DE2820646A1 - Zur direkten ankopplung an eine lichtleitfaser geeigneter laser mit doppel-heterostruktur - Google Patents

Zur direkten ankopplung an eine lichtleitfaser geeigneter laser mit doppel-heterostruktur

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DE2820646A1 DE19782820646 DE2820646A DE2820646A1 DE 2820646 A1 DE2820646 A1 DE 2820646A1 DE 19782820646 DE19782820646 DE 19782820646 DE 2820646 A DE2820646 A DE 2820646A DE 2820646 A1 DE2820646 A1 DE 2820646A1
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Description

Die Erfindung betrifft Laser, insbesondere Doppel-Heterostruktur-Laser# zur direkten Ankopplung an eine Lichtleitfaser.
Herkömmliche Dauerstrichlaser mit Streifengeometrie können nicht auf einfache Weise mit optischen Fasern oder Lichtleitfasern glatt verbunden werden, da der licht-emittierende Streifen sich nicht im angemessenen Abstand von der Wärmesenke befindet. Der Abstand beträgt typischerweise etwa 10 bis 12 ,um. Die Achse der an der Wärmesenke angebrachten Faser hätte dann einen größeren Abstand und deswegen ergibt sich keine wirksame Kopplung. Eine Kopplung kann erreicht werden, indem man den Laser auf eine erhaben ausgeführte Wärmesenke montiert und eine geeignete Linsenstruktur zwischen dem Laser und dem Faserkern anbringt; dieses Verfahren ist jedoch kompliziert und aufwendig.
In den US-PS 3 996 492 und 3 996 528 sind Laser mit "gefalteten" Hohlräumen beschrieben, bei denen das Laserlicht zweimal durch in den p-n-übergang eingeätzte Spiegelflächen reflektiert wird. Im Falle der US-PS 3 996 492 wird eine voll reflektierende Spiegelfläche auf der Rückfläche eines Substrats an einer Stelle ausgebildet, die mit einer der Spiegelflächen ausgerichtet ist und ein teilweise durchlässiger Spiegel wird auf der Rückfläche des Substrats ausgebildet und mit der anderen Spiegelfläche ausgerichtet. Der Laserhohlraum erstreckt sich von der vollreflektierenden Spiegelfläche bis zur ersten Spiegelfläche der anderen Spiegelfläche gegenüber und wieder hinab zur teilweise durchlässigen Spiegelfläche. So wird das Laserlicht zweimal reflektiert. Im Falle der US-PS 3 996 kann das Licht an zwei einen Abstand voneinander aufweisenden Stellen austreten, die an der Rückfläche des Substrats als teilweise durchlässige Spiegel ausgebildet sind und die im wesentlichen mit jeder Spiegelfläche ausgerichtet sind. Ein Brechungsgitter ist an jeder teilweise durchlässigen Spiegelfläche gebildet.
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Die vorliegende Erfindung schafft eine neue Struktur für einen Laser. In der vorliegenden Erfindung ist der Resonanzhohlraum des Lasers zwischen einer Endfläche der aktiven Schicht und einer mit der Substratoberfläche verbundenen Fläche ausgebildet, wobei die verbundene Fläche allgemein parallel zur aktiven Schicht liegt, verbunden mit einer Drehung des Laserstrahls um etwa 90° mittels eines Spiegels, der einen Winkel von etwa 45° mit der Substratoberfläche einschließt.
Die Erfindung wird nachfolgend beispielsweise anhand der schematischen Darstellungen in der Zeichnung beschrieben; in der Zeichnung zeigt:
Fig. 1 einen Querschnitt durch einen herkömmlichen Streifenlaser und eine Lichtleitfaser zur Verdeutlichung der KopplungsSchwierigkeiten,
Fig. 2 einen Querschnitt durch ein Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen Bauelements zur Darstellung des Grundprinzips der Erfindung,
Fig. 3 einen Querschnitt ähnlich Fig. 2 zur Darstellung eines typischen Aufbaus für ein Gerät nach Fig. 2f
Fig. 4 eine Abwandlung des Aufbaus nach Fig. 2,
Fig. 5 bis 13 jeweils einen Schritt zur Herstellung eines erfindungsgemäßen Bauelements.
