JPS6168847A - 粒子ゾンデの自動位置決め方法と装置 - Google Patents

粒子ゾンデの自動位置決め方法と装置

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JPS6168847A
JPS6168847A JP60191824A JP19182485A JPS6168847A JP S6168847 A JPS6168847 A JP S6168847A JP 60191824 A JP60191824 A JP 60191824A JP 19182485 A JP19182485 A JP 19182485A JP S6168847 A JPS6168847 A JP S6168847A
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sonde
particle
conductive path
signal
measurement
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JP60191824A
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ペーター、ルンメル
エクハルト、ウオルフガング
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Siemens AG
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    • G01R31/302Contactless testing
    • G01R31/305Contactless testing using electron beams
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
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  • General Physics & Mathematics (AREA)
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  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Length-Measuring Devices Using Wave Or Particle Radiation (AREA)
  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、現在位置が局部場のためにその規定位菫廓
ら外れて認められる特定の区域に向って粒子ゾンデ全自
動的に位置決めする方法とそれを実施する装置に関する
ものである。
〔従来の技術〕
集tk@路内部の電位値と電位値分布の測定に対しては
電子ゾンデが使用されている。この場合測定個所は原則
として余情導電路又は最上導電路面に置かれた試験面で
ある。電子ゾンデを精確に各導電路には試験面の中央に
回って位置決めするためには電子ゾンデの自動位置決め
が望寸れる。
試験面の寸法又は導電路の福は現在数/l mに過ぎず
、将米は更に減少すると思わ九る。使用される測定1夷
置の不安定性又1′lまその他の理由例えば電場の作用
により電子ゾンデが導電路の中央又は試験面の中心から
外れる場合には、それを記載し補償する必要がある。
電子ゾンデの位置決めは電子ビーム測定器で行われるが
、これは一般に画像/点動作と呼ばれている走査型電子
顕微鏡検イ1による。この場合電子ビームは交互に試料
上を走査して画像を形成した後又特定の測定個所に向け
られろ。この画像灯成と電子ビームの案内との交互動作
は迅速に行われるから特定の測定個所は画像内に目で見
ることができ、走査電子顕微鏡の偏向コイル電圧をil
l卸する電位差計を使用して特定の測定個所が試料内の
特定の測定点に一致するように電子ビームゾンデの位置
決めを変更することができる。電子ビーム測定器の一例
