JPS5934678A - 半導体発光装置 - Google Patents
半導体発光装置Info
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- JPS5934678A JPS5934678A JP57144095A JP14409582A JPS5934678A JP S5934678 A JPS5934678 A JP S5934678A JP 57144095 A JP57144095 A JP 57144095A JP 14409582 A JP14409582 A JP 14409582A JP S5934678 A JPS5934678 A JP S5934678A
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
- H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、複数の独立した発光領域を有する半導体発光
装置に関し、特に、茜輝既発光ダイオードとして光フア
イバ通信用光源に利用されているバラス(Burrus
)型発光ダイオードを、複数の発光領域が互いにクロス
トーク2起さないように、モノリシック化しつるように
した半M・体発光装置Vこ関する。
装置に関し、特に、茜輝既発光ダイオードとして光フア
イバ通信用光源に利用されているバラス(Burrus
)型発光ダイオードを、複数の発光領域が互いにクロス
トーク2起さないように、モノリシック化しつるように
した半M・体発光装置Vこ関する。
発つ゛C5夕゛イオードの高輝度化のために、従来から
、次に示す如き点に考慮が払われている。すなわち、(
il 素子の熱抵抗を極力低減化し、駆動時の接合温
度上昇に伴なう外部発ブIL量子効率の低干を防ぐこと
。
、次に示す如き点に考慮が払われている。すなわち、(
il 素子の熱抵抗を極力低減化し、駆動時の接合温
度上昇に伴なう外部発ブIL量子効率の低干を防ぐこと
。
(11)発光饋域からの九力輸占晶外部に出射する間に
受ける吸収損失を低減化するために、ヘテロ1.゛「造
によるウィンドウ(Window)効果を尋人すること
。
受ける吸収損失を低減化するために、ヘテロ1.゛「造
によるウィンドウ(Window)効果を尋人すること
。
(曲 光の取出し…j(光面)での光出力を増加させる
ため、表面での光反痢介第1」用すること。
ため、表面での光反痢介第1」用すること。
神々の4’:’f造を有する発光ダイオードの中で、バ
ラス型発光ターイオードは、前記筒輝朋化のための諸条
件を満しているため、光フアイバ通信用光源としては最
も多用されている。
ラス型発光ターイオードは、前記筒輝朋化のための諸条
件を満しているため、光フアイバ通信用光源としては最
も多用されている。
かかるバラス型発光ダイオードのうち、複数個の高輝度
発光領域が単一の半導体上に並設されたモノリシック発
光ダイオードは、複数個の発光ダイオードを、対応する
各光ファイバに高密度に実 ′装し得る点からだけでな
く、ファクシミリ、コンピュータシステムなどにおける
出力装置の線状化光源としても適しているため、その実
用化が賛望されている。
発光領域が単一の半導体上に並設されたモノリシック発
光ダイオードは、複数個の発光ダイオードを、対応する
各光ファイバに高密度に実 ′装し得る点からだけでな
く、ファクシミリ、コンピュータシステムなどにおける
出力装置の線状化光源としても適しているため、その実
用化が賛望されている。
このような複数個の発光領域を、単一の半導体上に並設
したモノリシック発光ダイオード(以下、モノリシック
発光ダイオードと称する)Kおける基本的な問題点は、
P、iaf接する発光領域が電気的にも、光学的にも絶
1・らくされていること、すなわち、クロストークを極
力低減する必吸がある点である0この発光ダイオードの
モノリシック化は、従来、G□A81− xPx半導体
結晶を用いた拡散型発光ダイオードにおいて実施されて
きているが、前記高輝度化のだめの諸条件を満足してお
らず、GaA31−xPxの結晶欠陥密度が高いことも
反映して、高輝度化のためには、なお多くの問題を含ん
でいる。
したモノリシック発光ダイオード(以下、モノリシック
発光ダイオードと称する)Kおける基本的な問題点は、
P、iaf接する発光領域が電気的にも、光学的にも絶
1・らくされていること、すなわち、クロストークを極
力低減する必吸がある点である0この発光ダイオードの
モノリシック化は、従来、G□A81− xPx半導体
結晶を用いた拡散型発光ダイオードにおいて実施されて