Ein übliches Laserplättchen 10 ist in Fig. 1 auf einer Wärme-
1 2. senke 11 angebracht gezeigt. Eine optische Faser ist in der Nähe des Laserplättchens angebracht dargestellt und es ist zu sehen, daß die Kopplung wenig wirksam ist, da nur ein geringer
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Anteil des vom Laser emittierten Lichts in den Faserkern 13 eintritt.
Das Grundprinzip der vorliegenden Erfindung ist in Fig. 2 dargestellt. Es handelt sich grundsätzlich um eine "Burrus"-LED-Struktur 15,die so abgewandelt ist, daß der Laserhohlraum zwischen der natürlichen (110)-Spaltfläche 16 und der Zwischenfläche 17 zwischen Substrat 18 und erster Begrenzungsschicht 19 gebildet ist. Eine Drehung des Strahls oder eine Auslenkung desselben wird durch einen Spiegel 20 bewirkt, der einen Winkel von 45 zur Substratfläche oder zur Zwischenfläche 17 bildet. Ein Ankoppeln einer Lichtleitfaser ist einfach bewirkt durch Einsetzen der Faser 12 in eine Öffnung 21, .,die durch das Substrat 18 geätzt ist. Der Spiegel 20 ist beispielsweise mittels Durchätzen durch die zweite Begrenzungsschicht 22 und die aktive Schicht 2 3 zur ersten Begrenzungsschicht 19 hergestellt.
Das in Fig. 2 dargestellte Bauelement beruht darauf, daß die natürliche (110)-Spaltfläche 16 als eine der reflektierenden Flächen des Lasers genommen wird. Wenn die Emission von dieser Fläche beobachtet wird, ergibt sich ein konventioneller Dauerstrich-Streifenlaser. Um die Energie auszunützen, die sonst durch diese Fläche verloren ginge, ist eine total reflektierende Beschichtung aufgebracht,die sicherstellt, daß die gesamte verfügbare Energie durch die Zwischenfläche 17 austritt.
Für eine wirksame Betätigung bestehen zwei grundsätzliche Erfordernisse:
a) Die Zwischenfläche zwischen Substrat und erster Begrenzungsschicht muß eine ungestörte Ebene sein und
b) der Spiegel sollte unter einem Winkel von 45 liegen.
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Wie im folgenden ausgeführt wird, ist es möglich, kleine Abweichungen von diesen Anforderungen aufzunehmen und Vorsorge für diese zu treffen. Eine Herstellung des Spiegels oder der Spiegel ist auf verschiedene Weise möglich. Bs kann eine Ätzung benutzt werden, obwohl dadurch Probleme entstehen können, weilteine natürliche Ätzebene besteht, die um gegenüber der (100)-Fläche des Substrats geneigt ist. Ein anderes Verfahren besteht im Schleifen durch Ionenbeschuß.
Fig. 3 zeigt eine besondere Struktur für ein Bauelement nach Fig. 2. Auf einem n-GaAs-Substrat 18 ist eine erste Begrenzungsschicht 19 aus n-Ga1_ Al As gebildet, gefolgt von einer
I *™X X
aktiven Schicht 23 aus n- oder p-Ga, Al As, die in geeigneter Form so dotiert ist, daß ein p-n-übergang an einer der beiden Flächen der aktiven Schicht entsteht (y< < x)· Die zweite Begrenzungsschicht 22 besteht aus P-Ga1- Al As. Der Spiegel
I ~X X
20 wird beispielsweise durch Ätzen und Ablagern einer Schicht aus SiO2 25 gebildet. Eine Wärmesenke-Schicht 26, typischerweise aus Gold, wird über der zweiten Begrenzungsschicht und der SiO2-Schicht ausgebildet.