は米国特許第4277679号明7則書に記載され公知
である。
通1Wの電子ビームリソグラフィの場合のように電子ゾ
ンデが対象の所望個所に精確に当れば理想的である。こ
の種の電子ビーム位置決め法の−列)i米II特n−g
364.t7aa号明IJ 8 ”’)記載により公知
である。しかしこの方法は電子ビーム測定技術に対して
は無効である。この場合プ1えは局所的の@圧変動や開
所電場のような局所場がそれぞれの測定個所の位置上そ
れが移動しているように見せかけるため、各ff1ll
定f固所の精確な位lを予め確定しておくことはできな
い。測定個所の現在位1が設定位置から外式ているよう
に見せかけるこの種の局所場は初めから精確に定めてお
くことは不可能であり、その上試料の測定中、更に一般
化して云えば試料の処理中時間的に変動するものである
〔発明が解決しようとする間萌点〕
この発明の目的(i、冒頭に挙げた種類の方法と装置を
改良して局所場のために位置が予め精確に定めておくこ
とができないm11j定截1/c対しても粒子ゾンデの
位置決めを可能にすることである。
C問題点の解決手段〕 この目的は特許請求の範囲第1項に特徴として挙げた操
作とすることによって達成される。この発明の方法を実
施する装置の鷹Fi!2、特許請求の範囲第15項およ
び第16項に示さ、1ている。
この発明は電子ゾンデの使用に限定されるものではなく
、その他のゾンデ例えば光ビームゾンデ。
イオンビームゾンデの使用も可能である。
更にこの発明は電子ビーム測定技術に限定されるもので
もなく、所望測定区域の現在位1がその設定位置に対し
て局所場の影響により移動していると見られることから
所望区域に対する粒子ゾンデの位+it決めが困難とな
るいずれの対象処理においても利用可能である。この種
の局所場としては磁場、電場、温度場等が考えられる。
例えば@圧変動は電気導体に電流が流れて加熱される場
合に発生し、局所磁場は例えば電流によって発生する。
又電場は電位を異にする区域が隣接しているとき重要と
なる。
粒子ゾンデが当るように位置決めする区域がその隣接区
域に対して異った′!!を位に置かれていると、電位コ
ントラストの助けによって粒子ゾンデを所望区域に向け
てfirt決めすることができる。この葎の方法は後で
縁端幼果を利用する位置決めの実施例において説明する
。縁端効果を電位フントラストに移すことは専問家にと
っては容易に実行されることである。
粒子シップを位置決めする区域がその周囲とほぼ等しい
1位であるとき;d1粒子ゾンデの位置決め;て対して
縁1@果全利用するのが有利である。
位置決もする月5>:つ;集漬回洛の4電路(配【凄)
であるとその周囲は一般に絶1鍬面であり導′【を路か
らそD周囲に移るとき顕著な縁端効果を示すからこの方
法は特に効果的である。この発明の方法を実施する対象
が特に顕著l縁端効果を期待できるものであると同時に
粒子ゾンデを向ける所望区域の電位がその周囲の電位と
異っている場合には、縁、島効果をFll用して位置決
りを行うと同時に電位コントラストを抑干す己のが有利
である6縁端幼里:てよって発生ず/b箇号を最4受信
でさるため7こは。
電子ビーム測定器において電位コントラストを抑圧する
ため電子スペクトロメータの対向電場に1産当な電子例
えばOボルトを印加する。
例えば多数の導電路から1つの導電路を選び出す等の特
殊な場合には、電位フントラストに基ぐ信号を評イ面す
ることが有利であり場合によっては必要である。
縁端効果が生ずる原因は走査型電子顕敬凛のいずれの教
科書にも記載されている。縁端効果はちる区域列えば菜
漬回路内D4電路表面区域り縁端7ζおける二次電子放
出ンこよって生ずるものである。
突出した縁端えは直立した対象講造では拡散雲が強く切
り取られ、後方に散乱又は伝送される多数の粒子が試料
から離れるため粒子の後方散乱、ダ強まり二次電子発生
量が増大する。これらの後方散乱粒子が試料に自己と、
試料にエネルギーを与え又表面に対して斜めに進入する
ため二次電子を放出させる。
この発明の方法には列え/f表面の頌掛に基ぐコノドラ
