JPS5871543A - 静電逆電界型スペクトロメータ - Google Patents
静電逆電界型スペクトロメータInfo
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- JPS5871543A JPS5871543A JP57168240A JP16824082A JPS5871543A JP S5871543 A JPS5871543 A JP S5871543A JP 57168240 A JP57168240 A JP 57168240A JP 16824082 A JP16824082 A JP 16824082A JP S5871543 A JPS5871543 A JP S5871543A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electric field
- field type
- suction
- electrode
- type spectrometer
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
- H01J37/05—Electron or ion-optical arrangements for separating electrons or ions according to their energy or mass
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/302—Contactless testing
- G01R31/305—Contactless testing using electron beams
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Electron Tubes For Measurement (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明ンよ吸引電極と逆電界電極とを備えた静電逆電界
型スペクトロメータに胸する。
型スペクトロメータに胸する。
電子線測定技術を用いて試料表面上の測定点の電位を測
定するためには、特に集積化されたマイクロエレクトロ
ニクス構成素子の導体路および接続点の電位を定量的に
測定するためては、二次電子用スペクトロメータが必要
である。
定するためには、特に集積化されたマイクロエレクトロ
ニクス構成素子の導体路および接続点の電位を定量的に
測定するためては、二次電子用スペクトロメータが必要
である。
電子線゜測定装置においては，試料表面上の測定すべき
測定点、たとえば集積化されたマイクロエレクトロニク
ス構成素子の２ｑ体路に一次電子が照射され、その際な
かんずく二次電子が放出される。
測定点、たとえば集積化されたマイクロエレクトロニク
ス構成素子の２ｑ体路に一次電子が照射され、その際な
かんずく二次電子が放出される。
測定が行なわれる得体路の電位に応じて、二次電子のエ
ネルギー分布関数は変化する。二次軍、子用スペクトロ
メータにおいては、二次電子のエネルキ分布関数のこの
変化、従って試料表面の測定点の電位を検知することが
できる。Ｈ，Ｐ、 Ｆｅ＋＋ｅｒｈａｕｍ著’ ＶＬＳ
Ｉ Ｔｅ５ｔｉ、ｎｇＵＳｌｎｇＴｈｅ Ｅｌｅｃｔｒ
ｏｎ Ｐｒ−ｏｂｅ’ Ｓ Ｅｌ、４／ｌ ｔｌ ７９
／ Ｉ、 Ｓ＋ＥＭ Ｉｎｃ、 ＡＭＦＯ’Ｈａｒ
ｅ、 ＴＬ ｆｉＵ６ｆ；Ｏ，第２８５ないし２９６ペ
ージシζよって静霜逆沖４界型スペクトロメータは公知
である。しかしながら、この公知の静電逆電界型スペク
トロメータは試料表面上の測定点から放出さ！しる二次
電子の全空間７９度分布を伝達することかできな−。こ
のために、５〜ＩＯ％の曲ｊ定誤差が生じる。この６」
１１定誤差は、主として、一定エネルギーでもって平（
８）状逆電界闘に対し斜めに走り始める電子は′Ｊ！Ｉ
！電界網を場昇順よってはもはや通過することができず
、一方その逆電界網に対して垂直に発走する同じエネル
ギーの電子はこの逆電界網を真直ぐに通過することがで
きるということに起因している。
ネルギー分布関数は変化する。二次軍、子用スペクトロ
メータにおいては、二次電子のエネルキ分布関数のこの
変化、従って試料表面の測定点の電位を検知することが
できる。Ｈ，Ｐ、 Ｆｅ＋＋ｅｒｈａｕｍ著’ ＶＬＳ
Ｉ Ｔｅ５ｔｉ、ｎｇＵＳｌｎｇＴｈｅ Ｅｌｅｃｔｒ
ｏｎ Ｐｒ−ｏｂｅ’ Ｓ Ｅｌ、４／ｌ ｔｌ ７９
／ Ｉ、 Ｓ＋ＥＭ Ｉｎｃ、 ＡＭＦＯ’Ｈａｒ
ｅ、 ＴＬ ｆｉＵ６ｆ；Ｏ，第２８５ないし２９６ペ
ージシζよって静霜逆沖４界型スペクトロメータは公知
である。しかしながら、この公知の静電逆電界型スペク
トロメータは試料表面上の測定点から放出さ！しる二次
電子の全空間７９度分布を伝達することかできな−。こ
のために、５〜ＩＯ％の曲ｊ定誤差が生じる。この６」
１１定誤差は、主として、一定エネルギーでもって平（
８）状逆電界闘に対し斜めに走り始める電子は′Ｊ！Ｉ
！電界網を場昇順よってはもはや通過することができず
、一方その逆電界網に対して垂直に発走する同じエネル
ギーの電子はこの逆電界網を真直ぐに通過することがで
