JPS5867026A - ステップアンドリピート方式の露光装置 - Google Patents
ステップアンドリピート方式の露光装置Info
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- JPS5867026A JPS5867026A JP56165772A JP16577281A JPS5867026A JP S5867026 A JPS5867026 A JP S5867026A JP 56165772 A JP56165772 A JP 56165772A JP 16577281 A JP16577281 A JP 16577281A JP S5867026 A JPS5867026 A JP S5867026A
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- JP
- Japan
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- wafer
- deforming
- driver
- thin plate
- mask
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/707—Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、シリコンウエノ・、磁気バブルウェハ、セラ
建ツク基板、プリント基板等の薄板を変形するための装
置に係り、特に変形に必要な上下動素子及びこれを駆動
する駆動装置を少くした薄板変形装置に関する。
建ツク基板、プリント基板等の薄板を変形するための装
置に係り、特に変形に必要な上下動素子及びこれを駆動
する駆動装置を少くした薄板変形装置に関する。
例えばＬ８Ｉの製造において、ウーノ１全面に亘って微
細なパターン１に線光する必要があり、そうするために
はマスクに合せてウエノ１全面を平坦にする必要がある
。
細なパターン１に線光する必要があり、そうするために
はマスクに合せてウエノ１全面を平坦にする必要がある
。
又このウェハ全面を均一に平坦化するためには、多数の
上下動素子と、この素子を個々に動かすだめの同数の駆
動装置が必要となる。
上下動素子と、この素子を個々に動かすだめの同数の駆
動装置が必要となる。
現在使用されているステップアンドリピート式のＸ線マ
スクアライナのマスクとウェハとの間の間隙均一化装置
の基本構成を第１図に示しその概略を説明する。
スクアライナのマスクとウェハとの間の間隙均一化装置
の基本構成を第１図に示しその概略を説明する。
図において、Ｘ線１は放射状に拡がり、マスク２をアラ
イメント検出器３でアライメントしながらウェハ４にス
テップアンドリピートで焼付けていく。
イメント検出器３でアライメントしながらウェハ４にス
テップアンドリピートで焼付けていく。
この時マスク２とウェハ４との間の間隙は均１゜−でな
ければならない。即ち第２図に示すように焼付時におい
て、マスク２とウエノ・４との間の間隙２１が均一でな
いと、Ｘ線ターゲット２２から放射状に放射されるＸ＠
は、パターン２３を高精度にウエノ１４に露光すること
ができず１倍率誤差圧もとづいてぼけ２４及びシフト２
５を生ずる。
ければならない。即ち第２図に示すように焼付時におい
て、マスク２とウエノ・４との間の間隙２１が均一でな
いと、Ｘ線ターゲット２２から放射状に放射されるＸ＠
は、パターン２３を高精度にウエノ１４に露光すること
ができず１倍率誤差圧もとづいてぼけ２４及びシフト２
５を生ずる。
そのために、マスク平坦度検出器５とクエ／Ｓ平坦度検
出器６によって、マスク２とウエノ１４の平坦度を検出
し、ウエノ１変形チャック７によって、ウェハ４の平坦
