JPS6177767A - 逆静電界式スペクトロメータ - Google Patents
逆静電界式スペクトロメータInfo
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- JPS6177767A JPS6177767A JP60202500A JP20250085A JPS6177767A JP S6177767 A JPS6177767 A JP S6177767A JP 60202500 A JP60202500 A JP 60202500A JP 20250085 A JP20250085 A JP 20250085A JP S6177767 A JPS6177767 A JP S6177767A
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- reverse electrostatic
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
- H01J37/05—Electron or ion-optical arrangements for separating electrons or ions according to their energy or mass
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/302—Contactless testing
- G01R31/305—Contactless testing using electron beams
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
- H01J37/266—Measurement of magnetic- or electric fields in the object; Lorentzmicroscopy
- H01J37/268—Measurement of magnetic- or electric fields in the object; Lorentzmicroscopy with scanning beams
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
本発明は、吸引電極と逆挿電界用電匝装置とを備え、こ
の逆挿電界用電極装置が少なくとも１つのほぼ平坦状の
逆挿電界用電極を有する逆静電界式スペクトロメータに
関する。
の逆挿電界用電極装置が少なくとも１つのほぼ平坦状の
逆挿電界用電極を有する逆静電界式スペクトロメータに
関する。
電子ビーム測定技術を用いた試料表面上の（１１１１定
点の硯位測定、特に集積化マイクロエレクトロニクス構
成素子の導体パターンおよび回路接続点の定量的電位側
之は、二矢電子用スベクｌ−ロメータを必要とする。
点の硯位測定、特に集積化マイクロエレクトロニクス構
成素子の導体パターンおよび回路接続点の定量的電位側
之は、二矢電子用スベクｌ−ロメータを必要とする。
電子ビーム測宕器においては、試料表面、たとえば集積
化マイクロエレクトロニクス構ｇ、ｌｉｓ子・Ｄ導体パ
ターン上の測定点には一次電子ビームが照射され、その
場合にとりわけ二次電子が発生さｎる。測定された導体
パターンの４立に応じて、二次電子Ｄエネルギー分布関
数が変化する。二次：ミ子用スペクトｏメータにおいて
は、二次を子のエネルギー分布関数のこの変化、従って
試料表面上の測定さｆｚｆｃ、測定点の電位を検出する
ことができる。電子ビーム測定技術を用いたこのような
逆静電界式スペクトロメータの基本構成および使用方法
は米！Ｄ特許第４−１６０．３６６号明細−：ｆｔによ
って公知である。
化マイクロエレクトロニクス構ｇ、ｌｉｓ子・Ｄ導体パ
ターン上の測定点には一次電子ビームが照射され、その
場合にとりわけ二次電子が発生さｎる。測定された導体
パターンの４立に応じて、二次電子Ｄエネルギー分布関
数が変化する。二次：ミ子用スペクトｏメータにおいて
は、二次を子のエネルギー分布関数のこの変化、従って
試料表面上の測定さｆｚｆｃ、測定点の電位を検出する
ことができる。電子ビーム測定技術を用いたこのような
逆静電界式スペクトロメータの基本構成および使用方法
は米！Ｄ特許第４−１６０．３６６号明細−：ｆｔによ
って公知である。
７オイエルバウム（Ｈ，Ｐ、Ｆｅｕｅｒｂａｕｍ ）
ｒｃよって、ｆｌ１行物ｒスキャンニング エレク１０
７ マイクロスコピーＪ （Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅ
ｃｔｒＯｎ Ｍｉｃ−ｒｏｓｃｏｐｙ） １９ ７
９年［４２８５頁＝Ｘ２９６頁により逆静電界式スペク
トロメータが公表さｎたが、しかしながら、このスペク
トロメータは試料表面上のＷ１１定点で発生さ几た二次
電子の全立体角分布を伝送することができをｌＡ、この
測定誤差の原因は、所定のエネルギーをもって逆挿電界
