測部32，並將來自第2偵測部32之第2訊號加以放大而輸出。然而，第1放大部與第2放大部並不一定要由不同的IC41、42所構成，亦可於1個IC包含複數的放大部(第1放大部及第2放大部)。於本實施形態，各IC40包含帶通放大器及窗型比較器，以帶通放大器擷取指定頻率的訊號，而由預先設定好臨限值的窗型比較器輸出H、L位準的訊號。
在此，於本實施形態的紅外線感測器1，如第1A及1B圖所示，光學濾鏡7區分為第1透射區域71與第2透射區域72，該第1透射區域71係配置於對應第1偵測部31之位置，第2透射區域72配置於對應第2偵測部32之位置。第1透射區域71的紅外線透射特性，與第2透射區域72的紅外線透射特性不同。作為其中一例，第1透射區域71只讓第1波長(波長4μm)以上的遠紅外線透射；相對於此，第2透射區域72則只讓第2波長(波長2μm)以下的近紅外線透射；在此，第1波長比第2波長來得長。
亦即，設於罩體部22之窗孔222的光學濾鏡7，於第1偵測部31與第2偵測部32排列的方向，分割成複數之透射區域，亦即第1透射區域71與第2透射區域72。在第1A圖之例中，光學濾鏡7在第1偵測部31與第2偵測部32排列的方向上分成2等分，與第1偵測部31對向的部份成為第1透射區域71，與第2偵測部32對向的部份成為第2透射區域72。
換言之，第1偵測部31位於：相對於偵測體3正面之第1透射區域71的垂直投影面內，第2偵測部32位於：相對於偵測體3正面之第2透射區域72的垂直投影面內。因此，當有紅外線入射過窗孔222時，入射到第1偵測部31的 是透射了第1透射區域71之紅外線，入射到第2偵測部32的是透射了第2透射區域72之紅外線。在此，由於第1透射區域71的紅外線透射特性與第2透射區域72的紅外線透射特性不同，所以會有波長區彼此不同的紅外線同時入射到第1偵測部31與第2偵測部32。
由於第1偵測部31之輸出與第2偵測部32之輸出，如上所述，係由第1IC(第1放大部)41與第2IC(第2放大部)42彼此獨立地個別處理，所以第1偵測部31之輸出與第2偵測部32之輸出不會混雜。因此，於紅外線感測器1，由於係將對應於同時入射到第1偵測部31及第2偵測部32之不同波長區的紅外線的感測結果分別輸出，就結果而言，可以同時感測不同波長區的紅外線，而將各感測結果獨立輸出。
在此，光學濾鏡7之不同透射特性之透射區域(第1透射區域71及第2透射區域72)，係以在1片單晶矽支持體上，例如使用金屬遮罩之蒸鍍等方法而形成。然而，並不限於此種結構，亦可藉由將透射特性不同之複數片(2片)光學濾鏡加以個別片(individual sheet)化，並將該等複數片之光學濾鏡加以排列並黏貼於支持體，而以各光學濾鏡來構成第1透射區域71及第2透射區域72。
在此，紅外線的透射特性，並不限定波長區，例如亦可為偏光方向。在此情形，第1透射區域71與第2透射區域72係由偏光方向彼此不同之偏光濾鏡所構成，而就會有偏光方向彼此不同的紅外線同時入射至第1偵測部31與第2偵測部32。在此情形，第1透射區域71之紅外線的透射波長(例如4μm以上)，亦可與第2透射區域72的透射波長相同。
接著，參考第3圖，簡單說明上述之紅外線感測器1的組裝步驟。又，第3A~3C圖，係繪示由IC40之裝載面(以下稱為背面)側觀察電路區塊5之狀態。
如第3A圖所示，進行組裝之操作者，將各個IC40以環氧樹脂等裝載固定於形成有導體圖案之基板51的背面，再將各個IC40以金屬細線55導通連接於基板51上的導體圖案。導體圖案與IC40之端子的連接，係使用鋁、金或銅等等金屬細線55，而以加熱及超音波之併用、或是單用超音波等方法來進行，以使金屬細線55的線頭與導體圖案表面固相擴散。
之後如第3B圖所示，操作者將合成樹脂性的密封框57裝載黏接於基板51的背面。密封框57形成較基板51之背面外周稍小的約略圓環狀，而從基板51背面突出的高度尺寸至少形成為大於IC40或金屬細線55。再者，密封框57對應於4個端子接合墊56之部位，係往內側凹陷，以避開端子接合墊56。