度をマスク２の平坦度に合せて変形させ、マスク２とウ
エノ・４との間の間隙を均一にしている。
出器６によって、マスク２とウエノ１４の平坦度を検出
し、ウエノ１変形チャック７によって、ウェハ４の平坦
度をマスク２の平坦度に合せて変形させ、マスク２とウ
エノ・４との間の間隙を均一にしている。
このウェハの変形原理は、第２図に示すように％ Ｘ空
２９で引いたダイヤスラム式チャック面２６（又はチャ
ック面なしで直接ウエノ＼面）下に、多数のピエゾ素子
２７を配設し、このピエゾ素子２７にドライバ２８によ
って電圧な力コけてその長さを調節し、ダイヤフラム面
２６ヌは直接ウェハ４を変形させ、ウエノ・４の表面を
マスク２０表面形状に合せて、相互間の間隙２１を均一
にする。
２９で引いたダイヤスラム式チャック面２６（又はチャ
ック面なしで直接ウエノ＼面）下に、多数のピエゾ素子
２７を配設し、このピエゾ素子２７にドライバ２８によ
って電圧な力コけてその長さを調節し、ダイヤフラム面
２６ヌは直接ウェハ４を変形させ、ウエノ・４の表面を
マスク２０表面形状に合せて、相互間の間隙２１を均一
にする。
又この間隙２１は、例えば１μｍ線幅パターンの時１０
±１）ｍの精度が必要であり ステップアンドリピート
の度に調節する必要がある。
±１）ｍの精度が必要であり ステップアンドリピート
の度に調節する必要がある。
このように間隙２１を高精度に均一化させるためＫは、
ピエゾ素子２７の数を増加させ、ピエゾ素子２７の配設
密度を高くすることが肝要である。
ピエゾ素子２７の数を増加させ、ピエゾ素子２７の配設
密度を高くすることが肝要である。
このピエゾ素子２７の配置を第５図について、。
説明するとｓ １０ｍＩｎピッチでピエゾ素子２７％
−配置した場合、４インチウェハ４では１０９個ものピ
エゾ素子２７が必要である。
−配置した場合、４インチウェハ４では１０９個ものピ
エゾ素子２７が必要である。
従来は、上記４インチウェハの場合で説明すると、この
１０９個のピエゾ素子２７に第２図に示すようにそれぞ
れ対応して設けた１０９個のドライバ２８が必要であり
、さらに５インチウェハになれば、１５６個の素子と１
５３個のドライバか必要となっていた。
１０９個のピエゾ素子２７に第２図に示すようにそれぞ
れ対応して設けた１０９個のドライバ２８が必要であり
、さらに５インチウェハになれば、１５６個の素子と１
５３個のドライバか必要となっていた。
その結果、ドライバ２８は高電圧（０〜６５０Ｖ）ｔで
必要なので、小型化するのは技術的に無理があり、ドラ
イバを実際に装備するのに技術的に問題かあり、且つ装
置及び製品のコスト高をもたらすという欠点があった。
必要なので、小型化するのは技術的に無理があり、ドラ
イバを実際に装備するのに技術的に問題かあり、且つ装
置及び製品のコスト高をもたらすという欠点があった。
又ＬＳＩのパターン＠は、ますます小型化の傾向にあり
、露光精度がま丁ます要求される時代の趨勢に応えられ
なくなっているのが実情である。
、露光精度がま丁ます要求される時代の趨勢に応えられ
なくなっているのが実情である。
本発明は、従来技術の欠点を解決すると共に時代の趨勢
をも録みなされたものである。
をも録みなされたものである。
即ち本発明は、ウェハその他の薄板基板の一光部分のみ
を変形させて間隙の均一化を計るようにすることによっ
て、上下動素子を動かすだめの駆動装置の数を減らすか
或は上下動素子及びその駆動装置の両方の数を減らし、
従来の欠点を解決すると共に上下動素子の配設密度の向
上を可能ならしめ、よｐ高精凝の露光を可能にしたもの
であって、ウニ八表面形状を部分的に変形できる機構に
よって、露光部分のウェハを変形して保持し妬元した後
、次のｕ元部分に変形機構を切シ換えて同様に変形保持
し、ステップアンドリピート毎に切シ換え操作し、ウェ
