JP4444734B2 - 微細パターン形成装置 - Google Patents
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Description
あった。また、描画されたパターンの検査についても微細化に伴い、時間がかかることが問題となっていた。
本発明は、上述の従来例における問題点を解消することを課題とする。
[実施態様1] 第1の探針が取り付けられた第1のカンチレバー、第2の探針が取り付けられた第2のカンチレバー、該第1と第2のカンチレバーの動きから前記第1と第2の探針の位置を個別に検出する探針位置検出手段、前記第1と第2の探針を被加工基板に対して個別に接近または離隔させる探針微動手段、前記第1と第2の探針を前記被加工基板に対して平行な面内で個別に移動させる探針移動手段、前記第2の探針と前記被加工基板の間に電圧を印加する電圧印加手段、前記被加工基板が載置されたステージ、該ステージを前記被加工基板の表面と同じ面内方向に移動させるステージ駆動手段、前記被加工基
板に形成するパターンのデータから前記第2の探針の前記被加工基板上の位置とその時に必要とされる印加電圧を計算する加工データ演算手段、前記探針微動手段と前記探針移動手段と前記電圧印加手段と前記ステージ駆動手段と前記加工データ演算手段を制御する制御手段からなる微細パターン形成装置であって、前記第1の探針と第2の探針を前記探針移動手段または前記ステージ駆動手段によって、前記被加工基板に対して相対的に前記被加工基板表面上を移動させた際の前記第1の探針の位置の変化を前記探針位置検出手段によって検出し、該探針位置検出手段の出力に応じて前記電圧印加手段により前記第2の探
針に印加する電圧を変化させることによって前記被加工基板上にパターンを形成することを特徴とする微細パターン形成装置。
[実施態様3] 第2の探針が複数あり、電圧印加手段により個別に電圧を印加して、同時に複数の同じパターンを形成する、実施態様1に記載の微細パターン形成装置。
探針ヘッド移動手段または前記ステージ駆動手段によって、前記被加工基板に対して相対的に被加工基板表面上を移動させた際の前記第1の探針ヘッドの複数の探針の位置の変化を前記探針位置検出手段によって検出し、該探針位置検出手段の出力に応じて前記電圧印加手段により前記第2の探針ヘッドの対応する複数の探針に印加する電圧を個別に変化させることによって前記被加工基板上にパターンを形成することを特徴とする微細パターン形成装置。
[実施態様6] 第2の探針ヘッドが複数あり、電圧印加手段により個別に電圧を印加して、同時に複数の同じパターンを形成する、実施態様4に記載の微細パターン形成装置。
段、前記第1と第2のステージをそれぞれ前記第1と第2の基板の表面と同じ面内方向に移動させるステージ駆動手段、前記探針微動手段と前記探針移動手段と前記電圧印加手段と前記ステージ駆動手段を制御する制御手段からなる微細パターン形成装置であって、前記第1の基板が載置された第1のステージと対応する前記第1の探針の組合せが複数あり、複数の前記第1の探針を対応する複数の前記第1の基板表面上で、前記第2の探針を前記第2の基板表面上でそれぞれ前記探針移動手段または前記ステージ駆動手段によって、複数の前記第1の基板と前記第2の基板に対して相対的に移動させた際の複数の前記第1の探針の位置の変化をそれぞれ探針位置検出手段によって検出し、該探針位置検出手段の複数の出力を合成した合成出力を生成し、該合成出力に応じて前記電圧印加手段により前記第2の探針に印加する電圧を変化させることによって前記第2の基板上にパターンを形成することを特徴とする微細パターン形成装置。
[実施態様10] 第1の探針の移動速度に対する第2の探針の移動速度もくは第1のステージの駆動速度に対する第2のステージの駆動速度に所定の比率を持たせて同期して移動させる、実施態様9に記載の微細パターン形成装置。
本実施態様によれば、読取り用ヘッドと書込み用ヘッドの走査速度に一定の比率を持たせるようにしたので、縮小もしくは拡大描画を可能とするとともにプロセス歪みやステージ間の機差、倍率誤差などの補正を可能とする効果がある。縮小描画が可能となったことで、原版のパターンを拡大して作成でき、寸法精度への要求が緩和される効果も有する。