きているが、前記高輝度化のだめの諸条件を満足してお
らず、GaA31−xPxの結晶欠陥密度が高いことも
反映して、高輝度化のためには、なお多くの問題を含ん
でいる。
また、GaA、−Ga、−xAちA5系の半導体材料を
用いた夕°プルへテロ構造の発光ターイオードで、Ga
A。
用いた夕°プルへテロ構造の発光ターイオードで、Ga
A。
基板結晶をヒートシンクにマウントし、エピタキシャル
表面層から光を取出すようVC<(I′、成てれたモノ
リシック発光ダイオードでは、構造的に4W(台面とヒ
ートシンクとの間の厚さが厚くならざるを得ないために
熱抵抗が高く、かつ発光光がGaA、基板結晶により吸
収されるため、裏面での反射光を有効に利用できないと
いう舊IL点があり、高輝度の光源として使用するには
、輝度が不十分である。
表面層から光を取出すようVC<(I′、成てれたモノ
リシック発光ダイオードでは、構造的に4W(台面とヒ
ートシンクとの間の厚さが厚くならざるを得ないために
熱抵抗が高く、かつ発光光がGaA、基板結晶により吸
収されるため、裏面での反射光を有効に利用できないと
いう舊IL点があり、高輝度の光源として使用するには
、輝度が不十分である。
しかし、バラス型発光ダイオードは、前A5ピした如く
、尚輝度化のだめの前記諸条件を満足しているため、そ
のモノリシック化が必然的に望まれてはいるが、かかる
バラス型発光ダイオードでは、隣接する発光領域間の電
気的な絶縁が困難であるため、現在寸で実用化されるに
至っていない。
、尚輝度化のだめの前記諸条件を満足しているため、そ
のモノリシック化が必然的に望まれてはいるが、かかる
バラス型発光ダイオードでは、隣接する発光領域間の電
気的な絶縁が困難であるため、現在寸で実用化されるに
至っていない。
例えば第1図に示す従来の代表的なバラス型発光ターイ
オードは、N型のガリウム砒素(G8A5)半導体基板
(1)に、エピタキシャル層として N型のG、、 −
xAA、A、層(2)、P型のGa、−、A4.A、層
(3)、P型のG、、−、AlxAs層(4)(ここで
、Xおよびyはモルアトミックパーセントを表わし、こ
の場合1t’ix>yとする。)P型のG、A、層(5
)が順次形成されている。
オードは、N型のガリウム砒素(G8A5)半導体基板
(1)に、エピタキシャル層として N型のG、、 −
xAA、A、層(2)、P型のGa、−、A4.A、層
(3)、P型のG、、−、AlxAs層(4)(ここで
、Xおよびyはモルアトミックパーセントを表わし、こ
の場合1t’ix>yとする。)P型のG、A、層(5
)が順次形成されている。
(6)、(7)は、半導体基板(1)の上面から、G、
、−、AtxA。
、−、AtxA。
層(2)との界面に達するように穿設された窓孔で、発
光光は、これら窓孔(6’) 、 (7)から上刃に取
り出される。
光光は、これら窓孔(6’) 、 (7)から上刃に取
り出される。
半導体基板(1)の上面における窓孔(6) + (γ
)の周縁をリング状に取υ囲んで、隙極電圧が印加され
る電極層(8) 、 (tJ)が被着形成され、各電極
層(8) 、 (9)は5107等の絶縁層(10)に
よって互いに分離されている。
)の周縁をリング状に取υ囲んで、隙極電圧が印加され
る電極層(8) 、 (tJ)が被着形成され、各電極
層(8) 、 (9)は5107等の絶縁層(10)に
よって互いに分離されている。
半導体基板(1)のエピタキシャル層側に被着形成され
、陽極電圧が印加される電極層(11)は、5−02等
の絶縁層(12)によって、発光領域に対応する部分の
みがG、A、層(5)と接触されている。(靭は、C−
等のヒートシンク金属ブロックである。
、陽極電圧が印加される電極層(11)は、5−02等
の絶縁層(12)によって、発光領域に対応する部分の
みがG、A、層(5)と接触されている。(靭は、C−
等のヒートシンク金属ブロックである。
このような従来のバラス型モノリシックダイオードでは
、Ga、−xAtxAs層(2)とGa、 、A4As
層(3)のPN接合面から、′電極層(8)(9)まで
の縦方向での距離にくらべて、各発光領域間の距離を十
分に大きく設定しておかないと、単一発光領域を独立に
発光させることができないという欠点があった。
、Ga、−xAtxAs層(2)とGa、 、A4As
層(3)のPN接合面から、′電極層(8)(9)まで
の縦方向での距離にくらべて、各発光領域間の距離を十
分に大きく設定しておかないと、単一発光領域を独立に
発光させることができないという欠点があった。
すなわぢ、′−電極層8)のみに陰極霜5圧を印加して
も、隣接する発光領域にも電流がυILれ、クロストー
