JPS5861694A - 光学素子 - Google Patents
光学素子Info
- Publication number
- JPS5861694A JPS5861694A JP16019581A JP16019581A JPS5861694A JP S5861694 A JPS5861694 A JP S5861694A JP 16019581 A JP16019581 A JP 16019581A JP 16019581 A JP16019581 A JP 16019581A JP S5861694 A JPS5861694 A JP S5861694A
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- Japan
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- type
- growth
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- gaalas
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/16—Window-type lasers, i.e. with a region of non-absorbing material between the active region and the reflecting surface
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本鋪明は１段差部τＭする手４庫−板頑晶へのエピタキ
７ヤル成兼を必債とする光学素子に関するものでめる。
７ヤル成兼を必債とする光学素子に関するものでめる。
半導体レーザにおける尚出力化の方法としてはレーザ元
に対して１４而を透明化することが・「効である。その
−例として、従来、端面近傍で活性層をノｍ曲させる方
法が採られて＠た。しかし、第１図（４）に示す様に、
単に基板結晶に設渥部金設は多ノー成長により纏め込む
ｒけでは、段差部における活性ノーの曲率が小さく５元
が活性Ｉ−内金伝播するため１先金に４面の透明化力【
行ゎｎない、し友がって、４面近傍でｔｔＡ注ｌ−が４
板に極めて接近するため、レーザ元のｉ板頑晶への吸収
がめ）、しきいｌｌ１ｃ尻直が増大し微分遊子効率が低
下する。
に対して１４而を透明化することが・「効である。その
−例として、従来、端面近傍で活性層をノｍ曲させる方
法が採られて＠た。しかし、第１図（４）に示す様に、
単に基板結晶に設渥部金設は多ノー成長により纏め込む
ｒけでは、段差部における活性ノーの曲率が小さく５元
が活性Ｉ−内金伝播するため１先金に４面の透明化力【
行ゎｎない、し友がって、４面近傍でｔｔＡ注ｌ−が４
板に極めて接近するため、レーザ元のｉ板頑晶への吸収
がめ）、しきいｌｌ１ｃ尻直が増大し微分遊子効率が低
下する。
本発明は、予めＧ ａ Ａ ８ ｔｒｉ ４ｉ威畠上に
ＧａＡｔＡ易ｔＶＩＩｍ Ｇ”Ａ畠ノーの順に２ノー成
長した鎌、従来と同様に段差Ｓを設は多ノー成艮すゐこ
とによ９４面近傍における活（４ｔ−のｆｉ１４を大き
くするものでめる。
ＧａＡｔＡ易ｔＶＩＩｍ Ｇ”Ａ畠ノーの順に２ノー成
長した鎌、従来と同様に段差Ｓを設は多ノー成艮すゐこ
とによ９４面近傍における活（４ｔ−のｆｉ１４を大き
くするものでめる。
本発明を通用して４面近房に２ける活ｒａノーの聞卓倉
大きくシ、屈曲部に沿った元の伝播のほとんど黒い、上
記欠点ｔ−最小限にした４面２２！明化による＾出力半
導体レーザｋｎることができる。
大きくシ、屈曲部に沿った元の伝播のほとんど黒い、上
記欠点ｔ−最小限にした４面２２！明化による＾出力半
導体レーザｋｎることができる。
以ド、本発明ｔ＾施例を参照して参画に説明する。ここ