[実施態様12] 第1の基板が原版で、第2の基板が被加工基板である、実施態様7または8に記載の微細パターン形成装置。
[実施態様16] 第1の探針ヘッドの移動速度に対する第2の探針ヘッドの移動速度もしくは第1のステージの駆動速度に対する第2のステージの駆動速度に一定の比率を持たせて同期して移動させる、実施態様15に記載の微細パターン形成装置。
[実施態様17] 第2のステージが複数あり、同時に複数の第2基板に第1の基板と同じパターンを形成する、実施態様13または14に記載の微細パターン形成装置。
[実施態様18] 第1の基板が原版で、第2の基板が被加工基板である、実施態様13または14に記載の微細パターン形成装置。
[実施態様20] パルスコントローラから出力され、第1のステージ用ドライバに入力されるパルスを分周もしくは逓倍して第2のステージ用ドライバに同時に入力することにより、該第1のステージの駆動速度と該第2のステージの速度に一定の比率を持たせる、実施態様19に記載の微細パターン形成装置。
[実施態様21] 第2のステージと第2のステージ用ドライバの組合せが複数あり、パルスの分周比もしくは逓倍比が異なる、実施態様20に記載の微細パターン形成装置。
[実施態様22] 原版がパターンの形成された被加工基板である、実施態様12または18に記載の微細パターン形成装置。
[実施態様25] 探針が取り付けられた複数のカンチレバー、該複数のカンチレバーの動きからそれぞれの探針の位置を個別に検出する探針位置検出手段、前記複数の探針を基板に対して個別に接近または離隔させる探針微動手段、前記複数の探針の所定数をそれぞれ平面内に配置して保持する第1の探針ヘッドと第2の探針ヘッド、該第1と第2の探針ヘッドを前記基板に対して個別に接近または離隔させる探針ヘッド微動手段、前記第1と第2の探針ヘッドを前記基板に対して平行な面内で個別に移動させる探針ヘッド移動手段、前記基板が載置されたステージ、該ステージを前記基板の表面と同じ面内方向に移動させるステージ駆動手段、前記探針微動手段と前記探針ヘッド微動手段と前記探針ヘッド移動手段と前記ステージ駆動手段を制御する制御手段からなる微細パターン検査装置であって、前記第1の探針ヘッドと前記第2の探針ヘッドを前記探針ヘッド移動手段または前記ステージ駆動手段によって、前記基板に対して相対的に該基板表面上を移動させた際の前記第1の探針ヘッドの複数の探針の位置の変化と、前記第2の探針ヘッドの複数の探針の位置の変化を前記探針位置検出手段によって検出し、2つの探針ヘッドの相対応する探針同士の位置の変化を比較することを特徴とする微細パターン検査装置。
[実施態様27] 探針が取り付けられた複数のカンチレバー、該複数のカンチレバーの動きからそれぞれの探針の位置を個別に検出する探針位置検出手段、第1の基板が載置された第1のステージ、第2の基板が載置された第2のステージ、前記複数の探針を前記第1の基板または前記第2の基板に対して個別に接近または離隔させる探針微動手段、前記複数の探針の所定数を平面内に配置して保持する第1の探針ヘッドと第2の探針ヘッド、該第1の探針ヘッドを前記第1の基板に対して、該第2の探針ヘッドを前記第2の基板に対して個別に接近または離隔させる探針ヘッド微動手段、前記第1と第2の探針ヘッドをそれぞれ前記第1と第2の基板に対して平行な面内で個別に移動させる探針移動手段、前記第1と第2のステージをそれぞれ前記第1と第2の基板の表面と同じ面内方向に移動させるステージ駆動手段、前記探針微動手段と前記探針ヘッド微動手段と前記探針ヘッド移動手段と前記ステージ駆動手段からなる微細パターン検査装置であって、前記第1の探針ヘッドを前記第1の基板表面上で、前記第2の探針ヘッドを前記第2の基板表面上でそれぞれ前記探針ヘッド移動手段または前記ステージ駆動手段によって、前記第1と第2の基板に対して相対的に移動させた際の前記第1の探針ヘッドの複数の探針の位置の変化と、前記第2の探針ヘッドの複数の探針の位置の変化を前記探針位置検出手段によって検出し、2つの探針ヘッドの相対応する探針同士の位置の変化を比較することを特徴とする微細パターン検査装置。
