JPS5858365B2 - 陽イオン交換膜の製法 - Google Patents

陽イオン交換膜の製法

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JPS5858365B2
JPS5858365B2 JP51077908A JP7790876A JPS5858365B2 JP S5858365 B2 JPS5858365 B2 JP S5858365B2 JP 51077908 A JP51077908 A JP 51077908A JP 7790876 A JP7790876 A JP 7790876A JP S5858365 B2 JPS5858365 B2 JP S5858365B2
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cation
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08JWORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J5/00Manufacture of articles or shaped materials containing macromolecular substances
    • C08J5/20Manufacture of shaped structures of ion-exchange resins
    • C08J5/22Films, membranes or diaphragms
    • C08J5/2287After-treatment
    • C08J5/2293After-treatment of fluorine-containing membranes
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08JWORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J2327/00Characterised by the use of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a halogen; Derivatives of such polymers
    • C08J2327/02Characterised by the use of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a halogen; Derivatives of such polymers not modified by chemical after-treatment
    • C08J2327/12Characterised by the use of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a halogen; Derivatives of such polymers not modified by chemical after-treatment containing fluorine atoms
    • C08J2327/18Homopolymers or copolymers of tetrafluoroethylene

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、優れた電気的性質と陽イオン選択透過性を有
し、かつ耐薬品性、耐熱性ならびに機械的強度をかね備
えた陽イオン交換膜の製法に関し、特にアルカリ金属ハ
ロゲン化物の電解用隔膜として好適な陽イオン交換膜の
製法に関するものである。
陽イオン交換膜はその陽イオン選択透過性を利用して、
種々の工業的応用がなされている。
例えば電気透析用隔膜として陰イオン交換膜あるいは中
性隔膜と組み合せて用いることによって食塩製造のため
の海水濃縮、淡水製造のためのかん水あるいは海水の脱
塩、メッキ廃液からの有用金属塩の回収、下水の高次処
理、ジュースの精製、粉ミルクの脱塩、放射性物質を含
む廃液の処理、ウランの濃縮精製などに用いられており
、その応用範囲は広い。
陽イオン交換膜のこれらの用途への応用4こあたっては
、種々の特性を具備することが要求されるが、それらの
うち最も重要視されるものは、特殊な場合をのぞけば陽
