JPS5857190A - 薄膜ｅｌ表示装置の駆動回路 - Google Patents
薄膜ｅｌ表示装置の駆動回路Info
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- JPS5857190A JPS5857190A JP15714581A JP15714581A JPS5857190A JP S5857190 A JPS5857190 A JP S5857190A JP 15714581 A JP15714581 A JP 15714581A JP 15714581 A JP15714581 A JP 15714581A JP S5857190 A JPS5857190 A JP S5857190A
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- thin film
- voltage
- capacitor
- display device
- display
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- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
- Control Of El Displays (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は交流電界の印加に依ってＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒ。
Ｌｕｍ１ｎｅｓｃｅｎｃｅ）発光を呈する薄膜ＥＬ表示
装置の駆動回路に関するものである。
装置の駆動回路に関するものである。
従来、表示装置の表示体として用いられる薄膜ＥＬ素子
に関して、発光層に規則的に高い交流電界（１０’ Ｖ
／ｃｍ程度）を印加し、絶縁耐圧、発光効率及び動作の
安定性等を高めるために、０．１〜２．０ｗｔ％のＭｎ
（あるいはＣ１，、Ａｔ、 Ｂｒ等）をドープしだＺｎ
Ｓ、Ｚｎ５ｅ等の半導体発光層をＹ２Ｏ３，ＴｉＯ２等
の誘電体薄膜でサンドインチした三層構造ＺｎＳ：Ｍｎ
（又はＺｎ５ｅ ：Ｍｎ） Ｅ Ｌ素子が開発され、
発光緒特性の向上が確かめられている。この薄膜ＥＬ素
子は数ＫＨｚの交流電界印加によって高輝度発光し、し
かも長寿命であるという特徴を有している。
に関して、発光層に規則的に高い交流電界（１０’ Ｖ
／ｃｍ程度）を印加し、絶縁耐圧、発光効率及び動作の
安定性等を高めるために、０．１〜２．０ｗｔ％のＭｎ
（あるいはＣ１，、Ａｔ、 Ｂｒ等）をドープしだＺｎ
Ｓ、Ｚｎ５ｅ等の半導体発光層をＹ２Ｏ３，ＴｉＯ２等
の誘電体薄膜でサンドインチした三層構造ＺｎＳ：Ｍｎ
（又はＺｎ５ｅ ：Ｍｎ） Ｅ Ｌ素子が開発され、
発光緒特性の向上が確かめられている。この薄膜ＥＬ素
子は数ＫＨｚの交流電界印加によって高輝度発光し、し
かも長寿命であるという特徴を有している。
薄膜ＥＬ素子の１例としてＺｎＳ：Ｍｎ薄膜ＥＬ素子の
基本的構造を第１図に示す。
基本的構造を第１図に示す。
第１図に基いて薄膜ＥＬ素子の構造を具体的に説明する
と、ガラス基板Ｉ上にＩｎ２Ｏ３，５ｎ０２等の透明電
極２、さらにその上に積層してＹ ２０８ ｖＴｉ０２
．Ａｌ２０Ｂ、Ｓｉ３Ｎ４．５ｉ０２等からなる第１の
誘電体層３がスパッタあるいは電子ビーム蒸着法等によ
り重畳形成されている。っ第１の誘電体層３上にはＺｎ
Ｓ：Ｍｎ焼結ベレットを電子ビーム蒸着することにより
得られるＺｎＳ 発光層４が形成されている。この時
蒸着用のＺｎＳ：Ｍｎ焼結ペレットには活性物質となる