ネット；て対して垂直にスタートした電子はこの逆挿Ｂ
Ｅ界ネットをまっすぐにさらに通過することができるが
、一方１同じエネルギーをもっていても平坦状逆挿電界
ネノｒに対して斜めに走行する電子は逆挿２界ネットを
場合によってはもはや通過することができないというこ
とにある、 米国特許４ｇ４４６４５７ｊ号明細１１によルば、吸引
電極と逆挿電界用し！極とと備え、その逆挿電界用電甑
が、試料表面上の測定点で発生した二次電子の立体角分
布を考４Ｊ１．ｌ、て、２つの球対称形電極装置を有す
るようにした逆静電界式スペクトロメータが公知である
。この両法対称形？４極装背は球対称形逆静電界そ１乍
り出す。しかしながら、その両法対称形電極３＆謹は製
作が困難でありかつ費用がかかる。
ｒｃよって、ｆｌ１行物ｒスキャンニング エレク１０
７ マイクロスコピーＪ （Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅ
ｃｔｒＯｎ Ｍｉｃ−ｒｏｓｃｏｐｙ） １９ ７
９年［４２８５頁＝Ｘ２９６頁により逆静電界式スペク
トロメータが公表さｎたが、しかしながら、このスペク
トロメータは試料表面上のＷ１１定点で発生さ几た二次
電子の全立体角分布を伝送することができをｌＡ、この
測定誤差の原因は、所定のエネルギーをもって逆挿電界
ネット；て対して垂直にスタートした電子はこの逆挿Ｂ
Ｅ界ネットをまっすぐにさらに通過することができるが
、一方１同じエネルギーをもっていても平坦状逆挿電界
ネノｒに対して斜めに走行する電子は逆挿２界ネットを
場合によってはもはや通過することができないというこ
とにある、 米国特許４ｇ４４６４５７ｊ号明細１１によルば、吸引
電極と逆挿電界用し！極とと備え、その逆挿電界用電甑
が、試料表面上の測定点で発生した二次電子の立体角分
布を考４Ｊ１．ｌ、て、２つの球対称形電極装置を有す
るようにした逆静電界式スペクトロメータが公知である
。この両法対称形？４極装背は球対称形逆静電界そ１乍
り出す。しかしながら、その両法対称形電極３＆謹は製
作が困難でありかつ費用がかかる。
〔発明が解決しようとする１間′頑点］本発明は、試料
表面のｔａｌｌ定点で発生した二次電子の大きな立体角
分布を伝送することができ、かつ比較的簡単に製作する
ことができるようにしだ、冒頭で述べた種類の逆挿′直
界式スペクトロメータを提供することを目的とする。
表面のｔａｌｌ定点で発生した二次電子の大きな立体角
分布を伝送することができ、かつ比較的簡単に製作する
ことができるようにしだ、冒頭で述べた種類の逆挿′直
界式スペクトロメータを提供することを目的とする。
この目的を構成するために本発明は、逆挿’ｆ４・界用
゛電極装置が、少なくとも１つのはｌｒ平坦状の逆挿電
界用１に極の碌における二次粒子の角度分布を考慮して
、その少なくとも１つのほぼ平唄状の逆挿電界用電極の
環に一次投子）線と０間む〆舌が吸引電極の方向に向か
って減少するような内壁・と胃する少なくとも１つの外
部電極部品を有することを特徴とする。
゛電極装置が、少なくとも１つのはｌｒ平坦状の逆挿電
界用１に極の碌における二次粒子の角度分布を考慮して
、その少なくとも１つのほぼ平唄状の逆挿電界用電極の
環に一次投子）線と０間む〆舌が吸引電極の方向に向か
って減少するような内壁・と胃する少なくとも１つの外
部電極部品を有することを特徴とする。
従来技術に基づく逆静電界式スペクトロメータ）ておい
ては、実質的に平坦状の逆挿電界用電臆を使用すると、
逆挿電界内ζつ等電位線；゛工はぼ同様に平“星状にな
る。−力木発明に基づく逆静電界式スペクトロメータに
おいては、−次粒子線との間隔が吸引電極の方向に同か
つて減少するよりな電極部品を設けることによって、逆
挿電界用電極妄置内の等電位線は、もはや従来技術の場
合の如くほぼモ坦状にはならず、二次粒子（二次電子）
の角度分布が少なくとも部分的に考慮されるように曲げ
られる。
ては、実質的に平坦状の逆挿電界用電臆を使用すると、
逆挿電界内ζつ等電位線；゛工はぼ同様に平“星状にな
る。−力木発明に基づく逆静電界式スペクトロメータに
おいては、−次粒子線との間隔が吸引電極の方向に同か
つて減少するよりな電極部品を設けることによって、逆
挿電界用電極妄置内の等電位線は、もはや従来技術の場
合の如くほぼモ坦状にはならず、二次粒子（二次電子）
の角度分布が少なくとも部分的に考慮されるように曲げ
られる。
理想的な場合−では、本発明に基づく逆静電界式スペク
トロメータにおいては、逆挿電界用電極装置は円錐台状
中心孔を有する中実の電極部品に工っで構成される。こ
のｔ種部品の円錐台状内孔の小口径側口（小さい方り口
〕はその場合に吸引電極・つ方向に向けられる。円錐台
の外套面は一次粒子線の方向に向かって４５°の角度を
持つのが有利である。−次粒子線の方向に見て、電極装
置の円錐台状孔つ上偵ξ口＞よび下−口にそれぞれ１つ
の平坦状逆挿１界ＦＦ４ｉこ極が設けられる場合には、
このような逆挿電界用ｔｊ装置の内部の等電位線は実質