ク現象が生じてしまう。そして、このことは、bn発光
領域を有する発光ダイオードをモノリシック化する場合
において、致命的な欠陥となる。
も、隣接する発光領域にも電流がυILれ、クロストー
ク現象が生じてしまう。そして、このことは、bn発光
領域を有する発光ダイオードをモノリシック化する場合
において、致命的な欠陥となる。
その−力で、光フアイバ通信用の光源としては、近年、
筒輝度化とならんで、高密度実装化かダボされてきてお
り、このため、同一基板での、fl−発光領域間が、電
気的にも、光学的にも絶Wか十分になきれ、いわゆるク
ロストーク現象が低くおさえられたバラス型発光ダイオ
ードをモノリシック化することが望まれている。
筒輝度化とならんで、高密度実装化かダボされてきてお
り、このため、同一基板での、fl−発光領域間が、電
気的にも、光学的にも絶Wか十分になきれ、いわゆるク
ロストーク現象が低くおさえられたバラス型発光ダイオ
ードをモノリシック化することが望まれている。
特に、画像処理システムの出力手段として、高分子q’
l能を得るため、尚密度と低クロストークのモノリシッ
ク発光ダイオードが望まれているか、」二連の如く、高
密度モノリシック化と低クロストークりは相反するため
、実用化が困難となっている。
l能を得るため、尚密度と低クロストークのモノリシッ
ク発光ダイオードが望まれているか、」二連の如く、高
密度モノリシック化と低クロストークりは相反するため
、実用化が困難となっている。
本発明は、上記実情に鑑みてなされたもので、モノリシ
ック化した場合に、発光領域間のクロストーク現象を低
減化しつる半導体発光装置を提供することを目的として
いる。
ック化した場合に、発光領域間のクロストーク現象を低
減化しつる半導体発光装置を提供することを目的として
いる。
以下、本発明の一実施例を、図面を参照しながら説明す
る。
る。
N型のガリウム砒素(GaA、)半導体基板+21)k
用意し、その−力の面上に、P型の第1半導体層(図を
エピタキシャル成長させる。この第1半導体層(転))
は、P型の結晶で、たとえばガリウム砒素CG、A、)
とアルミ砒素(AHA、)の混晶Ga、−、At、As
である。
用意し、その−力の面上に、P型の第1半導体層(図を
エピタキシャル成長させる。この第1半導体層(転))
は、P型の結晶で、たとえばガリウム砒素CG、A、)
とアルミ砒素(AHA、)の混晶Ga、−、At、As
である。
この第1半導体層I22)の上に、N型の第2半導体層
(4)l、P型の第3半導体層(財)が、それぞれ%G
a1−XAtxA8G、、−、AtyA、 のエピタ
キシャル成長によって順次形成される。
(4)l、P型の第3半導体層(財)が、それぞれ%G
a1−XAtxA8G、、−、AtyA、 のエピタ
キシャル成長によって順次形成される。
その上に、第4、縞5の半導体層として、P型のG、、
−、At、A、〆)及びP型のG、A、層(2!5)が
形成され、ダブルへテロ構造の半導体発光装置となって
いる。
−、At、A、〆)及びP型のG、A、層(2!5)が
形成され、ダブルへテロ構造の半導体発光装置となって
いる。
(財)) 、 (27)は、第1図の従来装置の小孔(
(5) 、 (’7)と同様にして穿設された光取り出
し用の窓孔、同様にμs)■91 +80)(3])0
乃は、それぞれ紀1図の″電極層(8) 、 C9ノ。
(5) 、 (’7)と同様にして穿設された光取り出
し用の窓孔、同様にμs)■91 +80)(3])0
乃は、それぞれ紀1図の″電極層(8) 、 C9ノ。
絶縁屑叫、′電極層Q1)、絶縁層(胸と対応する層で
らる。また、(33)は、ヒートシンクである。
らる。また、(33)は、ヒートシンクである。
(:34) 、 (35)は、上記窓孔f20) 、
lと7)を開口した後に、開口時のマスクに利用したS
:O,被膜をマスクにして、S、S・等のVll+族の
不純物原子が鰐、孔(2(jl 、 +2:・)内に拡
散されることによって形成される反転領域である。
lと7)を開口した後に、開口時のマスクに利用したS
:O,被膜をマスクにして、S、S・等のVll+族の
不純物原子が鰐、孔(2(jl 、 +2:・)内に拡
散されることによって形成される反転領域である。
この反転領域(34) 、 (35)は、窓孔■(il
、 (Z71の底面から、第2半導体層啜)にまで拡
散して達する不純物原子によって、窓孔(財))、僻)
で区分される第1半導体層(22)が、選択的に、N型
に反転形成されたもので、当該不純物原子は、窓孔(財
)) 、 fZ/)の側壁からも、N型の半導体基板(
