JPS5860519A - 円筒型磁器コンデンサの製造方法 - Google Patents
円筒型磁器コンデンサの製造方法Info
- Publication number
- JPS5860519A JPS5860519A JP15998581A JP15998581A JPS5860519A JP S5860519 A JPS5860519 A JP S5860519A JP 15998581 A JP15998581 A JP 15998581A JP 15998581 A JP15998581 A JP 15998581A JP S5860519 A JPS5860519 A JP S5860519A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- porcelain
- external electrode
- circumferential surface
- electrode
- capacitor
- Prior art date
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- Granted
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- Ceramic Capacitors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本発明は、薄い肉厚の円筒型磁lIt使用してコンデン
サを製造する方法に関するものである。 第1図に示すように、中空円筒磁器(11の内周面及び
これに連続する外周面の一部に内部電極(2)を設け、
且つ磁器filの外周面に内部電極(21と分離した状
態に外部電極(31ン設け、内部電極(21及び外部電
極[311CIJ−ド線141 (51を巻き付けた構
造の磁器コンデンサは既vc’MJられている。ところ
で、電子部品の小型化の要求に応えるために磁器(11
の肉厚な0.15mm以下程度に薄くシ、例えば、特公
昭39−15345号公報、特公昭42−3086号公
報、特公昭45−10465号公報等で示されている自
動機によって約0−2mm径のリード線+41 (5)
を鉢巻状に巻き付け、複数の素子がリードl1ii!に
よって梯子状に連らなったものを形成し、半田によって
リード線+41 (51な固着すれば、磁器1111c
その軸方向の微細なりラックが生じる。更に詳細には、
20倍の顕微鏡で観察すると、磁器il+の強度のバラ
ツキによって1万個中に54個の割合即ち0.54参の
□割合でクラックが生じていることが判る。従って、第
2図に示すようなコイルLとコンデンサCとから成るフ
ィルタ回路のコンデンサCとして第1図に示すような磁
器コンデンサY使用すると、内部電極i21と外部電極
(31との間のマイグレーションにより電極間の絶縁抵
抗が下がり、静電容量が抜けてしまうという問題が生じ
る。 そこで、本発明の目的は、クラックの鞄生を阻止又は低
減することが可能な円筒磁器コンデンサの製造方法な提
供することにある。 上記目的を達成するための本発明は、薄い肉厚の中空円
筒磁器を形成する工程と、前記円筒磁器の内周面及びこ
の内周面に連続する外周面の一部に内部電極Y形成し且
つ前記円筒磁器の外局面に外部電極を形成する工程と、
前記内部電極の外周面部分及び前記外部電極にリング状
露出部が残存するよ5に#記内部電極と前記外部電極と
前記磁器との表面に絶縁樹脂被覆層を形成する工程と、
前記絶縁樹脂液後層を形成した円筒コンデンサ素子の前
記内部電極及び前記外部電極の前記リング状露出部に夫
々のリード線な鉢巻状Vc1回又は複数回巻き付ける工
程と、前記夫々のリード線Y前記内部電極及び前記外部
電極に夫々半田付けする工程と、な含むことt特徴とす
る円筒溢磁器コンデンサの製造方法に係わるものである
。 上記不発@によれば、内部電極と外部電極とにリング状
露出部が生じるように絶縁樹脂被覆層を設けた* #C
S リード線tりング状露出部に巻き付けるので、絶縁
IIM被覆層で磁器が補強及び保護され、リード線の巻
き付は工程及び半田付は工程等で磁器にクラックが生じ
ることが阻止又は低減される。従って、マイグレーショ
ンによる絶縁抵抗の低下が殆んど生じなくなり、(+!
頼性の高いコンデンサな提供することが可能になる。 以下、第3図〜第7図を参照して本発明の実施例につい
て述べる。 まず、第3図に示す、チタン系誘電体磁器組成物によっ
て長さ5.4 mm 、外径3.8mm、肉厚0012
mmの中空円筒磁器111 ’i’形成する。 次に、銀ペース)la!I択的に塗布し、乾燥し、約7
00℃で約1時間焼き付けることによって、第】図と同
様に内部電極(2)及び外部電極(31を形成する。 次に、第4図に示す如(、内部電極(21及び外部電極
131にリング状露出部(2a) (:4aJが磁器+
11の端部近傍に生じるように、シリコン変性エポキシ
樹脂を選択的に塗布し、乾燥し、約200℃、2時間で
硬化させ、電極+21 +31及び磁器(11の上に絶
縁樹脂被覆層(6)を形成する。 次に、自動機によって第5図に示すようにリ−ド47!