スト、投影に基ぐコントラスト、物質コントラストある
いは隣接周囲区域の異った特性に基でコントラスト、隣
接2区域間の境界におけるコントラスト等から発生する
測定信号も利用される。
集清回路内区域に向っての位置決めに際しては、走森速
変をできるだけ凋ぐして絶縁性区域の充電が起らないよ
うにするのが重要である。表面に当る電荷量と表面から
放出される電荷量とがバランスする一次粒子エネルギー
値は絶縁性区域の充電の防止πも適している。
特許請求の範囲i/cおいて1種々の異った個4所1と
いう表現は、これらの個所又はこれらの1固所の境界が
測定官記の発生に関してはっきりと異った特性を示しあ
るいは示し得るものであることを表わしている。
自動位1決めのためには粒子ゾンデを種々の異った区域
を通り抜ける直線に沿って偏向する。その代りに種々の
異った区域内に規定された相互間!tThと渫って配:
イされた点に粒子が当るように偏向すにとも可能である
。この点間の規定さhfc柑互間隔の決定は例えばディ
ジタル走査電圧発生器によって実施することができる。
〔実施例〕
図面に示した実施例について更vc詳細に説明す、る。
第1図に−この発明の方法を実施する装置の偶成を示す
。この装置の主要部品は電子ビーム剣定器SEMであり
、これは米II特許第4241259号および同第42
77679号明細書に記載さnているものである。SE
Mの一次電子PKは偏向コイルSCによってIIi向さ
れ、集積回路IC内の所望点に向けて位置決めされる。
−次電子pF2が集積回路内の一点て当ると、そこから
二次電子SEが放出される。この二次電子SKの一部分
は逆電場電極HPが作る逆電場に打ち勝ち、電子スペク
トロメータgs内で検出器DTに向って偏向され、そこ
で検出されろ。その際二次電子f4115t 信号が発
生する。この官記は視いて信号処理系sp内で処理され
る。二次電子君号処理系は通常光電子増倍管とそれに続
く種々の増幅器、例えば米国特許第4413181号明
細書に記載されているボックスカー積分器と呼ばれてい
るものを含んでいる、二次電子測定信号処理系spの出
力信号の一部は電子ビーム測定器SKMの映像スフU−
/cRTに導かれ、他の一部はダラーフイツク映像スク
リーンSIC結ばれる。映1砿スクリーンCRTの出力
信号を通してディンタル偏向電圧発生器DSC)が1ム
11・III]さ1、−次電子PKD所望の偏向に必要
な電圧を偏向コイルSCに与える。架台xyに固定され
ている集積回路ICは、架台制御装置TOを通してその
位ffi??粗調繋することができる。
第2図はこの発明の詳細な説明する図面である。
架台xy表面上の点θ位置を決める座標系と!5fit
回H5xc表面の点の位jif、決める座標系と偏向コ
イルSCから成る偏向位置の二次元偏向作用を決める座
標系とが1に整列されている場合には、原理的1ては集
積回路IC内の各点が自動的に架台xyのステップモー
タの助けにより電子ゾンデがこの点に当るような位置に
移される。しかしこの架台xyのステップモータによる
位置決めのWI度は、長さと、@がそれぞれ+41mの
面漬内において±15μmに過き゛ない。この粗大な瑚
整精度は架台の調整精度自体が低いことだけによるもの
ではなく、集積回路内の電子ビームが当る点の周回に局
所場が発生することにも関係する。集積回路表面の導′
44の幅が現在約1trmであり将来は更Oで小さくな
ることを考えると、±15amという位1決め誤差は過
大である。位置決め精度で高めろためには分光測定法に
従って集積回路の表面の一部?映像スクリーンCRTに
投影する。この種の分光測定技術は列えば米国特許第3
628012号明細書に記載されている。集積回路IC
の表面のストロボ撮影された画像は画像メモリに入れる
ことができる。これによって集積回路の表面が荷電粒子
ビーム照射を受ける時間は著しく@縮される。集積回路
表面の記憶面1′虫は映1象スクリーンCRT上1/(
表示され乙、電子)°ンデを向ける所望の」り定個所は
、位置と大きさが可変のN yを使用して選定された4
電f&Lを窓Wの1illl縁が横切るようにして標識
