JPS5864300A - 気相法によるアルミニウム酸化物の薄膜製造方法 - Google Patents
気相法によるアルミニウム酸化物の薄膜製造方法Info
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- JPS5864300A JPS5864300A JP56164536A JP16453681A JPS5864300A JP S5864300 A JPS5864300 A JP S5864300A JP 56164536 A JP56164536 A JP 56164536A JP 16453681 A JP16453681 A JP 16453681A JP S5864300 A JPS5864300 A JP S5864300A
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/16—Oxides
- C30B29/20—Aluminium oxides
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はアルミニウムを含む酸化物の薄膜製造方法に関
するものであり、更にｋＩ＝Ｌ ＜はハロゲン化アルよ
ニウムガスを原料ガスとするアルミニウム酸化物の気相
法による薄膜製造方法に関する。
するものであり、更にｋＩ＝Ｌ ＜はハロゲン化アルよ
ニウムガスを原料ガスとするアルミニウム酸化物の気相
法による薄膜製造方法に関する。
Ａ７を含む酸化物の最も代表的なものとしてけ酸化アル
ミニウム）”１ｔｏｓがある。ｋｌｔｏｓは半導体集積
回路、磁気バブルデバイスなどの各種デバイスの保ＷＩ
膜、絶縁体分献牛導体デバイスの絶縁膜等に用いられ、
エレクトロニクスデバイスにきわめて有用な材料である
。またマグネシウムアルミ本−Ｙスビ本ルＭｇ０−Ａ４
，０．も絶縁体分離デバイスを初めとする各種デバイス
の単結晶基板として研究されてきた。そして、最近、Ｓ
ｌ単結晶基板上ＫＭｇＯ−Ａ／、Ｏ，をエピタキシャル
成長し、その上に８１活性層をエピタキシャル成長する
ことを特徴とする絶縁体分離デバイスが注目されている
。
ミニウム）”１ｔｏｓがある。ｋｌｔｏｓは半導体集積
回路、磁気バブルデバイスなどの各種デバイスの保ＷＩ
膜、絶縁体分献牛導体デバイスの絶縁膜等に用いられ、
エレクトロニクスデバイスにきわめて有用な材料である
。またマグネシウムアルミ本−Ｙスビ本ルＭｇ０−Ａ４
，０．も絶縁体分離デバイスを初めとする各種デバイス
の単結晶基板として研究されてきた。そして、最近、Ｓ
ｌ単結晶基板上ＫＭｇＯ−Ａ／、Ｏ，をエピタキシャル
成長し、その上に８１活性層をエピタキシャル成長する
ことを特徴とする絶縁体分離デバイスが注目されている
。
その他、磁気バブルデバイス、磁気光学デバイス。
レーザー用等にＡ７を含む各檀酸化物が多数使用されて
いる。そして、デバイスの薄膜化の進展に伴なって、こ
れら酸化物の薄膜製造技術が重要な技術となってきてい
る。各種の薄膜製造技術のなかで気相法はガス楓の選択
によって稙々の材料の薄膜が容易に製造できるという利
点があり、とくに高温でのエピタキシャル膜成長に有効
であり、最もｙＩＸ要な成膜技術になっている。
いる。そして、デバイスの薄膜化の進展に伴なって、こ
れら酸化物の薄膜製造技術が重要な技術となってきてい
る。各種の薄膜製造技術のなかで気相法はガス楓の選択
によって稙々の材料の薄膜が容易に製造できるという利
点があり、とくに高温でのエピタキシャル膜成長に有効
であり、最もｙＩＸ要な成膜技術になっている。
酸化物の気相法による薄膜のＭ造には成分元素のハロゲ
ン化ガスと酸素ガス、炭酸ガス、水蒸気等を混合反応さ
せる方法が取られている。例え番よイツトリウム・ａ−