Die beiden Begrenzungsschichten 19 und 22 und die aktive Schicht 2 3 werden bequemerweise durch übliches epitaxielles Aufwachsen auf dem Substrat 18 gebildet. Die SiO2-Schicht wird entweder durch eine Maske oder durch fotolithographisches Ätzen abgeschieden. Die Gold-Wärmesenke wird durch Metallplattieren in üblicher Weise ausgebildet. Die öffnung 21 wird durch das Substrat nach dem Maskieren des Substrats eingeätzt. Eine elektrische Verbindung wird mit dem Substrat und der Goldschicht hergestellt, wie es bei 28 und 29 angezeigt ist, wobei das Substrat gegenüber der Goldschicht negativ vorgespannt ist.
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Wie bereits festgestellt, sollte die Zwischenfläche zwischen Substrat und erster Begrenzungsschicht makellos oder fehlerlos eben sein. Im allgemeinen wird mit heutigen Fertigungsmethoden die Oberfläche des Substrats, auf der die erste Begrenzungsschicht erzeugt wird, normalerweise zufriedenstellend eben und glatt durch übliche Herstellungsvorgänge erzeugt. Es ist normalerweise möglich, eine geeignete Oberfläche des Substrats durch mechanisches Polieren zu erzeugen und die Begrenzungsschicht auf der polierten Oberfläche auszubilden. Wenn diese Oberfläche jedoch rauh ist, ist es möglich, eine dünne Schicht aus n-GaAs auf dem Substrat aufwachsen zu lassen. Diese Schicht wächst so auf, daß sich eine ebene, glatte Oberfläche ergibt.
Die Spiegel sollten einen Winkel von 45 zur Substratoberfläche bilden, es können jedoch kleine Abweichungen aufgenommen werden. Es ist möglich, eine Korrektur beispielsweise bei der Zwischenfläche zwischen Substrat und Begrenzungsfläche vorzusehen.
Die grundlegende oder wesentliche Eigenschaft besteht darin, daß ein Resonanzhohlraum oder ein Laserweg vorgesehen ist. Es ist bequem, eine Reflexionsfläche des Hohlraums oder -wegs an der Grenzschicht zwischen Substrat und erster Begrenzungsschicht auszubilden, das ist jedoch nicht grundsätzlich nötig und die Reflexionsfläche kann an einer anderen Stelle von der Substratoberfläche weg angeordnet sein, beispielsweise an einer nochmaligen Zwischenschicht, die zwischen Substrat und Begrenzungsschicht eingeführt ist.
Es besteht auch eine Möglichkeit, die emittierende Fläche abzuwandeln, um die Emissions-Effizienz und die Abgabe zu verbessern. So kann die emittierende Oberfläche in Form eines Linsenaufbaus ausgeführt werden. Fig. 4 zeigt eine Abwandlung
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der Struktur nach Fig. 3, bei der eine Linsenformation 35 an der Unterseite der Öffnung 21 gebildet ist. Die Linsenausbildung kann einstückig mit der ersten Begrenzungsschicht
19 hergestellt werden, oder sie kann als getrennte Einheit hergestellt sein, die an der Unterfläche der öffnung angebracht wird, bevor eine Lichtleitfaser eingeführt wird. Das Profil oder die Querschnittsform der Linsenfläche 36 hängt von den jeweiligen Umständen ab. Wenn die Linse integral mit der ersten Begrenzungsschicht hergestellt ist, dann wirkt die Oberfläche 36 als reflektierende Oberfläche für den Laserweg. Das Profil muß dann so ausgestaltet werden, daß die von der Fläche 36 zurückgestrahlten Lichtstrahlen durch den Spiegel
20 korrekt reflektiert werden. Es ist auch möglich, eine Gitterstruktur entweder an der flachen Emissionsfläche nach Fig. 3 oder an der Linsenfläche nach Fig. 4 anzubringen. Ein Gitter auf der Linsenfläche ergibt eine Wellenlänge- und Modus-Beeinflussung.