ハ表面全体に高精度に露光するようにしたことを％像と
する◎ 以下その詳細を区に示した実施例によりて説明１゛る。
を変形させて間隙の均一化を計るようにすることによっ
て、上下動素子を動かすだめの駆動装置の数を減らすか
或は上下動素子及びその駆動装置の両方の数を減らし、
従来の欠点を解決すると共に上下動素子の配設密度の向
上を可能ならしめ、よｐ高精凝の露光を可能にしたもの
であって、ウニ八表面形状を部分的に変形できる機構に
よって、露光部分のウェハを変形して保持し妬元した後
、次のｕ元部分に変形機構を切シ換えて同様に変形保持
し、ステップアンドリピート毎に切シ換え操作し、ウェ
ハ表面全体に高精度に露光するようにしたことを％像と
する◎ 以下その詳細を区に示した実施例によりて説明１゛る。
平面を示す第４ 図１ ａにおいて、ウェハ４とマスク
２及び上下動素子（以下ピエゾ素子で説明する）２７と
の配置関係を示す。
２及び上下動素子（以下ピエゾ素子で説明する）２７と
の配置関係を示す。
又第４図すは、第４図ａの断面を示し、ドライバ２８と
ドライバ切換回路３０Ｙ示す。亀４図ａの位置（斜線部
分）で露光する場合１ウエハ４を変形させるに必要なピ
エゾ素子２７の数は、露光部分の周辺を含めて本実施例
の場合５Ｘ５”２５個である。なお要求精度によっては
５Ｘ５ｘ＝ａ９個でもよい。露光部分の外側も一列使用
するのは、ダイヤフラム、式チャック面２６又はウェハ
４の面がピエゾ素子２７によって直接変形させられた区
間に隣接する区間にも、若干その変形が伝わシ、変形量
に影響を及ぼすからである。ドライバ２８は、第４図す
に示すように切換回路３０によって必要、ピエゾ素子２
７（本実施例の場合２５個）にしか接続されていない。
ドライバ切換回路３０Ｙ示す。亀４図ａの位置（斜線部
分）で露光する場合１ウエハ４を変形させるに必要なピ
エゾ素子２７の数は、露光部分の周辺を含めて本実施例
の場合５Ｘ５”２５個である。なお要求精度によっては
５Ｘ５ｘ＝ａ９個でもよい。露光部分の外側も一列使用
するのは、ダイヤフラム、式チャック面２６又はウェハ
４の面がピエゾ素子２７によって直接変形させられた区
間に隣接する区間にも、若干その変形が伝わシ、変形量
に影響を及ぼすからである。ドライバ２８は、第４図す
に示すように切換回路３０によって必要、ピエゾ素子２
７（本実施例の場合２５個）にしか接続されていない。
つまり第４図すで云うとドライバ２８に：切換回路３０
によって接続されているピエゾ素子２７は、番号５１で
示す５個であり、他のピエゾ素子（・番号３２，３３）
は、接続されておらず長さの変化はない。上記５個のピ
エゾ素子３１の長さの調節は、例えば発明者が先に出願
した（特願昭５５−１１８４９７号）複数の静電容量型
センサーを回転操作して対象物の平坦度な測又（特願昭
５５−１３７７２７ ）レーザ光線の干渉性を用いて平
坦度を検出する装置によってマスク２の平坦度を検出し
、この両方の平坦度データに基づいて各ドライバ２８に
与えられ、ピエゾ素子３１の長さを調節し、マスク２の
変型量に合せてウェハ４ｔ−変形させる。第５図は一例
としてステップアントリピート４Ｉ〜Ｍまで１２回くり
返す時の各ピエゾ素子２７と、ドライバ２８との関係を
示しており、第６図は、第５図に示１した各ピエゾ素子
２７とドライバ２８とを回路ブロックで示したものでお
る。即ちＡ−Ｙを２５個のドライバ２８とし、１〜１０
９をピエゾ素子２７とする。各ドライバ２８Ａ−Ｙの電
圧４０は、スイッチ４１により各ピエゾ素子２７（１〜
１０９）と連結し、スイッチ４１は切換信号４２■〜Ｍ
で０Ｎ−ＯＦＦされる。切換信号４２は、同時ＫＡ−Ｙ
までの全ドライバ２８のいづれかのスイッチ４１に連結
されている（図示省略）９第７図は切換信号４２の発生
を示す図である。