きるということに起因している。
本発明は、試料表面の測定点から放出される二次電子の
かなり大きな角度分布を伝達することができるような冒
頭で述べた種類の静電逆電界型スペクトロメータを提供
することを目的とする。
かなり大きな角度分布を伝達することができるような冒
頭で述べた種類の静電逆電界型スペクトロメータを提供
することを目的とする。
この目的は本発明によれば、球対称形逆電界を発生する
２つの球対称形電極装置を設け、その一方の下部球対称
形電極装置は電位（ＶＥ）にあり、他方の上部球対称形
電極装置は電位（Ｖｏ）にあることによって達成される
。
２つの球対称形電極装置を設け、その一方の下部球対称
形電極装置は電位（ＶＥ）にあり、他方の上部球対称形
電極装置は電位（Ｖｏ）にあることによって達成される
。
想原点に置かれる。
本発明による逆電界型スペクトロメータの他の有利な実
施態様では、吸引電極として平面状吸引電極が用いられ
る。またその平面状吸引電極として吸引絞りまたは吸引
網を用いることができる。
施態様では、吸引電極として平面状吸引電極が用いられ
る。またその平面状吸引電極として吸引絞りまたは吸引
網を用いることができる。
本発明による逆電界型スペクトロメータの別の有利な実
施１Ｐ一様では、下部球対称形電極製麹と平面状吸引電
極と檄はほぼ同電位にあるように構成される。
施１Ｐ一様では、下部球対称形電極製麹と平面状吸引電
極と檄はほぼ同電位にあるように構成される。
次に本発明の実２ｆＩ！１例を図面に基づいて詳細に説
明する。
明する。
第１図は先に述べたＨ、 Ｐ、 Ｆｅｕθｒ’ｂａｕｍ
による公知の逆電界型スペクトロメータである。本発明
による一実施例を構成するために、交換さ九るべさ部分
ＡＴは本発明の特徴を有する部分によって取替えられね
ばならない。この交換されるべき部分Ａ Ｔは吸引網ノ
＼Ｎと逆′１へ昇順ＧＮと絶縁体Ｉｓとを有している。
による公知の逆電界型スペクトロメータである。本発明
による一実施例を構成するために、交換さ九るべさ部分
ＡＴは本発明の特徴を有する部分によって取替えられね
ばならない。この交換されるべき部分Ａ Ｔは吸引網ノ
＼Ｎと逆′１へ昇順ＧＮと絶縁体Ｉｓとを有している。
交換さ八るべき部分ＡＮは表面の世］１定点が測定され
る試料ＰＲの上部に置かれる。
る試料ＰＲの上部に置かれる。
第１図ＶＣ示したこの交換されるべき部分ＡＴは、第２
図および第３図に示した実施例においては。
図および第３図に示した実施例においては。
本発明による部分Ｅ４’ｌまたはＥＴ２によって取替え
られている。
られている。
第２図には本発明による静電逆電界形スペクトロメータ
の第１実施例が示されている。この第２図に示した本発
明による部分ＦＴＩにおいては、球対称形逆電界は両球
面状網ＫＥ、ＫＧによって作られる。下部球面状網ＫＥ
は吸引網ＡＮと同じ電位ＶＥにある。それにより、下部
球面状網ＫＥの直ぐ下には無電界空間が生じる。上部球
面状網ＫＧは逆電界用格子として作用し、約１５Ｖから
約−１５Ｖの電位ＶＧを有している。逆電界内（ておけ
る二次電子の軌道ＳＦが電気力線と実腺に平行に走るよ
うにするために、両球面状網ＫＥ、ＫＧの中心点は仮想
原点Ｍに置かれる。試’ｊ４ Ｐ Ｈの表面上の測定点
は非動作状態においては電位零にある。下部球面状網Ｋ
Ｅは半径Ｒ１を有し、一方上部球面状網ＫＧは半径Ｒ２
を有する。
の第１実施例が示されている。この第２図に示した本発
明による部分ＦＴＩにおいては、球対称形逆電界は両球
面状網ＫＥ、ＫＧによって作られる。下部球面状網ＫＥ
は吸引網ＡＮと同じ電位ＶＥにある。それにより、下部
球面状網ＫＥの直ぐ下には無電界空間が生じる。上部球
面状網ＫＧは逆電界用格子として作用し、約１５Ｖから
約−１５Ｖの電位ＶＧを有している。逆電界内（ておけ
る二次電子の軌道ＳＦが電気力線と実腺に平行に走るよ
うにするために、両球面状網ＫＥ、ＫＧの中心点は仮想
原点Ｍに置かれる。試’ｊ４ Ｐ Ｈの表面上の測定点
は非動作状態においては電位零にある。下部球面状網Ｋ
Ｅは半径Ｒ１を有し、一方上部球面状網ＫＧは半径Ｒ２
を有する。
第３図には本発明による静電逆電界型スペクトロメータ
の第２実施例が示されている。この第３図に示した実施
側の本発明による部分ＥＴ２は吸引絞、！７ＡＢと、半
径Ｒ１の下部球面状網Ｊ（Ｅと、半径Ｒ２の上部球面状
網ＫＧと絶縁体Ｉｓとを有する。絶縁体ＩＳＯ近くでは
、球面状網ＫＥ。
の第２実施例が示されている。この第３図に示した実施
側の本発明による部分ＥＴ２は吸引絞、！７ＡＢと、半
径Ｒ１の下部球面状網Ｊ（Ｅと、半径Ｒ２の上部球面状
網ＫＧと絶縁体Ｉｓとを有する。絶縁体ＩＳＯ近くでは
、球面状網ＫＥ。
ＫＯの間の電位面は完全な球面ではなく、絶縁体ＩＳ上
のむしろ直線的な電位低下によってＬ部球面状網］（Ｇ
の方向に引寄せられた形をしている。
のむしろ直線的な電位低下によってＬ部球面状網］（Ｇ
の方向に引寄せられた形をしている。
なお、このことは第２図に示した実施例の本発明Ｑてよ
る部分ＥＴＩにも間際にあてはまり、絶縁体■Ｓの近く
の電位面は上部球面状網Ｋ Ｏの方向に上方に向かって
一７１寄ぜられる。第３図に示した実施例ζ・）本発明
による部分ＥＴ２においても１球対称形逆電界は内球］