Ｍｎが目的に応じた濃度に設定されたペレットが使用さ
れる。ＺｎＳ 発光層４には第１の誘電体層３と同様の
材質から成る第２の誘電体層５が積層され、更にその上
にＡｔ等から成る背面電極６が蒸着形成されている。透
明電極２と背面電極６は交流電源７に接続され、薄膜Ｅ
Ｌ素子が駆動される。
と、ガラス基板Ｉ上にＩｎ２Ｏ３，５ｎ０２等の透明電
極２、さらにその上に積層してＹ ２０８ ｖＴｉ０２
．Ａｌ２０Ｂ、Ｓｉ３Ｎ４．５ｉ０２等からなる第１の
誘電体層３がスパッタあるいは電子ビーム蒸着法等によ
り重畳形成されている。っ第１の誘電体層３上にはＺｎ
Ｓ：Ｍｎ焼結ベレットを電子ビーム蒸着することにより
得られるＺｎＳ 発光層４が形成されている。この時
蒸着用のＺｎＳ：Ｍｎ焼結ペレットには活性物質となる
Ｍｎが目的に応じた濃度に設定されたペレットが使用さ
れる。ＺｎＳ 発光層４には第１の誘電体層３と同様の
材質から成る第２の誘電体層５が積層され、更にその上
にＡｔ等から成る背面電極６が蒸着形成されている。透
明電極２と背面電極６は交流電源７に接続され、薄膜Ｅ
Ｌ素子が駆動される。
電極２，６間にＡＣ電圧を印加すると、 ＺｎＳ発光層
４の両側の誘電体層３．５間に上記ＡＣ電圧が誘起され
ることになり、従ってＺｎＳ 発光層４内に発生した電
界によって伝導帯に励起されかつ加速されて充分なエネ
ルギーを得だ電子が、自由電子となって発光層界面へ誘
引され、この界面で蓄積されて内部分極を形成する。こ
の時に高速移動する自由電子が直接Ｍｎ発光センターを
励起し、励起されたＭｎ発光センターが基底状態に戻る
際に黄橙色の発光を行なう。即ち高い交流電界で加速さ
れた自由電子が発光層の界面から他方の界面へ移動する
過程でＺｎＳ 発光層４中の発光センターであるＺｎサ
イトに入ったＭｎ原子の電子をピークに幅広い波長領域
で、強いＥＬ発光を放射する。活性物質としてＭｎ以外
に希土類の弗化物を用いた場合にはこの希土類に特有の
緑色その他の発光色が得られる。
４の両側の誘電体層３．５間に上記ＡＣ電圧が誘起され
ることになり、従ってＺｎＳ 発光層４内に発生した電
界によって伝導帯に励起されかつ加速されて充分なエネ
ルギーを得だ電子が、自由電子となって発光層界面へ誘
引され、この界面で蓄積されて内部分極を形成する。こ
の時に高速移動する自由電子が直接Ｍｎ発光センターを
励起し、励起されたＭｎ発光センターが基底状態に戻る
際に黄橙色の発光を行なう。即ち高い交流電界で加速さ
れた自由電子が発光層の界面から他方の界面へ移動する
過程でＺｎＳ 発光層４中の発光センターであるＺｎサ
イトに入ったＭｎ原子の電子をピークに幅広い波長領域
で、強いＥＬ発光を放射する。活性物質としてＭｎ以外
に希土類の弗化物を用いた場合にはこの希土類に特有の
緑色その他の発光色が得られる。
上記の如き構造を有する薄膜ＥＬ素子はスペース・ファ
クタの利点を生かした平面薄型ディスプレイ・デバイス
として、文字及び図形を含むコンピューターの出力表示
端末機器その他種々の表示装置に文字、記号、静止画像
、動画像等の表示手段として利用することができる。っ 上記従来の薄膜ＥＬ素子は、これをコンデンサーの如き
動作を行なう容量性の素子と見ることができる。ところ
で、この薄膜ＥＬ素子は駆動電圧が２００ｖ程度と非常
に高くまたその容量も約６ ｎ Ｆ／ｃＪ程度と′大き
い値を呈する。このため発光表示駆動に於ける消費電力
を求めるに際し発光に関与する電力を省略し、単なるコ
ンデンサーへの充放電電力を消費電力量と見なしても実
際に消費される電力と大差はない。従って、上記薄膜Ｅ
Ｌ素子を単なるコンデンサーＣと考え電圧Ｖｏを１回充