的に球対称になる。本発明に基づぐこの、二うな逆静電
界用１こ極装置ば、従来技術に基づく逆挿電界用電極装
置に比較して、簡単に１ｊ８！咋−ｒることができ、か
つエネルギー分解能を改善することができる。
トロメータにおいては、逆挿電界用電極装置は円錐台状
中心孔を有する中実の電極部品に工っで構成される。こ
のｔ種部品の円錐台状内孔の小口径側口（小さい方り口
〕はその場合に吸引電極・つ方向に向けられる。円錐台
の外套面は一次粒子線の方向に向かって４５°の角度を
持つのが有利である。−次粒子線の方向に見て、電極装
置の円錐台状孔つ上偵ξ口＞よび下−口にそれぞれ１つ
の平坦状逆挿１界ＦＦ４ｉこ極が設けられる場合には、
このような逆挿電界用ｔｊ装置の内部の等電位線は実質
的に球対称になる。本発明に基づぐこの、二うな逆静電
界用１こ極装置ば、従来技術に基づく逆挿電界用電極装
置に比較して、簡単に１ｊ８！咋−ｒることができ、か
つエネルギー分解能を改善することができる。
１つまたは多数の異なった部材から成６外部電極部品は
後方散乱電子の軌道−七制限し、それゆえ後方散乱電子
は検出器のための開口部が設けられているスペクトロメ
ータ部品の壁に到達することができない。それにより、
後方散乱域子は１司様５て検出器に達することができず
、従って同様に測定宿号には誤差が含まれなくなる。
後方散乱電子の軌道−七制限し、それゆえ後方散乱電子
は検出器のための開口部が設けられているスペクトロメ
ータ部品の壁に到達することができない。それにより、
後方散乱域子は１司様５て検出器に達することができず
、従って同様に測定宿号には誤差が含まれなくなる。
本発明に基づく逆＋１？電界用電極装置ｔにおける外部
′（他部品は、その逆挿電界用電極装置の内部の１位分
布と従来技術に基づく電位分布よりもできるかぎり明確
化することができる。外部電極部品が中実に形成されれ
ばさ、する程、逆挿′４界用″ＩＭ、極装置の内部にお
ける電位分布はより一層明確比される。
′（他部品は、その逆挿電界用電極装置の内部の１位分
布と従来技術に基づく電位分布よりもできるかぎり明確
化することができる。外部電極部品が中実に形成されれ
ばさ、する程、逆挿′４界用″ＩＭ、極装置の内部にお
ける電位分布はより一層明確比される。
逆挿２界用電極裟置の外部電極部品の内部（ｌζおける
中心孔は円筒状に限定されない。この中心孔はその他の
スペクトロメータ検出器装置ｚの幾何学的特殊性を考慮
して形成することができる。
中心孔は円筒状に限定されない。この中心孔はその他の
スペクトロメータ検出器装置ｚの幾何学的特殊性を考慮
して形成することができる。
次に、本発明の実施列を図ｉｍに基づいて詳細ンζ説明
する。
する。
再２図（・まフオイエルバウＡ （Ｈ，Ｐ、Ｆｅｕｅｒ
ｂａｕｍ＋によって公表された従来技術に基づく公印の
逆静電界式スペクトロメータの概略構成図である。本発
明の実施し１ｊに到達するために、交換されるべき部品
ＡＴは本発明による特徴と有する部品上てよって取り替
えられなければならない。交換されるべき部品ＡＴは吸
引ネットＡＮと、逆挿電界ネットＯＮと、絶諌体工Ｓと
を有している。交換されるべき部品ＡＴは表面に測定す
べきＪｌ定点が存在する試料ＰＲの上方に設けられてい
る。第２図ておいて交換ざルるべき部品ＡＴば、第１図
に示された本発明の実施Ｌｙｌｌにおいては本発明によ
る部品ＥＴ３によって取り替えられてめる〜 第２図（ｌこ示さ、また公知の逆挿″ＪＬ界民スペクト
ロメータにおける逆挿電界ネットＧＮが２５ Ｑ ｌ１
ｍのズン／ユ凍と一次電子ビームのために直径０．５１
の中心孔とを有し、そして吸引ネットＡＮ／Ｃ６００Ｖ
（１）電位が印加さ１かつ逆挿電界ネットＧＮの電位が
Ｏｖであると、第２図Ｖ逆静電界式スペクトロメータ；
でおいては−次電子ビームのために設けられてＡる中心
孔では５０Ｖの最大電界強ｅＫなる。このことは、Ｍ２
図の逆電′こが式スペクトロメータにおいては、電位と
して前述の仮定した値が印加されかつ逆／１′ｐ電界ネ
ットＧＮが前述の仮定した寸法を有する場合には、吸引
ネットＡＮと逆挿電界ネットＧＮとの間に存在する６０
０Ｖの電位障壁（ボテ／／ヤルバリャ）ｌｉ通過できな
いが、吸引ネツ）ＡＮの電位６００Ｖと逆面４界ネット
ＧＮの一次電子ビーム用中心孔の電位３０Ｖとの差電位
だけは通過してしまうような二次電子が検出器によって
検出されることを意味する。それにより、測定結果には
誤差が含まれるようになる。それにより、エネルギー分
解能が比較的悪化する。仮に４２図の逆静電界式スペク
トロメータにおいて、平坦状増勢電界ネット（）Ｎの代
わりに、２５０μｍの！ツンユ値と直径０．５ｍの中心
孔とをそれぞれ有する２つの平行な平坦状遊＃電界ネッ
トを設け、これらの平行な両逆静電界ネットを１ｍｌの
間隔で配貨し、かつこれらの平行な両逆静電界ネットの
電位をＯｖとしそして吸引電極には１同様に６００ｖの
電位を印加するようにしたとしても、平行な両逆静電界
ネットの中心孔ではまだＡＶｖｊｉｌ大電界強度になり
