JPH08145788A - クロストーク防止構造を有する多素子型焦電検出器 - Google Patents
クロストーク防止構造を有する多素子型焦電検出器Info
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- JPH08145788A JPH08145788A JP30978794A JP30978794A JPH08145788A JP H08145788 A JPH08145788 A JP H08145788A JP 30978794 A JP30978794 A JP 30978794A JP 30978794 A JP30978794 A JP 30978794A JP H08145788 A JPH08145788 A JP H08145788A
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- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 クロストークの発生を防止して分析精度の向
上を図った多素子型焦電検出器を提供する。 【構成】 パッケージ８内に焦電体１１，１２とＦＥＴ
４１，４２と高抵抗５１，５２とをそれぞれ複数組設け
てなる多素子型焦電検出器１にあって、焦電体１１，１
２が設けられる回路基板３と、パッケージ８の開口８ａ
に嵌装される窓材９１，９２との間の空間に遮光板１０
を立設し、焦電体１１，１２毎に占有空間を光学的に分
離させている。
上を図った多素子型焦電検出器を提供する。 【構成】 パッケージ８内に焦電体１１，１２とＦＥＴ
４１，４２と高抵抗５１，５２とをそれぞれ複数組設け
てなる多素子型焦電検出器１にあって、焦電体１１，１
２が設けられる回路基板３と、パッケージ８の開口８ａ
に嵌装される窓材９１，９２との間の空間に遮光板１０
を立設し、焦電体１１，１２毎に占有空間を光学的に分
離させている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はクロストーク防止構造を
有する多素子型焦電検出器に関する。
有する多素子型焦電検出器に関する。
【０００２】
【従来の技術】図６および図７は、従来の２系統の赤外
検出回路を設けた２素子の焦電検出器１の構成を示し、
１１，１２は焦電体で、それぞれ支持台２１，２２を介
して回路基板３に固定されている。４１，４２はＦＥＴ
（焦電効果トランジスタ）、５１，５２は高抵抗で、そ
れぞれ一方の焦電体１１と、他方の焦電体１２に接続さ
れて２系統の赤外検出回路が構成されている。
検出回路を設けた２素子の焦電検出器１の構成を示し、
１１，１２は焦電体で、それぞれ支持台２１，２２を介
して回路基板３に固定されている。４１，４２はＦＥＴ
（焦電効果トランジスタ）、５１，５２は高抵抗で、そ
れぞれ一方の焦電体１１と、他方の焦電体１２に接続さ
れて２系統の赤外検出回路が構成されている。
【０００３】６１，６２はステム７に貫装されたリード
端子で、回路基板３をステム７の上方に間隔をおいて支
持している。８はパッケージ、９１，９２はそのパッケ
ージ８の開口に嵌装された窓材で、そのパッケージ８の
基部はステム７の周縁に密着固定され、パッケージ８の
内部が気密状態に封止されている。なお、図示は省略す
るが、焦電検出器１の前方には、検出ガスの特定波長の
赤外線を選択して透過させる２種のバンドパスフィルタ
が、窓材９１，９２と対応して設けられている。また、
図７の１１ａ，１２ａは焦電体１１，１２に被着形成さ
れた電極である。
端子で、回路基板３をステム７の上方に間隔をおいて支
持している。８はパッケージ、９１，９２はそのパッケ
ージ８の開口に嵌装された窓材で、そのパッケージ８の
基部はステム７の周縁に密着固定され、パッケージ８の
内部が気密状態に封止されている。なお、図示は省略す
るが、焦電検出器１の前方には、検出ガスの特定波長の
赤外線を選択して透過させる２種のバンドパスフィルタ
が、窓材９１，９２と対応して設けられている。また、
図７の１１ａ，１２ａは焦電体１１，１２に被着形成さ
れた電極である。
【０００４】このような構成により、２種の異なる波長
の赤外線の検出が可能であり、バンドパスフィルタによ
って２種の波長に分離された赤外線ｈν１，ｈν２がそ
れぞれ窓材９１，９２を透過して検出器内の空間を経て
焦電体１１，１２にそれぞれ入射し、リード端子６１，