ｍ状網］（ＪＫＧによって作られ、その場合１で下部球
面状網ＫＥは吸引絞りＡＢ七はぼ同１〕電位ＶＥにある
。本発明による部分１’ｕＴｌにおいて述べたことはこ
の電位ＶＥおよびＶｏ Ｋあてはする。逆電界内におけ
る二次電子の軌道ＳＥが電気力線と実際に平行に走るよ
うにするために、両球面状網ＫＥ、ＫＧの中心点は仮想
原点Ｍに置かれる。第３図に示した本発明による部分Ｅ
Ｔ２においてはその場合吸引絞りＡＢのレンズ作用が考
ｌΦ：されなければならない。吸引電界によって、穴明
き絞りレンズとして構成された吸引絞りＡＢは発散し、
そしてその焦点距離はＤａｖｉｅｓｏｎ −Ｃａ１ｂｉ
ｃｋの式において近イ以的にｆ中−４ｄで与えられる。
る部分ＥＴＩにも間際にあてはまり、絶縁体■Ｓの近く
の電位面は上部球面状網Ｋ Ｏの方向に上方に向かって
一７１寄ぜられる。第３図に示した実施例ζ・）本発明
による部分ＥＴ２においても１球対称形逆電界は内球］
ｍ状網］（ＪＫＧによって作られ、その場合１で下部球
面状網ＫＥは吸引絞りＡＢ七はぼ同１〕電位ＶＥにある
。本発明による部分１’ｕＴｌにおいて述べたことはこ
の電位ＶＥおよびＶｏ Ｋあてはする。逆電界内におけ
る二次電子の軌道ＳＥが電気力線と実際に平行に走るよ
うにするために、両球面状網ＫＥ、ＫＧの中心点は仮想
原点Ｍに置かれる。第３図に示した本発明による部分Ｅ
Ｔ２においてはその場合吸引絞りＡＢのレンズ作用が考
ｌΦ：されなければならない。吸引電界によって、穴明
き絞りレンズとして構成された吸引絞りＡＢは発散し、
そしてその焦点距離はＤａｖｉｅｓｏｎ −Ｃａ１ｂｉ
ｃｋの式において近イ以的にｆ中−４ｄで与えられる。
なお、ｄは試料ＰＲと吸引絞シＡＢとの間の間隔である
。
。
味面状網の実際の取付けは既に他のスペクトロメータ装
置（たとえば、’ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｐｈｙｓｉ
−ｃｓ” Ｋ１３（１９８０）の第６７ページ以下の
Ｃ，Ｊ、Ｗｏｒｋｏｗｓｋｉ Ｋよるもの）Ｋよって公
知である。
置（たとえば、’ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｐｈｙｓｉ
−ｃｓ” Ｋ１３（１９８０）の第６７ページ以下の
Ｃ，Ｊ、Ｗｏｒｋｏｗｓｋｉ Ｋよるもの）Ｋよって公
知である。
本発明は勿論図面に示された実施例に限定されるもので
はない。吸引電極を平面状に形成することは本発明の実
施態様に絶対必要であると−うものではなり０
はない。吸引電極を平面状に形成することは本発明の実
施態様に絶対必要であると−うものではなり０
第１図は従来公知の静電逆電界型スペクトロメータの概
略構成図、第２図は本発明の第１実施例の概略構成図、
第３図は本発明の第２実施例の概略構成図である。 ＷＥ・・・上部球面状網、ＫＧ・・上部球面状網、ＰＲ
・・・試料、Ｍ・・仮想原点、ＡＮ・・・吸引網、ＡＢ
・・吸引絞り、ＶＥ・・下部球面状網の電位、ｖＧ・・
・上部球面状網の電位。 （５１１８）代理人弁理士富村 潔、□、′Ｌ）礪り〕
・−・塚 「１〜；ｉ；：、上 ＩＧ １
略構成図、第２図は本発明の第１実施例の概略構成図、
第３図は本発明の第２実施例の概略構成図である。 ＷＥ・・・上部球面状網、ＫＧ・・上部球面状網、ＰＲ
・・・試料、Ｍ・・仮想原点、ＡＮ・・・吸引網、ＡＢ
・・吸引絞り、ＶＥ・・下部球面状網の電位、ｖＧ・・
・上部球面状網の電位。 （５１１８）代理人弁理士富村 潔、□、′Ｌ）礪り〕
・−・塚 「１〜；ｉ；：、上 ＩＧ １
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）吸引型棒と逆電界電極とを伽えた静電逆市界型スペ
クトロメータにおいて、球対称形逆電界を発生する２つ
の球対称形電極装随を設け、一方の下部球対称形電極装
置Ｆｉ電位（Ｖりにあり、他方の十部球対称形電極装置
Ｕ電位（ＶＧ）にあることを特徴とする逆電界型スペク
トロメータ。 ２）前詫両球対柄・形１も；極装置の中心点は仮赳原点
に置かれていることを特徴とする特許の範囲第１項ｔビ
載の逆電界型スペクトロメータ。 ３）前記吸引１ｈ仲として平面状吸引箱１極が用いｒ）
７−１ていることを．特徴とする特許請求の範囲第１項
１たは第２項記載の逆電界型スペクトロメータ。 ４）前記平田］状吸引電極として吸引絞りが用ｈられて
いることを特徴とする特許８ｈ求の範囲第３項記載の逆
電界型スペクトロメータ。 ５）前記平面状吸引電極として吸引網が用いられている
ことを特徴とする特許請求の範囲第３項記載の逆電界型
スペクトロメータ。 ６）前記下部球対称形電極装置と前記平面状吸引電極と
はほぼ同電位にあることを特徴とする特許請求の範囲第
１項ないし第５項のいずれかの項記載の逆電界型スペク
トロメータ。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3138901.5 | 1981-09-30 | ||