21)内に拡散し、N型の尚M)電領域θ4) 、 C
(5)が形成されることになる。
、 (Z71の底面から、第2半導体層啜)にまで拡
散して達する不純物原子によって、窓孔(財))、僻)
で区分される第1半導体層(22)が、選択的に、N型
に反転形成されたもので、当該不純物原子は、窓孔(財
)) 、 fZ/)の側壁からも、N型の半導体基板(
21)内に拡散し、N型の尚M)電領域θ4) 、 C
(5)が形成されることになる。
こうして、第1半導体層(22)の反転領域は、第2半
導体層(羽)と同一導電型、つまりN型のG、、 、A
t2A。
導体層(羽)と同一導電型、つまりN型のG、、 、A
t2A。
層となり、この発光領域の第2、第3半49体層綴)。
に))間のPN接合而面′Cは、上記電極層(囚、φ0
)と電極層(31)との間の印加′電圧によって、順方
向ノ(イアスが印加される。
)と電極層(31)との間の印加′電圧によって、順方
向ノ(イアスが印加される。
他ノラ、発光領域以外のPN接合面と半導体基板(2J
)との間には、P型の第1半導体層(4))が残ってい
るから、N型の第2半導体層μs)との接合面は逆方向
バイアスになり、電気的に絶縁されることになる。
)との間には、P型の第1半導体層(4))が残ってい
るから、N型の第2半導体層μs)との接合面は逆方向
バイアスになり、電気的に絶縁されることになる。
このように構製さ′itだ本発明に係る半導体発光装置
では、電極層(例に陰極電圧が、電極層C3+1に陽極
′電圧が印加されると、・電流は、高導電領域C34+
を通して反転領域04)に集中して流れ、第2、第3半
導体層(4)It、&lのPN接合向で発光再結合が生
じ、窓孔(20)から発光光が取り出される。このとき
、発光領域は、反転していない第1半導体層幽)によっ
て隣接発光領域と′電気的に絶縁されているから、クロ
ストーク現象が生じるおそれは全くない。
では、電極層(例に陰極電圧が、電極層C3+1に陽極
′電圧が印加されると、・電流は、高導電領域C34+
を通して反転領域04)に集中して流れ、第2、第3半
導体層(4)It、&lのPN接合向で発光再結合が生
じ、窓孔(20)から発光光が取り出される。このとき
、発光領域は、反転していない第1半導体層幽)によっ
て隣接発光領域と′電気的に絶縁されているから、クロ
ストーク現象が生じるおそれは全くない。
また、本発明に係る半導体発光装置は、半導体基板(2
1)に窓孔(ロ)ハZ7) (l:設けて、この窓孔(
201(27+から発光光な取り出すようにし、発光再
結合が生じるPN接合面に、ヒートシンク(3(8)が
近接した構成であるため、う妾合温度上昇にともなう外
部発光量子効率の低下を防ぐことが可能となる。
1)に窓孔(ロ)ハZ7) (l:設けて、この窓孔(
201(27+から発光光な取り出すようにし、発光再
結合が生じるPN接合面に、ヒートシンク(3(8)が
近接した構成であるため、う妾合温度上昇にともなう外
部発光量子効率の低下を防ぐことが可能となる。
しかも、GaASの半導体基板(2L)上に、混晶系の
G・・−、At、A 、等による半導体層□□□)μs
)−を成長させて、ペテロ構造又はダブルへテロ構造と
して、発光タイオードが形成されているため、結晶内部
での吸収損失が小さい。
G・・−、At、A 、等による半導体層□□□)μs
)−を成長させて、ペテロ構造又はダブルへテロ構造と
して、発光タイオードが形成されているため、結晶内部
での吸収損失が小さい。
ただし、前記実施例において、第1、諾2、第3半導体
層X 、 to) 、(財)・)におけるアルミニウム
のモルアトミックパーセントx、y、z、tの関係は、
次式の条件を満たすことが必要である。
層X 、 to) 、(財)・)におけるアルミニウム
のモルアトミックパーセントx、y、z、tの関係は、
次式の条件を満たすことが必要である。
y(x、z、を
丑だ、前記実施例においては、半導体基板121)をN
型とし、第1、第2、第3、第4、第5半導体層(ロ)
、印)、(財)→、■フ+ (”51は、それぞれP型
)N型)P型、P型、P型に、第1半導体層(22)の
反転領域CJ4) 、 G35)はN型に形成したもの
であるが、次表のように、それぞれ導電型を変更して実
施することができる。
型とし、第1、第2、第3、第4、第5半導体層(ロ)
、印)、(財)→、■フ+ (”51は、それぞれP型
)N型)P型、P型、P型に、第1半導体層(22)の
反転領域CJ4) 、 G35)はN型に形成したもの
であるが、次表のように、それぞれ導電型を変更して実
施することができる。
また、第1半導体層I22)がP型の場合には、N型不