ガーネットＹ、Ｆ・、０□（ＹＩＧ）のエピタキシャル
膜を気相成長法で成長する場合は、一般に塩化イッ）
ＩＪウムＹＣ１，及び塩化鉄Ｆ・Ｃ１ｚの蒸発ガスを戯
索ガスとを次式のように反応させて ３ＹＣＪｓ＋ ５ＦｅＣＪ１＋ ６０．−＋Ｙ、Ｆ・、
０．、十梗Ｃ４（１）Ｙｌ”１１１０＋１をＧｄ、 Ｇ
ａ、 ０．、 （（ＪＧＧ） 単結晶基板上にエピタ
キシャル成長する。
ン化ガスと酸素ガス、炭酸ガス、水蒸気等を混合反応さ
せる方法が取られている。例え番よイツトリウム・ａ−
ガーネットＹ、Ｆ・、０□（ＹＩＧ）のエピタキシャル
膜を気相成長法で成長する場合は、一般に塩化イッ）
ＩＪウムＹＣ１，及び塩化鉄Ｆ・Ｃ１ｚの蒸発ガスを戯
索ガスとを次式のように反応させて ３ＹＣＪｓ＋ ５ＦｅＣＪ１＋ ６０．−＋Ｙ、Ｆ・、
０．、十梗Ｃ４（１）Ｙｌ”１１１０＋１をＧｄ、 Ｇ
ａ、 ０．、 （（ＪＧＧ） 単結晶基板上にエピタ
キシャル成長する。
しかるに、本発明の対象物質であるＡｌを含む一酸化一
の気相法によるｉ８＃膜の生成においては塩化アルミニ
ウムＡ−ａｃｔｓのようなハロゲン化アルミニウムのガ
スを用いることが必要であるが、ハロゲン化アルミニウ
ムの蒸気圧はきわめて高く、気相法に必要な程度の少量
のハロゲン化アルミニウムの輸送量を制御することはハ
ロゲン化アルミニウムな直接蒸発させる方法（以下、蒸
発法と称する）においてはきわめてむつかしい。このた
め全極アルミニウムなハロゲンガスまたはハロゲン化水
素ガスと反応させてハロゲン化アルミニウムガスを得る
方法（以下、 Ａ４反応法と称する）が取られている。
の気相法によるｉ８＃膜の生成においては塩化アルミニ
ウムＡ−ａｃｔｓのようなハロゲン化アルミニウムのガ
スを用いることが必要であるが、ハロゲン化アルミニウ
ムの蒸気圧はきわめて高く、気相法に必要な程度の少量
のハロゲン化アルミニウムの輸送量を制御することはハ
ロゲン化アルミニウムな直接蒸発させる方法（以下、蒸
発法と称する）においてはきわめてむつかしい。このた
め全極アルミニウムなハロゲンガスまたはハロゲン化水
素ガスと反応させてハロゲン化アルミニウムガスを得る
方法（以下、 Ａ４反応法と称する）が取られている。
例えば−Ａｌｔｏｓの薄膜をＡｌＣ１１ガスを用いて生
成する場合について説明すれば、ＡＪをＨ（ＪまたはＣ
！、と反応させて、先ずＡ４Ｃ／ｓを生威し、これをＣ
Ｏ，、Ｈ２ガスと反応させる。反応式で示せば、次の（
２）、 （３）式のようになる。
成する場合について説明すれば、ＡＪをＨ（ＪまたはＣ
！、と反応させて、先ずＡ４Ｃ／ｓを生威し、これをＣ
Ｏ，、Ｈ２ガスと反応させる。反応式で示せば、次の（
２）、 （３）式のようになる。
ＡＪ ＋ ３ ＨＣｊ →ｋｌ Ｃｊ ｓ ＋ ２Ｈｔ
（２）２Ａｊ（Ｊ、＋３ＣＯ，＋３Ｈ，→
Ａ７ 、０． ＋３ ＣＯ＋６ ＨＣｌ （３）しかし
、金属Ａ４１ｊ、きわめて酸化され易く、ＨＣｌガス中
に含まれている不純物としての水蒸気、酸素ガスと反応
して、ムＪ、０．が順次、生成され、これがＡｊ表面を
被うため−ｋｌｃｌｓの輸送量の制御が出来なくなる。
（２）２Ａｊ（Ｊ、＋３ＣＯ，＋３Ｈ，→
Ａ７ 、０． ＋３ ＣＯ＋６ ＨＣｌ （３）しかし
、金属Ａ４１ｊ、きわめて酸化され易く、ＨＣｌガス中
に含まれている不純物としての水蒸気、酸素ガスと反応
して、ムＪ、０．が順次、生成され、これがＡｊ表面を
被うため−ｋｌｃｌｓの輸送量の制御が出来なくなる。
このため十分に精製されたＨ（Ｊガスを用い、かつこれ
を高純度木葉ガスと混合する得の処置をして、できる限
りＡＩの酸化を防止する対策をたてなければならなし１
゜しかしこれらガスによる酸化を抑えたとしてもムｌは
石英と反応し易やすく、石英反応管を破損させる等の事
故を起し易く、その対策にも注意しなければならない。