６２からそれぞれの信号が出力され、各波長の赤外線量
が検出される。
の赤外線の検出が可能であり、バンドパスフィルタによ
って２種の波長に分離された赤外線ｈν１，ｈν２がそ
れぞれ窓材９１，９２を透過して検出器内の空間を経て
焦電体１１，１２にそれぞれ入射し、リード端子６１，
６２からそれぞれの信号が出力され、各波長の赤外線量
が検出される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかるに、窓材９１，
９２と焦電体１１，１２との間には、数ミリメートル程
度の間隔の空間が存在するため、一方の赤外線ｈν１が
他方の焦電体１２に、他方の赤外線ｈν２が一方の焦電
体１１に、それぞれ斜めに入射していわゆるクロストー
クと称される干渉が発生し、正確な出力が得られず分析
精度が低下することがあった。
９２と焦電体１１，１２との間には、数ミリメートル程
度の間隔の空間が存在するため、一方の赤外線ｈν１が
他方の焦電体１２に、他方の赤外線ｈν２が一方の焦電
体１１に、それぞれ斜めに入射していわゆるクロストー
クと称される干渉が発生し、正確な出力が得られず分析
精度が低下することがあった。
【０００６】上述した焦電検出器１では、窓材９１，９
２が、例えばサファイアやフッ化カルシウム等の波長選
択性のない赤外線透過材料よりなるが、たとえその窓材
９１，９２にバンドパスフィルタを使用した場合にもこ
のようなクロストークの発生を免れることはできない。
２が、例えばサファイアやフッ化カルシウム等の波長選
択性のない赤外線透過材料よりなるが、たとえその窓材
９１，９２にバンドパスフィルタを使用した場合にもこ
のようなクロストークの発生を免れることはできない。
【０００７】また、測定ガス成分数の増加に対処すべ
く、検出器当りの素子数を増加すればクロストークの影
響がより複雑なものとなるため、分析精度の低下も甚だ
しくなっていた。
く、検出器当りの素子数を増加すればクロストークの影
響がより複雑なものとなるため、分析精度の低下も甚だ
しくなっていた。
【０００８】本発明はこのような実情に鑑みてなされ、
クロストークの発生を防止して分析精度の向上を図った
多素子型焦電検出器を提供することを目的としている。
クロストークの発生を防止して分析精度の向上を図った
多素子型焦電検出器を提供することを目的としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、上述の課題を
解決するための手段を以下のように構成している。すな
わち、請求項１に記載の発明では、パッケージ内に焦電
体とＦＥＴと高抵抗とをそれぞれ複数組設けてなる多素
子型焦電検出器にあって、前記焦電体が設けられる回路
基板と、前記パッケージの開口に嵌装される窓材との間
の空間に遮光板を立設し、前記各焦電体毎に占有空間を
光学的に分離させてなることを特徴としている。
解決するための手段を以下のように構成している。すな
わち、請求項１に記載の発明では、パッケージ内に焦電
体とＦＥＴと高抵抗とをそれぞれ複数組設けてなる多素
子型焦電検出器にあって、前記焦電体が設けられる回路
基板と、前記パッケージの開口に嵌装される窓材との間
の空間に遮光板を立設し、前記各焦電体毎に占有空間を
光学的に分離させてなることを特徴としている。
【００１０】請求項２に記載の発明では、請求項１に記
載の発明における前記窓材との接合部における前記遮光
板の両側面に、それぞれ前記窓材の端部を当接接合さ
せ、前記遮光板の接合部を前記窓材に貫装させてなるこ
とを特徴としている。
載の発明における前記窓材との接合部における前記遮光
板の両側面に、それぞれ前記窓材の端部を当接接合さ
せ、前記遮光板の接合部を前記窓材に貫装させてなるこ
とを特徴としている。
【００１１】
【作用】請求項１に記載の発明では、遮光板により、各
焦電体毎の占有空間が光学的に分離されていることによ
り、各窓材を透過した赤外線が対応する各焦電体にのみ
入射し、他の焦電体への斜め入射が防止される。
焦電体毎の占有空間が光学的に分離されていることによ
り、各窓材を透過した赤外線が対応する各焦電体にのみ
入射し、他の焦電体への斜め入射が防止される。
【００１２】請求項２に記載の発明では、遮光板の接合
部が窓材に貫装されていることにより、遮光効果を確実
なものにすることができる。
部が窓材に貫装されていることにより、遮光効果を確実
なものにすることができる。