[実施態様29] 第1の基板が原版で、第2の基板が被加工基板である、実施態様27に記載の微細パターン検査装置。
[実施態様30] 原版がパターンの形成された被加工基板である、実施態様29に記載の微細パターン検査装置。
[実施態様31] ステージに基準マークを設け、該基準マークを計測する基準マーク計測手段を該ステージに対応して設けた、実施態様1、4、7、8、13、14に記載の微細パターン形成装置ならびに実施態様23、25、27に記載の微細パターン検査装置。
[実施態様32] 基準マークの計測は、基準マークに対して第1の探針または第1の探針ヘッドを移動させ、該第1の探針の位置の変化または該第1の探針ヘッドの複数の探針の位置の変化を検出することにより行なう、実施態様31に記載の微細パターン形成装置ならびに微細パターン検査装置。
[実施例1]
図1(a)は、本発明の第1の実施例に係る微細パターン形成装置の構成図である。図1(a)において、121は導電性の第1プローブ111を有するカンチレバーで、該第1プローブ111のウエハ表面への接近・退避を行なうプローブz駆動機構131に保持されている。141は該プローブz駆動機構131や第1プローブ111をウエハWの表面に沿って移動させるプローブxy移動機構である。151はカンチレバーのたわみを検出するカンチレバー変位検出部で、例えばカンチレバーにレーザ光を照射するレーザ投光部とカンチレバーからの反射光を受光するセンサからなり、プローブz駆動機構131にカンチレバー変位信号161をフィードバックする。
また、図1(a)において、第1プローブ111と第2プローブ211のプローブxy移動機構141と241は、いずれもステージ10とは別の、図示しない同一部材上に支持されているものとする。
、上記と同様に2つのプローブを走査してパターンの読込みと書込みを再開する。これを領域1の全てについて行なうことにより、領域1のパターンが領域2に転写される。なお、プローブxy移動機構141、241を固定したまま、ステージ10のみを動かして2つのプローブを走査するようにしてもよい。この場合、各プローブは転写領域の端まで走査した時にウエハ表面から一旦退避され、ステージを次の走査線に移動させた後、ウエハ表面に戻される。
図3は、本発明の第2の実施例に係る微細パターン形成装置の部分構成図である。実施例1との違いは、第1のプローブ及び第2のプローブを複数にし、所定数ごとにホルダーで保持するマルチプローブ構成とした点である。図3において、第1プローブ111〜114を有するカンチレバー121〜124は個別のプローブz駆動機構131〜134を介してホルダー171に保持される。ホルダー171はホルダーz駆動機構181を介してヘッドxy移動機構141に保持される(以後、これらを一まとめにして読取り用ヘッド101と呼ぶ)。また、第2プローブ211〜214を有するカンチレバー221〜224は個別のプローブz駆動機構231〜234を介してホルダー271に保持される。ホルダー271はホルダーz駆動機構281を介してヘッドxy移動機構241に保持される(同じく一まとめにして書込み用ヘッド201と呼ぶ)。なお、図3では各カンチレバーの変位を検出するカンチレバー変位検出部は図示を省略している。
図4は、本発明の第3の実施例に係る微細パターン形成装置の部分構成図である。第2の実施例との違いは、被加工基板が載置されたステージを複数用意し、対応する書込み用ヘッドも複数用意した点である。図4において、Mは全面(全転写領域)にパターンの形成された原版で、W1〜W8は該パターンを転写するためのウエハである。11及び21〜28はそれぞれ原版またはウエハが載置されたステージで、ステージ駆動装置4からのドライバ出力411、421により駆動される。101は読取り用ヘッドで、201〜208は書込み用ヘッドである。300は図3で説明したように読取り用ヘッドの複数の第1プローブを原版表面との原子間力が一定となるように制御することで得られる原版のパターン凹凸情報で、600は該パターン凹凸情報300に対応して、プローブ印加電圧発生装置3から出力されて読取り用ヘッドの各第1プローブと対応する複数の書込み用ヘッドの各第2プローブに印加されるプローブ印加電圧で、いずれも一まとめにして破線で示している。