を高純度木葉ガスと混合する得の処置をして、できる限
りＡＩの酸化を防止する対策をたてなければならなし１
゜しかしこれらガスによる酸化を抑えたとしてもムｌは
石英と反応し易やすく、石英反応管を破損させる等の事
故を起し易く、その対策にも注意しなければならない。
本発明はアルミニウム酸化物の薄膜製造（・こおし１て
、原料ガスのハロゲン化アルミニウムガスを得る方法と
して、上に説明した蒸発法、Ａ１反応法の２つの従来方
法の欠点を見服する方法を提供する。具体的には、ガン
マアルミナγ−ＡｊｘＯｓ をハロゲンガスまたはハ
ロゲン化水京ガスと反応させることによってハロゲン化
アル、ミニラムガスを生成する方法である。酸化アル＜
ニウムＡｃｔＯｓにはα Ａｊ！Ｏｓとγ−ｋｌｖｏ
＊の２つの相が知られている。このうち、α−ｋｌｔＯ
ｓ ｔ’；Ｊ化学的にされめテ安定で、ハロゲンガスま
たは／Ｘロゲ／化水素ガスと番まとんど反応しないが、
本発明者はＴ−Ａ４ｔＯｍ は容易に反応して、ハロゲ
ン化アルミニウムガスが得られることを発見した。
、原料ガスのハロゲン化アルミニウムガスを得る方法と
して、上に説明した蒸発法、Ａ１反応法の２つの従来方
法の欠点を見服する方法を提供する。具体的には、ガン
マアルミナγ−ＡｊｘＯｓ をハロゲンガスまたはハ
ロゲン化水京ガスと反応させることによってハロゲン化
アル、ミニラムガスを生成する方法である。酸化アル＜
ニウムＡｃｔＯｓにはα Ａｊ！Ｏｓとγ−ｋｌｖｏ
＊の２つの相が知られている。このうち、α−ｋｌｔＯ
ｓ ｔ’；Ｊ化学的にされめテ安定で、ハロゲンガスま
たは／Ｘロゲ／化水素ガスと番まとんど反応しないが、
本発明者はＴ−Ａ４ｔＯｍ は容易に反応して、ハロゲ
ン化アルミニウムガスが得られることを発見した。
γ−ＡＩｔｏｓは金属アル１ニウムの場合におけるよう
にＨＣｔＩＡＣｌｘ ＠に含まれる不純物の水蒸気。
にＨＣｔＩＡＣｌｘ ＠に含まれる不純物の水蒸気。
酸素によって影響を受けることがなく、また、石英との
反応性もなく石英反応管を破損することもない。従って
、ＨＣｌガス、Ｈ，ガス痔の厳密な精製をする必要もな
く、長時間にわたって足常的な輸送量の制御ができるた
めに、製造コストの低減とともに製造の再現性が著しく
改＠される。以下実施例によって詳細に説明する。
反応性もなく石英反応管を破損することもない。従って
、ＨＣｌガス、Ｈ，ガス痔の厳密な精製をする必要もな
く、長時間にわたって足常的な輸送量の制御ができるた
めに、製造コストの低減とともに製造の再現性が著しく
改＠される。以下実施例によって詳細に説明する。
実＆１１１． マグネシアアルミネート、スピネルＭ
ｇ０Ａｊ２０．の薄膜をシリコン単結晶基板上にエピタ
キシャル成長した。
ｇ０Ａｊ２０．の薄膜をシリコン単結晶基板上にエピタ
キシャル成長した。
１ｉ１に、本実施例のエピタキシャル成長に用いた気相
エピタキシャル処置を示した。・反応管は２重管方式で
、内径７０■の外管１と内径５０■の内管２の２つの石
英管からなり、内管２の内部の位置３Ｋｒ−Ａｌｔｏｓ
、位置４に塩化マグネシウムＭｇＣＩｈを置いた。そし
て原料温度はｒ Ａ１２０ｓを６５０℃、 ＭｇＣ１
＊を９５０℃とした。成長室５には基板ホルダー６の上
に設けられたシリコン単結晶基板７を置き、その温度を
９５０℃とした。
エピタキシャル処置を示した。・反応管は２重管方式で
、内径７０■の外管１と内径５０■の内管２の２つの石
英管からなり、内管２の内部の位置３Ｋｒ−Ａｌｔｏｓ
、位置４に塩化マグネシウムＭｇＣＩｈを置いた。そし
て原料温度はｒ Ａ１２０ｓを６５０℃、 ＭｇＣ１
＊を９５０℃とした。成長室５には基板ホルダー６の上
に設けられたシリコン単結晶基板７を置き、その温度を
９５０℃とした。