【００１３】
【実施例】以下に本発明のクロストーク防止構造を有す
る多素子型焦電検出器の実施例を図面に基づいて詳細に
説明する。図１は焦電検出器１の縦断面図、図２はその
平面図、図３は図１の部分拡大図、図４は図２のＸ−Ｘ
線矢視における部分断面図で、これらの図において、符
号１１，１２は焦電体、１１ａ，１２ａは各焦電体１
１，１２の表面に被着された電極で、各焦電体１１，１
２はそれぞれ支持台２１，２２を介して回路基板３に固
定されている。４１，４２はＦＥＴ、５１，５２は高抵
抗で、それぞれ一方の焦電体１１と、他方の焦電体１２
に接続されて２系統の赤外検出回路が構成されている。
る多素子型焦電検出器の実施例を図面に基づいて詳細に
説明する。図１は焦電検出器１の縦断面図、図２はその
平面図、図３は図１の部分拡大図、図４は図２のＸ−Ｘ
線矢視における部分断面図で、これらの図において、符
号１１，１２は焦電体、１１ａ，１２ａは各焦電体１
１，１２の表面に被着された電極で、各焦電体１１，１
２はそれぞれ支持台２１，２２を介して回路基板３に固
定されている。４１，４２はＦＥＴ、５１，５２は高抵
抗で、それぞれ一方の焦電体１１と、他方の焦電体１２
に接続されて２系統の赤外検出回路が構成されている。
【００１４】６１，６２はステム７に貫装されたリード
端子で、回路基板３をステム７の上方に間隔をおいて支
持している。８はパッケージ、９１，９２はそのパッケ
ージ８に開設された開口８ａに嵌装された赤外透過材料
よりなる窓材で、そのパッケージ８の基部はステム７の
周縁に密着固定され、パッケージ８の内部が気密状態に
封止されている。
端子で、回路基板３をステム７の上方に間隔をおいて支
持している。８はパッケージ、９１，９２はそのパッケ
ージ８に開設された開口８ａに嵌装された赤外透過材料
よりなる窓材で、そのパッケージ８の基部はステム７の
周縁に密着固定され、パッケージ８の内部が気密状態に
封止されている。
【００１５】１０は両焦電体１１，１２間に立設される
遮光板で、金属の薄板等の赤外遮断材料よりなり、その
上端縁の接合部１０ａの両側に、両窓材９１，９２の端
部を当接させて接着材等によってその接合部１０ａが両
窓材９１，９２間に貫装一体化され、かつその接合部１
０ａの両側から側部にかけてパッケージ８の内面に接合
され、その下端を回路基板３の上面に刻設した溝３ａ内
に嵌入させている。なお、遮光板１０の材質は、赤外線
を吸収させるものであっても、反射させるものであって
もよく、また、金属であっても非金属であってもよい。
遮光板で、金属の薄板等の赤外遮断材料よりなり、その
上端縁の接合部１０ａの両側に、両窓材９１，９２の端
部を当接させて接着材等によってその接合部１０ａが両
窓材９１，９２間に貫装一体化され、かつその接合部１
０ａの両側から側部にかけてパッケージ８の内面に接合
され、その下端を回路基板３の上面に刻設した溝３ａ内
に嵌入させている。なお、遮光板１０の材質は、赤外線
を吸収させるものであっても、反射させるものであって
もよく、また、金属であっても非金属であってもよい。
【００１６】このように、各焦電体１１，１２毎に占有
空間を光学的に分離独立させたので、一方の窓材９１か
ら入射した赤外線ｈν１を一方の焦電体１１にのみ、他
方の窓材９２から入射した赤外線ｈν２を他方の焦電体
１２にのみそれぞれ入射させることができ、一方の赤外
線ｈν１が他方の焦電体１２に、また、他方の赤外線ｈ
ν２が一方の焦電体１１に、斜め入射するのが完全に防
止され（図３参照）、いわゆるクロストークの発生をき
わめて効果的に阻止することができ、分析精度が格段に
向上する。なお、検出器単体での出力レベルで遮光板１
０の効果を確認したところ、干渉影響を１／１０に低減
することができた。
空間を光学的に分離独立させたので、一方の窓材９１か
ら入射した赤外線ｈν１を一方の焦電体１１にのみ、他
方の窓材９２から入射した赤外線ｈν２を他方の焦電体
１２にのみそれぞれ入射させることができ、一方の赤外
線ｈν１が他方の焦電体１２に、また、他方の赤外線ｈ
ν２が一方の焦電体１１に、斜め入射するのが完全に防
止され（図３参照）、いわゆるクロストークの発生をき
わめて効果的に阻止することができ、分析精度が格段に
向上する。なお、検出器単体での出力レベルで遮光板１
０の効果を確認したところ、干渉影響を１／１０に低減
することができた。
【００１７】遮光板１０と窓材９１，９２の接合媒体と