イオン選択透過性と耐久性である。
イオン交換膜の出現以来、イオン選択透過性および耐久
性の向上には多くの努力が払われ、その結果陽イオン交
換膜については、スルホン酸基を有するスチレン−ジビ
ニルベンゼン系架橋重合体を原型とした陽イオン交換膜
が開発され、多くの場合に満足すべき選択透過性と耐久
性を備えたものが供給されている。
しかしながら、イオン交換膜の使用される条件は排水、
廃液処理あるいは食塩電解への応用などにみられるよう
にますます苛酷になる傾向にあり、膜の耐久性の一層の
向上が要求されている。
また選択透過性についても全ての場合について必ずしも
満足されるものではなく、従来の陽イオン交換膜につい
ては大多数の陰イオンの透過に対して良好な阻止性を示
すものの、水酸イオンを含む電解質水溶液に対しては他
の場合に比べて陽イオン輸率が著しく低いものとなる欠
点があった。
これは水溶液中では水酸イオンの易動度が他の陰イオン
に比べて著しく大きく水酸イオンの膜透過を有効に阻止
し得ないことによるものであるが、このことは水酸イオ
ンを含む条件下で陽イオン交換膜を使用する場合、たと
えば食塩電解用隔膜として用いる場合には電流効率の低
下をもたらすので重大な問題となる。
従って陽イオン交換膜のこれらの用途への応用に関して
は、耐久性はもちろんのこと水酸イオンの透過阻止の優
れた陽イオン交換膜の開発が要望される。
現在、イオン交換基としてスルホン酸基を有しフッ素系
樹脂を基体とする非架橋型均質陽イオン交換膜がデュポ
ン社から市販されている。
しかしこの膜も前述した問題点である耐久性については
かなり改良されたものといえるが水酸イオン透過阻止性
についてはまだ満足なものとはいえない。
本発明の発明者らは耐久性と水酸イオン透過阻止に関す
るこれらの要求を満足させる陽イオン交換膜の開発につ
いて鋭意研究を重ねた結果、スルホン酸、スルホン酸塩
基を結合している非架橋型均質フルオロカーボン重合体
膜を有機溶媒で十分に膨潤させたのち、加熱処理し、さ
らに重合性モノマー必要に応じて架橋剤を含浸、重合す
ることによって優れた水酸イオン透過阻止陽イオン交換
膜を製造するに至ったものである。
陽イオン交換膜中にビニルモノマー、必要に応じて架橋
剤を含浸し、重合する方法が特開昭50108182、
特開昭50−120492などに見られる。
これに対し、本発明においては陽イオン交換膜を有機溶
媒で十分に膨潤せしめたのち、該膜を加熱処理すること
が特徴であり、その結果得られる電流効率向上に関する
効果は、本発明者らによってはじめて見出されたもので
あり、従来知られていたように単に陽イオン交換膜に含
浸、重合させる場合とはその効果において著しく異なる
ものである。
本発明において使用するスルホン酸基またはスルホン酸
塩基を含むフルオロカーボン重合体膜としてはスルホン
酸、スルホン酸塩あるいは加水分解によってスルホン酸
、スルホン酸塩になりうる基を結合しているパーフルオ
ロカーボン単量体を単独であるいは共重合可能な他の単
量体とともにラジカル重合したものを膜状に成型するこ
と、あるいはさらに加水分解することによって得ること
ができる。
スルホン酸基を含むこのようなフルオロカーボン重合体
膜としては、種々の構造のものが使用可能であるが、例
えばパーフルオロカーボンスルホニルフルライドの一般
式 %式%) (式中、XはOH,フッ素またはOZで、Zは第4級ア
ンモ・ニウムラジカル、Rfはフッ素またはトリフルオ
ロメチル基、nは1ないし3の整数である。
)とフッ化ビニル、二フフ化エチレン、三フッ化エチレ
ン、四フフ化エチレン、パーフルオロプロピレン、パー
フルオロブタジェンなどの含フツ素モノマーとの共重合
膜をあげることができる。
このフルオロカーボン重合体の膜は、また必要によりテ
フロン繊維布などで補強されたものであってもよい。
これらのフルオロカーボン重合体膜を有機溶媒で十分に
膨潤させたのち、該膜を加熱処理する場合の交換基は遊
離酸の状態であってもよく、あるいは1価金属塩、アン
モニウム塩の形で來πもよい。
本発明の実施にあたって使用される有機溶媒としては、
被処理膜を膨潤させるものであって、水に対する溶解度
が室部で0.1 g/l 00 gH20Jメ上である
ものであればよいが、膜を速かに膨潤させ、かつ処理後
簡単に膜中から除去できるものがより好ましい。
このような溶媒としては、メタノール、エタノール、プ
ロパツール等の脂肪族1価アルコール類、アセトン、メ