得る。この場合にも同様に測定結果、従ってエネルギー
分解能が悪化する。平行な両逆静電界ネットの中心孔以
外に、等電位線がこれらの平行な両逆静電界ネットｖ間
に本質的に平行に走る。
ｂａｕｍ＋によって公表された従来技術に基づく公印の
逆静電界式スペクトロメータの概略構成図である。本発
明の実施し１ｊに到達するために、交換されるべき部品
ＡＴは本発明による特徴と有する部品上てよって取り替
えられなければならない。交換されるべき部品ＡＴは吸
引ネットＡＮと、逆挿電界ネットＯＮと、絶諌体工Ｓと
を有している。交換されるべき部品ＡＴは表面に測定す
べきＪｌ定点が存在する試料ＰＲの上方に設けられてい
る。第２図ておいて交換ざルるべき部品ＡＴば、第１図
に示された本発明の実施Ｌｙｌｌにおいては本発明によ
る部品ＥＴ３によって取り替えられてめる〜 第２図（ｌこ示さ、また公知の逆挿″ＪＬ界民スペクト
ロメータにおける逆挿電界ネットＧＮが２５ Ｑ ｌ１
ｍのズン／ユ凍と一次電子ビームのために直径０．５１
の中心孔とを有し、そして吸引ネットＡＮ／Ｃ６００Ｖ
（１）電位が印加さ１かつ逆挿電界ネットＧＮの電位が
Ｏｖであると、第２図Ｖ逆静電界式スペクトロメータ；
でおいては−次電子ビームのために設けられてＡる中心
孔では５０Ｖの最大電界強ｅＫなる。このことは、Ｍ２
図の逆電′こが式スペクトロメータにおいては、電位と
して前述の仮定した値が印加されかつ逆／１′ｐ電界ネ
ットＧＮが前述の仮定した寸法を有する場合には、吸引
ネットＡＮと逆挿電界ネットＧＮとの間に存在する６０
０Ｖの電位障壁（ボテ／／ヤルバリャ）ｌｉ通過できな
いが、吸引ネツ）ＡＮの電位６００Ｖと逆面４界ネット
ＧＮの一次電子ビーム用中心孔の電位３０Ｖとの差電位
だけは通過してしまうような二次電子が検出器によって
検出されることを意味する。それにより、測定結果には
誤差が含まれるようになる。それにより、エネルギー分
解能が比較的悪化する。仮に４２図の逆静電界式スペク
トロメータにおいて、平坦状増勢電界ネット（）Ｎの代
わりに、２５０μｍの！ツンユ値と直径０．５ｍの中心
孔とをそれぞれ有する２つの平行な平坦状遊＃電界ネッ
トを設け、これらの平行な両逆静電界ネットを１ｍｌの
間隔で配貨し、かつこれらの平行な両逆静電界ネットの
電位をＯｖとしそして吸引電極には１同様に６００ｖの
電位を印加するようにしたとしても、平行な両逆静電界
ネットの中心孔ではまだＡＶｖｊｉｌ大電界強度になり
得る。この場合にも同様に測定結果、従ってエネルギー
分解能が悪化する。平行な両逆静電界ネットの中心孔以
外に、等電位線がこれらの平行な両逆静電界ネットｖ間
に本質的に平行に走る。
第１図は本発明による逆静電界式スペクトロメータの一
実施例を示す概略構成図である。第１図に示され、＋０
．本発明による部品１ｎＴ３においては、平行な両平坦
状逆挿電界ネツ）ＫＧｌ、ｍＧ２の間には実質的に球対
称の逆挿電界が作られる。逆挿電界用電極＾ｉδは中実
の外部電極部品ＫＭによって構成されているうこの中実
の外部１ｔ］ｉ；Ｍは円錐台状の内部孔を有している。
実施例を示す概略構成図である。第１図に示され、＋０
．本発明による部品１ｎＴ３においては、平行な両平坦
状逆挿電界ネツ）ＫＧｌ、ｍＧ２の間には実質的に球対
称の逆挿電界が作られる。逆挿電界用電極＾ｉδは中実
の外部電極部品ＫＭによって構成されているうこの中実
の外部１ｔ］ｉ；Ｍは円錐台状の内部孔を有している。
吸引′電極Ａｕに向けられたこの内部孔の口には平坦状
通解１界ネットＥＧ１が設けられている。−次電子ビー
ムＰＥの発生源に向けられたこの内部孔の口には平坦状
増勢電界ネットＫＧ２が設けられて＾る。両平坦状ネッ
トＥＧｊ、ＥＧ２はそれぞれ２５０μｍのメツシュ値と
直径０．５ｒｍの中心内部孔とを有している。中実の外
部電極部品は金メッキされた青銅から成る。両平坦状逆
静電界ネットＥ（Ｎ、ｍＧ２はそれぞれ金メッキさ、ｔ
た鋼から成る。逆挿電界用電極装置の全部品、すなわち
中実の外部電極部品ＫＭと平坦状逆挿電界ネノ）ｍＧ１
．ｍＧ２とは、それぞれ逆挿電界用Ｘ極がｊｉｌｌ定中
に印力ａさｎるＤと同じ電位にある。中実の外部電極５
品ＥＭは外径が約８ｔａ、高さが約１ｍ、内部孔の小口
径側口が約５ｍ、そして内部孔の大口径側口が約６謔で
ある。平坦状逆挿電界ネットＥ０１Ｄ直径は中実の外部
！種部品ＥＭの内部孔の小口径側口の直径と同じであシ
、従って３鳩である。大きい方り平坦状逆算電界ネツ１
−ＫＧ２の直径は中実の外部電極部品ＫＭの内部孔の大
口径側口の直径と同じであり、従って６１である。外部
電極部品ＫＭの円錐台状内部孔の外套面は一次電子ビー
ムＰＥの方向に４５°の角度を有している。逆挿電界用
電極装置の内部における等電位線Ａ１．Ａ２は理想的な
場合には仮想発生源Ｍに対して実質的に球対称となる。
通解１界ネットＥＧ１が設けられている。−次電子ビー
ムＰＥの発生源に向けられたこの内部孔の口には平坦状
増勢電界ネットＫＧ２が設けられて＾る。両平坦状ネッ