純物を拡散させ、第1半導体層弊)がN型の場合には、
P型不純物を拡散させ、反転領域(34) 、 (35
)の導電型をそれぞれ反転する。
純物を拡散させ、第1半導体層弊)がN型の場合には、
P型不純物を拡散させ、反転領域(34) 、 (35
)の導電型をそれぞれ反転する。
さらに、図示した実施例においては、それぞれ導電型が
逆である第1半導体層および第2半導体層を1組だけ有
する場合について説明したが、かかる第1および第2の
半導体層を、複数組多段に構成しても良く、その場合に
は、窓孔内の反転後は、PN接合而面単一となるように
拡散処理を行なう必要がある。
逆である第1半導体層および第2半導体層を1組だけ有
する場合について説明したが、かかる第1および第2の
半導体層を、複数組多段に構成しても良く、その場合に
は、窓孔内の反転後は、PN接合而面単一となるように
拡散処理を行なう必要がある。
以上述べたように、本発明に係る半導体発光装置によれ
ば、非常に接近した複数の発光領域が、互いにクロスト
ーク現象を生じないようにすることができ、しかも、高
精度発光が可能であるため、光フアイバ通信用の光源と
して高密度に実装でき、また、ファクシミリやワードプ
ロセッサ等における出力装置用線状発光ダイオードプレ
イとしても有効である。
ば、非常に接近した複数の発光領域が、互いにクロスト
ーク現象を生じないようにすることができ、しかも、高
精度発光が可能であるため、光フアイバ通信用の光源と
して高密度に実装でき、また、ファクシミリやワードプ
ロセッサ等における出力装置用線状発光ダイオードプレ
イとしても有効である。
なお、上述のW=例では、G、A、 −Ga、 −xA
txAS系の半導体材料を使用した場合について説明し
たが、本発明は、これに限定されるもので1tゴなく、
たとえば、(AtxGa、−x)yIn、−、P、 c
、As、sb、 、、(AzxGd、−、)。
txAS系の半導体材料を使用した場合について説明し
たが、本発明は、これに限定されるもので1tゴなく、
たとえば、(AtxGa、−x)yIn、−、P、 c
、As、sb、 、、(AzxGd、−、)。
Im−yAs 、 Ga xIn+ −、p、A、、−
y 、 (AtxGa+ −x)y In+−y Sb
、InAs、−8Shx、p、S+−xseX 、p
b、−xSn XTa 、Pb+−xSn xSa 、
z、5et−x’rax 。
y 、 (AtxGa+ −x)y In+−y Sb
、InAs、−8Shx、p、S+−xseX 、p
b、−xSn XTa 、Pb+−xSn xSa 、
z、5et−x’rax 。
ZoS B−X S z 、 Cd 5l−X S e
X + Cd Te1−X S e X + Cd
Te1−X SX等、川−V族化合物半導体や■−■族
化族化合物半合体用することができる。
X + Cd Te1−X S e X + Cd
Te1−X SX等、川−V族化合物半導体や■−■族
化族化合物半合体用することができる。
また、反転領域(341C35)に拡散される不純物原
子としては、川−■族化合物半導体の場合には、5IS
o等のVlb族原子によりN型に、Z、 、 C,等の
nb族原子によりP型に反転でき、またIt−IV族化
合物半導体の場合には、Ga、Il+等の叱族原子によ
りN型に、L、Na等の13族原子によ!IIP型に反
転できる。
子としては、川−■族化合物半導体の場合には、5IS
o等のVlb族原子によりN型に、Z、 、 C,等の
nb族原子によりP型に反転でき、またIt−IV族化
合物半導体の場合には、Ga、Il+等の叱族原子によ
りN型に、L、Na等の13族原子によ!IIP型に反
転できる。
第1図は、従来の半導体発光装置1゛、を示す断面構成
図、 第2図は、本発明の一実施例を示す断面構成図である。 (zl)N型の半導体基板 (〃)P型の第1半導体層
123AN型の第2半導体層 (財)P型の第3半導体
層(2!5)P型の第4半導体層 (25IP型の第5
半導体層劉0ニア)窓孔 (28)(ロ)+
(3]+電極層04)O■反転領域
図、 第2図は、本発明の一実施例を示す断面構成図である。 (zl)N型の半導体基板 (〃)P型の第1半導体層
123AN型の第2半導体層 (財)P型の第3半導体
層(2!5)P型の第4半導体層 (25IP型の第5
半導体層劉0ニア)窓孔 (28)(ロ)+
(3]+電極層04)O■反転領域
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 (1,)P、Nいずれか一力の導電型を有する半導体基
板の表面上に順次形成ニされたP、Nいずれかの導電型