される。、窓゛、qのこの側縁は第2図に分いて点Bと
Cを結ぶ直線である。この場合点AとBを結ぶ直・涙は
点BとCを拮ぶ直線に垂直である。電子ゾンデは点Aと
B又はB、!:Cを結ぶ直線に沿って操り返し走査する
。点AとBを拮ぶ直線に沿った走査ば」11定ts号の
雑副パックグラウンドを決定するだめのものでちる。選
定された導電路りまfCはその縁端は酸化、漢よりも大
きな二次電子信号を与える。従って選出された導電dL
は点BとCの間のオ吉舎線で切断されることKなる。点
BとCの1間の結合線の走査によって得られた測定信号
と点AとBの間のr浩合被の走査によって得られた測定
官記との比が形成され、この比から充分良好な位置稔識
又は充分良好なSIN比とするのに必要な点AとB又は
点BとCの間の結合線に沿う走査回数が求められる。
この発明の方法により縁端効果を利用して得られだ1t
ll定言号SIを第6図に示す。このalll定信号3
工は第1図の測定装置においてグラフインク映像スクリ
ーンS上に表示される。選ばれた導電路りの縁端l−i
測定召号曲線のピークp1.p2によって表わされてい
る。導電路の中央L(Sは43図に矢印で示されている
。この導電路中央の探索結果は例えii映像スクリーン
CRTあるいは計算機制御装置CONを通してディジタ
ル走査電圧発生器DIGに与えられ、電子ゾンデは偏向
コイルSaによって導電路乙の中央て向って位置決めさ
れる。
台xyによる予備位置決めが精確であって4Wを選ばれ
た導電路を取巻いてマークする2、要がン小−が無い場
合には、簡単に選ばれた導電路りの内部の点の設定座標
を与えることにより上記の過程は1つの窓Wによる付加
的の標識無しに遂行される。
第3図の測定信号S工はパルス幅5ns、ゾンデ電流2
nA(衝繋係数工1:1000)の亀子ノ゛ノデを使用
して求めたものである。
集積回路ICの表面は予備位置決めのために映1家スク
リーンCRT上に1000倍以上の拡大率をもって投像
さnfc。
導電区域に隣接する治産性区域(酸rヒ膜)の光′シを
避けるためには、導電路中央を探索する走査を丁字形に
実施することができる。その際導電路上の雑音信号を求
める走査は、第2図に示すよう)てこの導電路の方向に
行われ、酸化膜上には延びないようにする。
この発明の方法1で対して重要なのは、2つの刈々の信
号が得られ、その一方は雑音と導電路18号中の一方だ
けを含み、他方は雑音と4電路信号の双方を含むことで
ある。更に一般化して云えば、雑音信号と実効in号と
?互に分離することができるように両方の13号を構成
することである。その際の境界条件は、−り定点が2つ
の興った区域の間7つ境界に充分近く、特定の」11定
点の位置を所望区域内部に定めることができることであ
る。
導電路中央の探索結果がグラフィックディスプレイのス
フU−79に導かれると、導電路中央λ(Sを指示する
矢印を動かすことによって手動補正が可能となる。
測定中又はその後で電子ゾンデのドリフトは、導電路中
央探索の操9返しおよび異つ虎中央1iiij0差をと
ることKよって決定し、必要に応じて電子ゾンデの再調
整により補償することができる。
測定中4 電、I+&中央を周期的に決定し、位置の現
在値をゾンデの位置決めだ帰還することにより、自動的
の導電路中央調整を行うことができる。そのためには図
形表示スクリーンSの出力信号全直接ディジタル走査層
圧発生器DSGに導く。この自動?J!4整に際して設
定値としては例えば測定開始に当って決定した導′FL
路中央座標が使用される。
次に導電路中央探索のだめの具体的のサブプログラムを
説明する。粒子ゾンデを導電路中央ではなくその他の特
定の区域(これは必ずしも導電路内になくてもよい]に
向けて位置決めず、6鳩会に、こOプログラムを適当1
(修正することは専間′ゾV′ことって容易である。た
だこの特定区域の空間位]Wが、3I+1定信号の特徴
的な構造から決定され、又この空間立直が局所場の影響
で見かけ上移動した畝1(・ζあるとされることが重要
である。
コンピュータ制御”J=icorJにおいて実行可顛D