然後，操作者如第3C圖所示，將液狀的環氧樹脂等密封材料58，填充至密封框57內側，並加熱硬化密封材料58，藉此以密封材料58將密封框57所包圍的IC40或金屬細線55加以密封。此時要留意，不使密封材料58擴及基板51之正面(偵測部3之裝載面)、以及端子接合墊56。
之後，操作者將基板51翻面，使偵測部3之裝載面朝上，將基板51裝載黏接至固持端子插銷6之基座部21的正面中央部份，以導電性黏接劑等，使相向之端子插銷6與端子接合墊56導通。然後，操作者將熱釋電元件300載置於基板51上，以導電性黏接劑將電極302固定至構件接合墊52，藉此將偵測體3固定並電性連接於電路區塊5。再者，與端子插銷6連接之端子接合墊56，亦可為如下形狀：形成有階差，故得以從藉此階差而與端子插銷6之間產生的縫隙塗佈導電性黏接劑。
然後，操作者以電阻焊接等方法而將罩體部22接合至基座部21，而將偵測體3及電路區塊5密封於金屬製的殼體2內。殼體2係所謂的管狀封裝(CAN package)，可以提高對於外來雜訊的屏障性，同時提昇氣密性而得以提昇耐候性。
又，熱釋電元件300所構成之偵測體3，其因紅外線入射所造成的表面電荷之變化非常微小，另一方面，構成訊號處理電路之IC40會在殼體2內將偵測體3之輸出放大成較大的訊號。因此，就連在屏蔽電磁波雜訊的殼體(管狀封裝)2內，也以設置使偵測體3與IC40不產生電容耦合之功能為佳。
在此，於本實施形態，為了預防IC40之輸出與偵測體3之間的電容耦合所造成之誤動作，而在電路區塊5設置如第4圖所示之具有接地電位的屏蔽板59。屏蔽板59係與基板51之背面平行的薄板狀導電體，並以位處於偵測體3與IC40之間的形式，埋設於基板51內；且在用以連接偵測體3與IC40之穿孔配線53所要貫穿的部位，穿通設置有透孔591。
再者，為了預防在偵測體3產生之電荷因為具有接地電位的屏蔽板59靠近穿孔配線53而外漏至接地的情形，如第5圖所示，亦可將訊號處理電路之具有基準電位的基準圖案592，設置於屏蔽板59的透孔591內。基準圖案592與屏蔽板59之透孔591的外緣有一段距離，而形成為有如圍繞著連接於各偵測部30之一對穿孔配線53中任一方之穿孔配線53般的弧狀，並連接於另一方之穿孔配線53。又，屏蔽板59及基準圖案592，並不限於有圖案形成在構成基板51之絶緣性基材上的結構，亦可係以導電黏接劑而將形成為指定形狀的金屬板(銅板)黏接於基材上的結構。
又，端子插銷6亦可貫穿基板51，而在基板51之偵測部3的裝載面側，構成為可與電路區塊5連接之結構。不過，於此情況下，較佳係在連接IC40之輸出的端子插銷6與偵測體3之間也配置屏蔽板59，以防止IC40之輸出與偵測體3之間產生電容耦合。
若依據以上說明之本實施形態的紅外線感測器1，由於光學濾鏡7之第1透射區域71的透射特性與第2透射區域72的透射特性不同，故第1偵測部31與第2偵測部32可以同時感測不同波長區的紅外線。再者，第1偵測部31之輸出與第2偵測部32之輸出，係以第1IC(第1放大部)41與第2IC(第2 放大部)42分別處理，因此可以同時感測不同波長區的紅外線，並獨立輸出各感測結果。
因此，藉由使用此紅外線感測器1之輸出，而得以進行例如感測對象之類別辨識、或是雜訊之去除等。亦即，若知道各波長區的紅外線變動量之分佈，就可以由此分佈辨識感測對象之類別；又，由不同波長區之紅外線變動量的差分，而可以由人體等感測對象去除環境溫度等雜訊成份以進行感測。具體而言，紅外線感測器1藉由設定複數種感測對象的波長區，而可以區分人與小動物等溫度不同的熱源以進行感測、還可以藉由與參考光的對比而提昇感測精度。
又，藉由使第1透射區域71與第2透射區域72之紅外線透射波長設為等值(例如4μm以上)、使在第1透射區域71與第2透射區域72的偏光方向不同，而可以從紅外線感測器1的輸出，判別熱源之移動方向(縱、橫)。再者，即使係以例如於表面形成有許多溝槽的濾鏡作為光學濾鏡7，藉由使第1透射區域71與第2透射區域72的溝槽方向不同，也同樣可以判別熱源之移動方向(縱、橫)。