Ein besonderes Verfahren der Vorbereitung oder der Herausarbeitung von 45 -Spiegellasern durch chemisches Ätzen wird im folgenden beschrieben.Das Verfahren ist für die genannte kristallographische Ausrichtung gültig und muß für andere Orientierungen abgewandelt werden. Ein alternatives Verfahren mit Ionenbombardierung ist bei allen Ausrichtungen oder Orientierungen allgemein anwendbar.
Ein poliertes (100)-orientiertes GaAs-Substratscheibchen mit Seitenflächen, die in (110)-Richtung gespalten sind, besitzt eine 3-Schicht (oder 4-Schicht) Doppel-Heterostruktur, die auf der Oberfläche in üblicher Weise aufgewachsen ist, wodurch sich eine Struktur nach Fig. 5 ergibt. Die wichtigen Schichten sind die n-Ga., Al As-Begrenzungsschicht 19 und die p-Ga, Al As Begrenzungsschicht 22 und die dazwischenliegend eingeschlossene aktive Schicht 23 aus p- oder n-Ga, Al As. Im allgemeinen ist χ 5t 0,20 (bevorzugt 0,40), Y = O bis 0,1
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(x-y * 0,1) und die aktive Schicht kann vom p-Typ, vom n-Typ oder undotiert sein. Zusätzlich kann eine Pufferschicht 40 aus n-GaAs vor dem Aufwachsen der n-GaAlAs-Schicht 19 aufgewachsen sein, wodurch bei der Eliminierung von Problemen geholfen wird, die mit Oberflächenschäden am Substrat verbunden sind, die beispielsweise durch Polieren oder durch thermisches Ätzen vor dem Aufwachsen verursacht sind. Dadurch wird auch sichergestellt, daß die Grenzfläche zwischen Substrat 18 und der n-GaAlAs-Begrenzungsschicht 19 planar ist; das ist beim direkten Aufwachsen auf dem Substrat nicht immer der Fall. Ebenfalls kann eine Schicht 41 aus p-GaAs auf der p-GaAlAs-Begrenzungsschicht 22 aufgewachsen sein, wodurch die Herstellung von niederohmigen Kontakten erleichtert wird. Diese zusätzlichen Schichten aus n-GaAs und p-GaAs betreffen die grundsätzliche Physik des Bauelements nicht und sie werden deshalb in der weiteren Besprechung nicht mehr angeführt.
Nach dem epitaxiellen Aufwachsen der verschiedenen Schichten werden die Täfelchen gereinigt und mit einer Schicht aus einem isolierenden Dielektrikum, beispielsweise aus einem aus der Dampfphase abgeschiedenen Silicium-Dioxid beschichtet. Eine Schichtdicke von 100 bis 200 nm (= 1000 bis 2000 S) hat sich als geeignet erwiesen. Um den Reflexionsspiegel in der richtigen Richtung anzuordnen, ist es notwendig, die verschiedenen /T1q7~Spaltrichtungen zu identifizieren. Das kann man dadurch bewerkstelligen, daß ein "pin-hole" 42 mit einem Durchmesser von 2 5 bis 50 ,um (1-2 mil) unter Verwendung einer geeigneten Maskentechnik in das Oxid geätzt wird. Ein selektives Ätzmittel, z.B. eine Lösung von 1% Br2 in CH3OH mit einer Aufbringungszeit von etwa 60 see greift die Oberfläche an und ergibt ein charakteristisch geformtes Grübchen oder pit, wie es gestrichelt bei 43 in Fig. 6 angedeutet ist.
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Die lange Achse des Grübchens ist eine (011)-Richtung, wie in Fig. 8. Aus den Querschnitten der Ätzgrube, Fig. 7 und 8, ist zu sehen, daß zur Erzielung der 45°-Spiegelfläche, die das Licht zum Substrat hin reflektiert, der Laser in der (011)-Richtung ausgerichtet sein muß. Wenn jedoch der Laser längs der (01T)-Richtung ausgerichtet ist, dann wird das Licht durch die p-GaAlAs-Schicht nach oben reflektiert.