| DE19813138901 DE3138901A1 (de) | 1981-09-30 | 1981-09-30 | Verbessertes gegenfeld-spektrometer fuer die elektronenstrahl-messtechnik |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5871543A true JPS5871543A (ja) | 1983-04-28 |
| JPS6355183B2 JPS6355183B2 (ja) | 1988-11-01 |
Family
ID=6143048
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57168240A Granted JPS5871543A (ja) | 1981-09-30 | 1982-09-27 | 静電逆電界型スペクトロメータ |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4464571A (ja) |
| EP (1) | EP0075716B1 (ja) |
| JP (1) | JPS5871543A (ja) |
| DE (2) | DE3138901A1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59211953A (ja) * | 1983-05-17 | 1984-11-30 | Univ Osaka | ２次電子分光装置 |
| JPS62110245A (ja) * | 1985-11-07 | 1987-05-21 | Univ Osaka | 強二次電子引き出し電界を持つ二次電子分光装置 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3236273A1 (de) * | 1982-09-30 | 1984-04-05 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Spektrometerobjektiv mit parallelen objektiv- und spektrometerfeldern fuer die potentialmesstechnik |
| DE3576213D1 (de) * | 1984-09-18 | 1990-04-05 | Integrated Circuit Testing | Gegenfeld-spektrometer fuer die elektronenstrahl-messtechnik. |
| US4748324A (en) * | 1985-05-31 | 1988-05-31 | Siemens Aktiengesellschaft | Electrostatic opposing field spectrometer for electron beam test methods |
| JPH0736321B2 (ja) * | 1985-06-14 | 1995-04-19 | イーツエーテー、インテグレイテツド、サーキツト、テスチング、ゲゼルシヤフト、フユア、ハルプライタープリユーフテヒニク、ミツト、ベシユレンクテル、ハフツング | 定量的電位測定用スペクトロメ−タ−対物レンズ装置 |
| DE3521464A1 (de) * | 1985-06-14 | 1986-12-18 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Spektrometer-objektiv fuer die elektronenstrahl-messtechnik |
| JPS6298544A (ja) * | 1985-10-25 | 1987-05-08 | Hitachi Ltd | 荷電粒子線装置 |
| DE3602366A1 (de) * | 1986-01-27 | 1987-07-30 | Siemens Ag | Verfahren und anordnung zum nachweis der auf einer probe von einem primaeren korpuskularstrahl ausgeloesten sekundaerkorpuskeln |
| EP0236807A3 (de) * | 1986-03-07 | 1990-05-16 | Siemens Aktiengesellschaft | Spektrometerobjektiv für die Korpuskularstrahl-Messtechnik |
| US4714831A (en) * | 1986-05-01 | 1987-12-22 | International Business Machines | Spherical retarding grid analyzer |
| NL8602177A (nl) * | 1986-08-27 | 1988-03-16 | Philips Nv | Electronen detectie met energie discriminatie. |
| JPS6358747A (ja) * | 1986-08-29 | 1988-03-14 | Agency Of Ind Science & Technol | 電子顕微鏡 |