又，於本實施形態，由於熱釋電元件300係固定於電路區塊5，因此來自電路區塊5的熱應力有時會施加在熱釋電元件300上。因為熱釋電元件300的表面電荷也會對應力產生反應，所以即使有紅外線入射，偵測體3也有可能對來自電路區塊5的熱應力產生反應並加以輸出。尤其若對偵測部30施加了熱應力，則會更直接地成為訊號輸出，因此最好要盡力減低熱應力對於熱釋電元件300的影響。
在此，熱釋電元件300，藉由以導電性黏接劑將形成於4處的電極302固定於電路區塊5的構件接合墊52，而以各電極302為固定點，固定於電路區塊5。假設作為該等固定點的4個電極302，係於熱釋電元件300之正面之各邊各配置1個，則由於對應與電路區塊5間的線膨脹係數或彈性係數之差所 產生的應力，會由各邊而施加到熱釋電元件300，因此熱應力的影響會較大。
相對於此，於本實施形態，作為該等固定點的4個電極302，如上所述，係分開配置於熱釋電元件300之正面上相向之一對的邊(第1邊，第2邊)上。也就是說，熱釋電元件300的固定點，都位在熱釋電元件300之平面上相向之一對的邊上。藉此，可以使電路區塊5對熱釋電元件300所施加的熱應力成為單一方向，而具備減低熱應力之影響的優點。
再者，於本實施形態，偵測體3為了使各偵測部30所感測到的溫度變化不會朝外部逸失，且為了使各偵測部30的熱容變小以提昇感測靈敏度，而在各偵測部30之外周緣的局部，形成有狹縫303。由於此狹縫303形成在作為固定點的電極302與偵測部30之間，所以可以更進一步減少電路區塊5對偵測部30所施加的熱應力。
然而，偵測體3，除了第1偵測部31與第2偵測部32這2個偵測部30以外，亦可以有更多偵測部。也就是說，偵測體3亦可以於1個熱釋電元件300，具備如第1偵測部31、第2偵測部32、第3偵測部......這般，至少包含第1偵測部31與第2偵測部32的3個以上之偵測部。例如，於具有第1~3偵測部的情形，第3偵測部連接於第3放大部，而光學濾鏡7之結構，係於第1透射區域71、第2透射區域72、以及配置於對應第3偵測部之位置的第3透射區域的紅外線透射特性都不同。如此這般，藉由在各偵測部設置個別的放大部，更設置具有不同透射特性的透射區域，則即便係具有含3個以上偵測體3之偵測部的情形，亦可在各偵測部同時感測不同波長區的紅外線，並且獨立輸出各感測結果。
於構成偵測體3的熱釋電元件300上，複數(2個以上)之偵測部的配置，可為矩陣狀、亦可為行列狀、或是隨機分佈亦可。
又，偵測體3，亦可係如第6圖所示，由複數之熱釋電元件300所構成，第1偵測部31與第2偵測部32形成於不同的熱釋電元件300。於第6圖之例中，偵測體3係由第1熱釋電元件300a(300)及第2熱釋電元件300b(300)所構成，由第1熱釋電元件300a形成第1偵測部31，由第2熱釋電元件300b形成第2偵測部32。該等熱釋電元件300，於基板51之正面彼此隔開指定間隔而配置。各熱釋電元件300，至少具有2個電極302，藉由以導電性黏接劑將各電極302固定至電路區塊5之構件接合墊52，以固定於電路區塊5並且電性連接。再者，即使係由複數之熱釋電元件300構成偵測體3之情形，亦可於各熱釋電元件300形成複數之偵測部。
又，為了使光學濾鏡7具備聚光功能，亦可如第7圖所示，使用表面成曲面之單晶矽來形成。於第7圖之例中，光學濾鏡7，從窗孔222露出於殼體2外部的表面(正面)成曲面，藉此，將透射光學濾鏡7之紅外線聚光至偵測部30。
又，於電路區塊5的導體圖案中，偵測體3-IC40間的配線，相對於其他電位之配線，確保有充分的絶緣性(例如1TΩ以上)。又，包含訊號處理電路之IC40，係使用半導體積體電路之製造技術所形成，於單晶矽之表面形成有電路。因此，於一塊單晶矽表面，可形成有複數之放大部(第1放大部及第2放大部)，亦可於複數單晶矽之各個分別形成放大部。