ージ11、21〜28を同期して駆動することにより、読取り用ヘッド101及び書込み用ヘッド201〜208を原版及び基板上で走査させる。このとき、読取り用ヘッド101の各第1プローブで得られた原版Mのパターン凹凸情報300を元に、プローブ印加電圧発生装置3によって書込み用ヘッド201〜208の対応する第2プローブにプローブ印加電圧600を印加する。これにより、同時に複数の基板に原版のパターン転写を行なうことができるので、大幅なスループットの向上が可能となる。なお、原版として、パターンの転写された基板を用いてもよい。また、実施例2と同様に、全てのヘッドを同期して走査しないで、読取り用ヘッドで所定距離のパターン凹凸情報を読込んでから、複数の書込み用ヘッドで書込みを行なうようにし、これを繰り返してパターン転写を行なうようにしてもよい。
図5は、本発明の第4の実施例に係る微細パターン形成装置の部分構成図である。また、図6はパターン合成の模式図である。実施例3との違いは、原版がM1、M2と複数になり、それらから得られるパターン凹凸情報を重畳してプローブ印加電圧発生装置に入力するようにしたことである。図5において、310は2つの読取り用ヘッド101と102からそれぞれ得られる原版M1のパターン凹凸情報301と原版M2のパターン凹凸情報302を対応するプローブごとに足し合わせて、プローブ印加電圧発生装置3に入力する足し算器である。原版M2のパターン凹凸情報302は、読取り用ヘッド102のヘッドxy駆動機構またはステージ12を、読取り用ヘッド101のヘッドxy移動機構またはステージ11と同期して駆動することにより得ることが出来る。図6(a)において、原版M1の領域1のパターンがAで、原版M2の領域1のパターンがBのようなものであったとすると、図5の足し算器310の動作によって、基板W1〜W8の領域1に転写されるパターンはCのようなものになる。また、図6(b)に示すように、特殊機能を有するチップ(パターンD)を原版M1に、共通機能を有するチップ(パターンE)を原版M2に分けて作成しておき、両方の機能を有するチップ(パターンF)として作成することも出来る。このように原版を複数用意することで、複雑な凹凸パターンの転写も容易に行なうことができるとともに、原版当たりのコストを低減することが出来る。以上、足し算器を用いて2つの凹凸情報を重畳して合成する場合を説明したが、引き算器を用いたり、足し算器と引き算器を組み合せて3つ以上の凹凸情報を合成することも可能である。
図7は、本発明の第5の実施例に係る微細パターン形成装置の部分構成図である。実施例3との違いは、被加工基板が載置された複数のステージの駆動速度を変えられるようにした点である。図7において、4は前述のようにステージ駆動装置で、401は制御装置1からのステージ駆動指令514を受けて、ドライバに与える駆動パルスを出力するパルスコントローラである。411Dは原版ステージ11用のドライバで、411はその出力である。421D〜429Dはそれぞれ基板ステージ21〜29用のドライバで、421〜429はそれぞれの出力である。431〜439は分周・逓倍器で、パルスコントローラ401から出力される駆動パルス402を431はl/k倍した駆動パルス441として、432はn/m倍した駆動パルス442として、439はp/o倍した駆動パルス449としてそれぞれ出力する(k、l、m、n、o、pは任意の整数)。この結果、ステージ駆動装置4によって同期して駆動されても、ステージ21〜29の各速度はステージ11の速度に対して一定の比率のかかったものとなる。なお、図示して説明しないが、読取り用ヘッド101のヘッドxy移動機構の速度に対して、書込み用ヘッド201、202、209の各ヘッドxy移動機構の速度はそれぞれl/k倍、n/m倍、p/o倍に設定されているものとする。