でＧａＡｌ−ＧａＡｔＡｌ系ダブルへテロ接合レーザを
例にとって説明する。第１図（ａハ切は、従来技術と本
発明による＃！の差金示したものでめる、第１図（ａ）
が従来技術による補遺、第１図（ｂ）が本Ａｎによる補
遺でめる。従来技術では、ｎ櫨ＧａＡ３基板１（８ｉド
ーグ、キャリアー戚２ｘ１０”ｃｍ−” ）ＶＣ深さ１
．０μｔｎ＊ ４２０μｍａｌｆのｄ４ｔｍｆｔ設け、
その誂＊ ｎｍｏａ＠、＠ＡＡ、、ｌＡＩり２ラド＋ｍ
４（Ｔｅドーグ、キャリアｄ１ｍ５ＸＩＯ”Ｃｒ１ｌ−
勺ｈ ａａ、、、、人４．ｔｓ ＡＳ （ｔｒ ｆｎ
）’ＩＩ ５ （７ン）’−ノ） ｈ Ｐ ＪｉＧａ
ｓ、ｓ ＡＬｏＪＡ’クラッドノー６ （Ｚｆｌドープ
、キャリアａＬ５ｘ １０ｔマｃｍ−” ） ＊ ｐｉ
ｉ（ｊａＡＩキャップ層７ （Ｚｆｌドープ、キャリア
ーｋＩ Ｘ １０”α°８）をノ畝久成長させ−ること
によハ活性層５を４面近傍で屈曲させていた。このガ法
では段浸部近傍における成長速度が曲の平坦部に比奴し
て非常に速いこと、および４１図（ａ）の点線で示した
凸部が成長用６液中へ尋は込むことにより、活・注ノー
５の段差部におけるｔｆｆｌ率は小さくなる。
でＧａＡｌ−ＧａＡｔＡｌ系ダブルへテロ接合レーザを
例にとって説明する。第１図（ａハ切は、従来技術と本
発明による＃！の差金示したものでめる、第１図（ａ）
が従来技術による補遺、第１図（ｂ）が本Ａｎによる補
遺でめる。従来技術では、ｎ櫨ＧａＡ３基板１（８ｉド
ーグ、キャリアー戚２ｘ１０”ｃｍ−” ）ＶＣ深さ１
．０μｔｎ＊ ４２０μｍａｌｆのｄ４ｔｍｆｔ設け、
その誂＊ ｎｍｏａ＠、＠ＡＡ、、ｌＡＩり２ラド＋ｍ
４（Ｔｅドーグ、キャリアｄ１ｍ５ＸＩＯ”Ｃｒ１ｌ−
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、キャリアａＬ５ｘ １０ｔマｃｍ−” ） ＊ ｐｉ
ｉ（ｊａＡＩキャップ層７ （Ｚｆｌドープ、キャリア
ーｋＩ Ｘ １０”α°８）をノ畝久成長させ−ること
によハ活性層５を４面近傍で屈曲させていた。このガ法
では段浸部近傍における成長速度が曲の平坦部に比奴し
て非常に速いこと、および４１図（ａ）の点線で示した
凸部が成長用６液中へ尋は込むことにより、活・注ノー
５の段差部におけるｔｆｆｌ率は小さくなる。
したがって１元は段差部においてもノ田曲した活性ノｖ
４５に沿って伝播し、 ｓａｒｍｏＪｉ明化が成されな
り。
４５に沿って伝播し、 ｓａｒｍｏＪｉ明化が成されな
り。
これに対し本発明の第１図（荀に示した構造では、予め
ｎ４ＧａＡＩＩ基板１上にｐ櫨めるｉはｎ櫨（）ａｏ、
ｆ Ａｔ、、、 Ａｌ ｔｄ ２ （Ｚ ｎドープめる
いはＴｅドープ、キャリア一度５ Ｘ １０に？譚−島
）、ｐ型おるいはｎ４ＧａＡｓｌ（ｆ３ （Ｚ ｎドー
プ１６１／”４はＴｅドープ、キャリアｄ７ｆ：５Ｘ１
０”マ鐸−１）の２ノー金ノー久成長させた後、従来技
術と同様に段差部を設けφｌ−成長を行なう。ここで１
設点部の深さはｎ−ＱａＡｓ ｔｆｓ板ｉｖｃ達するこ
とｔ必要とする。このガ法ではｎ謔（３ａＡｔＡｉ１４
ｋ成長させるとき。
ｎ４ＧａＡＩＩ基板１上にｐ櫨めるｉはｎ櫨（）ａｏ、
ｆ Ａｔ、、、 Ａｌ ｔｄ ２ （Ｚ ｎドープめる
いはＴｅドープ、キャリア一度５ Ｘ １０に？譚−島
）、ｐ型おるいはｎ４ＧａＡｓｌ（ｆ３ （Ｚ ｎドー
プ１６１／”４はＴｅドープ、キャリアｄ７ｆ：５Ｘ１
０”マ鐸−１）の２ノー金ノー久成長させた後、従来技
術と同様に段差部を設けφｌ−成長を行なう。ここで１
設点部の深さはｎ−ＱａＡｓ ｔｆｓ板ｉｖｃ達するこ
とｔ必要とする。このガ法ではｎ謔（３ａＡｔＡｉ１４
ｋ成長させるとき。
ｐ４めるいはｎ４ＧａＡｔＡｉ ２ が若干溶は込むこ
とｔ（こより、段差部近四での成長用６液中のＡ’ｌの
髭沌直が急激に低ドするため、爵は込みのほとんど無い
、ｉＬ峻な段差部を維持できる。したがって、アンドー