サブプログラムLEITSUに従って導1λ路りの中央
の座標と決定することができる。その際導電路りと横切
る走査(Cよって作られた電圧信号が使用される。この
4電路りを横切る走査の実例は、走査曲線の半分は4電
路に平行し、他の半分は導1路1て垂直になるようにし
て行われる。走査曲線が別の経過全とる場合にはサブプ
ログラムもそれシて応じて変更しなければならない。
この実例において実jtllされた電圧濱号は、走置、
9一方の半分では純粋な雑音イ言号から構成され、他の
半分で(i准J信号と実効11号を重ねたものとなる。
測定ざ几た電圧官記は走査全体に亘って亘流電を五分全
示す。
導′屈路りがその周囲より′/i4つた′混酸Vである
ときLする重重コノトラストに基ぐかあるいは禄端効里
に基いて測定z号曲線は導電L′δ摩端((分いて上昇
あるいは降下するから、それによって導電路りの位置と
その中央点が決定される。導電路を横切る1回の走査に
よって得られる実効信号、・ま微弱でちるから、このよ
うな走査を繰り返し実施してそのJI11定結果全結果
全体的評価により満足できる最終結果が得られる。従っ
てサブプログラムL E工TSUは最初充分な導4路中
央の探索結果の達成(て必要な導電路を横切る走査の回
数5CANWIを求め、その後で導C【路中央の座標を
求めるもつでなければならない。そのためにサブプログ
ラムLz工TSUば、画1重メモリ中座標軸毎に設けら
れるラスタ点の数と導電路を横切る走査曲、1泉の長さ
LSCAMを入力として受取る。ここで走査曲線長LS
CkNはを査血線に沿ったラスタ点の特定政として表わ
され、導電路の幅LK工TBは1−1えず/j mを単
位として表わさ九る。
直流分を除かれた測定信号のSN比は充分な結果を得る
のに必要な導電路を横切る走査の実施回数を決定する。
導電路を横切る1つの走査曲線に沿って行われた複数回
の走査による測定結果が加え合わされるときは、その和
に分いては実効信号う:改善されているばかりでなく雑
音信号も低減されている。雑音信号は統計的に変動する
量であり、mlり定を操り返すことによりいくらでも小
さくすることができる。例えid′複数回の走査を通し
て加え守わされた測定値から実験的に求められた′3N
比の設定値QsobLから出発すると、充分満足される
結果の達成に必要な走査回教SCAMWIは次の式から
求められる。
ここで5CANWI  :走査の操り返し回数。
SR:1回の走査に分いての9N比。
L S CA N H:ラスタ点で表わした走査曲線の
長さの半分 LBRleIT  :ラスタ点で表わした4電路T、対
するSN比SRの望ましく ない関係会補償する補正項 各回の走査に際してのSN比の定義は後で与える。
式(1)の変換により次式が得られるっ11!々の走査
;(おいてのS!J比SRを求めるためには、各走査で
得られた測定信号から直流電工分を引いておかなければ
ならない。走査1ilI線はその半分が導電路乙に平行
であり、残りの半分は4電路ンζ垂直であるから、続い
て走査曲線のいずnの半分に実効信号が含まれているか
を調べなけれ?fならな°ハ。実効信号は正負いずれで
もよいから。
両半分のいずれに実効信号が含まれているかが不明であ
ることとこの実効信号う:正でちるが・負でも乙かが不
明であること、て胡き4つの互に異ったケースを考えな
ければならない。
いずれの半分から実効信号が求められるかの判定基準は
走査曲線の両半分において・D測定結果の標準1差の比
咬でちる。標準偏差う:小さいのは純准音1号だけが求
められろ走査il]線の半分である。
標準偏差の計算にはライブラリーエムエーテイーエノチ
CLibrary MATH(mathematic 
FORTRAN−3UBFIOUTIN、P7+ +o
o−oooo+−X−4−35ンのすブルーティンS工
()MAIが(吏用され、両半分に属する」11定値の
平均値も同時に9出される。これによって走査曲線の両
半分に対してそれぞれの標$偏差S+、  S2と平均
値1ffj 。
!J W 2が決定される。これらの値から次の諸式に
より測定信号の直流電圧分MW、  この直流電圧分?