によって接続されているピエゾ素子２７は、番号５１で
示す５個であり、他のピエゾ素子（・番号３２，３３）
は、接続されておらず長さの変化はない。上記５個のピ
エゾ素子３１の長さの調節は、例えば発明者が先に出願
した（特願昭５５−１１８４９７号）複数の静電容量型
センサーを回転操作して対象物の平坦度な測又（特願昭
５５−１３７７２７ ）レーザ光線の干渉性を用いて平
坦度を検出する装置によってマスク２の平坦度を検出し
、この両方の平坦度データに基づいて各ドライバ２８に
与えられ、ピエゾ素子３１の長さを調節し、マスク２の
変型量に合せてウェハ４ｔ−変形させる。第５図は一例
としてステップアントリピート４Ｉ〜Ｍまで１２回くり
返す時の各ピエゾ素子２７と、ドライバ２８との関係を
示しており、第６図は、第５図に示１した各ピエゾ素子
２７とドライバ２８とを回路ブロックで示したものでお
る。即ちＡ−Ｙを２５個のドライバ２８とし、１〜１０
９をピエゾ素子２７とする。各ドライバ２８Ａ−Ｙの電
圧４０は、スイッチ４１により各ピエゾ素子２７（１〜
１０９）と連結し、スイッチ４１は切換信号４２■〜Ｍ
で０Ｎ−ＯＦＦされる。切換信号４２は、同時ＫＡ−Ｙ
までの全ドライバ２８のいづれかのスイッチ４１に連結
されている（図示省略）９第７図は切換信号４２の発生
を示す図である。
ラッチクリア５０後、ＣＰＵ５１に入力されたウェハの
平坦度とマスクの平坦度のデータによって出力された信
号は、出力ポート５２よシデコーダ５３に入り工〜ＭＫ
分けられて、ラッチ回路５４ でラッチされる。更に信
号はバッファ５５に入り、２５個のスイッチ４１を動作
させる。
平坦度とマスクの平坦度のデータによって出力された信
号は、出力ポート５２よシデコーダ５３に入り工〜ＭＫ
分けられて、ラッチ回路５４ でラッチされる。更に信
号はバッファ５５に入り、２５個のスイッチ４１を動作
させる。
第８図は、ピエゾ素子２７の長さの調節を行うドライバ
２８とスイッチ４１の例を具体的に示したものである。
２８とスイッチ４１の例を具体的に示したものである。
図において、ＣＰＵは出力ポート５２よシ各ドライバ２
８に対応する２５個のＤ７．コンバータ６０にデジタル
値を与える。
８に対応する２５個のＤ７．コンバータ６０にデジタル
値を与える。
”／Ａコンバータ６０からのアナログ値は、高圧！−源
６１の元でアンプ６２によシ増幅され、０〜６５０■の
電圧値となる。この電圧は、各ピエゾ素子２７にかかる
が、この時 トランジスタ６５によるスイッチング回路
４１に、切換信号４２のうちいづれかが入っていなけれ
ばピエゾ素子２７には電圧がかからず、従ってピエゾ素
子の長さはコントロールされない。
６１の元でアンプ６２によシ増幅され、０〜６５０■の
電圧値となる。この電圧は、各ピエゾ素子２７にかかる
が、この時 トランジスタ６５によるスイッチング回路
４１に、切換信号４２のうちいづれかが入っていなけれ
ばピエゾ素子２７には電圧がかからず、従ってピエゾ素
子の長さはコントロールされない。
第９図は、他の実施例である。図において、ピエゾ素子
２７とドライパー回路２８は、最少限の数しかなく（本
実施例の場合は５ｘ５−２５個）、ｘｙテーブル７０に
よって、露光部分に位置決めし、露光部分のウェハ４を
変形させる。
２７とドライパー回路２８は、最少限の数しかなく（本
実施例の場合は５ｘ５−２５個）、ｘｙテーブル７０に
よって、露光部分に位置決めし、露光部分のウェハ４を
変形させる。
この場合は、ダイヤフラム式チャック面２６は７１部で
ピエゾ素子の上下にならうようにさせておく必要かある
。
ピエゾ素子の上下にならうようにさせておく必要かある
。
上下素子は、上下に移動できるものであればよく、ピエ
ゾ素子に限定されるものではない。
ゾ素子に限定されるものではない。