Wenn die korrekte erforderliche Richtung, in dem vorliegenden Beispiel /Ö11_7 zur Ausrichtung des Laserstreifens festgelegt ist, können die 45°-Spiegel geätzt werden. Es werden jeweils Paare von rechtwinkligen Schlitzen 44 mit einer Länge von 75 ,um und einer Breite von 12,5 ,um in einem Abstand von 500 ,um sowie einem Wiederholungsabstand von 1250 ,um in X-Richtung und von 500 ,um in Y-Richtung in dem Oxid geöffnet, was mit üblicher Maskierungs- und Ätztechnik geschehen kann. Die lange Achse der Schlitze ist, wie in Fig. 9 dargestellt, in /ÖiT_7 ausgerichtet.
Die Schlitze werden dann unter Verwendung eines Vorzugsätzmittels, beispielsweise 1H„02:IH3PO4:6CH3OH bis zu einer die Stärke der aktiven Schicht übertreffenden Tiefe ausgeätzt. Bei einer Temperatur von 18 C greift dieses Ätzmittel GaAs und GaAlAs mit einer Geschwindigkeit von etwa 0,5 ,um/min an, so- daß die Gesamtätztiefe von 3 ,um leicht gesteuert werden kann. Dieses Ätzmittel und die meisten anderen Vorzugsätzmittel legen möglicherweise (111)-Ebenen frei, die die Wände des gebildeten Ätztroges bilden. Obwohl der Winkel zwischen (111) und (100) 54°44' nach Fig. 10 beträgt, so hat sich bei flachen Ätztiefen gezeigt, daß der Winkel der freigelegten Flächen dichter an 45° liegt, d.h. daß die (111)-Ebene nicht voll entwickelt ist; die freigelegte Fläche kann als Reflexionsfläche verwendet werden.
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Nach der Spiegelätzung werden die Täfelchen oder Scheibchen gereinigt und dann mit Oxid wieder beschichtet, so daß die Öffnungen vollständig beschichtet sind und die freigelegten p-n-übergänge isoliert sind. Ein Laserstreifen 45 wird dann in das Oxid geätzt, wobei der Streifen nach Darstellung in Fig.11 in Richtung /ÖiV7 ausgerichtet ist. Der Streifen ist diskontinuierlich und überlappt die Spiegelschlitze nicht. Die in dem Streifen freigelegte Kristalloberfläche wird dann mit Zink diffundiert, um eine dünne, d.h. etwa 0,2 ,um starke Leitschicht zu bilden. Beispielsweise kann eine ZnAs2 -QUeIIe bei 600 C 15 min lang in einer halb abgedichteten Röhre verwendet werden.
Nach der Diffusion wird die mit Streifen versehene Fläche mit 20 nm (= 200 A) chromplattiert, worauf eine Auflage von 200 nm (= 2000 R) Gold folgt. Unter Verwendung fotolithographischer Techniken und Elektroplattierung aus der Lösung werden Gold-Wärmesenken auf die metallplattierte Oberfläche mit einer Stärke von etwa 10 ,um aufgebracht. Ein typisches Wärmesenkenmuster ist in Fig. 12 dargestellt, wobei die Wärmesenken mit 46 bezeichnet sind. Das Täfelchen wird dann auf der den Wärmesenken entgegengesetzt liegenden n-Seite durch Läppen, Polieren und Ätzen auf eine Stärke von etwa 100 ,um abgetragen. Die η-Fläche wird mit 20 nm eines Gold-Germanium- Eutektikums metallplattiert, worauf eine Schicht von 400 nm (= 4000 S) Gold folgt. Es werden dann in der Metallplattxerung auf der η-Seite Fenster mit einem Durchmesser von 175 ,um geöffnet, die mit den Spiegelschlitzen an der p-Seite ausgerichtet sind; dazu wird eine KI-I3-AtZ-lösung verwendet. Daraufhin wird das Täfeichen bei 44O°C 2 min wärmebehandelt, so daß sich ein Kontakt auf der n-Seite ausbilden kann. Die Öffnungen in der n-Seite können dann unter Verwendung eines alkalischen Peroxidätzmittels in einem Umlaufätzer bis zur Zwischenfläche zwischen GaAs und N-GaAlAs ausgeätzt werden; an der Zwischenfläche endet
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die Ätzung.