再者，偵測體3或電源等對於訊號處理電路(IC40)之連接，並不限於打線接合技術，亦可採用：利用單晶矽上形成有電極之金屬突起的覆晶技術、或是使用銅或共晶金屬的焊接技術。或者，亦可為多元類(Multi-Component)共晶金屬，以250℃以下之溫度進行熱處理後，以融點為300℃以上之材料加以黏接。不論係何種連接方法，為保護連接界面附近不受外部環境影響、並確保強度，較佳係以環氧樹脂、氨基甲酸乙酯樹脂、矽樹脂等密封材料58加以保護。
又，上述之紅外線感測器1，並不限於作為人體感測之用途，例如亦有用作氣體感測器(gas sensor)的用途。茲於下文中具體例示：用作為氣體感測器時的第1透射區域71、第2透射區域72之紅外線透射特性。
藉由將第1透射區域71設為透射中心波長4.26μm、半頻帶寬度(half band width)0.18μm，將第2透射區域72設為透射中心波長3.95μm、半頻帶寬度0.16μm的帶通濾波器，可以將紅外線感測器1用作為二氧化碳感應器。在此情形，透射第1透射區域71而入射至第1偵測部31的紅外線就成為感測波長區，透射第2透射區域72而入射至第2偵測部32的紅外線就成為參考波長區。
另一方面，藉由將第1透射區域71設為透射中心波長3.30μm、半頻帶寬度0.16μm，將第2透射區域72設為透射中心波長3.95μm、半頻帶寬度0.16μm的帶通濾波器，可以將紅外線感測器1用作為甲烷偵測器。在此情形，透射第1透射區域71而入射至第1偵測部31的紅外線就成為感測波長區，透射第2透射區域72而入射至第2偵測部32的紅外線就成為參考波長區。
(第2實施形態)
本實施形態之紅外線感測器1，與第1實施形態之紅外線感測器1之不同處在於：光學濾鏡7在各透射區域具備不同面積。下文中，對於與實施形態1相同之結構，標註共通之符號，並酌情省略說明。
亦即，於本實施形態，如第8A至第8C圖所示，光學濾鏡7之第1透射區域71的面積，與第2透射區域72的面積不同。在第8A圖之例中，光學濾鏡7並非2等分，而是分割成第2透射區域72比第1透射區域71大。在第8B圖之例中，窗孔222對應第2透射區域72之部份的寬度，形成為比對應第1透射區域71之部份還要小的形狀，第2透射區域72比第1透射區域71來得小。又，於第8C圖之例中，設有2個窗孔222，設置有第2透射區域72之窗孔222形成得比設置有第1透射區域71之窗孔222來得小，第2透射區域72比起第1透射區域71小。
由於第1透射區域71與第2透射區域72之紅外線透射特性不同，因此有時就會產生紅外線透射率不同的情形；不過如上所述，藉由將光學濾鏡7構成為第1透射區域71之面積與第2透射區域72之面積有所不同，而可以吸收透射率之差異。簡而言之，為了使入射至第1偵測部31的紅外線量與入射至第2偵測部32的紅外線量不會有偏差，只要因應第1透射區域71及第2透射區域72的透射率，而調整各透射區域之受光面積即可。
又，偵測體3之各偵測部30的面積，亦可配合透射區域而有所變更。其他的結構及功能則與第1實施形態相同。
(第3實施形態)
本實施形態之紅外線感測器1，如第9A圖及9B所示，與第1實施形態之紅外線感測器之不同處在於：於殼體2內之偵測體3與光學濾鏡7之間的空間，配置有隔間件8，以於第1偵測部31與第2偵測部32之間將該空間加以劃分。下文中，對於與實施形態1相同之結構，標註共通之符號，並酌情省略說明。
亦即，本實施形態之紅外線感測器1，由於偵測體3具有複數之偵測部30，且各偵測部30之輸出係分別由不同放大部所處理，因此於複數之偵測部30間設置隔間件8，以盡力避免在複數之偵測部30間產生干擾。隔間件8形成於相鄰之偵測部30之間，防止入射至各偵測部30之紅外線干擾其他的偵測部30。也就是說，隔間件8在殼體2內區隔偵測體3與光學濾鏡7之間的空間，防止透射了第1透射區域71的紅外線入射到第2偵測部32，也防止透射了第2透射區域72的紅外線入射到第1偵測部31。