また、シリコン単結晶基板の成長面は（１００）とした
。ガス流量はガス注入口８からＨ１＝５１／ｍｉｎ、
ＨＣＪ＝２０ ｃｃ／ｍｉｎ 、ガス注入口９からＨ１
＝５ｊ／ｍｉｎ 、 Ｃｏ、＝２００ ｃｃ／ｍｉｎ、
Ｎ１＝１５ｊ／ｍｉｎを流した。その結果、シリコン
単結晶基板上に約１μｍ／ｈｒの成長速度でＭｇＯ・Ａ
ｌｔｏｓのエピタキシャル膜が成長した。Ｘ−回折によ
ってＭｇＯ・ＡｊｚＯｓの（４００）回折ピークのみが
観池され、シリコン単結晶基板と同一方位のエピタキシ
ャル膜が成長していることか１ｉＴｈされた。また同−
設定条件で１回当り１時間の成長を！！！！綬２０回繰
り返した。その結果、成長速度のバラツキは±５％以内
であり、いずれの成長においても欠陥のはとんどないＪ
ｌ″ＪＲのエピタキシャル膜が得られた。
。ガス流量はガス注入口８からＨ１＝５１／ｍｉｎ、
ＨＣＪ＝２０ ｃｃ／ｍｉｎ 、ガス注入口９からＨ１
＝５ｊ／ｍｉｎ 、 Ｃｏ、＝２００ ｃｃ／ｍｉｎ、
Ｎ１＝１５ｊ／ｍｉｎを流した。その結果、シリコン
単結晶基板上に約１μｍ／ｈｒの成長速度でＭｇＯ・Ａ
ｌｔｏｓのエピタキシャル膜が成長した。Ｘ−回折によ
ってＭｇＯ・ＡｊｚＯｓの（４００）回折ピークのみが
観池され、シリコン単結晶基板と同一方位のエピタキシ
ャル膜が成長していることか１ｉＴｈされた。また同−
設定条件で１回当り１時間の成長を！！！！綬２０回繰
り返した。その結果、成長速度のバラツキは±５％以内
であり、いずれの成長においても欠陥のはとんどないＪ
ｌ″ＪＲのエピタキシャル膜が得られた。
本実施例に１５いて、３０位置においたｒ Ａｌｔｏ
ｓＯ代りにα−ＡＪ、Ｏ，を瀘いた場合は、シリコン単
結晶基板上にはＭｇ０（１）薄膜が成長した。Ｘ線マイ
クロアナライザーの成分元素分析の結果、膜中からＭｇ
が検出されたが、ＡＪは全く検出されなかった。また、
成長前後におけるα−Ａｌ＊Ｏｘの重量変化はほとんど
観Ｓぎれず、α〜ＡＪ２０．とＨＣＩ との反応はほと
んど生起していないことが薙詔された。
ｓＯ代りにα−ＡＪ、Ｏ，を瀘いた場合は、シリコン単
結晶基板上にはＭｇ０（１）薄膜が成長した。Ｘ線マイ
クロアナライザーの成分元素分析の結果、膜中からＭｇ
が検出されたが、ＡＪは全く検出されなかった。また、
成長前後におけるα−Ａｌ＊Ｏｘの重量変化はほとんど
観Ｓぎれず、α〜ＡＪ２０．とＨＣＩ との反応はほと
んど生起していないことが薙詔された。
実−例２． （１００）シリコン単結晶基板上にＺｎ
Ｏ・ム１．０．のエピタキシャル膜を成長した。図にお
ける４の位置に塩化亜鉛ＺｎＣＪ＊を置いて、その温度
を５５０℃にした以外は実施例１と同じ条件で成長した
。Ｘ＠回折によってシリコン基板方位トＩ’ｌ Ｕ （
１００） 方位ｆ） Ｚｎ０Ａ７ｔＯｘ カＪｊｌＪ％
していることを！！した。
Ｏ・ム１．０．のエピタキシャル膜を成長した。図にお
ける４の位置に塩化亜鉛ＺｎＣＪ＊を置いて、その温度
を５５０℃にした以外は実施例１と同じ条件で成長した
。Ｘ＠回折によってシリコン基板方位トＩ’ｌ Ｕ （
１００） 方位ｆ） Ｚｎ０Ａ７ｔＯｘ カＪｊｌＪ％
していることを！！した。
実施例３．（１００）シリコン単結晶基板上にサアファ
イア（α−ム１ｔＯｓ）のエビタキシャ／Ｌ［を成長し
た。図における内管２の内部には３の位置のみにｒ−ム
Ｊｉｏｓを置き、成長温度を１１００ｔｌ？。
イア（α−ム１ｔＯｓ）のエビタキシャ／Ｌ［を成長し
た。図における内管２の内部には３の位置のみにｒ−ム
Ｊｉｏｓを置き、成長温度を１１００ｔｌ？。
とじ、他の条件は実施例１と同じ条件で成長した。
ＸＩａ回折の結果、（０１Ｔ２） 方位ｏａ −Ａ７２
０．がエピタキシャル成長していることを確認した。
０．がエピタキシャル成長していることを確認した。