又ドライバは機械式でもよく、例えば七−夕を駆動回路
に置き換え、上下動素子をネジ式上下動機構に置き換え
てもよい。
に置き換え、上下動素子をネジ式上下動機構に置き換え
てもよい。
ちなみに上下動素子（ドライバの数）を１従来のものと
比較すると次のようＫなる。従来の数をＮ１本願をＮ′
とすると ここで Ｐ：上下動素子の配列ピッチ Ｈｓマスクの大きさ Ｓ＋ステップアンドリピートの回数゛ α：周辺制御のための数 ４インチウェハで■−２とし、Ｓを変えてＮとＮｌ を
計算すると次の表になる。
比較すると次のようＫなる。従来の数をＮ１本願をＮ′
とすると ここで Ｐ：上下動素子の配列ピッチ Ｈｓマスクの大きさ Ｓ＋ステップアンドリピートの回数゛ α：周辺制御のための数 ４インチウェハで■−２とし、Ｓを変えてＮとＮｌ を
計算すると次の表になる。
Ｓ Ｎ Ｎ’ Ｎ−Ｎ’４ ４９
２５ ２４ ５ ６５ ２５ ４０ １２ １０５ ２５ ８０ ２１ １５３ ２５ １２Ｂ 以上のように構成した本実施例の作用につ匹。
２５ ２４ ５ ６５ ２５ ４０ １２ １０５ ２５ ８０ ２１ １５３ ２５ １２Ｂ 以上のように構成した本実施例の作用につ匹。
て以下説明する。
先ずピエゾ素子２７の長さの調節は、マスク２とウェハ
４の平坦度データに基づいて得られ。
４の平坦度データに基づいて得られ。
る４６号を各ドライバ２８に与えて電圧の大きさを加減
し、ピエゾ素子２７のそれぞれの長さな。
し、ピエゾ素子２７のそれぞれの長さな。
調節する。このピエゾ素子２７の長さの調節にヨクテ、
ウエノ・４はマスク２に合せて変形され。
ウエノ・４はマスク２に合せて変形され。
両者相互間の間隙が均一に保持される。この間隙均一化
の保持は、露光部分のアライメント開始から線光終了ま
で行ない、次の部分をアライドライパー２８は、次のピ
エゾ素子２７に切換えられ、ドライバ２８には新らしい
信号が与えられ１ピエゾ素子２７のそれぞれの長さか調
節され、ウェハ４はマスク２に合せて変形せられ、これ
ら相互間の間隙の均一化が行なわれる。この工程は、ウ
ェハ全体のステップアンドリピートが終るまでくシ返し
行なわれる。
の保持は、露光部分のアライメント開始から線光終了ま
で行ない、次の部分をアライドライパー２８は、次のピ
エゾ素子２７に切換えられ、ドライバ２８には新らしい
信号が与えられ１ピエゾ素子２７のそれぞれの長さか調
節され、ウェハ４はマスク２に合せて変形せられ、これ
ら相互間の間隙の均一化が行なわれる。この工程は、ウ
ェハ全体のステップアンドリピートが終るまでくシ返し
行なわれる。
例えば第５図において、ステップアンドリピートエの露
光では、一点鎖線内が調節されるピエゾ素子２７であフ
、例えば４のビニシン素子２７は、ドライバＡで５のビ
ニシン素子２７は３、ドライバＢで駆動することを示す
。次に切換信号４２によって、切換スイッチ４１が切換
えられ、ステップアンドリピート■の露光に移った場合
（第５図の一点鎖１り、例えばステップアンドリピート
エの露光において、１のビニシン素子２７を駆動してい
たドライバＣは、６のピエソン素子２７１１Ｃ＠ｔ）換
えられることになる。
光では、一点鎖線内が調節されるピエゾ素子２７であフ
、例えば４のビニシン素子２７は、ドライバＡで５のビ
ニシン素子２７は３、ドライバＢで駆動することを示す
。次に切換信号４２によって、切換スイッチ４１が切換
えられ、ステップアンドリピート■の露光に移った場合
（第５図の一点鎖１り、例えばステップアンドリピート
エの露光において、１のビニシン素子２７を駆動してい
たドライバＣは、６のピエソン素子２７１１Ｃ＠ｔ）換
えられることになる。
このようにして、切換スイッチ４１によって、ドライバ
２８とピエゾ素子２７の連結が、ウェハ４の露光部分く