放電するのに必要な電力量を求める。まず、従来から行
なわれている駆動方法に於ける充放電動作を簡略化して
第２図に示す。スイッチＳ２をＯＦＦ、スイッチＳ１を
ＯＮすることによって抵抗Ｒを通して容量Ｃを電圧Ｖｏ
で充電する場合、次式が成立する。
クタの利点を生かした平面薄型ディスプレイ・デバイス
として、文字及び図形を含むコンピューターの出力表示
端末機器その他種々の表示装置に文字、記号、静止画像
、動画像等の表示手段として利用することができる。っ 上記従来の薄膜ＥＬ素子は、これをコンデンサーの如き
動作を行なう容量性の素子と見ることができる。ところ
で、この薄膜ＥＬ素子は駆動電圧が２００ｖ程度と非常
に高くまたその容量も約６ ｎ Ｆ／ｃＪ程度と′大き
い値を呈する。このため発光表示駆動に於ける消費電力
を求めるに際し発光に関与する電力を省略し、単なるコ
ンデンサーへの充放電電力を消費電力量と見なしても実
際に消費される電力と大差はない。従って、上記薄膜Ｅ
Ｌ素子を単なるコンデンサーＣと考え電圧Ｖｏを１回充
放電するのに必要な電力量を求める。まず、従来から行
なわれている駆動方法に於ける充放電動作を簡略化して
第２図に示す。スイッチＳ２をＯＦＦ、スイッチＳ１を
ＯＮすることによって抵抗Ｒを通して容量Ｃを電圧Ｖｏ
で充電する場合、次式が成立する。
（１）式を電荷ｑで書き改めると
Ｒ−！！ｉ＋１ｑ＝Ｅ ・・・・・・・・
・（２）ｔ Ｃ となる。
・（２）ｔ Ｃ となる。
この式の一般解はよく知られているつく但し、１＝０に
おいてｑ＝Ｑと考える。） 即ち 一工 、 Ｍ Ｖ ＣＲ・・・・・・・・・（４）ｔ
Ｒ 抵抗Ｒおよび容量Ｃにおける電力量ＷＲ’＋ ＷＣは各
々次式から算出される０ Ｒ中で消費し残りｉが容量Ｃに蓄積されたことを示して
いる。また、容量Ｃに蓄積されたエネルギーはスイッチ
Ｓ１をＯＦＦ、スイッチＳ２をＯＮすることによって放
電される時抵抗Ｒで全て消費される。従って、従来の方
法において容量Ｃに電 。
おいてｑ＝Ｑと考える。） 即ち 一工 、 Ｍ Ｖ ＣＲ・・・・・・・・・（４）ｔ
Ｒ 抵抗Ｒおよび容量Ｃにおける電力量ＷＲ’＋ ＷＣは各
々次式から算出される０ Ｒ中で消費し残りｉが容量Ｃに蓄積されたことを示して
いる。また、容量Ｃに蓄積されたエネルギーはスイッチ
Ｓ１をＯＦＦ、スイッチＳ２をＯＮすることによって放
電される時抵抗Ｒで全て消費される。従って、従来の方
法において容量Ｃに電 。
圧Ｖｏを充放電するのに必要な消費電力は合計ＣＶｏ
となることは明らかである。
となることは明らかである。
第３図は従来の薄膜ＥＬ表示装置に於ける駆動回路の構
成を示す回路図である。また第４図は第３図に示す駆動
回路の各端子及び薄膜ＥＬ素子８に入力される電圧波形
図である。電源電圧ｖＯが供給されている駆動回路の各
端子ＩＮ１．ＩＮ２゜ＩＮＢ、１Ｎ４に第４図で示すタ
イミングでノ（ルス電圧を印加することによりトランジ
スタのベース電位が切換えられてスイッチングが行なわ
れ薄膜ＥＬ素子８には交番パルス電界が印加されてシー
ソー駆動されることになり、ＥＬ発光が得られる。即ち
、端子ＩＮＩ及びＴＮ４にパルスが印加されるとトラン
ジスタＴｒｌ及びＴｒ４が導通状態となり、トランジス
タＴｒ１より薄膜ＥＬ素子８を介してトランジスタＴｒ
４方向へ電流が流れ、薄膜ＥＬ素子８は充電状態となる
。次の期間で端子ＩＮ２のみにパルスを印加するとトラ
ンジスタＴｒ２が導通状態となり、薄膜ＥＬ素子８の電
荷は放電される。
成を示す回路図である。また第４図は第３図に示す駆動
回路の各端子及び薄膜ＥＬ素子８に入力される電圧波形
図である。電源電圧ｖＯが供給されている駆動回路の各