プＧ”０．１１人１＠、１＠ ｋ畠 活性ノー５の曲
率も従来方法に比奴して元号大きいも、のとなり端面透
明化に対して効果が大でぬる。
とｔ（こより、段差部近四での成長用６液中のＡ’ｌの
髭沌直が急激に低ドするため、爵は込みのほとんど無い
、ｉＬ峻な段差部を維持できる。したがって、アンドー
プＧ”０．１１人１＠、１＠ ｋ畠 活性ノー５の曲
率も従来方法に比奴して元号大きいも、のとなり端面透
明化に対して効果が大でぬる。
木兄ｎ１ｃＣｈａｎｎｅｌｅｄＳｕｂｓｔｒａｔｅ ｐ
ｌａｎａｒ［半４体レーザ（以下Ｃ３Ｐｌ／−ザと略す
）に通用しん４曾の素子Ａ遺工欄を第２図に示し九。図
はＶ−ザ元一方間に千“行な方間のｄ面図でるる、第２
図（ａ）のｇｏ（Ｉ ｎｄＧａＡｓ、６板１上にｐｔＪ
。
ｌａｎａｒ［半４体レーザ（以下Ｃ３Ｐｌ／−ザと略す
）に通用しん４曾の素子Ａ遺工欄を第２図に示し九。図
はＶ−ザ元一方間に千“行な方間のｄ面図でるる、第２
図（ａ）のｇｏ（Ｉ ｎｄＧａＡｓ、６板１上にｐｔＪ
。
Ｇａｏ、ｖ人ｔｏ、 ＠ Ａｌ ４２ （Ｚ ｎドープ
Ｉ ＃ ヤリ７ｍｉ ５ Ｘ １ ０にｃｍ’→ ）、
ｎ４ＧａＡｓｌｍ３ （Ｔｅ ドーグ、キャリア
ーＩＩｔ５ Ｘ １０” ｃｍ−” ）の顔に成長させ
る。この時の成長ノー厚は、共に０．３μｍ程度でめる
。久に、第２図（纜）の如く、７オトレジ２よびエツチ
ング液禰によ、ｐｎｄＧａＡＩａｄｉｎ４ＧａＡｔＡｉ
板ｌ成（同工禰中にＣ８Ｐレーザに必要なストライプ状
４も形成）する。エツチング液としては、Ｈ＊ ８０ａ
系を用ｖｈ九、その後、第２図（ＣＪ ｒｃ 示ｆ ！
（Ｑ ＜ ｓ ” 盛Ｇ ” ｏ、 ｓ人し＠、＠
Ａ ” り２ツドノー゛４（’ｌ’ｅドーグ、キャリ
アｄｌｋｌｔ５ Ｘ １０” ｃｍ−” ） ｓアンド
ープ（）ａｌｌｌｌ Ａ＆、Ｂ ＡＳ活性層５．９ｉＪ
Ｉ。
Ｉ ＃ ヤリ７ｍｉ ５ Ｘ １ ０にｃｍ’→ ）、
ｎ４ＧａＡｓｌｍ３ （Ｔｅ ドーグ、キャリア
ーＩＩｔ５ Ｘ １０” ｃｍ−” ）の顔に成長させ
る。この時の成長ノー厚は、共に０．３μｍ程度でめる
。久に、第２図（纜）の如く、７オトレジ２よびエツチ
ング液禰によ、ｐｎｄＧａＡＩａｄｉｎ４ＧａＡｔＡｉ
板ｌ成（同工禰中にＣ８Ｐレーザに必要なストライプ状
４も形成）する。エツチング液としては、Ｈ＊ ８０ａ
系を用ｖｈ九、その後、第２図（ＣＪ ｒｃ 示ｆ ！
（Ｑ ＜ ｓ ” 盛Ｇ ” ｏ、 ｓ人し＠、＠
Ａ ” り２ツドノー゛４（’ｌ’ｅドーグ、キャリ
アｄｌｋｌｔ５ Ｘ １０” ｃｍ−” ） ｓアンド
ープ（）ａｌｌｌｌ Ａ＆、Ｂ ＡＳ活性層５．９ｉＪ
Ｉ。
Ｇａｇ、＠人ｔ、、、Ａ＠クラッドｊｌ１６（Ｚ（ｌド
ープ、キャリアー＆５ Ｘ １０ｍＷｃｍ−” ）、ｎ
４キャップ！−７（Ｔ６ドーグ、キャリア濃＆５ Ｘ
１０” ａｍ−” ） ｔｌ−欠成兼させた後、ＣＶＤ
、７オトＶジエ橿により拡散孔を形成し、ｐｍクラッド
４６ ＶＣ達するｚｎ拡敏層８ｔ−形成する。久にオー
ミック−億９゜１０金形成した後、鎖線位−を伸開し、
第２図（ｄ）に示すｃｓｐレーザＡ子を得る。
ープ、キャリアー＆５ Ｘ １０ｍＷｃｍ−” ）、ｎ
４キャップ！−７（Ｔ６ドーグ、キャリア濃＆５ Ｘ
１０” ａｍ−” ） ｔｌ−欠成兼させた後、ＣＶＤ
、７オトＶジエ橿により拡散孔を形成し、ｐｍクラッド
４６ ＶＣ達するｚｎ拡敏層８ｔ−形成する。久にオー
ミック−億９゜１０金形成した後、鎖線位−を伸開し、
第２図（ｄ）に示すｃｓｐレーザＡ子を得る。
以上の碌にして→ら扛だレーザＡ子の活性層は従来方法
により傅らｎたレーザ系子に比奴して数−犬きい一率で
屈曲してお＃）％光も屈曲部において直進し、４面の透
明化もＣよぼ元金に近い状態で成された。しきい直畦流
の４児も従来法（第１図（ａ））のＡ子の１／１０程藏
に迎えることかで＠。
により傅らｎたレーザ系子に比奴して数−犬きい一率で