の第1半導体層、該第1半導体層とは逆の導・電型を有
する第2半導体層、任意の導電型を有する第3半導体層
と、半導体基板の裏面に□、該裏面から第1半導体層に
達するように複数個並設された窓孔と、これらの窓孔で
区分される第1半導体虐部分の導電型を反転した反転領
域と、各窓孔1.IISに対応して反転後に残る学−の
PN接合面の発光領域に順方向電圧を印加するべく、半
導体基板の晟面およびエピタキシャル半棉体層表向に形
成された寛惟層とから成る半導体発光装置。 り2)第1半導体層をP型、第2半尋体層′1zcN型
、第3半畳体層をPもしくはN型の導′屯型とし、6沁
孔内にSe、Te、 S寺のVlbJk原子を拡散させ
て、当該各窓孔で区分された第1半導体層部分をN型に
反転させるようにしたことを特徴とする特許請求の範囲
第(1)項に記載の半導体発光装置。 (3)第1半導体層をN型、第2半導体層をP型、第3
牛導体層iPもしくはN型の導電型とし、各窓孔内KZ
o等のIlb族原子を拡散させて、当該各窓孔で区分さ
れた第1半導体層部分YP型に反転させるようにしたこ
とを特徴とする特許請求の範囲第(1)項に記載の半導
体発光装置。 (4)半導体基板の導電型を、第1半導体層と同一の導
電型としたことを特徴とする特許請求の範囲第(1)項
に記載の半導体発光装置。 (5)半導体基板のm=型を、41半導体層と逆の導電
型としたことを特徴とする特許請求の範囲第(1)項に
記載の半導体発光装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57144095A JPS5934678A (ja) | 1982-08-20 | 1982-08-20 | 半導体発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57144095A JPS5934678A (ja) | 1982-08-20 | 1982-08-20 | 半導体発光装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5934678A true JPS5934678A (ja) | 1984-02-25 |
Family
ID=15354087
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57144095A Pending JPS5934678A (ja) | 1982-08-20 | 1982-08-20 | 半導体発光装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5934678A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5616527A (en) * | 1993-09-13 | 1997-04-01 | Isuzu Motors Limited | Composite ceramic |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5414693A (en) * | 1977-07-04 | 1979-02-03 | Northern Telecom Ltd | Double heteroostructure laser for coupling with optical fiber |
JPS5738929U (ja) * | 1980-08-18 | 1982-03-02 |
-
1982
- 1982-08-20 JP JP57144095A patent/JPS5934678A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5414693A (en) * | 1977-07-04 | 1979-02-03 | Northern Telecom Ltd | Double heteroostructure laser for coupling with optical fiber |
JPS5738929U (ja) * | 1980-08-18 | 1982-03-02 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5616527A (en) * | 1993-09-13 | 1997-04-01 | Isuzu Motors Limited | Composite ceramic |
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