トＥＧｊ、ＥＧ２はそれぞれ２５０μｍのメツシュ値と
直径０．５ｒｍの中心内部孔とを有している。中実の外
部電極部品は金メッキされた青銅から成る。両平坦状逆
静電界ネットＥ（Ｎ、ｍＧ２はそれぞれ金メッキさ、ｔ
た鋼から成る。逆挿電界用電極装置の全部品、すなわち
中実の外部電極部品ＫＭと平坦状逆挿電界ネノ）ｍＧ１
．ｍＧ２とは、それぞれ逆挿電界用Ｘ極がｊｉｌｌ定中
に印力ａさｎるＤと同じ電位にある。中実の外部電極５
品ＥＭは外径が約８ｔａ、高さが約１ｍ、内部孔の小口
径側口が約５ｍ、そして内部孔の大口径側口が約６謔で
ある。平坦状逆挿電界ネットＥ０１Ｄ直径は中実の外部
！種部品ＥＭの内部孔の小口径側口の直径と同じであシ
、従って３鳩である。大きい方り平坦状逆算電界ネツ１
−ＫＧ２の直径は中実の外部電極部品ＫＭの内部孔の大
口径側口の直径と同じであり、従って６１である。外部
電極部品ＫＭの円錐台状内部孔の外套面は一次電子ビー
ムＰＥの方向に４５°の角度を有している。逆挿電界用
電極装置の内部における等電位線Ａ１．Ａ２は理想的な
場合には仮想発生源Ｍに対して実質的に球対称となる。
というのは、逆挿電界用電極装【ｔの内部ておける二次
電子ＳＥの軌道はその角度分布に依存せずに静電界線に
実質的に平行に走るからである。
電子ＳＥの軌道はその角度分布に依存せずに静電界線に
実質的に平行に走るからである。
本発明に基づく逆静電界式スペクトロメータの有利な効
果は、−次電子ビームＰＫからの外部電極部品ＥＭの内
壁の間隔が吸引１１極ＡＮの方向に向かって減少するよ
うにすることによって得られる。それにより、本発明に
基づ（２１′ｌ静電界月ｊ電極装置の主要な利点が与え
られる。この主要な年り点は、逆挿電界用電極ＥＧＧ、
ＩＣＧ２が完全に平坦状ではなく、若干湾曲状に形成さ
する場合も得られる。両逆静電界用電極ＥＧｊ、ＥＧ２
の代わりに、１つまたは多数の逆＃電界用電極を外部電
極部品ＥＭの内部孔領□戎テ設置することもできる。
果は、−次電子ビームＰＫからの外部電極部品ＥＭの内
壁の間隔が吸引１１極ＡＮの方向に向かって減少するよ
うにすることによって得られる。それにより、本発明に
基づ（２１′ｌ静電界月ｊ電極装置の主要な利点が与え
られる。この主要な年り点は、逆挿電界用電極ＥＧＧ、
ＩＣＧ２が完全に平坦状ではなく、若干湾曲状に形成さ
する場合も得られる。両逆静電界用電極ＥＧｊ、ＥＧ２
の代わりに、１つまたは多数の逆＃電界用電極を外部電
極部品ＥＭの内部孔領□戎テ設置することもできる。
外部電極部品ＥＭの内部が同様にその外部電極部品Ｆｉ
Ｍと同電位に置かれる金属部材を有することば重要であ
る。外部電極部品ＥＭの内部孔の内部° てこのような
金属部材を設けなｒと、逆挿電界用電極装置の内部では
、測矩結果およびエネルギー分解能に不都合に作用する
約５０７あるいは６０Ｖの最大電界強度になるであろう
。本発明に基づく逆挿電界用電極装置において重要なこ
とは、逆挿電界用電極装置オの内部に存在する最大電界
強度は一次電子ビームｐｇとの間隔が吸引′、電極ＡＮ
の方向に向かって減少するような電極部品を有しない従
来技術に基づく逆挿電界用電極装置の最大電界強度より
も小さい、ということである。
Ｍと同電位に置かれる金属部材を有することば重要であ
る。外部電極部品ＥＭの内部孔の内部° てこのような
金属部材を設けなｒと、逆挿電界用電極装置の内部では
、測矩結果およびエネルギー分解能に不都合に作用する
約５０７あるいは６０Ｖの最大電界強度になるであろう
。本発明に基づく逆挿電界用電極装置において重要なこ
とは、逆挿電界用電極装置オの内部に存在する最大電界
強度は一次電子ビームｐｇとの間隔が吸引′、電極ＡＮ
の方向に向かって減少するような電極部品を有しない従
来技術に基づく逆挿電界用電極装置の最大電界強度より
も小さい、ということである。
本発明ンこ基づく逆挿電界用電極装置においては、逆挿
電界用電極装置の内部の最大電界強度は第２図に示した
従来技術に比較して１５倍低い。このことはエネルギー
分解能が２００〜２５０倍改善さ几ることを意味する。
電界用電極装置の内部の最大電界強度は第２図に示した
従来技術に比較して１５倍低い。このことはエネルギー
分解能が２００〜２５０倍改善さ几ることを意味する。
第３図は本発明に基づく逆静電界式スペクトロメータの
有利な効果について説明するための特性図である。本発
明に基づく逆静電界式スベク）。
有利な効果について説明するための特性図である。本発
明に基づく逆静電界式スベク）。
メータはスペクトロメータ特性線Ｓ１を有し、一方従来
技術に基づく逆静電界式スペクトロメータはスペクトロ
メータ特性線Ｓ２を有するｅ ｖｅｆｆは測定点と等電
位線Ａ２との間の電位障壁である。
技術に基づく逆静電界式スペクトロメータはスペクトロ
メータ特性線Ｓ２を有するｅ ｖｅｆｆは測定点と等電
位線Ａ２との間の電位障壁である。
等電位線Ａ２の電位は逆挿電界用電極装置の電位以上に
設定され、それにより、試料ｐｕ上の局部電界の影響を
受ける低エネルギーの二次電子ＳＥは検出器ＤＴには到