端子ＩＮ１．ＩＮ２゜ＩＮＢ、１Ｎ４に第４図で示すタ
イミングでノ（ルス電圧を印加することによりトランジ
スタのベース電位が切換えられてスイッチングが行なわ
れ薄膜ＥＬ素子８には交番パルス電界が印加されてシー
ソー駆動されることになり、ＥＬ発光が得られる。即ち
、端子ＩＮＩ及びＴＮ４にパルスが印加されるとトラン
ジスタＴｒｌ及びＴｒ４が導通状態となり、トランジス
タＴｒ１より薄膜ＥＬ素子８を介してトランジスタＴｒ
４方向へ電流が流れ、薄膜ＥＬ素子８は充電状態となる
。次の期間で端子ＩＮ２のみにパルスを印加するとトラ
ンジスタＴｒ２が導通状態となり、薄膜ＥＬ素子８の電
荷は放電される。
次に端子ＩＮ２及びＩＮ４にパルスが印加されるとトラ
ンジスタＴｒ２及びＴｒ３が導通状態となり、トランジ
スタＴｒＢより薄膜ＥＬ素子８を介してトランジスタＴ
ｒ２方向へ電流が流れ、薄膜ＥＬ素子８は上記とは逆極
性の充電状態となる。次の期間で端子ＩＮ４のみにパル
スを印加するとトランジスタＴｒ４が導通状態となり一
１薄膜ＥＬ素子８の電荷は放電される。
ンジスタＴｒ２及びＴｒ３が導通状態となり、トランジ
スタＴｒＢより薄膜ＥＬ素子８を介してトランジスタＴ
ｒ２方向へ電流が流れ、薄膜ＥＬ素子８は上記とは逆極
性の充電状態となる。次の期間で端子ＩＮ４のみにパル
スを印加するとトランジスタＴｒ４が導通状態となり一
１薄膜ＥＬ素子８の電荷は放電される。
上記パルス電圧の印加により薄膜ＥＬ素子８は交流駆動
され、ＥＬ発光パターンが得られる。
され、ＥＬ発光パターンが得られる。
本発明は技術的手段を駆使することにより表示駆動のた
めの上記消費電力を低減し得る新規有用な薄膜ＥＬ表示
装置の駆動方法を確立し、その駆動回路を提供すること
を目的とするものである。
めの上記消費電力を低減し得る新規有用な薄膜ＥＬ表示
装置の駆動方法を確立し、その駆動回路を提供すること
を目的とするものである。
第５図は本発明の基本的動作の１実施例を説明する回路
の簡略構成図である。以下、第５図に基いて説明する。
の簡略構成図である。以下、第５図に基いて説明する。
スイッチ５１ 、 Ｓ２をＯＦＦ、スイッチＳ３をＯＮ
とじ１電源ＫｖＯ（０〈Ｋ〈１）で抵抗Ｒを介し容量Ｃ
（薄膜ＥＬ素子）を充電する。次にスイッチＳ２＋ Ｓ
ａをＯＦＦ、スイッチＳｔをＯＮにし、電源Ｖｏで容量
Ｃを充電する。以後この充電方法をステップ駆動法と呼
ぶ。放電時においては従来の方法と同様スイッチＳ２の
みＯＮＬ放電する。
とじ１電源ＫｖＯ（０〈Ｋ〈１）で抵抗Ｒを介し容量Ｃ
（薄膜ＥＬ素子）を充電する。次にスイッチＳ２＋ Ｓ
ａをＯＦＦ、スイッチＳｔをＯＮにし、電源Ｖｏで容量
Ｃを充電する。以後この充電方法をステップ駆動法と呼
ぶ。放電時においては従来の方法と同様スイッチＳ２の
みＯＮＬ放電する。
次にこのステップ駆動法による充放電に必要な電力量を
求めると次の如くとなる。
求めると次の如くとなる。
電源ＫＶｏからの充電によって抵抗Ｒおよび容量Ｃにお
ける電力量は（７）式より次の値が求まる〇Ｗ’Ｒ＝
Ｗ’Ｃ＝ −Ｃ（ＫＶ Ｏ） ２−・−・−・（８１次
に電源Ｖｏから容量Ｃを充電する場合の電力量は（２）
式および１＝００ときｑｏ＝ＣＫＶ、−’ｉｆｌ’あル
ととなる。
ける電力量は（７）式より次の値が求まる〇Ｗ’Ｒ＝
Ｗ’Ｃ＝ −Ｃ（ＫＶ Ｏ） ２−・−・−・（８１次
に電源Ｖｏから容量Ｃを充電する場合の電力量は（２）
式および１＝００ときｑｏ＝ＣＫＶ、−’ｉｆｌ’あル
ととなる。
ｔ−＋（１）において（９）式（ｌＯ）式は次の値を示
す。
す。
憾＝１（： （１−Ｋ）”Ｖ♂ ・・・
・・・・・・（川４＝ｃ（ｘ−Ｋ）Ｖ♂−±Ｃ（１−Ｋ