選択的に切シ換えられ、ウニ゛ハ４全体のステップアン
ドリピートが終了する°。
２８とピエゾ素子２７の連結が、ウェハ４の露光部分く
選択的に切シ換えられ、ウニ゛ハ４全体のステップアン
ドリピートが終了する°。
又第９図の場合は、ドライバ２８と（駆動機ＩＩ）と上
下動素子２７とから成る変形機構を、ＸＹ）テーブル７
０によって、露光部分に位置決めし・、全てのステップ
アンドリピートが完了する。なお前記説明では間隙を均
一圧するように制御した例について説明したが、部分的
に倍率を故意。
下動素子２７とから成る変形機構を、ＸＹ）テーブル７
０によって、露光部分に位置決めし・、全てのステップ
アンドリピートが完了する。なお前記説明では間隙を均
一圧するように制御した例について説明したが、部分的
に倍率を故意。
に変化させて露光する場合も考えられるので、必ずしも
間隙を均一にする必要はなく、要は部分的に必要な間隙
に制御すればよい。
間隙を均一にする必要はなく、要は部分的に必要な間隙
に制御すればよい。
以上詳述した通り本発明によれば、ドライバ。
と上下動素子とを切換えスイッチを介して接続し、ドラ
イバによって上下動素子を駆動し薄輯。
イバによって上下動素子を駆動し薄輯。
を変形させる変形機構を設け、切換スイッチによってド
ライバと上下動素子との接続を切り換え、上記変位機構
を露光部分く変位させるようＫしたので、露光部分の変
形に必要十分な数のドライバだけでよく、従来のものに
比べてその数を大巾に減らす、ことができ、駆動装量の
実装スペースを充分確保することができ、装置全体゛が
小型化されてコスト低減されると共に１駆動。
ライバと上下動素子との接続を切り換え、上記変位機構
を露光部分く変位させるようＫしたので、露光部分の変
形に必要十分な数のドライバだけでよく、従来のものに
比べてその数を大巾に減らす、ことができ、駆動装量の
実装スペースを充分確保することができ、装置全体゛が
小型化されてコスト低減されると共に１駆動。
装置の実装スペースに充分余裕があるので、上゛下動素
子の配列密度をさらに高めることが可能となって、よシ
精度の高い露光が可能となり、ますます小型化される時
代の趨勢に充分応えることかできるなど、その効果は大
なるものがある。
子の配列密度をさらに高めることが可能となって、よシ
精度の高い露光が可能となり、ますます小型化される時
代の趨勢に充分応えることかできるなど、その効果は大
なるものがある。
第１図乃至第３図は、薄板変形装置の概要を説明するた
めに示した図であって、第１図はＸ線アライナの基本構
成図、第２図はＸ線アライナのマスクとウェハの間隙制
御を示す図、及び第５図はウェハ変形用ピエゾ素子の配
置を示す図である。第４図乃至第９図は本願実施例であ
って、第４図は本発明の概念図、第５図は上下素子と駆
動回路との関係を示す図、第６図は第５図の回路ブロッ
ク図、第７図は制御回路の一部を、第８図はスイッチン
グ回路をそれぞれ示した図、第９図は他の実施例である
。 ２・・・マスク ４・・・薄板 ２７・・・上下動素子 ２８・・・ドライバ ３０・・・ドライバ切換回路 ′１＝１ 図 牙 ２ 図 ′１′３ 図 オキ図 （ｂ） オ ５ 図 ２６図 初 才 ７ 図 −２８図 −ンｉ′ γ ｎ２コ
めに示した図であって、第１図はＸ線アライナの基本構
成図、第２図はＸ線アライナのマスクとウェハの間隙制
御を示す図、及び第５図はウェハ変形用ピエゾ素子の配
置を示す図である。第４図乃至第９図は本願実施例であ
って、第４図は本発明の概念図、第５図は上下素子と駆
動回路との関係を示す図、第６図は第５図の回路ブロッ
ク図、第７図は制御回路の一部を、第８図はスイッチン
グ回路をそれぞれ示した図、第９図は他の実施例である