してハンダを使用するのが好ましいが、窓材９１，９２
の接合端部には予めハンダ付け可能な金属膜を被着形成
してぬれ性を確保しておくと接合性が向上する。また、
パッケージ８と遮光板１０もハンダ付け可能な金属材を
用いるか、表面処理を施しておくかすることにより、接
合性が良好となり、かつ充分な気密性も得られる。ま
た、接合方法としては、樹脂による接着であってもよ
い。なお、その接合部１０ａの上端は両窓材９１，９２
よりも外方に突出していてもよいことはいうまでもな
い。
してハンダを使用するのが好ましいが、窓材９１，９２
の接合端部には予めハンダ付け可能な金属膜を被着形成
してぬれ性を確保しておくと接合性が向上する。また、
パッケージ８と遮光板１０もハンダ付け可能な金属材を
用いるか、表面処理を施しておくかすることにより、接
合性が良好となり、かつ充分な気密性も得られる。ま
た、接合方法としては、樹脂による接着であってもよ
い。なお、その接合部１０ａの上端は両窓材９１，９２
よりも外方に突出していてもよいことはいうまでもな
い。
【００１８】図５は焦電検出器１内に４系統の赤外検出
回路を設けた４素子検出器で、４種の波長の赤外線の検
出が可能なものである。この場合、遮光板１０を平面視
で十文字状に形成して窓材９１〜９４を４分割し、それ
ぞれ４つの焦電体１１〜１４に占有空間を形成してい
る。
回路を設けた４素子検出器で、４種の波長の赤外線の検
出が可能なものである。この場合、遮光板１０を平面視
で十文字状に形成して窓材９１〜９４を４分割し、それ
ぞれ４つの焦電体１１〜１４に占有空間を形成してい
る。
【００１９】また、図示は省略するが、焦電体１１〜が
１列に配置される場合には遮光板１０，…を各焦電体１
１〜を仕切るように平行に配置してもよい。さらに、焦
電体１１〜の電極１１ａ〜の極性を互いに逆極に接続し
てなる温度補償型のデュアルタイプの集合で多素子型の
焦電検出器を構成してもよいことはいうまでもない。
１列に配置される場合には遮光板１０，…を各焦電体１
１〜を仕切るように平行に配置してもよい。さらに、焦
電体１１〜の電極１１ａ〜の極性を互いに逆極に接続し
てなる温度補償型のデュアルタイプの集合で多素子型の
焦電検出器を構成してもよいことはいうまでもない。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したように、請求項１に記載の
発明では、複数の焦電体が設けられる回路基板と、パッ
ケージの開口に嵌装された窓材との間の空間に遮光板を
立設し、各焦電体毎に占有空間を光学的に分離させたの
で、各窓材を透過した赤外線が対応する各焦電体にのみ
入射し、他の焦電体への斜め入射が防止され、クロスト
ークによる干渉影響の発生を著しく低減することがで
き、分析精度が向上する。
発明では、複数の焦電体が設けられる回路基板と、パッ
ケージの開口に嵌装された窓材との間の空間に遮光板を
立設し、各焦電体毎に占有空間を光学的に分離させたの
で、各窓材を透過した赤外線が対応する各焦電体にのみ
入射し、他の焦電体への斜め入射が防止され、クロスト
ークによる干渉影響の発生を著しく低減することがで
き、分析精度が向上する。
【００２１】請求項２に記載の発明では、窓材との接合
部における遮光板を窓材から突出させているので、遮光
効果が確実なものとなり、クロストークによる干渉影響
を顕著に低減することができる。
部における遮光板を窓材から突出させているので、遮光
効果が確実なものとなり、クロストークによる干渉影響
を顕著に低減することができる。
【図１】本発明のクロストーク防止構造を有する多素子
型焦電検出器の実施例を示す縦断面図である。
型焦電検出器の実施例を示す縦断面図である。
【図２】同平面図である。
【図３】同遮光板と窓材との接合部の拡大図である。
【図４】図２のＸ−Ｘ線矢視断面図である。
【図５】４系統の赤外検出回路を設けた焦電検出器の平
面図である。
面図である。
【図６】従来の２素子の焦電検出器の縦断面図である。
【図７】同平面図である。
１…焦電検出器、１１，１２，１３，１４…焦電体、３
…回路基板、４１，４２…ＦＥＴ、５１，５２…高抵
抗、８…パッケージ、９１，９２，９３，９４…窓材、
１０…遮光板。
…回路基板、４１，４２…ＦＥＴ、５１，５２…高抵
抗、８…パッケージ、９１，９２，９３，９４…窓材、
１０…遮光板。
Claims (2)
- 【請求項１】 パッケージ内に焦電体とＦＥＴと高抵抗