差引いた純雑音M号の実効値EFFW?および実効信号
を含む走査曲線半分の同じく直流電圧分全差引いた測定
信号り実効値1(FFf2が計算さ几る。
EFFW1=S 1.  Sl<S2      ’、
31F2FFN2=五MW2−MWi )2+ (St
 2 )2(4)M W    = M W 1(5) 従って純雑音信号の平均値yw+は測定信号の直流電圧
f+yW!て等しい。純雑音信号の襟進偏差−31は実
効13号を含む測定信号の標題偏差S2より小さい。
光分有効な測定結果を得るため(C必要な走査操り返し
回数8(:!ANWIは式(2)を使用して式f3)。
(41,(5)から求められる。
4電路中央の計算に対してはまず測定場5CAUO値か
ら直流電子分MWを引き去って副定信号曲標を決定する
。このようKして求めて測定信号は実際の計算例では最
大512個の数値から成る数値列であるが、これには常
に強い11#斤が重ねられている。SN比EIRは場合
によって相当小さい値であるから、次のような2+g類
の0J11定信号予備処理が効果的である。1.  雑
音レベルの抑圧、2゜実効信号の改善。
この処理の、ためKは測定信号を平滑にすると有テリで
ある。これには例えば上記のライブラリーエムx−ティ
ーエッチ(Library MATT()に含まれてい
るサブルーティ/GLI1mKを利用する。このサブル
ーティノでは114列の指数関数的平滑化が行われ、そ
の良好変は定数Gによって変化させる。測定2号の別の
平滑化方式としては、例えば特定数こ0点について平均
値をとる単純な線形平置rヒ方式が考えられる。この平
均値計17はできるだす繰り返して行うことが必要であ
る。
す111定信号のすぐれ、を平置1ヒ方式としては、4
電路の・唱をも考フzに入れる14つ相1,4分析′つ
;推奨される。この分析法では測定場5CAHの第1値
から始めて特定置敷のS CA N riを加え合せ、
この和音S CA Hの第1値に対むさせる。加え合せ
る5CAN値′侍定1(2)数としては例えば導7を路
幅をラスタ点に換算して得られるI固数と採用すること
がで入る。相関の、2幅としては従ってラスタ点で表わ
された4電路I唱う:選ばれる。このようにして5測定
場5CkHの各数値は特定個数の5CAN数値を加え合
せた和に対応し、この和はそれが最終的に対応する5C
AN数値に対して一定の関数を保っていなければならな
い。−例として1つの数値列の各数値においてその前の
数値に対応する和から最初に得られた数値を引き去り、
数値列の新らたな数値を加えたものを該当するeI値に
対応させる。理想的な場合、即ち矩形測定信号と測定さ
れた矩形信号の幅に等しい窓幅の場合測定された矩形信
号がjlll定信号の始めと終りにおいて充分、を間隔
を保っていれば、この方法により二等辺三角形信号7)
X得られる。実験によりこの相関分析は強い雑叶が重ね
今わさ九ている粗形関数に対して満足すべき、結果を与
え、雑肝が低減されるだけではなく実効信号が数値に増
強されることが明らかにされた。実際によく生ずること
であるが窓I唱が正確に寿効イざ号のIf、 :rζ−
故しないときは、上記の相関分析によりいくらか偏平に
さnた三角形の1g号が得られる。この信号形状は変数
の楊suMlて記憶され得るものであり、それから作ら
れた信号面の重心座標を決定することにより簡単に14
電路■、■中央点を定めることができる。SUMの総て
の負1σの符号を変えた後、特定のしきい値以下の低て
の値を打消してゼロにす4.SUMLf)流動インデッ
クスの関数として表わされた重心、座標18は。
実効信号の部幅Uよと流動インデックス1の積を認て/
mえ合せ、それを啜幅和DUに1余すること、でよって
求められる。
この場合相当大きな数値が現れるので、INTP2 G
 P2 R4−Variable f使用する必要があ
る。
測定場5CANの各数値が、この数値を第1和としてこ
れに窓幅内に存在する相関の回数えは導電路幅内のラス
ク点の個数に相当する個数の続ぐ数値を加え合すること
によって作られた和に対応するように相関フィールドS