チルエチルケトン等のケトン類、酢酸メチル、酢酸エチ
ルなどのエステル類、エチルエーテル、フロビルエーテ
ル等の脂肪族エーテル類、ジオキサンなどの環状エーテ
ルおよびクロロホルム等をあげることができる。
これらの溶媒はもちろん組合せて用いてもよく水や電解
質が共存していてもよい。
本発明におけるフルオロカーボン重合体膜の処理方法は
、上記のようにして有機溶媒で膨潤させ、続いて加熱す
ればよい。
加熱方法は、有機溶媒で膨潤した陽イオン交換膜を熱風
の中で処理する方法、ガラス板、テフロン板、スチレン
板などの平滑板にはさみ加熱する方法などがある。
加熱処理温度は40°Cないし150’Cの範囲である
が、好ましくは70℃ないし110°Cの範囲である。
加熱時間は使用する膜の種類によって異なるが5分ない
し30時間の範囲である。
好ましくは5時間ないし25時間である。
使用する膜は遊離の酸型であっても塩型であっても問題
はない。
次に調整したフルオロカーボン重合体膜に重合性モノマ
ーを必要に応じて架橋剤を含浸し、重合すればよい。
ここで含浸し、重合性モノマーとしては、たとえば、ス
チレンあるいはα−メチルスチレン、ヒドロキシメチル
スチレン、クロルスチレン、クロルメチルスチレンなど
のスチレン誘導体、アクリル酸あるいはその塩類又はエ
ステル類;メタアクリル酸あるいはその塩類又はエステ
ル類;マレイン酸あるいはその塩類又はエステル類;酢
酸ビニル;酢酸アリル;ビニルイソシアネート;フッ素
系モノマーとしてはたとえば (ただし、nは2ないし10の数である。
XはCN、COF、5o2F、C0OHなどである。
)などをあげることができるが、これらのみに制限され
るものではない。
上記した重合性モノマーを上記のように調整したフルオ
ロカーボン重合体膜Oこ含浸せしめたのち重合すればよ
い。
上記した単量体を単独で含浸して重合したのみでは重合
体が系外に溶は出す可能性のある場合には架橋剤を添加
すればよい。
架橋剤としては、ジビニルベンゼンあるいはブタジェン
等のジオレフィン系単量体の他にCH2−CH−CH=
CHの如OOH きブタジェン系カルボン酸、 CF2=CF−0−(CF2−CF2−0+n −CF
= CF2の如きフッ素系のジオレフィンを用いること
かできる。
上記した単量体、架橋剤として例えばジビニルベンゼン
の混合溶液を作成し、ラジカル開始剤として例えば過酸
化ベンゾイルをさらに添加したのち、上記の方法に従っ
て処理したフルオロカーボン重合体を浸漬または該膜に
塗布する。
含浸する温度は一20℃ないし100℃の範囲であるが
、好ましくは20℃ないし90°Cの範囲である。
浸漬時間は5分ないし50時間である。次に上記のよう
に浸漬または塗布した陽イオン交換膜を重合処理に対す
るのであるが、その場合の温度は40℃ないし、200
℃の範囲である。
好ましくは80℃ないし150℃の範囲である。
時間は5分ないし50時間である。
なお浸漬または塗布する場合は、メタノール、エタノー
ルのようなアルコール類、ジエチルエーテルのような脂
肪族エーテル類、テトラヒドロフラン、ジオキサンのよ
うな環状エーテルを必要に応じて使用できる。
浸漬または塗布せしめた重合体モノマーを重合する方法
は上記のラジカル重合の他に熱重合、ベンゾフェノン等
の増感剤を添加しての光重合、あるいはγ線、電子線な
どの高エネルギー放射線などの照射がある。
以下に本発明を実施例でもってさらに具体的に説明する
なお、膜の輸率は0.5 N NaOHと2.5N N
aOHの間で発生する膜電位をネルンストの式に適用し
て求めた。
膜抵抗は2.0 % Na OH中で2.5℃で100
0 c / sの交流ブリッジ法で測定した。
実施例 1 を通常の方法に従って共重し、成型し、加水分解して膜
を作成した。
この膜の膜抵抗は20QcWt、膜電位によるカチオン
輸率は82係であった。
このようにして得られた膜をエタノール中に室温下で一
昼夜浸漬させたのち、取り出しガラス板にはさみ85℃
で24時間加熱した。
処理した膜をスチレン−ジビニルベンゼン(60:40
)の混合液に25℃で120分浸漬した。
浸漬後、膜を取り出し、表面をきれいにふきとりガラス
板にはさみ80°Cで20時間加熱重合した。
得られた膜をエタノールに24時間浸漬し、乾燥するこ
とによって陽イオン交換膜とした。
この膜の抵抗は4、2 QcrA、膜電位によるキチオ
ン輸率は96.5%であった。
なお、未処理膜にスチレン−ジビニルベンゼン(60:
