JPS5866943A - フオトマスクの製造方法 - Google Patents
フオトマスクの製造方法Info
- Publication number
- JPS5866943A JPS5866943A JP16533081A JP16533081A JPS5866943A JP S5866943 A JPS5866943 A JP S5866943A JP 16533081 A JP16533081 A JP 16533081A JP 16533081 A JP16533081 A JP 16533081A JP S5866943 A JPS5866943 A JP S5866943A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- photomask
- intensity distribution
- light intensity
- extending
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発狗はフォトマスクの製造方法に係シ、特に半導体装
置の製造工程で被処理媒体例えは半導体ウェーハ上の７
オトレジスト展を選択無光させるために用いられるフォ
トマスクの製造方法に関するものである・ フォトマスク社最終製品の６乃至２０倍の原版をパター
ンジェネレータにより製作し、該原版をステップアンド
リピートカメラによシ最終倍率に縮少配列して製造され
る。そしてさらに必要に応じてそれを第２原版とし、焼
付露光法によシ最終のフォトマスクを得る方法がとられ
ている。この第２原版の製造方法は、一般にいわゆるリ
ードプレートと称される高精度に平面研摩されたガラス
＊Ｏａａ基板の一主平面上に、クロム、＃に化クロム、
シリコンゲルマニウム、ｉｎｋｎ鉄化鉄タン勢を数百乃
至数千オングストロームの厚さに蒸着やスパッタリング
法により形成し、その表直に塗布されたフォトレジスト
膜をステップアンドリピートカメラによシ選択麹光する
ことによシ製造される。
置の製造工程で被処理媒体例えは半導体ウェーハ上の７
オトレジスト展を選択無光させるために用いられるフォ
トマスクの製造方法に関するものである・ フォトマスク社最終製品の６乃至２０倍の原版をパター
ンジェネレータにより製作し、該原版をステップアンド
リピートカメラによシ最終倍率に縮少配列して製造され
る。そしてさらに必要に応じてそれを第２原版とし、焼
付露光法によシ最終のフォトマスクを得る方法がとられ
ている。この第２原版の製造方法は、一般にいわゆるリ
ードプレートと称される高精度に平面研摩されたガラス
＊Ｏａａ基板の一主平面上に、クロム、＃に化クロム、
シリコンゲルマニウム、ｉｎｋｎ鉄化鉄タン勢を数百乃
至数千オングストロームの厚さに蒸着やスパッタリング
法により形成し、その表直に塗布されたフォトレジスト
膜をステップアンドリピートカメラによシ選択麹光する
ことによシ製造される。
上記方法によ１製作されるフォトマスクのパターン形状
は、パターンが微細な直線状でかつその直−状パターン
に七の＆線状パターンと異なる方向に伸びる他のパター
ンが接続している様な栴成に１０ている場合、ステップ
アンドリピートカメラの光学系の特性から、接続部に突
起ができるという不都合が生じていた。
は、パターンが微細な直線状でかつその直−状パターン
に七の＆線状パターンと異なる方向に伸びる他のパター
ンが接続している様な栴成に１０ている場合、ステップ
アンドリピートカメラの光学系の特性から、接続部に突
起ができるという不都合が生じていた。
本発明の目的は、上記、欠点を解決したフォトマスクの
製造方法を提供することＫある◎本発明は、第一の方向
に伸びる微細な第１のパターンと、該第１のパターンに
接続され第二の方向に伸びる第２のパターンとを含むフ
ォトマスクの製造方法において、特に原版時点で前記第
１のパターンと前記第２のパターンとの接続部分に、あ
らかじめすきまをもうけることを特徴とする７゛オドマ
スクの製造方法にある◎ 本発明によれは、一方向に伸びる微細な直線状パターン
と、その直線状パターンに接続し該ＭＩＩ状パターンと
異なる方向に伸びる他のパターンとで構成される橡なフ
ォトマスクにおいても、接続部に突起が生じることなく
精度よく製作できる。
製造方法を提供することＫある◎本発明は、第一の方向
に伸びる微細な第１のパターンと、該第１のパターンに
接続され第二の方向に伸びる第２のパターンとを含むフ
ォトマスクの製造方法において、特に原版時点で前記第