+41 (51Yリング状露出部分(2a〕(357
K鉢巻状に’!き付け、しかる後に1自動牛田とてY使
用し工牛田(71(81でリード線+41 (51をり
7グ状露出部(21)(3m)に固着する。尚、リード
線t41 (5+の巻き付けは、前述した特公昭39−
15345号公報等Kle載されているようなリード線
の自動巻き付は装置1使用し工、第6図に示すようにな
す。即ち、複数の;ンデンす素子(9)ヲ関久的Kg送
しつつ、リング状露出部(2a) (3a)にリード線
+41 (51V 2回づつ巻き付け、複数のコンデン
サ素子(9)を梯子状に保持する。そして、リードIi
! +41151のリング状露出部(2aJ C3x)
尺対する巻き始めと巻き終りとの部分に自動千日とてを
当て、各電1i +2+ [31にリードII 141
+5)t’固着する。 次に、耐温性を向上させるために、第6図の状態な保っ
て素子+97 ’l’移送し、%素子+91を溶融ワッ
クス中に浸漬し、引き上げて乾燥し、リールに巻き取る
。 しかる後、リールから巻戻し、リード線+41 +5+
な切断することによって、JI7図に示すような独立し
たコンデンサとする。尚リード線+41 +51の切断
な装造段階で行わずに、回路基板にコンデンサを組み込
む際に行ってもよい、このようにすれば、自動組み込み
時の素子の移送が容易になる。 上記製造方法の効果な謂ぺるために、硝酸の希釈液で第
7図の素子ρ)ら絶縁樹脂被優層(6)及び電極+21
+31な溶解除去し、掃の磁器tllの状Mな倍軍2
0倍の顕微鏡で調べたところ、1万個中4個
サを製造する方法に関するものである。 第1図に示すように、中空円筒磁器(11の内周面及び
これに連続する外周面の一部に内部電極(2)を設け、
且つ磁器filの外周面に内部電極(21と分離した状
態に外部電極(31ン設け、内部電極(21及び外部電
極[311CIJ−ド線141 (51を巻き付けた構
造の磁器コンデンサは既vc’MJられている。ところ
で、電子部品の小型化の要求に応えるために磁器(11
の肉厚な0.15mm以下程度に薄くシ、例えば、特公
昭39−15345号公報、特公昭42−3086号公
報、特公昭45−10465号公報等で示されている自
動機によって約0−2mm径のリード線+41 (5)
を鉢巻状に巻き付け、複数の素子がリードl1ii!に
よって梯子状に連らなったものを形成し、半田によって
リード線+41 (51な固着すれば、磁器1111c
その軸方向の微細なりラックが生じる。更に詳細には、
20倍の顕微鏡で観察すると、磁器il+の強度のバラ
ツキによって1万個中に54個の割合即ち0.54参の
□割合でクラックが生じていることが判る。従って、第
2図に示すようなコイルLとコンデンサCとから成るフ
ィルタ回路のコンデンサCとして第1図に示すような磁
器コンデンサY使用すると、内部電極i21と外部電極
(31との間のマイグレーションにより電極間の絶縁抵
抗が下がり、静電容量が抜けてしまうという問題が生じ
る。 そこで、本発明の目的は、クラックの鞄生を阻止又は低
減することが可能な円筒磁器コンデンサの製造方法な提
供することにある。 上記目的を達成するための本発明は、薄い肉厚の中空円
筒磁器を形成する工程と、前記円筒磁器の内周面及びこ
の内周面に連続する外周面の一部に内部電極Y形成し且
つ前記円筒磁器の外局面に外部電極を形成する工程と、
前記内部電極の外周面部分及び前記外部電極にリング状
露出部が残存するよ5に#記内部電極と前記外部電極と
前記磁器との表面に絶縁樹脂被覆層を形成する工程と、
前記絶縁樹脂液後層を形成した円筒コンデンサ素子の前
記内部電極及び前記外部電極の前記リング状露出部に夫
々のリード線な鉢巻状Vc1回又は複数回巻き付ける工
程と、前記夫々のリード線Y前記内部電極及び前記外部
電極に夫々半田付けする工程と、な含むことt特徴とす
る円筒溢磁器コンデンサの製造方法に係わるものである
。 上記不発@によれば、内部電極と外部電極とにリング状
露出部が生じるように絶縁樹脂被覆層を設けた* #C
S リード線tりング状露出部に巻き付けるので、絶縁
IIM被覆層で磁器が補強及び保護され、リード線の巻
き付は工程及び半田付は工程等で磁器にクラックが生じ
ることが阻止又は低減される。従って、マイグレーショ
ンによる絶縁抵抗の低下が殆んど生じなくなり、(+!