40)の混合液を含浸重合せしめた膜の抵抗は4.1
!2c4、カチオン輸率は92係であった。
また、上述の膜をベンゼン中に室温下で一昼夜浸漬させ
たのち取り出しガラス板にはさみ85℃で24時間加熱
した。
処理した膜をスチレン−ジビニルベンゼン(60:40
)の混合液に25℃で120分浸漬し、上述と同様に重
合した。
得られた膜の電気抵抗は4.1.2ffl、カチオン輸
率は92φであった。
実施例 2 実施例1で使用した膜を実施例1と同様の方法で処理し
た。
この処理した膜をp−ヒドロキシメチルスチレン3部、
ジビニルベンゼン97部の混合液に25℃で50分浸漬
した。
浸漬後、膜を取り出し、表面をきれいにふきとりガラス
板にはさみ80℃、20時間加熱重合した。
このようにして得られた膜をエタノールに24時間浸漬
、乾燥することによって陽イオン交換膜とした。
この膜の電気抵抗は3.3.QCI?t、カチオン輸率
は98饅であった。
なお、未処理膜に含浸、重合せしめた陽イオン交換膜の
電気抵抗は4.211crit、カチオン輸率96φで
あった。
実施例 3 実施例1で使用した膜をエタノール中で8時間リフラッ
クスしたのち、膜を取り出しガラス板にはさみ、85℃
、24時間加熱した。
処理した膜を実施例2と同様の方法で含浸、重合処理す
ることによって陽イオン交換膜とした。
陽イオン交換膜の電気抵抗は3.4 !2cr7t、カ
チオン輸率は98φであった。
実施例 4 実施例1で使用した膜を25℃で、クロロホルム中で2
4時間浸漬膨潤後、実施例1と同様にして85℃、24
時間加熱処理した。
この処理膜をジビニルベンゼンに25℃で、2時間浸漬
した。
浸漬後、膜を取り出し、表面をきれいにふきとりガラス
板にはさみ、80℃で20時間加熱重合した。
膜の電気抵抗は4.0 、Qcri、カチオン輸率は9
6係であった。
未処理膜への含浸、重合によって得た陽イオン交換膜の
電気抵抗は4.7f2crj、、カチオン輸率93咎で
あった。
実施例 5 陽イオン交換膜として市販されているduPont社製
Nafion” 315膜をメタノール中5時間リフラ
ックしたのち、85℃で24時間加熱処理した。
このように処理した膜をブタジェンニーカルボン酸のエ
ーテル溶液6wt%に25°Cで7時間浸漬した。
浸漬後、膜を取り出し、表面をきれいにふきとりガラス
板にはさみ80°Cで20時間加熱重合することによっ
て陽イオン交換膜とした。
得られた膜の電気抵抗は6. OQcrtt、カチオン
輸率は98%であった。
なお、未処理膜を使用した時は電気抵抗は6.88d、
カチオン輸率96.2%であった。
実施例6〜8 陽イオン交換膜を陽極室と陰極室とを仕切る隔膜として
有効面積30X30fflの電槽を構成し、陽極室には
3109/11の濃度の食塩水を毎時7418gの割合
で供給し、陰極室出口の苛性ソーダ濃度が20係となる
ように水を供給しながら180アンペアの電流を流しつ
つ電解した。
このとき取得される苛性ソーダ生成の電流効率は下記の
とおりであった。
実施例 陽イオン交換膜 電流効率(資)6
実施例1中の処理膜に 88 含浸、重合した膜 実施例1中の未処理膜 73 に含浸、重合した膜 7 実施例2中の処理膜に 95 含浸、重合した膜 実施例2中の未処理膜 90 に含浸、重合した膜 8 実施例5中の処理膜に 95 含浸、重合した膜 実施例5中の未処理膜 91 に含浸、重合した膜

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 スルホン酸基またはスルホン酸塩基を含む非架橋型
    均質フルオロカーボン重合体膜を、水に対する溶解度が
    室泥においてo、19/l OOgH20以上の有機溶
    媒で十分に膨潤させたのち加熱処理し、さらに重合性モ
    ノマーを必要に応じて架橋剤および/またはラジカル開
    始剤とともに含浸して重合することを特徴とする陽イオ
    ン交換膜の製法。 2 スルホン酸塩基が1価金属塩基あるいはアンモニウ
    ム塩基である特許請求の範囲第1項記載の製法。 3 加熱処理湿度40℃〜150°Cの範囲で行う特許
    請求の範囲第1項記載の製法。
JP51077908A 1976-07-02 1976-07-02 陽イオン交換膜の製法 Expired JPS5858365B2 (ja)

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