達しなくなる。ＩＳＥは、測定薇の電位と等電位線Ａ２
の電位との間の電位障壁を通過して検出器１）Ｔに到達
することのできる二次電子ＳＥの流れによって得られる
二次電子・測定（１号である。本発明に基づく逆静電界
式スペクトロメータのスペクトロメータ特性１ｊ３ｊｓ
Ｉは”ｅｆｆの非常に小さな範囲でかなり急峻ｔ・て低
下する。スペクトロメータ特性線Ｓ２はＶｅｒＴの比較
的大きな範囲で比綬的緩慢ｉ（低Ｆする。従って本発明
に基づく逆静電界式スペクトロメータにおいては、測定
点の電位は、従来技術に基づく逆静電界式スペクトロメ
ータの測定点′電位よりもはるかに精確に測定すること
ができる。従って本発明に基づく逆静電界式スペクトａ
メータにおけクエネルギー分解能は、従来技術に基づく
逆静電界式スペクトロメータにおけるエネルギー分解能
よりも著しく大きい。
設定され、それにより、試料ｐｕ上の局部電界の影響を
受ける低エネルギーの二次電子ＳＥは検出器ＤＴには到
達しなくなる。ＩＳＥは、測定薇の電位と等電位線Ａ２
の電位との間の電位障壁を通過して検出器１）Ｔに到達
することのできる二次電子ＳＥの流れによって得られる
二次電子・測定（１号である。本発明に基づく逆静電界
式スペクトロメータのスペクトロメータ特性１ｊ３ｊｓ
Ｉは”ｅｆｆの非常に小さな範囲でかなり急峻ｔ・て低
下する。スペクトロメータ特性線Ｓ２はＶｅｒＴの比較
的大きな範囲で比綬的緩慢ｉ（低Ｆする。従って本発明
に基づく逆静電界式スペクトロメータにおいては、測定
点の電位は、従来技術に基づく逆静電界式スペクトロメ
ータの測定点′電位よりもはるかに精確に測定すること
ができる。従って本発明に基づく逆静電界式スペクトａ
メータにおけクエネルギー分解能は、従来技術に基づく
逆静電界式スペクトロメータにおけるエネルギー分解能
よりも著しく大きい。
吸引電極ＡＮと逆挿電界用電極装置とは絶縁体重ＳＫよ
って分離さ几ている。
って分離さ几ている。
以上に説明したよう？で、本発明′／ｃよれば、逆挿電
界用電極装置は、−欠粒子線ｐｇとの間Ｅｉ％が吸引電
極ＡＮの方向に向かって減少するような内壁を少なくと
も１つの実質的に平坦状の逆挿電界用電極ＥＧ１．Ｆｉ
Ｇ２の縁に有する少なくとも１つの外部電極部品ＫＭを
有するので、試料表面の測定点で発生した二次電子ＳＥ
の大きな立体角分布を伝送することができ、かつ逆静電
界式スペクトロメータを比軟的簡単に製作することがで
きるという利点が奏される。
界用電極装置は、−欠粒子線ｐｇとの間Ｅｉ％が吸引電
極ＡＮの方向に向かって減少するような内壁を少なくと
も１つの実質的に平坦状の逆挿電界用電極ＥＧ１．Ｆｉ
Ｇ２の縁に有する少なくとも１つの外部電極部品ＫＭを
有するので、試料表面の測定点で発生した二次電子ＳＥ
の大きな立体角分布を伝送することができ、かつ逆静電
界式スペクトロメータを比軟的簡単に製作することがで
きるという利点が奏される。
第１図、ｌよ本発明による送辞電界形スペクトロメータ
の一実施例を示す概略構成図である。 第２図は従来技術に基づく公知の送辞電界形スペクトロ
メータを示す概略構成図である。 第３図１は本発明による送辞電界形スペクトロメータの
有利な効果について説明するだめの特注図である。 ＡＮ・・・吸引ネット、ＥＧｌ、ＥＧ２・・逆挿電界ネ
ツ＝Ｓ ＷＭ・外部電極部品、ＰＫ・・・−次電子ビー
ム、ｓｇ・・・二次電子。
の一実施例を示す概略構成図である。 第２図は従来技術に基づく公知の送辞電界形スペクトロ
メータを示す概略構成図である。 第３図１は本発明による送辞電界形スペクトロメータの
有利な効果について説明するだめの特注図である。 ＡＮ・・・吸引ネット、ＥＧｌ、ＥＧ２・・逆挿電界ネ
ツ＝Ｓ ＷＭ・外部電極部品、ＰＫ・・・−次電子ビー
ム、ｓｇ・・・二次電子。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）吸引電極（ＡＮ）と逆静電界用電極装置とを備え、
この逆静電界用電極装置が少なくとも１つのほぼ平坦状
の逆静電界用電極（ＥＧ１、ＥＧ２）を有する逆静電界
式スペクトロメータにおいて、前記逆静電界用電極装置
は、前記少なくとも１つのほぼ平坦状の逆静電界用電極
（ＥＧ１、ＥＧ２）の縁における二次粒子（ＳＥ）の角
度分布を考慮して、前記少なくとも１つのほぼ平坦状の
逆静電界用電極（ＥＧ１、ＥＧ２）の縁に一次粒子線（
ＰＥ）との間隔が前記吸引電極（ＡＮ）の方向に向つて
減少するような内壁を有する少なくとも１つの外部電極
部品（ＥＭ）を有することを特徴とする逆静電界式スペ
クトロメータ。 ２）前記少なくとも１つのほぼ平均状の逆静電界用電極
（ＥＧ１、ＥＧ２）はネット電極として形成されている
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の逆静電界
式スペクトロメータ。 ３）前記少なくとも１つのほぼ平均状の逆静電界用電極
（ＥＧ１、ＥＧ２）は、前記吸引電極（ＡＮ）に向つて
先細になる裁頭円錐状孔を内部に有する中実の電極部品