頼性の高いコンデンサな提供することが可能になる。 以下、第3図〜第7図を参照して本発明の実施例につい
て述べる。 まず、第3図に示す、チタン系誘電体磁器組成物によっ
て長さ5.4 mm 、外径3.8mm、肉厚0012
mmの中空円筒磁器111 ’i’形成する。 次に、銀ペース)la!I択的に塗布し、乾燥し、約7
00℃で約1時間焼き付けることによって、第】図と同
様に内部電極(2)及び外部電極(31を形成する。 次に、第4図に示す如(、内部電極(21及び外部電極
131にリング状露出部(2a) (:4aJが磁器+
11の端部近傍に生じるように、シリコン変性エポキシ
樹脂を選択的に塗布し、乾燥し、約200℃、2時間で
硬化させ、電極+21 +31及び磁器(11の上に絶
縁樹脂被覆層(6)を形成する。 次に、自動機によって第5図に示すようにリ−ド47!
+41 (51Yリング状露出部分(2a〕(357
K鉢巻状に’!き付け、しかる後に1自動牛田とてY使
用し工牛田(71(81でリード線+41 (51をり
7グ状露出部(21)(3m)に固着する。尚、リード
線t41 (5+の巻き付けは、前述した特公昭39−
15345号公報等Kle載されているようなリード線
の自動巻き付は装置1使用し工、第6図に示すようにな
す。即ち、複数の;ンデンす素子(9)ヲ関久的Kg送
しつつ、リング状露出部(2a) (3a)にリード線
+41 (51V 2回づつ巻き付け、複数のコンデン
サ素子(9)を梯子状に保持する。そして、リードIi
! +41151のリング状露出部(2aJ C3x)
尺対する巻き始めと巻き終りとの部分に自動千日とてを
当て、各電1i +2+ [31にリードII 141
+5)t’固着する。 次に、耐温性を向上させるために、第6図の状態な保っ
て素子+97 ’l’移送し、%素子+91を溶融ワッ
クス中に浸漬し、引き上げて乾燥し、リールに巻き取る
。 しかる後、リールから巻戻し、リード線+41 +5+
な切断することによって、JI7図に示すような独立し
たコンデンサとする。尚リード線+41 +51の切断
な装造段階で行わずに、回路基板にコンデンサを組み込
む際に行ってもよい、このようにすれば、自動組み込み
時の素子の移送が容易になる。 上記製造方法の効果な謂ぺるために、硝酸の希釈液で第
7図の素子ρ)ら絶縁樹脂被優層(6)及び電極+21
+31な溶解除去し、掃の磁器tllの状Mな倍軍2
0倍の顕微鏡で調べたところ、1万個中4個
【0.04
参ノに微小なりラックが入っていた。−従来方法では1
万個中54個にクラックが入ったので、本実施例の方法
によれば、クラックが大幅に低減されたことになる。 また、耐湿負荷試験を行うために、第7図に示すフンダ
ンサ素子1万個と従来のコンデンサ菓子1万個とを温度
60℃、湿度90〜95畳の雰囲気中に電極+21 +
31間に直流電圧12V印加し次状態で放置し、100
時間、500時間、1000時間経過後に於ける電極+
21 +31間の絶縁抵抗を測定し、良否ケ判定したと
ころ、次表の結果が得られた。 尚初期の絶縁抵抗は従来のコンデンサと本発明のコンデ
ンサとの両方とも】OMΩ以上であった。 また、lOMrλ以下を不良とした。 この結果から明らかなよ5に、本発明の方法によれば、
1000時間の耐湿負荷試験によっても不jLが発生し
ない、このことは、本発明の】実施例によつτ約0.0
4%の割合で発生するクラックが、マイグレーションに
よる絶縁劣化に殆んど影響しない小さなものであり、1
0MΩ以上の絶縁抵抗を維持することを許すようなもの
であることを意味する。従ってユーザ要求の0.01畳
の信頼性な得ることが出来る。これに対して、従来方法
のコンデンサでは、クラックが発生しているものの約半
分が】00時間で不良になり、1000時間では約8I
llが不良になる。従って、従来方法で生じるクツツク
は信頼性に影響するマイグレーションが起きるようなり
ランクである。
参ノに微小なりラックが入っていた。−従来方法では1
万個中54個にクラックが入ったので、本実施例の方法
によれば、クラックが大幅に低減されたことになる。 また、耐湿負荷試験を行うために、第7図に示すフンダ
ンサ素子1万個と従来のコンデンサ菓子1万個とを温度
60℃、湿度90〜95畳の雰囲気中に電極+21 +
31間に直流電圧12V印加し次状態で放置し、100
時間、500時間、1000時間経過後に於ける電極+
21 +31間の絶縁抵抗を測定し、良否ケ判定したと
ころ、次表の結果が得られた。 尚初期の絶縁抵抗は従来のコンデンサと本発明のコンデ
ンサとの両方とも】OMΩ以上であった。 また、lOMrλ以下を不良とした。 この結果から明らかなよ5に、本発明の方法によれば、
1000時間の耐湿負荷試験によっても不jLが発生し