隔間件8，可為例如以成形而形成於電路區塊5的表面，亦可構成為與電路區塊5不同的構件，而固定(黏接)於電路區塊5上。又，隔間件8可由光學濾鏡7之支撐元件(單晶矽)或蒸鍍物形成，亦可構成為不同構件而固定(黏接)於光學濾鏡7。又，隔間件8可藉由構成罩體部22之金屬而與罩 體部22一體形成，亦可構成為與罩體部22不同的構件，而固定(黏接)於罩體部22。
依據以上說明之本實施形態的結構，可藉由設置隔間件8，而防止透射第1透射區域71的紅外線入射至第2偵測部32，也防止透射第2透射區域72的紅外線入射至第1偵測部31。因此，可以抑制在複數之偵測部30間產生紅外線之干擾。
再者，隔間件8亦可由反射紅外線之材料形成，以使其表面形成有反射紅外線的反射面；或是施加鏡面加工等表面處理。在此情形，由於入射至隔間件8的紅外線會在隔間件8的表面受到反射，而入射至偵測部30；因此藉由設置隔間件8，可抑制入射至偵測部30的紅外線量降低的情況。
又，於本實施形態所說明之隔間件8，並不限於用在第1實施形態的結構，亦可與第2實施形態的結構組合使用。其他的結構及功能都與第1實施形態相同。
1‧‧‧紅外線感測器
2‧‧‧殼體
21‧‧‧基座部(管座)
22‧‧‧罩體部
210‧‧‧正面部
211‧‧‧凸緣部
212‧‧‧貫穿孔
213‧‧‧凸部
221‧‧‧平底座
222‧‧‧窗孔
3‧‧‧偵測體
30‧‧‧偵測部
31‧‧‧第1偵測部
32‧‧‧第2偵測部
300‧‧‧熱釋電元件
301‧‧‧元件
302‧‧‧電極
301a(301)‧‧‧第1及第2元件
301b(301)‧‧‧第1及第2元件
302a(302)‧‧‧電極
302b(302)‧‧‧電極
303‧‧‧狹縫
5‧‧‧電路區塊
51‧‧‧基板
52‧‧‧構件連接墊
57‧‧‧密封框
6‧‧‧端子插銷
7‧‧‧光學濾鏡
71‧‧‧第1透射區域
72‧‧‧第2透射區域

Claims (16)

  1. 一種紅外線感測器，包括：一偵測體，由至少1個熱釋電元件所構成，並具備第1及第2偵測部，該第1及第2偵測部分別產生第1及第2訊號；一電路區塊，具備第1及第2放大部，該第1及第2放大部分別將該第1及第2訊號加以放大；一殼體，具有窗孔，用以收納該偵測體及該電路區塊；以及一光學濾鏡，設於該窗孔，供紅外線透射之；該光學濾鏡，在對應於該第1及第2偵測部之位置，分別具備第1及第2透射區域；該光學濾鏡，在該第1透射區域之紅外線透射特性與該第2透射區域之紅外線透射特性不同。
  2. 如申請專利範圍第1項之紅外線感測器，其中，該電路區塊具有訊號處理電路，該訊號處理電路用以處理來自該偵測體之訊號；該殼體具有：一基座部，由電性連接於該電路區塊的端子插銷插通之；以及一罩體部，該罩體部與該基座部一同構成金屬製之殼體；該窗孔，係設於該罩體部之局部的一開口；該偵測體係於該殼體內，在與該光學濾鏡對向之位置，由該電路區塊支撐；該第1及第2偵測部，沿著該光學濾鏡之面內，配置於不同位置。
  3. 如申請專利範圍第2項之紅外線感測器，其中，該第1透射區域之面積，與該第2透射區域之面積不同。
  4. 如申請專利範圍第2項之紅外線感測器，其中，更包括：一隔間件，配置在該殼體內的該偵測體與該光學濾鏡之間的空間，在該第1偵測部與該第2偵測部之間，區隔該空間。
  5. 如申請專利範圍第3項之紅外線感測器，其中，更包括：一隔間件，配置在該殼體內的該偵測體與該光學濾鏡之間的空間，在該第1偵測部與該第2偵測部之間，區隔該空間。
  6. 如申請專利範圍第4項之紅外線感測器，其中，該隔間件所具備之表面，形成有將紅外線加以反射的一反射面。
  7. 如申請專利範圍第5項之紅外線感測器，其中，該隔間件所具備之表面，形成有將紅外線加以反射的一反射面。
  8. 如申請專利範圍第2至7項中任一項之紅外線感測器，其中，該偵測體係由第1及第2熱釋電元件所組成，該第1及第2熱釋電元件分別構成該第1及第2偵測部。
  9. 如申請專利範圍第2至7項中任一項之紅外線感測器，其中，該熱釋電元件係矩形板狀，並以至少4個固定點而固定於該電路區塊；該至少4個固定點，分別位於該熱釋電元件之板面中相向之一對的邊上。