（ＥＭ）によつて縁が付けられていることを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載の逆静電界式スペクトロメー
タ。 ４）前記外部電極部品（ＥＭ）の裁頭円錐状孔の上端部
および下端部にはそれぞれ１つのほぼ平坦状の逆静電界
用電極（ＥＧ１、ＥＧ２）が設けられていることを特徴
とする特許請求の範囲第３項記載の逆静電界式スペクト
ロメータ。 ５）前記外部電極部品（ＥＭ）の裁頭円錐状孔は円錐台
状孔であることを特徴とする特許請求の範囲第３項また
は第４項に記載の逆静電界式スペクトロメータ。 ６）前記吸引電極は平坦状吸引電極（ＡＮ）であること
を特徴とする特許請求の範囲第１項ないし第５項のいず
れか１項に記載の逆静電界式スペクトロメータ。 ７）前記平坦状吸引電極として吸引ネット（ＡＮ）が用
いられることを特徴とする特許請求の範囲第１項ないし
第６項のいずれか１項に記載の逆静電界式スペクトロメ
ータ。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3434231 | 1984-09-18 | ||
| DE3434231.1 | 1984-09-18 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6177767A true JPS6177767A (ja) | 1986-04-21 |
Family
ID=6245693
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60202500A Pending JPS6177767A (ja) | 1984-09-18 | 1985-09-12 | 逆静電界式スペクトロメータ |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4683376A (ja) |
| EP (1) | EP0178431B1 (ja) |
| JP (1) | JPS6177767A (ja) |
| DE (1) | DE3576213D1 (ja) |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6358747A (ja) * | 1986-08-29 | 1988-03-14 | Agency Of Ind Science & Technol | 電子顕微鏡 |
| US4843330A (en) * | 1986-10-30 | 1989-06-27 | International Business Machines Corporation | Electron beam contactless testing system with grid bias switching |
| DE3638682A1 (de) * | 1986-11-13 | 1988-05-19 | Siemens Ag | Spektrometerobjektiv fuer korpuskularstrahlmesstechnik |
| US4829243A (en) * | 1988-02-19 | 1989-05-09 | Microelectronics And Computer Technology Corporation | Electron beam testing of electronic components |
| US4983830A (en) * | 1989-06-29 | 1991-01-08 | Seiko Instruments Inc. | Focused ion beam apparatus having charged particle energy filter |
| DE4027062A1 (de) * | 1990-08-27 | 1992-04-23 | Integrated Circuit Testing | Verfahren und anordnung zum testen und reparieren einer integrierten schaltung |
| DE4216730C2 (de) * | 1992-05-20 | 2003-07-24 | Advantest Corp | Rasterelektronenstrahlgerät |
| DE69901787T2 (de) * | 1999-03-31 | 2002-11-21 | Advantest Corp | Verfahren und Vorrichtung zur Abbildung eines Oberflächenpotentials |
| EP1063677B1 (en) * | 1999-06-23 | 2005-03-16 | ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH | Charged particle beam device |
