JPS5866366A - シヨツトキ−ダイオ−ドの製造方法 - Google Patents
シヨツトキ−ダイオ−ドの製造方法Info
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- JPS5866366A JPS5866366A JP16431981A JP16431981A JPS5866366A JP S5866366 A JPS5866366 A JP S5866366A JP 16431981 A JP16431981 A JP 16431981A JP 16431981 A JP16431981 A JP 16431981A JP S5866366 A JPS5866366 A JP S5866366A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
- H01L29/861—Diodes
- H01L29/872—Schottky diodes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、シミツトキーダイオードの製造方法に関する
ものＫして、さらに詳細には、素子の所要面積を減少さ
せることのできるショットキーダイオードの製造方法に
関するものである。
ものＫして、さらに詳細には、素子の所要面積を減少さ
せることのできるショットキーダイオードの製造方法に
関するものである。
ショットキーダイオードではコンタクト周辺部での電界
集中に原因する」ノーク電流が発生しやすく、信頼性の
面から問題点がある。これを防止する方法として、コン
タクト周辺にシリコン基板と反対の導電型をもつ領域、
すなわち、ガードリングを形成する方法が提案されてい
る。しかし、大規模−集積回路内に従来の方法でガード
リングを形成すると、ショットキーダイオードの面積が
増大し、集積度を上げ°る障害となる欠点のあるもので
あった・ 本発明の目的は、上記のような従来技術の欠点をなくし
た、ショットキーダイオードにおいて自己整合法でガー
ドリングを形成することにより、素子の面積を減少でき
る製造方法を提供することにある。
集中に原因する」ノーク電流が発生しやすく、信頼性の
面から問題点がある。これを防止する方法として、コン
タクト周辺にシリコン基板と反対の導電型をもつ領域、
すなわち、ガードリングを形成する方法が提案されてい
る。しかし、大規模−集積回路内に従来の方法でガード
リングを形成すると、ショットキーダイオードの面積が
増大し、集積度を上げ°る障害となる欠点のあるもので
あった・ 本発明の目的は、上記のような従来技術の欠点をなくし
た、ショットキーダイオードにおいて自己整合法でガー
ドリングを形成することにより、素子の面積を減少でき
る製造方法を提供することにある。
上記の目的のための本発明のショットキーダイオードの
製造方法の特徴とするところは、ショットキーダイオー
ドのアノード、カンード電極形成部にモリブデン、タン
グステン、タンタルなどからなる゛高融点金属を堆積後
、熱処理を施して該高融点金属のシリサイドを形成する
工程および該高融点金属のシリサイドを酸化して表面に
酸化膜を形成する工程、および、該酸化膜をマスクにし
て該高融点シリサイドをサイドエッチして電極周辺部を
露出させた後、その部分に半導体基板と反対の導電型の
不純物を拡散またはイオン打ち込み法により導入してガ
ードリングを形成する工程を含んでなることにある。こ
のような本発明方法によれば、ガードリングの付いた微
細なショットキーダイオードが形成できるので、大規模
集積回路の高集積化、高信頼化に極めて適するものであ
る。
製造方法の特徴とするところは、ショットキーダイオー
ドのアノード、カンード電極形成部にモリブデン、タン
グステン、タンタルなどからなる゛高融点金属を堆積後
、熱処理を施して該高融点金属のシリサイドを形成する
工程および該高融点金属のシリサイドを酸化して表面に
酸化膜を形成する工程、および、該酸化膜をマスクにし
て該高融点シリサイドをサイドエッチして電極周辺部を
露出させた後、その部分に半導体基板と反対の導電型の
不純物を拡散またはイオン打ち込み法により導入してガ
ードリングを形成する工程を含んでなることにある。こ
のような本発明方法によれば、ガードリングの付いた微
細なショットキーダイオードが形成できるので、大規模
集積回路の高集積化、高信頼化に極めて適するものであ
る。
以下Ｋ、本発明を実施例につき、第１〜１１図よりなる
工程間の素子の断面説明図を参照して、さらに詳細に説
明する。
工程間の素子の断面説明図を参照して、さらに詳細に説
明する。
第１図に示すように、比抵抗２０〜３０Ω・ｃｍのＰ型
８ｉ基板１１にアンチモンを選択拡散させて高濃度の埋
込み層１２を形成する。
８ｉ基板１１にアンチモンを選択拡散させて高濃度の埋
込み層１２を形成する。
次Ｋ、高濃度の埋込み層１２を含むＳｉ基板１１上ニ、
厚さが約１．６μｍの８１工ヒリキシアル層１５を堆積
後、第２図に示すように、８ｉ０２２１、その上に８＋
５Ｎ４２２をマスクにして、８ｉ工ピタキシアル層１５
をエッチする。このエッチ後の状態を示したのが第３図
である。
厚さが約１．６μｍの８１工ヒリキシアル層１５を堆積
後、第２図に示すように、８ｉ０２２１、その上に８＋
５Ｎ４２２をマスクにして、８ｉ工ピタキシアル層１５
をエッチする。このエッチ後の状態を示したのが第３図
である。
上記のＳｉ、Ｎ４２２をマスクにして、露出してぃルＳ
ｉ １５ ヲ酸化し、厚さが１．５ ｐｍ Ｆ） ５ｉ
ｎ２１４を成長させて素子間、の分離を行う。マスクに
用いた上記の５ｔ０２２１およびＳｉ、Ｎ４２２をエッ
チして除去する。この状態を示したのが第４図である。