。 ２・・・マスク ４・・・薄板 ２７・・・上下動素子 ２８・・・ドライバ ３０・・・ドライバ切換回路 ′１＝１ 図 牙 ２ 図 ′１′３ 図 オキ図 （ｂ） オ ５ 図 ２６図 初 才 ７ 図 −２８図 −ンｉ′ γ ｎ２コ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ｔ ステップアンドリピート半導体露光装置において、
ウニ八表面形状を部分的に変形できる機構と、該変形を
露光時に一定忙保持する機構と、ステップアンドリピー
ト毎に前記変形部分を選択的に変位させる機構とを有し
。 露光部のみのウニ八表面を部分的に変形させるようにし
たこと′１ｋＩ！！ｆ黴とする薄板変形装置１゜２、特
許請求の範囲第１項の変形機構において、多数の上下動
素子をウェハ裏面疋配設し、露光部分を変形するに必要
十分な上下動素子を駆動する装置を設計、該駆動装置と
上下動素子とを切換機構を介して連結し、上記駆動装置
によって、ウーハ表面形状を部分的に変形する機構を有
することｔ−特徴とする薄板変形装置。 五 特許請求の範囲第１．！ＪＣ記載の変形機構におい
て、露光部分を変形させるに必要十分な数の上下動素子
と、この上下動素子を個々に駆動する駆動装置とから成
る“′変形機構を位置決め機構によってウェハの露光部
分に位置決めし、ウーハ表面形状を部分的に変形させる
ようにしたことを特徴とする薄板変形装置。 １ｇ許請求の範囲第２及び３項の上下動素子において、
該上下動素子にピエゾ素子を用いたことを特徴とする薄
板変形装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56165772A JPS5867026A (ja) | 1981-10-19 | 1981-10-19 | ステップアンドリピート方式の露光装置 |
| US06/434,397 US4504045A (en) | 1981-10-19 | 1982-10-14 | Wafer transforming device |
| EP82109606A EP0077559B1 (en) | 1981-10-19 | 1982-10-18 | Wafer surface contouring device |
| DE8282109606T DE3276402D1 (en) | 1981-10-19 | 1982-10-18 | Wafer surface contouring device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56165772A JPS5867026A (ja) | 1981-10-19 | 1981-10-19 | ステップアンドリピート方式の露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5867026A true JPS5867026A (ja) | 1983-04-21 |
| JPH0261132B2 JPH0261132B2 (ja) | 1990-12-19 |
Family
ID=15818738
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56165772A Granted JPS5867026A (ja) | 1981-10-19 | 1981-10-19 | ステップアンドリピート方式の露光装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
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| JP (1) | JPS5867026A (ja) |
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