実施例４、実施例１におけるＭｇ０−Ａ４，０．のエピ
タキシャル膜の成長において、Ｈ（Ｊの代りにＣ！２ガ
スを用いることによって、実施例１と卜ｊじ結果を得た
。また、ＨＥｒ、Ｈｒ！を用し・てもは（、！同様の結
果を得ることが川床だ。
タキシャル膜の成長において、Ｈ（Ｊの代りにＣ！２ガ
スを用いることによって、実施例１と卜ｊじ結果を得た
。また、ＨＥｒ、Ｈｒ！を用し・てもは（、！同様の結
果を得ることが川床だ。
以上１本発明に、アルミニウムを含む酸化物の気相法Ｖ
こよる薄り製造において、原料となるハロゲン化アルミ
ニウムガス’ｆｔ ｒ −ＡＩ、Ｏ，とハロゲン′ガス
またはハロゲン化水素ガスとを反応おせることによって
得ることを特数とし、長時間安定で、低コストの気相法
り膜製社方法を提供する。
こよる薄り製造において、原料となるハロゲン化アルミ
ニウムガス’ｆｔ ｒ −ＡＩ、Ｏ，とハロゲン′ガス
またはハロゲン化水素ガスとを反応おせることによって
得ることを特数とし、長時間安定で、低コストの気相法
り膜製社方法を提供する。
一般にアルミニウムを含む化合物の薄膜を気相法によっ
てｆｌ！ｌ！造する動台にＡＩＣｔ、 等のハロゲン化
アルミニウムガスな用いることが行なわれているがハ資
ゲン化アルミニウム、金属アルミニウムは固相、液桁状
顧では蒸気圧が高すぎるとか、石英との反応性が高いと
かの欠点のために、蒸発法Ａｊ反応法のいずれにおいて
も穐々の問題を起している。本発明はこれら問題点を一
挙解決゛ぜる方法を提供する。Ａｌを含む酸化物の薄膜
はエレクト四二りスデバイス等に種々利用されており、
きわめて有用な工業材料となり得るものが多いことを鑑
みれば１本発明の工業的価値は明白である。
てｆｌ！ｌ！造する動台にＡＩＣｔ、 等のハロゲン化
アルミニウムガスな用いることが行なわれているがハ資
ゲン化アルミニウム、金属アルミニウムは固相、液桁状
顧では蒸気圧が高すぎるとか、石英との反応性が高いと
かの欠点のために、蒸発法Ａｊ反応法のいずれにおいて
も穐々の問題を起している。本発明はこれら問題点を一
挙解決゛ぜる方法を提供する。Ａｌを含む酸化物の薄膜
はエレクト四二りスデバイス等に種々利用されており、
きわめて有用な工業材料となり得るものが多いことを鑑
みれば１本発明の工業的価値は明白である。
図は実施例に用いた気相法装置を示す断面図である。
１・・・反応管外管、２・・・反応蕾内皆、３，４川原
料ボートの位置、５・・・成長室、６・・・基板ボルダ
−１７・・・基板、８・・・ガス注入口、９・・・ガス
注入口。
料ボートの位置、５・・・成長室、６・・・基板ボルダ
−１７・・・基板、８・・・ガス注入口、９・・・ガス
注入口。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、アルミニウムを含む酸化物（アルミニウム酸化物と
称する）の薄膜＠造においてガンマアルミナγ−ム！！
０１とハロゲンガスまたはノ１０ゲン化水素ガスを反応
させることによってハロゲン化アルミ＝”ｔムガスｔ−
生成し、該ノ・ロゲン化アル叱ニウムガスと酸素、炭酸
ガス、水蒸気の１種以上の酸化性ガスと反応させること
を特許とする気相法によるアル１＝ウム酸化物の薄膜製
造方法。 λ アルミニウム酸化物が最化アルミニウムＡ７゜０３
．マグネシウム・アルミネートスピネルＭｇＯ・ムｊ＊
０Ａｖ Ｍ鉛アル之ネーＦスピネルＺｎＯΦムロ０、
である時許−求の範凹第１項の気相法によるアル１ニウ