[7Mが構成さ几ていると、重心座標1Bはほぼ導電路
りの一方の縁端上1である。4電路中央のpB標117
1は重心座標16を使用して次式で与えられる。
このようにして求めた導電路中央座標1゜とそのときの
走査面、線の中点との対応は簡単な換算によって求めら
れる。
前記のSN比SRは次式で定義される。
即ちSRは実効信号と含む測定信号の実効値EF!i′
W2と純雑音信号の実効値PFFW+の比から1を引い
たものである。ただしこれらの実効値からは直流電圧分
EVが差引かれている。予期される結果の精確度はSN
比SRから推定することができる。SRが1.5より大
きいと、測定結果の真値からの偏差は最大±3ラスク点
である。導体路幅が60ラスク点即ち2μmであるとさ
、この誤差は最大で導電路幅の±10チとなる。導電路
幅の増減によっては結果の精度は改善も改悪もさ几ない
。又測定信号の形状も大きな非対称性を示さない限り結
果の精度に影響を及ぼさない。
導電路の幅が60個のラスク点で与えられると走査曲線
の長さには飼えば256個のラスク点を使用することが
できる。
実効信号の非対称性が大きいときは重心法による導電路
中央の決定は良好な結果を与えないことがある。しかし
常に等しい非対称性のものを対象とする場合には、一定
の補正値によって測定信号全精確なものにすることがで
きる。非系統的で不規間+1な非対称性であれば、平滑
化された信号をし1]え、ilつの特定な値で切断する
ことができる。こつ場合平滑化ンζよって実効信号から
非対称性が除かれるが、それによって信号に含まれる情
報の一部が失われる。
第4図に試、倹点MPの有利な実施形帳を示す。
内部の試験点IJPが自動位置決めに除してよりよく見
分けられるようにするためには、この試験点、つ:正方
形その他(菱形、矩形1円形4)の形であり、その2つ
の頂点が常に4電路りの中央にイかれ、−辺の長さが導
電路幅より大きくなければならない。正方形試験点は粒
子ゾンデの自動位置決めに際して正方形の辺:C平行に
走置される。従って走査曲線Rは導電路りの中央線番て
斜行する。この試験点MPの特殊形状は試験点の効果的
な拡大を可能にし、測定点MPのx+7両浬標が迅速か
つ確実に見出されるようになる。
第5図には試験点MP3の別の有利な実施形帽を示す。
例えば集積回路に分いて1つの4五洛L3が4電路L1
.L2を含む他の2つの上下に重ねられた導電路面の下
にオかnているとき、4電路り乙に設けられた接続節点
v′C灼して接触面MP3を1つの金属化面に作り、こ
れに電子ゾンデPKが達し得るようにすることができる
。接触面MP3ばこの場合導電路L3上の接続節点と導
電結合される。
【図面の簡単な説明】
繕■1図はこの発明の方法を実施する装置のrll成を
示し、第2図は電子ゾンデの14電路1(向けての位1
、央めを説明する図面であり、第3図は′1程子ゾ/デ
の位置決めに際して得られる測定1言号を示し、第4図
と、第5図はそれぞれ試験区域の有fl」な実施形態を
示す。第1図において PE  拉子ノ゛/デ、工C・・試験対束の集積回路、
DT・・検出器、sp ・信号処理装置、CRT・・電
子ビーム測定1511MのF9像スクリーン。 IG 1 IG4 IG5

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1)(a)粒子ゾンデが予め定められた区域に向つて位
    置決めされること、 (b)この区域の周囲で粒子ゾンデが種々の異つた場所
    に当るように偏向されること、 (c)粒子ゾンデが種々の異つた場所に当つたとき送り
    出される測定信号が検出され ること、 (d)この測定信号から特定の区域(MP)の位置が決
    定されること、 (e)粒子ゾンデがこの位置を決定された区域(MP)
    に向つて位置決めされること を特徴とする現在位置が局所場に基き設定位置から移動
    して認められる特定区域(MP)に向つて粒子ゾンデを
    自動的に位置決めする方法。 2)測定信号として二次放射信号が使用されることを特