１のパターンと前記第２のパターンとの接続部分に、あ
らかじめすきまをもうけることを特徴とする７゛オドマ
スクの製造方法にある◎ 本発明によれは、一方向に伸びる微細な直線状パターン
と、その直線状パターンに接続し該ＭＩＩ状パターンと
異なる方向に伸びる他のパターンとで構成される橡なフ
ォトマスクにおいても、接続部に突起が生じることなく
精度よく製作できる。
以下に本発明を図面を用いて詳細Ｋｎ明する。
第１図（畠）乃至第１図（ｃ）は、従来方法によるフォ
トマスク製造過程等を示す図である。第１図（ａ）の如
く、第一の方向に伸びる微細な第１のパターン１と、第
１のパターンに接続され第二〇方向に伸びる第２のパタ
ーン２とからなるパターンを、原版としてステップアン
ドリピートカメラにょシ縮小島光を行うと、被露光プレ
ート上における第１ツバターンｌの横断線３．および第
１のパターン１と第２のパターン２との接続部の横断Ｍ
４の光強度分布は、第１−（ｂ）の如くなる。第１図（
ｂ）において、第１のパターンｌの強度分布５および第
１のパターン１と第２のパターン２との接続部での強度
分布６を示す。パターン形成に最低限必要な露光強度を
、第１図化）のレベル７とすると、該原版によシ製作さ
れたフォトマスクは飢１図（ｃ）の如く突起８が住じて
しまうことＫなる。
トマスク製造過程等を示す図である。第１図（ａ）の如
く、第一の方向に伸びる微細な第１のパターン１と、第
１のパターンに接続され第二〇方向に伸びる第２のパタ
ーン２とからなるパターンを、原版としてステップアン
ドリピートカメラにょシ縮小島光を行うと、被露光プレ
ート上における第１ツバターンｌの横断線３．および第
１のパターン１と第２のパターン２との接続部の横断Ｍ
４の光強度分布は、第１−（ｂ）の如くなる。第１図（
ｂ）において、第１のパターンｌの強度分布５および第
１のパターン１と第２のパターン２との接続部での強度
分布６を示す。パターン形成に最低限必要な露光強度を
、第１図化）のレベル７とすると、該原版によシ製作さ
れたフォトマスクは飢１図（ｃ）の如く突起８が住じて
しまうことＫなる。
第２図（ａ）乃至第２恥（ｃ）は１本発明の実施例によ
るフォトマスク製造過ａ等を示す図である。第２ＩＪ（
ａ）の如く、第一の方向に伸びる微細な第１のパターン
１と、ｌｘｘのパターンＩＫ接続して第二の方向に伸び
る第２のパターン２との間に、微小なすきｔ９をもうけ
たパターンを、原版としてステップアン−トリピートカ
メラにより縮小路光を行うと、被露光プレート上におけ
る第２図（１）の第１のパターンｌの横［］１！！１０
．．および第１のパターン１と第２のパターン２との接
続部の横断ａｌｌにおける光強度分布鉱、第２図（ｂ）
の如くなる。第２図（ｂ）は、亀ｌのパターンｌの光強
度分布１２．第２のパターン２の光強度分布１３．およ
び第１０パターンｌと第２のパターン２との接続部にお
ける第１のパターンｌの光強度分布１２と１１２のパタ
ーン２の光強度分布１３との合成光強度分布１４を示す
。この方法によシ製作されたフォトマスクは、第２図（
ｃ）の如＜ｂ Ｉｌｌ 、８２のパターンｌ。
るフォトマスク製造過ａ等を示す図である。第２ＩＪ（
ａ）の如く、第一の方向に伸びる微細な第１のパターン
１と、ｌｘｘのパターンＩＫ接続して第二の方向に伸び
る第２のパターン２との間に、微小なすきｔ９をもうけ
たパターンを、原版としてステップアン−トリピートカ
メラにより縮小路光を行うと、被露光プレート上におけ
る第２図（１）の第１のパターンｌの横［］１！！１０
．．および第１のパターン１と第２のパターン２との接
続部の横断ａｌｌにおける光強度分布鉱、第２図（ｂ）
の如くなる。第２図（ｂ）は、亀ｌのパターンｌの光強
度分布１２．第２のパターン２の光強度分布１３．およ
び第１０パターンｌと第２のパターン２との接続部にお
ける第１のパターンｌの光強度分布１２と１１２のパタ
ーン２の光強度分布１３との合成光強度分布１４を示す
。この方法によシ製作されたフォトマスクは、第２図（
ｃ）の如＜ｂ Ｉｌｌ 、８２のパターンｌ。
２０転写像１５．Ｊ６は極めて正確である。郊ち第１図
（ｃ）の如き突起８を生じることがなくなる。
（ｃ）の如き突起８を生じることがなくなる。
以上のように１本発明によれびきわめて精密なフォトマ
スクの製造が可能となるＪ
スクの製造が可能となるＪ
第１図（ａ）は懺来の原版の平面図、ｌｘｘ図（ｂ）は
亀１図（畠）の光！１１１ｉＩｌ！分布を示す特性図、
為１図（ｃ）は第’ＩｗＪ（麿）の縮小後のフォトマス