屈曲してお＃）％光も屈曲部において直進し、４面の透
明化もＣよぼ元金に近い状態で成された。しきい直畦流
の４児も従来法（第１図（ａ））のＡ子の１／１０程藏
に迎えることかで＠。
微分磁子効率の低ドもｌ／１０一度に抑えることができ
た。また、４面破壊限界光出力は、従来法の１０倍４！
４度増大した。
た。また、４面破壊限界光出力は、従来法の１０倍４！
４度増大した。
ｍ１１００漱相成艮による第１層目の
Ｇ ” Ｉ−＊ Ａｌ−ｘ Ａ １層２の混晶比Ｘにり
ｌｎては０．１〜０．６の４−で上−己で説明した効果
が得られた。また第２層目のＱａ４ｍ７１７３について
は、こｎをＧ”５−ｙＡ４Ａｓに置きｍａｔて、ｏくｙ
くｏ、ｘとしても本４道を実現できた。また各々の厚み
は０．０５μｍ以上で効果がめった。又、上記の丙にお
ける４４謔が逆とされた半導体レーザの調造においても
同等の効果ｔ＃する。
ｌｎては０．１〜０．６の４−で上−己で説明した効果
が得られた。また第２層目のＱａ４ｍ７１７３について
は、こｎをＧ”５−ｙＡ４Ａｓに置きｍａｔて、ｏくｙ
くｏ、ｘとしても本４道を実現できた。また各々の厚み
は０．０５μｍ以上で効果がめった。又、上記の丙にお
ける４４謔が逆とされた半導体レーザの調造においても
同等の効果ｔ＃する。
以上説明した如く５本発明によれば、活性層のＩｆ１１
革が大きいため、しぎいＩＫｔ流の壇〃口および砿分遊
子効率の低下の小さい、完全にｙ−一がｆ！！明化され
た尚出力半導体レーザが得らｎる。
革が大きいため、しぎいＩＫｔ流の壇〃口および砿分遊
子効率の低下の小さい、完全にｙ−一がｆ！！明化され
た尚出力半導体レーザが得らｎる。
実施料では、十分に曲率で大きくすりこと金目的とした
が５本発明では、基板に設けた段差の形状が４２回目の
液相成長の後でも十分に・床たｎるため、基板の段差形
状や、１ｊｇ２Ｌｇ１目の猷相成長時の或兼温度や過冷
却度を…Ｕ岬することによジ、任、区の形状の曲率ｔ−
央現することが９龍でのる。また央厖例では、ＱａＡｔ
ＡＩ Ａ半導体レーザについてλ明したが１本発明は１
段差き設けたＱａ人３基板績畠への成長金必要とする他
の光学素子（たとえば、ＬＥＤｆ元ＩＣ）にも通用でき
るものでめる。
が５本発明では、基板に設けた段差の形状が４２回目の
液相成長の後でも十分に・床たｎるため、基板の段差形
状や、１ｊｇ２Ｌｇ１目の猷相成長時の或兼温度や過冷
却度を…Ｕ岬することによジ、任、区の形状の曲率ｔ−
央現することが９龍でのる。また央厖例では、ＱａＡｔ
ＡＩ Ａ半導体レーザについてλ明したが１本発明は１
段差き設けたＱａ人３基板績畠への成長金必要とする他
の光学素子（たとえば、ＬＥＤｆ元ＩＣ）にも通用でき
るものでめる。
第１図（ａ） ＃ （ｂ）ｒｊ 、従来−ｆｉ術と不元
明による菓子４４を比−したものでめる。第２図（ａ）
〜（ｄ）は不元明による半導体レーザ累子のＡ遠工橿を
示したものでめる。 １ ・・・ｎ−（ＪａＡｓｄ板ｈ ２ ＝ ９− Ｇａ
ｏ、ｙ Ａｔｏ、Ｉ ＡＩ 。
明による菓子４４を比−したものでめる。第２図（ａ）
〜（ｄ）は不元明による半導体レーザ累子のＡ遠工橿を
示したものでめる。 １ ・・・ｎ−（ＪａＡｓｄ板ｈ ２ ＝ ９− Ｇａ
ｏ、ｙ Ａｔｏ、Ｉ ＡＩ 。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 、 ＧａＡｆｉＪ＆板上に、基板に近い願にＧ ａ
１−ｚＡｔＩＩＡＩ ｌｆｌ ｅ Ｇ” ｔ −
Ｆ Ａ４ Ａ’ １１４ （０≦ｙ＜Ｘ）を順次設け
％部分的に基板に達する尿ざ倉イするＪＲ産部き設は几
多ノー千尋座一体上に。 元４波路を含ｔｒＧａＡＩ６るいはＧａＡｔＡｌ カら
なる多ノー半導体ｔｆｉｔ設けたものにおいて、上記元
４ａ、ｔ４中で元の４滅される方向と直角方間に上記多
ノー手４座４体上の！Ｒ轟部を設け、上記元４〆繕の少