    徴とする特許請求の範囲第1項記載の方法。 3)導電路(L)の縁から発生した測定信号が使用され
    ることを特徴とする特許請求の範囲第1項又は第2項記
    載の方法。 4)電位コントラスト信号が抑圧されることを特徴とす
    る特許請求の範囲第3項記載の方法。 5)測定信号として電位コントラスト信号が使用される
    ことを特徴とする特許請求の範囲第1項乃至第3項の1
    つに記載の方法。 6)粒子ゾンデがステップモータの助けによつて予め定
    められた値に位置決めされることを特徴とする特許請求
    の範囲第1項乃至第5項の1つに記載の方法。 7)粒子ゾンデがレーザー測定系の助けによつて予め定
    められた値に位置決めされることを特徴とする特許請求
    の範囲第1項乃至第6項の1つに記載の方法。 8)粒子ゾンデのドリフトがコントロールされ補償され
    ることを特徴とする特許請求の範囲第1項乃至第7項の
    1つに記載の方法。 9)粒子ゾンデの位置決めが測定中調整されることを特
    徴とする特許請求の範囲第8項記載の方法。 10)導電路に向つての粒子ゾンデの位置決めのために
    2方向の走査が行われ、その一方は導電路(L)の外で
    行われ、他方は導電路を横切つて行われることを特徴と
    する特許請求の範囲第1項乃至第9項の一つに記載の方
    法。 11)導電路に向つての粒子ゾンデの位置決めのために
    2方向の走査が行われ、その一方は導電幅の内部で行わ
    れ、他方は導電路を横切つて行われることを特徴とする
    特許請求の範囲第1項乃至第9項の1つに記載の方法。 12)導電路に向つての粒子ゾンデの位置決めのために
    2方向に走査が行われ、これらの方向は0°以上の角度
    で交り、いずれも充電された区域(MP)の上を通過す
    ることを特徴とする特許請求の範囲第1項乃至第9項の
    1つに記載の方法。 13)雑音信号が消去された測定信号(SI)が得られ
    ることを特徴とする特許請求の範囲第1項乃至第12項
    の1つに記載の方法。 14)充分な実効信号を与える回数の走査が行われるこ
    とを特徴とする特許請求の範囲第13項記載の方法。 15)少くとも1つの金属化層の下に隠されている導電
    路(L3)が電気導線を通して試験面(MP3)に結ば
    れ、この測定面が粒子ビームによる電位測定が可能であ
    り、その寸法は導電路(L3)の幅よりも大きいことを
    特徴とする現在位置が局所場のために設定位置から外れ
    て認められる特定区域(MP3)に向つて粒子ゾンデを
    自動的に位置決めする装置。 16)導電路(L)に試験面(MP)があり、その寸法
    は導電路の幅より大きいことを特徴とする現在位置が局
    所場のために設定位置から外れて認められる特定区域に
    向つて粒子ゾンデを自動的に位置決めする装置。
JP60191824A 1984-09-04 1985-08-30 粒子ゾンデの自動位置決め方法と装置 Pending JPS6168847A (ja)

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DE3432479.8 1984-09-04

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EP (1) EP0177717B1 (ja)
JP (1) JPS6168847A (ja)
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DE3570324D1 (en) 1989-06-22
US4705954A (en) 1987-11-10
EP0177717A1 (de) 1986-04-16
EP0177717B1 (de) 1989-05-17

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