とをそれぞれ複数組設けてなる多素子型焦電検出器にお
いて、前記焦電体が設けられる回路基板と、前記パッケ
ージの開口に嵌装される窓材との間の空間に遮光板を立
設し、前記各焦電体毎に占有空間を光学的に分離させて
なることを特徴とするクロストーク防止構造を有する多
素子型焦電検出器。 - 【請求項２】 前記窓材との接合部における前記遮光板
の両側面に、それぞれ前記窓材の端部を当接接合させ、
前記遮光板の接合部を前記窓材に貫装させてなることを
特徴とする請求項１に記載のクロストーク防止構造を有
する多素子型焦電検出器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30978794A JPH08145788A (ja) | 1994-11-19 | 1994-11-19 | クロストーク防止構造を有する多素子型焦電検出器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30978794A JPH08145788A (ja) | 1994-11-19 | 1994-11-19 | クロストーク防止構造を有する多素子型焦電検出器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08145788A true JPH08145788A (ja) | 1996-06-07 |
Family
ID=17997243
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30978794A Pending JPH08145788A (ja) | 1994-11-19 | 1994-11-19 | クロストーク防止構造を有する多素子型焦電検出器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08145788A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006337345A (ja) * | 2005-06-06 | 2006-12-14 | Nippon Ceramic Co Ltd | 非接触型温度検出器 |
| WO2013099799A1 (ja) * | 2011-12-28 | 2013-07-04 | パナソニック株式会社 | 赤外線検出器 |
| US8901480B2 (en) | 2010-09-10 | 2014-12-02 | Denso Corporation | Optical sensor having a blocking film disposed over light receiving elements on a semiconductor substrate via a light transparent film for detecting an incident angle of light |
-
1994
- 1994-11-19 JP JP30978794A patent/JPH08145788A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006337345A (ja) * | 2005-06-06 | 2006-12-14 | Nippon Ceramic Co Ltd | 非接触型温度検出器 |
| US8901480B2 (en) | 2010-09-10 | 2014-12-02 | Denso Corporation | Optical sensor having a blocking film disposed over light receiving elements on a semiconductor substrate via a light transparent film for detecting an incident angle of light |
| WO2013099799A1 (ja) * | 2011-12-28 | 2013-07-04 | パナソニック株式会社 | 赤外線検出器 |
| JP2013137259A (ja) * | 2011-12-28 | 2013-07-11 | Panasonic Corp | 赤外線検出器 |
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