クを示す平面図、第２図Ｃａｎ）紘本発明の実施例の原
版を示す平ｍｒ図、第２図ら）は第２！Ｅｌ（ａ）の光
強度分布を示す特性図、第２図（ｃ）は第２図（ａ）の
縮小後のフォトマスクを示す平面図である・ 尚図において、ｌ・・・可納１のパターン、２・・・・
・・第２のパターン、３・・・・・・第１のパターンの
横断ｍ。 ４・・・・・・ＩＩのパターンと第２のパターンとの接
続部の横断線、５・・・・・・ｆｇｌのパターンの横断
線における光強度分布、６・・団・ｊＲｌのパターンと
第２のパターンとの接続部の横断線における光強度分布
。 ７・・・・・・パターン形成に最低限必要な線光強度の
レベル、８・・・・・・突起、９・・・・・・微小なす
きま、１０・・・・・・第１のパターンの横断縁、１１
・・印・第１のパターンと第２のパターンとの接続部の
横断線、１２・・・・・・第１のパターンの光強度分布
、１３・・・・・・第１のパターンと第２のパターンと
の！！続部における第２のパターンの光強度分布、１４
・・・・・・ｌｌｌのパターンの光強度分布１２と第２
のパターンとの光強度分布の合成光強度分布％ １５・
・・・・・第１のパターンの転写像、１６・・・・・・
第２のパターンの転写像。 嶋 １ 図（１）） 冥Ｚ ’□ ｒｂ）
亀１図（畠）の光！１１１ｉＩｌ！分布を示す特性図、
為１図（ｃ）は第’ＩｗＪ（麿）の縮小後のフォトマス
クを示す平面図、第２図Ｃａｎ）紘本発明の実施例の原
版を示す平ｍｒ図、第２図ら）は第２！Ｅｌ（ａ）の光
強度分布を示す特性図、第２図（ｃ）は第２図（ａ）の
縮小後のフォトマスクを示す平面図である・ 尚図において、ｌ・・・可納１のパターン、２・・・・
・・第２のパターン、３・・・・・・第１のパターンの
横断ｍ。 ４・・・・・・ＩＩのパターンと第２のパターンとの接
続部の横断線、５・・・・・・ｆｇｌのパターンの横断
線における光強度分布、６・・団・ｊＲｌのパターンと
第２のパターンとの接続部の横断線における光強度分布
。 ７・・・・・・パターン形成に最低限必要な線光強度の
レベル、８・・・・・・突起、９・・・・・・微小なす
きま、１０・・・・・・第１のパターンの横断縁、１１
・・印・第１のパターンと第２のパターンとの接続部の
横断線、１２・・・・・・第１のパターンの光強度分布
、１３・・・・・・第１のパターンと第２のパターンと
の！！続部における第２のパターンの光強度分布、１４
・・・・・・ｌｌｌのパターンの光強度分布１２と第２
のパターンとの光強度分布の合成光強度分布％ １５・
・・・・・第１のパターンの転写像、１６・・・・・・
第２のパターンの転写像。 嶋 １ 図（１）） 冥Ｚ ’□ ｒｂ）
Claims (1)
- 第一の方向に伸びる第１のパターンと、該第１のパター
ンに接続され第二の方向に伸びる第２のパターンとを含
むフォトマスクの製造方法において、該諏１のパターン
と該＠２のパターンとの間にあらかじめすきまを設けて
おくことを特徴とするフォトマスク＆造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16533081A JPS5866943A (ja) | 1981-10-16 | 1981-10-16 | フオトマスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16533081A JPS5866943A (ja) | 1981-10-16 | 1981-10-16 | フオトマスクの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5866943A true JPS5866943A (ja) | 1983-04-21 |
Family
ID=15810280
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16533081A Pending JPS5866943A (ja) | 1981-10-16 | 1981-10-16 | フオトマスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5866943A (ja) |
-
1981
- 1981-10-16 JP JP16533081A patent/JPS5866943A/ja active Pending
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