なくとも一部分が上記段差部の近−で屈曲していること
ｔｎ値とする光学系子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16019581A JPS5861694A (ja) | 1981-10-09 | 1981-10-09 | 光学素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16019581A JPS5861694A (ja) | 1981-10-09 | 1981-10-09 | 光学素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5861694A true JPS5861694A (ja) | 1983-04-12 |
Family
ID=15709864
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16019581A Pending JPS5861694A (ja) | 1981-10-09 | 1981-10-09 | 光学素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5861694A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60137086A (ja) * | 1983-12-26 | 1985-07-20 | Toshiba Corp | 半導体レ−ザ装置及びその製造方法 |
| WO1994006052A1 (en) * | 1992-09-10 | 1994-03-17 | Fujitsu Limited | Optical circuit system and its constituents |
| US6693736B1 (en) | 1992-09-10 | 2004-02-17 | Fujitsu Limited | Optical circuit system and components of same |
-
1981
- 1981-10-09 JP JP16019581A patent/JPS5861694A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60137086A (ja) * | 1983-12-26 | 1985-07-20 | Toshiba Corp | 半導体レ−ザ装置及びその製造方法 |
| WO1994006052A1 (en) * | 1992-09-10 | 1994-03-17 | Fujitsu Limited | Optical circuit system and its constituents |
| US5757989A (en) * | 1992-09-10 | 1998-05-26 | Fujitsu Limited | Optical circuit system capable of producing optical signal having a small fluctuation and components of same |
| US6215585B1 (en) | 1992-09-10 | 2001-04-10 | Fujitsu Limited | Optical circuit system and components of same technical field |
| US6693736B1 (en) | 1992-09-10 | 2004-02-17 | Fujitsu Limited | Optical circuit system and components of same |
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