| GB2201288B (en) * | 1986-12-12 | 1990-08-22 | Texas Instruments Ltd | Electron beam apparatus |
| EP0302241B1 (de) * | 1987-08-06 | 1994-01-26 | Siemens Aktiengesellschaft | Spannungsmessung mit einer Elektronensonde ohne externes Triggersignal |
| JPH065691B2 (ja) * | 1987-09-26 | 1994-01-19 | 株式会社東芝 | 半導体素子の試験方法および試験装置 |
| DE10317894B9 (de) * | 2003-04-17 | 2007-03-22 | Leo Elektronenmikroskopie Gmbh | Fokussiersystem für geladene Teilchen, Elektronenmikroskopiesystem und Elektronenmikroskopieverfahren |
| JP4519567B2 (ja) | 2004-08-11 | 2010-08-04 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 走査型電子顕微鏡およびこれを用いた試料観察方法 |
| EP3330998B1 (en) * | 2016-01-21 | 2021-10-13 | Japan Synchrotron Radiation Research Institute | Retarding potential type energy analyzer |
Family Cites Families (4)
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|---|---|---|---|---|
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| GB1594597A (en) * | 1977-02-11 | 1981-07-30 | Lintech Instr Ltd | Electron probe testing analysis and fault diagnosis in electronic circuits |
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| DE2902495A1 (de) * | 1979-01-23 | 1980-07-31 | Siemens Ag | Einrichtung zur beruehrungslosen potentialmessung |
-
1981
- 1981-09-30 DE DE19813138901 patent/DE3138901A1/de not_active Withdrawn
-
1982
- 1982-08-17 EP EP82107497A patent/EP0075716B1/de not_active Expired
- 1982-08-17 DE DE8282107497T patent/DE3274497D1/de not_active Expired
- 1982-08-19 US US06/409,630 patent/US4464571A/en not_active Expired - Lifetime
- 1982-09-27 JP JP57168240A patent/JPS5871543A/ja active Granted
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| JOURNAL OF PHYSICS E: SCIENTIFIC INSTRUMENT=1974 * |
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|---|---|---|---|---|
| JPS59211953A (ja) * | 1983-05-17 | 1984-11-30 | Univ Osaka | ２次電子分光装置 |
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| JPH0235421B2 (ja) * | 1985-11-07 | 1990-08-10 | Oosaka Daigakucho |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0075716B1 (de) | 1986-11-26 |
| JPS6355183B2 (ja) | 1988-11-01 |
| US4464571A (en) | 1984-08-07 |
| EP0075716A1 (de) | 1983-04-06 |
| DE3138901A1 (de) | 1983-04-14 |
| DE3274497D1 (en) | 1987-01-15 |
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