  10. 如申請專利範圍第8項之紅外線感測器，其中，該熱釋電元件係矩形板狀，並以至少4個固定點而固定於該電路區塊；該至少4個固定點，分別位於該熱釋電元件之板面中相向之一對的邊上。
  11. 如申請專利範圍第2至7項中任一項之紅外線感測器，其中，該電路區塊具有一基板，該基板具備面向該窗孔的第1面及面向該基座部的第2面；該偵測體安裝於該基板的第1面；構成該訊號處理電路的電子零件，係安裝於該基板的第2面。
  12. 如申請專利範圍第8項之紅外線感測器，其中，該電路區塊具有一基板，該基板具備面向該窗孔的第1面及面向該基座部的第2面；該偵測體安裝於該基板的第1面；構成該訊號處理電路的電子零件，係安裝於該基板的第2面。
  13. 如申請專利範圍第9項之紅外線感測器，其中，該電路區塊具有一基板，該基板具備面向該窗孔的第1面及面向該基座部的第2面；該偵測體安裝於該基板的第1面；構成該訊號處理電路的電子零件，係安裝於該基板的第2面。
  14. 如申請專利範圍第10項之紅外線感測器，其中，該電路區塊具有一基板，該基板具備面向該窗孔的第1面及面向該基座部的第2面；該偵測體安裝於該基板的第1面；構成該訊號處理電路的電子零件，係安裝於該基板的第2面。
  15. 如申請專利範圍第1項之紅外線感測器，其中，該偵測體係由該熱釋電元件與第1及第2電極部所構成，該第1及第2電極部，分別連接於該熱釋電元件的兩端；該熱釋電元件與該第1電極部構成該第1偵測部，而該熱釋電元件與該第2電極部構成該第2偵測部。
  16. 如申請專利範圍第1項之紅外線感測器，其中，該偵測體係由平行設置之第1及第2熱釋電元件與第1及第2電極部所構成，該第1及第2電極部分別連接於該第1及第2熱釋電元件；該第1熱釋電元件與該第1電極部構成該第1偵測部，而該第2熱釋電元件與該第2電極部構成該第2偵測部。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109738075A (zh) * 2019-02-15 2019-05-10 东莞传晟光电有限公司 一种to基座热释电传感器

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021131574A1 (ja) * 2019-12-26 2021-07-01 株式会社堀場製作所 赤外線検出器及びガス分析計
CN116105856B (zh) * 2023-04-03 2023-09-19 杭州海康微影传感科技有限公司 红外探测器及其制备方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08145788A (ja) * 1994-11-19 1996-06-07 Horiba Ltd クロストーク防止構造を有する多素子型焦電検出器
JP3859274B2 (ja) * 1996-07-19 2006-12-20 テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド 放射線検出器
JPH09126885A (ja) * 1996-08-13 1997-05-16 Hokuriku Electric Ind Co Ltd 焦電型赤外線検出器
JP2004257885A (ja) * 2003-02-26 2004-09-16 Horiba Ltd 多素子型赤外線検出器
JP2011112508A (ja) * 2009-11-26 2011-06-09 Nippon Ceramic Co Ltd 焦電型赤外線検出装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109738075A (zh) * 2019-02-15 2019-05-10 东莞传晟光电有限公司 一种to基座热释电传感器

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