ｉ １５ ヲ酸化し、厚さが１．５ ｐｍ Ｆ） ５ｉ
ｎ２１４を成長させて素子間、の分離を行う。マスクに
用いた上記の５ｔ０２２１およびＳｉ、Ｎ４２２をエッ
チして除去する。この状態を示したのが第４図である。
次Ｋ、モリブデン、タングステン、またはタンタルなど
の高融点金属２３を、ｏ、１〜０５μ甲の厚さに堆積す
る。この状態を示したのが第５図である・ 上記のものを窒素雰囲気中での熱処理工程を行うと、金
属シリサイド１５が形成され、さらにこの金属シリサイ
ドを酸素雰囲気中で熱処理するとその表面の酸化膜１６
が形成される。この状態を示したのが第６図である。
の高融点金属２３を、ｏ、１〜０５μ甲の厚さに堆積す
る。この状態を示したのが第５図である・ 上記のものを窒素雰囲気中での熱処理工程を行うと、金
属シリサイド１５が形成され、さらにこの金属シリサイ
ドを酸素雰囲気中で熱処理するとその表面の酸化膜１６
が形成される。この状態を示したのが第６図である。
８ｉ０２１４上の未反応の高融点金属２６を選択エッチ
で除去する。この状態を示したのが第７図である。
で除去する。この状態を示したのが第７図である。
第７図に示した酸化膜１６をマスクにして、金属シリサ
イド１５をサイドエッチする。この状態を示したのが第
８図である。
イド１５をサイドエッチする。この状態を示したのが第
８図である。
上記のものに対し、８ｉ工ピタキシヤル層１３と反対の
導電型の不純物を拡散またはイオン打込み法で導入する
工程を行い、ガードリング２０を形成する。この状態・
を示したのが第９図である。
導電型の不純物を拡散またはイオン打込み法で導入する
工程を行い、ガードリング２０を形成する。この状態・
を示したのが第９図である。
次に、金属シリサイド１５、酸化膜１６．を除去する。
第１０図に示すように、ショットキーダイオードのカン
ード部１Ｂにのみ高濃度のリンを拡散する。
ード部１Ｂにのみ高濃度のリンを拡散する。
最後に、金属電極１９を形成すると、第１１図に示すよ
うな、ガードリング２０を有するショットキーダイオー
ドができる。
うな、ガードリング２０を有するショットキーダイオー
ドができる。
以上かられかるように、本発明によれば、素子の面積を
増大することなく、ガードリングを有するショットキー
ダイオードを容易に製造することができるものであシ、
素子の所要面積を、従来に比し、およそ１／２にできる
ものである。
増大することなく、ガードリングを有するショットキー
ダイオードを容易に製造することができるものであシ、
素子の所要面積を、従来に比し、およそ１／２にできる
ものである。
第１図乃至第１１図は、本発明の一実施例におけるショ
ットキーダイオードの製造工程を示す素子の断面説明図
である。 １１・・・Ｓｉ基板 １２・・・高濃度埋込み
層１３・・・Ｓｉエピタキシアル層 １４・・・５ｉＯ２１５・・・金属シリサイド１６・・
・酸化膜 １７・・・アノード１８・・・カン
ード １９・・・金属電極２０・・・ガードリン
グ ２１・・・８ｉ０２マスク２２・・・８ｉ、Ｎ４
マスク ２３・・・高融点金属層代理人弁理士 中
村純之紘 ｔｌ 図 ＩＺ 第４ｉ５１
ットキーダイオードの製造工程を示す素子の断面説明図
である。 １１・・・Ｓｉ基板 １２・・・高濃度埋込み
層１３・・・Ｓｉエピタキシアル層 １４・・・５ｉＯ２１５・・・金属シリサイド１６・・
・酸化膜 １７・・・アノード１８・・・カン
ード １９・・・金属電極２０・・・ガードリン
グ ２１・・・８ｉ０２マスク２２・・・８ｉ、Ｎ４
マスク ２３・・・高融点金属層代理人弁理士 中
村純之紘 ｔｌ 図 ＩＺ 第４ｉ５１
Claims (1)
- シミツトキーダイオードのアノード、カソード電極形成
部にモリブデン、タングステン、タンタルなどの中から
選択された高融点金属を堆積後、熱処理を施して該高融
点金属のシリサイドを形成する工程および該高融点金属
の７リサイドを酸化して表面に酸化膜を形成する工程、
該酸化膜をマスクにして該高融点金属のシリサイドをサ
イドエッチして電極周辺部を露出させた後、その部分に
半導体基板と反対の導電型の不純物を拡散またはイオン
打ち込み法により導入してガードリングを形成する工程
を含んでなること夕特徴とする’／ｗットキーダイオー
ドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16431981A JPS5866366A (ja) | 1981-10-16 | 1981-10-16 | シヨツトキ−ダイオ−ドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16431981A JPS5866366A (ja) | 1981-10-16 | 1981-10-16 | シヨツトキ−ダイオ−ドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5866366A true JPS5866366A (ja) | 1983-04-20 |
Family
ID=15790887
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16431981A Pending JPS5866366A (ja) | 1981-10-16 | 1981-10-16 | シヨツトキ−ダイオ−ドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5866366A (ja) |
-
1981
- 1981-10-16 JP JP16431981A patent/JPS5866366A/ja active Pending
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