Das Täfelchen kann dann in Einzelplättchen nach der Darstellung in Fig. 13 gespalten werden, so daß sich zwei Arten von geätzten Lasern ergeben. Entweder kann die Spaltung nach den angezeigten Linien 47 zur Erzeugung von Einzellasern oder nach Linien 48 zur Erzeugung von Doppellasern vorgenommen werden.
Der gezeigte Doppel-Heterostruktur-rLaser besitzt also eine erste Begrenzungsschicht auf dem Substrat, eine aktive Schicht auf der ersten Begrenzungsschicht und eine zweite Begrenzungsschicht auf der aktiven Schicht. Eine Nut wird durch die zweite Begrenzungsschicht und die aktive Schicht geätzt, um eine Reflexionsfläche mit annähern 45 gegenüber der Ebene der aktiven Schicht zu bilden. Der Resonanzhohlraum wird zwischen einer gespaltenen Endfläche und einer Fläche am Substrat gebildet. Eine Öffnung durch das Substrat bis zur ersten Begrenzungsschicht ist mit der Reflexionsfläche zur Emission dorthindurch ausgerichtet.
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Claims (13)

  1. Zur direkten Ankopplung an eine Lichtleitfaser geeigneter Laser mit Doppel-Heterostruktur
    Patentansprüche
    /i). Laser mit einem Halbleitersubstrat und einer Doppel-Heterostruktur an einer Oberfläche des Substrats, die eine erste Begrenzungsschicht aus Halbleitermaterial auf der Oberfläche des Substrats, eine aktive Schicht aus Halbleitermaterial auf der Begrenzungsschicht und eine zweite Begrenzungsschicht auf der aktiven Schicht umfaßt, wobei die erste Begrenzungsschicht vom gleichen Leitfähigkeitstyp wie das Substrat ist und die aktive Schicht und die Begrenzungsschichten zur Bildung eines p-n-Übergangs zwischen der aktiven Schicht und einer der Begrenzungsschichten unterschiedlich dotiert sind, dadurch gekennzeichnet , daß sich eine reflektierende Fläche (20) durch die zweite Begrenzungsschicht (22) und die aktive Schicht (2 3), geneigt gegenüber der Ebene der aktiven Schicht zur Bildung eines Resonanzhohlraums zwischen einer Endfläche (16) der aktiven Schicht (23)
    DR. G. MANlTZ ■ DIPL.-ING. M. FINSTERWALD β MÖNCHEN 22. ROBERT-KOCH-STRASSE I TEL. (0891 224211. TELEX OS-29672 PATMF
    DIPL.-ING. W. GRÄMKOW 7 STUTTGART SO (BAD CANNSTATT) SEELBERGSTR. 23/25. TEL. (0711)56 72 61
    809884/0616
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    ORIGINAL INSPECTED
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    und einer Fläche (17, 36) an der Substratoberfläche erstreckt, und daß durch das Substrat (18) bis zur
    ersten Begrenzungsschicht (19) eine mit der reflektierenausgerichtete Öffnung
    den Flache (20)/zur Emission von Licht durch sie ausgebildet ist.
  2. 2. Laser nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß der Resonanzhohlraum sich zwischen der Endfläche (20) und der Fläche (17, 36) der ersten an das Substrat (18) anstoßenden Begrenzungsschicht (19) erstreckt.
  3. 3. Laser nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß der Resonanzhohlraum sich zwischen der Endfläche (20) und einer Fläche einer Zwischenschicht zwischen der ersten Begrenzungsschicht (19) und dem Substrat (18) erstreckt.
  4. 4. Laser nach Anspruch 1, 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß die reflektierende Fläche (20) mit einem Winkel von annähernd 45 gegen die Ebene der aktiven Schicht (23) geneigt ist.