| BR0116911A (pt) * | 2001-03-16 | 2004-02-10 | Holdings Ltd G | Método e sistema de renovação de primeiros dados de identificação, sistema que permite efetuar transações, e, dispositivo de transação portátil |
| US6768111B1 (en) * | 2003-09-16 | 2004-07-27 | International Business Machines Corp. | Method for SEM measurement of topological features |
| JP4519567B2 (ja) * | 2004-08-11 | 2010-08-04 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 走査型電子顕微鏡およびこれを用いた試料観察方法 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1304344A (ja) * | 1969-02-01 | 1973-01-24 | ||
| DE2223367C3 (de) * | 1972-05-12 | 1978-11-30 | Max-Planck-Gesellschaft Zur Foerderung Der Wissenschaften E.V., 3400 Goettingen | Mikrostrahlsonde zur quantitativen Erfassung von geladenen Sekundärteilchen |
| US3961190A (en) * | 1975-03-06 | 1976-06-01 | International Business Machines Corporation | Voltage contrast detector for a scanning electron beam instrument |
| FR2335839A1 (fr) * | 1975-12-19 | 1977-07-15 | Commissariat Energie Atomique | Procede d'analyse d'echantillons en matiere isolante par spectrometrie photo-electronique et porte-echantillon pour la mise en oeuvre dudit procede |
| KR850001390B1 (ko) * | 1980-07-31 | 1985-09-24 | 니혼 덴시 가부시끼 가이샤 | 2차 전자 검출장치 |
| DE3036734A1 (de) * | 1980-09-29 | 1982-05-06 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zur messung von widerstaenden und kapazitaeten von elektronischen bauelementen |
| DE3138901A1 (de) * | 1981-09-30 | 1983-04-14 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verbessertes gegenfeld-spektrometer fuer die elektronenstrahl-messtechnik |
-
1985
- 1985-08-22 DE DE8585110581T patent/DE3576213D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1985-08-22 EP EP85110581A patent/EP0178431B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1985-09-09 US US06/773,863 patent/US4683376A/en not_active Expired - Lifetime
- 1985-09-12 JP JP60202500A patent/JPS6177767A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3576213D1 (de) | 1990-04-05 |
| EP0178431B1 (de) | 1990-02-28 |
| US4683376A (en) | 1987-07-28 |
| EP0178431A1 (de) | 1986-04-23 |
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