）２Ｖ♂、、（１２）従ってステップ駆動法による充電
時の抵抗Ｒ１容量Ｃにおける電力量の各々の合計ＷＲ８
＋ ｗｃｓ は（８）式（用式（１匂式より次の値を示
す。
・・・・・・（川４＝ｃ（ｘ−Ｋ）Ｖ♂−±Ｃ（１−Ｋ
）２Ｖ♂、、（１２）従ってステップ駆動法による充電
時の抵抗Ｒ１容量Ｃにおける電力量の各々の合計ＷＲ８
＋ ｗｃｓ は（８）式（用式（１匂式より次の値を示
す。
ｗＲｓ ＝±ＣＫ２ｖｏ２＋±Ｃ（１−Ｋ ）２Ｖ ｏ
２−・・−Ｑ３！２ １ ２ ・・・・・・・・・（１４
）Ｗｃｓ＝７ｃｖＯ なお、θ４）式で示される容量Ｃに蓄積されたエネルギ
ーは放電時に抵抗Ｒで全て消費される。従って、ステッ
プ駆動法において容量Ｃに電圧ｖＯを充放電するのに必
要な消費電力ＷＳはＱ□□□式（＋４）式より次の値を
とるＯ Ｗ８ ＝ ＷＢ２ ＋ ＷＯ２ ０荀式の消費電力Ｗ３とパラメータにとの関係を第６図
に示す。
２−・・−Ｑ３！２ １ ２ ・・・・・・・・・（１４
）Ｗｃｓ＝７ｃｖＯ なお、θ４）式で示される容量Ｃに蓄積されたエネルギ
ーは放電時に抵抗Ｒで全て消費される。従って、ステッ
プ駆動法において容量Ｃに電圧ｖＯを充放電するのに必
要な消費電力ＷＳはＱ□□□式（＋４）式より次の値を
とるＯ Ｗ８ ＝ ＷＢ２ ＋ ＷＯ２ ０荀式の消費電力Ｗ３とパラメータにとの関係を第６図
に示す。
図中の一点鎖線Ｐ１は従来の駆動法であり、曲線Ｐ２ａ
本実施例のステップ駆動法に対応する。
本実施例のステップ駆動法に対応する。
第６図から明らかなようにＫ ＝２では消費電力Ｗｓは
最小値をとり、従来の方法と比較して消費電力は１にな
ることが分る。
最小値をとり、従来の方法と比較して消費電力は１にな
ることが分る。
またステップ駆動法により薄膜ＥＬ表示装置を駆動した
場合上記原理とよく一致する実験的結果を得ている。
場合上記原理とよく一致する実験的結果を得ている。
ところで上記ステップ駆動法においても薄膜ＥＬ表示装
置に蓄積された電気量ＷＣ及びＷＯ２は放電時に抵抗Ｒ
ですべて消費される、 本発明はこの点に関し、薄膜ＥＬ素子に蓄積された電荷
の一部を保存し、消費電力をより一層低減化し得る駆動
回路を構成したものであり、以下実施例に従って図面を
参照しながら詳説する。
置に蓄積された電気量ＷＣ及びＷＯ２は放電時に抵抗Ｒ
ですべて消費される、 本発明はこの点に関し、薄膜ＥＬ素子に蓄積された電荷
の一部を保存し、消費電力をより一層低減化し得る駆動
回路を構成したものであり、以下実施例に従って図面を
参照しながら詳説する。
第７図は本発明の１実施例を示す駆動回路の構成図であ
る。第８図は第７図に示す駆動回路に於けるタイミング
チャートを示す電圧波形図である。
る。第８図は第７図に示す駆動回路に於けるタイミング
チャートを示す電圧波形図である。
端子ＩＮＩ’、ＩＮ２’、ＩＮＫ’及びＩＮ４’には第
４図同様にパルス電圧が印加される。ステップ駆動法は
端子ＩＮ５に印加されるパルスによって行なわれ、薄膜
ＥＬ素子１０に印加される駆動パルスの立ち上りは端子
ＩＮ５に印加されるパルスの立ち上りに同期して２段階
に上昇する。即ち、充電時にはトランジスタ１２．１５
及びトランジスタ１４゜夏３を各端子ＩＮ１′、ＩＮ２
′、ＩＮ３′、ｌＮ４′に入力される入力信号によって
交互にＯＮＬ、薄膜ＥＬ素子０ １０に電圧■を印加する。次にトランジスタ１７を端子
ＩＮ５に印加される入力信号によってＯＮＯ し、コンデンサ１１を用いて■電圧に引き上げ薄膜ＥＬ
素子１０に電圧Ｖｏを印加する。ここでコ■０ ／ダンサ１１は電源子からトランジスタ１６により前も
って充電されている。また薄膜ＥＬ素子ＩＯとコンデン