このような構成において、実施例3で説明したようなパターン転写動作を行なうと、基板W1に転写されるパターンの大きさは原版Mのパターンのl/k倍となる。同様に、基板W3、W9に転写されるパターンの大きさはそれぞれ原版Mのパターンのn/m倍、p/o倍となる。この結果、原版を線幅精度の緩やかな大きさで作成しておいて、パターン転写により所望の線幅精度のパターンに縮小することも出来るので、原版の作成コストを抑えられる。また、プロセス歪みやステージ間の機差、倍率誤差なども上記分周・逓倍器の設定を逐次変えることで補正することが出来る。なお、実施例2と同様に、全てのヘッドを同期して走査しないで、読取り用ヘッドで所定距離のパターン凹凸情報を読込んでから、書込み用ヘッドで書込みを行なうようにし、これを繰り返してパターン転写を行なうようにしてもよい。
図8(a)は、本発明の第6の実施例に係る微細パターン検査装置の構成図である。図1と同じ機能を有するものは同じ番号を付している。図8(a)において、基板Wが載置されたステージ10と2つの読取り用プローブユニット191、192があり、該プローブユニットからはプローブz駆動量モニタ信号521、522がそれぞれ取り出され、制御装置1に入力されている。以上の構成において、読取り用プローブユニットの191と192を同期して移動させるかステージ10を駆動させて、2つの読取り用プローブユニットを基板W上を走査させる。この時のプローブz駆動量モニタ信号521、522を制御装置1内で比較することにより、2つの読取りプローブで走査した転写領域のパターンの出来具合を比較することが出来る。比較はプローブz駆動量モニタ信号(凹凸情報)を制御装置内に蓄積して転写領域ごとに行なってよいし、基板全面の走査が終わってから行なってもよい。なお、上記走査を同期して行なわずに、2つの読取り用プローブユニットを所定量ずつ交互に走査した後、制御装置内に蓄積した状態で凹凸情報を比較するようにしてもよい。このようにして、同一基板内でのパターン検査や評価を容易に行なうことが出来る。
図8(b)は、本発明の第7の実施例に係る微細パターン検査装置の構成図である。図1及び図3と同じ機能を有するものは同じ番号を付している。実施例6との違いは、読取り用プローブをマルチ化した読取り用ヘッドとした点である。図8(b)において、基板Wが載置されたステージ10と2つの読取り用ヘッド101、102があり、該読取り用ヘッドからは複数のプローブのプローブz駆動量モニタ信号が読取り用ヘッドごとにまとめられて5210、5220として取り出され、制御装置1に入力されている。
図9は、本発明の第8の実施例に係る微細パターン検査装置の構成図である。図1、図3及び図4と同じ機能を有するものは同じ番号を付している。図9において、3つの読取り用ヘッド101〜103と2つのステージ11、12があり、3つの読取り用ヘッドからは実施例7と同様に、読取り用ヘッドごとに複数のプローブのプローブz駆動量モニタ信号がまとめられ、5210〜5230として取り出され、制御装置1に入力されている。ステージ11には原版Mが載置され、ステージ12には原版Mのパターンが転写された基板Wが載置されている。701、702はステージ11、12にそれぞれ設置された基準マークで、801、802は該基準マークのずれを計測するための基準マーク計測用光学系であり検査装置の図示しない基準面に固定されている。ステージの初期化を行なうたびに、前記基準マークを基準マーク計測用光学系により計測し、初期化原点からのずれ量を計測する。制御装置1はステージ駆動装置4にステージ駆動指令514を与える際は、そのずれ量581、582を考慮して駆動指令を与える。これにより複数のステージの座標原点を同じ装置基準に揃えることが出来る。この基準マークを使用した初期化原点ずれの補正は、前述の微細パターン形成装置における実施例1から5及び上記微細パターン検査装置の実施例6、7にも適用でき、同様の効果が得られる。