ない、このことは、本発明の】実施例によつτ約0.0
4%の割合で発生するクラックが、マイグレーションに
よる絶縁劣化に殆んど影響しない小さなものであり、1
0MΩ以上の絶縁抵抗を維持することを許すようなもの
であることを意味する。従ってユーザ要求の0.01畳
の信頼性な得ることが出来る。これに対して、従来方法
のコンデンサでは、クラックが発生しているものの約半
分が】00時間で不良になり、1000時間では約8I
llが不良になる。従って、従来方法で生じるクツツク
は信頼性に影響するマイグレーションが起きるようなり
ランクである。
第1図は従来の円筒型磁器コンデンサを示す断面図、第
2図はフィルタを示す回路図、第3図〜第7図は本発明
の実jI例に係わる円筒型磁器コンデンサY示すもので
あり、第3図は電極形成後の状M4を示す断面図、第4
図は絶縁被慢層形成後を。 示す断面図、第5図はり一ドMiyx巻き付けて半田付
けした状1llv示す断面図、第6図は梯子状にリード
縁V*き何けた状態の斜視図、第7図は@身の素子に分
離した状Mを示すM夜間である。 尚図面に用−られている符号に於い”(、+11は磁リ
ング状露出部、+41 +51はリード線、(61は絶
縁樹脂被覆層、(71(81は手出である。 代理人 高野則次
2図はフィルタを示す回路図、第3図〜第7図は本発明
の実jI例に係わる円筒型磁器コンデンサY示すもので
あり、第3図は電極形成後の状M4を示す断面図、第4
図は絶縁被慢層形成後を。 示す断面図、第5図はり一ドMiyx巻き付けて半田付
けした状1llv示す断面図、第6図は梯子状にリード
縁V*き何けた状態の斜視図、第7図は@身の素子に分
離した状Mを示すM夜間である。 尚図面に用−られている符号に於い”(、+11は磁リ
ング状露出部、+41 +51はリード線、(61は絶
縁樹脂被覆層、(71(81は手出である。 代理人 高野則次
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 +17 薄い肉厚の中空円筒磁器?形成する工程と、
前記円筒磁器の内周面及びこの内周面に連続する外局面
の一部に内部電極な形成し且つ前記円筒磁器の外周面に
外部電極を形成する工程と、前記内部電極の外周面部分
及び前記外部電極にリング状露出部が残存するように前
記内部電極と前記外部電極と前記磁器との表面に絶縁樹
脂11161層を形成する工程と、 前記絶縁樹脂被覆層を形成した円筒コンチン賃票子の前
記内部電極及び前記外部電極の前記リング状露出部に夫
々のリード線を鉢巻状に】回文は複数回巻き付ける工程
と、 前記夫々のリード線を前記内部電極及び前記外部電極に
夫々半田付けする工程と、 を含むことを特徴とする円筒型磁器コンデンサの製造方
法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15998581A JPS5860519A (ja) | 1981-10-06 | 1981-10-06 | 円筒型磁器コンデンサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15998581A JPS5860519A (ja) | 1981-10-06 | 1981-10-06 | 円筒型磁器コンデンサの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5860519A true JPS5860519A (ja) | 1983-04-11 |
JPS6248366B2 JPS6248366B2 (ja) | 1987-10-13 |
Family
ID=15705474
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15998581A Granted JPS5860519A (ja) | 1981-10-06 | 1981-10-06 | 円筒型磁器コンデンサの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5860519A (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0354662U (ja) * | 1989-09-29 | 1991-05-27 |
-
1981
- 1981-10-06 JP JP15998581A patent/JPS5860519A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6248366B2 (ja) | 1987-10-13 |
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