サ１１の容量を各々ｃＥ１．．ｃとすると、次に放電時
の動作について説明する。端子ＩＮ６゜に入力される入
力信号によってトランジスタ１６をＯＮすると、ダイオ
ード２１又は１９、薄膜ＥＬ素子１０、ダイオード１８
又は２０、コンデンサ１１及びトランジスタ１６を介し
て放電回路が形成され、コンデンサ１１及び薄膜ＥＬ素
子１０の電位が等しくなるまで放電電流が流れる。この
為コンデンサ１１に薄膜ＥＬ素子１０から電荷が戻きれ
ることになる。コンデンサ１１に蓄積された電荷は次の
逆極性の電圧Ｖｏを印加する際に再び使用する。
４図同様にパルス電圧が印加される。ステップ駆動法は
端子ＩＮ５に印加されるパルスによって行なわれ、薄膜
ＥＬ素子１０に印加される駆動パルスの立ち上りは端子
ＩＮ５に印加されるパルスの立ち上りに同期して２段階
に上昇する。即ち、充電時にはトランジスタ１２．１５
及びトランジスタ１４゜夏３を各端子ＩＮ１′、ＩＮ２
′、ＩＮ３′、ｌＮ４′に入力される入力信号によって
交互にＯＮＬ、薄膜ＥＬ素子０ １０に電圧■を印加する。次にトランジスタ１７を端子
ＩＮ５に印加される入力信号によってＯＮＯ し、コンデンサ１１を用いて■電圧に引き上げ薄膜ＥＬ
素子１０に電圧Ｖｏを印加する。ここでコ■０ ／ダンサ１１は電源子からトランジスタ１６により前も
って充電されている。また薄膜ＥＬ素子ＩＯとコンデン
サ１１の容量を各々ｃＥ１．．ｃとすると、次に放電時
の動作について説明する。端子ＩＮ６゜に入力される入
力信号によってトランジスタ１６をＯＮすると、ダイオ
ード２１又は１９、薄膜ＥＬ素子１０、ダイオード１８
又は２０、コンデンサ１１及びトランジスタ１６を介し
て放電回路が形成され、コンデンサ１１及び薄膜ＥＬ素
子１０の電位が等しくなるまで放電電流が流れる。この
為コンデンサ１１に薄膜ＥＬ素子１０から電荷が戻きれ
ることになる。コンデンサ１１に蓄積された電荷は次の
逆極性の電圧Ｖｏを印加する際に再び使用する。
次に端子Ｉ Ｎ ２’又はＩ Ｎ ４’に入力される入
力信号によってトランジスタ１３又は１５がＯＮｔ、薄
膜ＥＬ素子１０の両端電圧が零になるまで放電し、１パ
ルスの印加過程を終了する。以上詳説した如く、本発明
は放電時に消費される電力の一部を保存し、消費電力を
低減化できる駆動回路を構成したものであり、薄膜ＥＬ
表示装置の駆動回路として非常に有効な技術である。な
お本発明は容量性を利用したものであり、ヒステリシス
メモリ機能をもつ三層構造ＥＬ素子発光層−絶縁層から
成る二層構造ＥＬ素子等すべての容量性発光素子に適用
することができる。
力信号によってトランジスタ１３又は１５がＯＮｔ、薄
膜ＥＬ素子１０の両端電圧が零になるまで放電し、１パ
ルスの印加過程を終了する。以上詳説した如く、本発明
は放電時に消費される電力の一部を保存し、消費電力を
低減化できる駆動回路を構成したものであり、薄膜ＥＬ
表示装置の駆動回路として非常に有効な技術である。な
お本発明は容量性を利用したものであり、ヒステリシス
メモリ機能をもつ三層構造ＥＬ素子発光層−絶縁層から
成る二層構造ＥＬ素子等すべての容量性発光素子に適用
することができる。
第１図は薄膜ＥＬ素子の基本的構造を示す構成図である
。 第２図は従来の駆動方法に於ける充放電動作を説明する
説明図である。 第８図は従来の薄膜ＥＬ表示装置に於ける駆動回路の構
成を示す回路図である。第４図は第３図に示す駆動回路
に入力される電圧波形を示すタイミング波形図である。 第５図はステップ駆動法の基本的動作を説明する回路の
簡略構成図である。 第６図は従来の駆動法とステップ駆動法に於ける消費電