  5. 5. Laser nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet , daß auf der weiteren Fläche an der Substratoberfläche eine Linsenstruktur (35) vorgesehen ist.
  6. 6. Laser nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet , daß das Substrat (18) aus GaAs besteht und daß die aktive Schicht (23) und die Begrenzungsschichten (19, 22) aus GaAlAs bestehen.
  7. 7. Laser nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet , daß eine V-förmige Nut durch die zweite Begrenzungsschicht (22) und die aktive Schicht (23) geätzt ist und daß auf einer Fläche der V-förmigen
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    Nut zur Bildung der reflektierenden Fläche (2O) eine SiO2-Schicht (25) aufgebracht ist.
  8. 8. Laser nach einem der vorangehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch eine als Wärmesenke dienende Schicht (26) auf der zweiten Begrenzungsschicht (22).
  9. 9. Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterlasers in Form einer Doppel-Heterostruktur auf einem Substrat, bei dem eine erste Begrenzungsschicht, eine aktive Schicht und eine zweite Begrenzungsschicht auf einem Substratplättchen aus Halbleitermaterial gebildet werden, dadurch gekennzeichnet , daß das Plättchen ausgerichtet wird, um die {_ 110_7~Spaltrichtungen zu bestimmen, daß eine rechtwinklige Öffnung (44) durch die zweite Begrenzungsschicht (22) und die aktive Schicht (23) gebildet wird, wobei die Öffnung einen V-förmigen Querschnitt besitzt und ihre Achse längs einer (J\ 10/-Spaltrichtung liegt und wobei die Seitenwände des V einen Winkel von annähernd 45 einschließen, daß eine Oxidschicht auf einer der Seitenwände gebildet wird, daß ein Laserstreifen (45) auf einer von der gemeinsamen Fläche der zweiten Begrenzungsschicht und der aktiven Schicht abgelegenen Fläche der zweiten Begrenzungsschicht (22) ausgebildet wird und daß das Plättchen an einer den Laserstreifen zur Bildung einer Endfläche (16) durchtrennenden Stelle gespalten wird, wodurch ein Resonanzhohlraum zwischen der Endfläche (16) und einer Fläche des Plättchens gebildet wird, bei dem eine Seitenwand (20) der öffnung eine Reflexionsfläche des Resonanzhohlraums zur Drehung des Laserstrahls in dem Hohlraum bildet.
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  10. 10. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Achse der Öffnung (44) längs der (011)-Richtung ausgerichtet wird.
  11. 11. Verfahren nach Anspruch 9 oder 10, dadurch gekennzeichnet , daß nach der Orientierung auf der zweiten Begrenzungsschicht (22) eine Oxidschicht gebildet wird, daß die Öffnung (44) auf fotolithographischein Wege geätzt wird, daß das Plättchen gereinigt wird, daß erneut eine Oxidschicht auf der zweiten Begrenzungsschicht gebildet wird, die sich zur Bildung der Oxidschicht (25) an den Seitenwänden bis in die Öffnung hinein erstreckt, daß ein Laserstreifen (45) durch die Oxidschicht zur Freilegung der Fläche der zweiten Begrenzungsschicht geätzt wird, daß die freigelegte Fläche der zweiten Begrenzungsschicht ζink-diffundiert wird, daß die Fläche der zweiten Begrenzungsschicht metallisiert wird und daß eine aus Gold bestehende Wärmesenke (26) auf die metallisierte Schicht aufgebracht wird.
  12. 12. Verfahren nach einem der Ansprüche 9 bis 11, dadurch gekennzeichnet , daß vor der Bildung der ersten Begrenzungsschicht auf dem Substrat eine Pufferschicht ausgebildet wird.
  13. 13. Verfahren nach einem der Ansprüche 9 bis 12, dadurch gekennz eichnet , daß vor dem Orientieren des Plättchens auf der zweiten Begrenzungsschicht eine weitere Schicht ausgebildet wird.
    809884/0618
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