次に上記説明した微細パターン形成装置を利用したデバイスの生産方法の実施例を説明する。図10は微小デバイス(ICやLSI等の半導体チップ、液晶パネル、CCD、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等)の製造のフローを示す。ステップ1(回路設計)では半導体デバイスの回路設計を行なう。ステップ2(マスク作成)では設計した回路パターンに基づいて露光装置の原版を作成する。
一方、ステップ3(ウエハ製造)ではシリコン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ4(ウエハプロセス)は前工程と呼ばれ、上記用意した露光制御データが入力された露光装置とウエハを用いて、リソグラフィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次のステップ5(組み立て)は後工程と呼ばれ、ステップ4によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程(ダイシング、ボンディング)、パッケージング工程(チップ封入)等の組み立て工程を含む。ステップ6(検査)ではステップ5で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行なう。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、ステップ7でこれを出荷する。
上記ステップ4のウエハプロセスは以下のステップを有する。ウエハの表面を酸化させる酸化ステップ、ウエハ表面に絶縁膜を成膜するCVDステップ、ウエハ上に電極を蒸着によって形成する電極形成ステップ、ウエハにイオンを打ち込むイオン打ち込みステップ、ウエハに感光剤を塗布するレジスト処理ステップ、上記の微細パターン形成装置によって回路パターンをレジスト処理ステップ後のウエハに焼付露光する露光ステップ、露光ステップで露光したウエハを現像する現像ステップ、現像ステップで現像したレジスト像以外の部分を削り取るエッチングステップ、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除くレジスト剥離ステップ。これらのステップを繰り返し行うことによって、ウエハ上に多重に回路パターンを形成する。
Claims (6)
- 凹凸パターンが形成された複数の原版の表面に沿って前記各原版に対応した複数の第1の探針を相対移動した際の前記複数の第1の探針の動きのそれぞれに基づき該表面の複数の凹凸情報を検出する凹凸情報読込み手段と、
被加工基板の表面に沿って第2の探針を相対移動するとともに第2の探針と該被加工基板との間に前記複数の第1の探針の動きのそれぞれに基づいて検出された前記複数の凹凸情報の合成出力に応じた電圧を印加することにより前記複数の原版の表面の凹凸パターンを合成した凹凸パターンを前記被加工基板の表面に形成する凹凸情報書込み手段と、
を備えることを特徴とする微細パターン形成装置。 - 前記第1の探針の相対移動と前記第2の探針の相対移動を同期して行うことを特徴とする請求項1に記載の微細パターン形成装置。
- 前記第2の探針が複数あり、前記凹凸情報書込み手段は、第2の探針のそれぞれに個別に電圧を印加して、同時に複数の同じ凹凸パターンを形成することを特徴とする請求項2に記載の微細パターン形成装置。
- 前記複数の同じ凹凸パターンをそれぞれ別の被加工基板に形成することを特徴とする請求項3に記載の微細パターン形成装置。
- 前記平板および被加工基板を搭載して移動するステージに基準マークを設け、該基準マークを計測する基準マーク計測手段を該ステージに対応して設けたことを特徴とする請求項1〜4のいずれか1つに記載の微細パターン形成装置。
- 基準マークの計測は、基準マークに対して第1の探針または第1の探針ヘッドを移動させ、該第1の探針の位置の変化または該第1の探針ヘッドの複数の探針の位置の変化を検出することにより行う請求項5に記載の微細パターン形成装置。
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