ム酸化物の薄膜＠遣方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56164536A JPS5864300A (ja) | 1981-10-15 | 1981-10-15 | 気相法によるアルミニウム酸化物の薄膜製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56164536A JPS5864300A (ja) | 1981-10-15 | 1981-10-15 | 気相法によるアルミニウム酸化物の薄膜製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5864300A true JPS5864300A (ja) | 1983-04-16 |
Family
ID=15795016
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56164536A Pending JPS5864300A (ja) | 1981-10-15 | 1981-10-15 | 気相法によるアルミニウム酸化物の薄膜製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5864300A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62226892A (ja) * | 1986-03-29 | 1987-10-05 | Univ Tohoku | 単結晶サフアイア薄膜の製造法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4836094A (ja) * | 1971-09-07 | 1973-05-28 | ||
| JPS5469062A (en) * | 1977-11-14 | 1979-06-02 | Fujitsu Ltd | Vapor growth method for magnespinel |
| JPS5487698A (en) * | 1977-12-26 | 1979-07-12 | Fujitsu Ltd | Single crystal alumina gas phase growing |
| JPS565320A (en) * | 1979-06-07 | 1981-01-20 | Aluminum Co Of America | Method of chlorinating alumina substance |
-
1981
- 1981-10-15 JP JP56164536A patent/JPS5864300A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4836094A (ja) * | 1971-09-07 | 1973-05-28 | ||
| JPS5469062A (en) * | 1977-11-14 | 1979-06-02 | Fujitsu Ltd | Vapor growth method for magnespinel |
| JPS5487698A (en) * | 1977-12-26 | 1979-07-12 | Fujitsu Ltd | Single crystal alumina gas phase growing |
| JPS565320A (en) * | 1979-06-07 | 1981-01-20 | Aluminum Co Of America | Method of chlorinating alumina substance |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62226892A (ja) * | 1986-03-29 | 1987-10-05 | Univ Tohoku | 単結晶サフアイア薄膜の製造法 |
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