力を比較して説明する説明図である。 第７図は本発明の１実施例を示す薄膜ＥＬ表示装置の駆
動回路の構成図である。第８図は第７図に入力される電
圧波形のタイミング波形図である。 ＩＯ・・・薄膜ＥＬ素子、１１・・・コンデンサ、１２
゜１３．１４，１５．１６・・・トランジスタ、１８．
１９゜２０．２１・・・ダイオード、ｌＮ１′、ｌＮ２
−ｌＮ３′、ｌＮ４′。 ｌＮ５．ｌＮ６・・・端子、 代理人 弁理士 福 士 愛 彦 第１！！１ Ｐ 第２（！Ｉ Ｗ、３図 ｏ＋ −１ｒ 普 Ｉ
。 第２図は従来の駆動方法に於ける充放電動作を説明する
説明図である。 第８図は従来の薄膜ＥＬ表示装置に於ける駆動回路の構
成を示す回路図である。第４図は第３図に示す駆動回路
に入力される電圧波形を示すタイミング波形図である。 第５図はステップ駆動法の基本的動作を説明する回路の
簡略構成図である。 第６図は従来の駆動法とステップ駆動法に於ける消費電
力を比較して説明する説明図である。 第７図は本発明の１実施例を示す薄膜ＥＬ表示装置の駆
動回路の構成図である。第８図は第７図に入力される電
圧波形のタイミング波形図である。 ＩＯ・・・薄膜ＥＬ素子、１１・・・コンデンサ、１２
゜１３．１４，１５．１６・・・トランジスタ、１８．
１９゜２０．２１・・・ダイオード、ｌＮ１′、ｌＮ２
−ｌＮ３′、ｌＮ４′。 ｌＮ５．ｌＮ６・・・端子、 代理人 弁理士 福 士 愛 彦 第１！！１ Ｐ 第２（！Ｉ Ｗ、３図 ｏ＋ −１ｒ 普 Ｉ
Claims (1)
- １、電圧の印加に応答してＥＬ発光を呈する薄膜ＥＬ表
示装置の駆動回路に於いて、ＥＬ発光を得る駆動電圧値
Ｖ（、のに倍（０＜Ｋ＜１）の値を有するＫＶ、の電圧
値を有する電源より前記薄膜ＥＬ表示装置へ電源電圧と
該電源電圧の充電電荷が電源電圧に付加された重畳電圧
を継続してステップ状に印加するスイッチ回路と前記薄
膜ＥＬ表示装置の放電電荷を前記スイッチ回路へ蓄積す
る放電回路を構成したことを特徴とする薄膜ＥＬ表示装
置の駆動回路。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15714581A JPS5857190A (ja) | 1981-09-30 | 1981-09-30 | 薄膜ｅｌ表示装置の駆動回路 |
| US06/412,377 US4594589A (en) | 1981-08-31 | 1982-08-27 | Method and circuit for driving electroluminescent display panels with a stepwise driving voltage |
| DE19823232389 DE3232389A1 (de) | 1981-08-31 | 1982-08-31 | Verfahren und treiberschaltung zum erregen von duennschicht-elektrolumineszenz-anzeigetafeln |
| GB08224801A GB2105085B (en) | 1981-08-31 | 1982-08-31 | Drive for thin-film electroluminescent display panel |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15714581A JPS5857190A (ja) | 1981-09-30 | 1981-09-30 | 薄膜ｅｌ表示装置の駆動回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5857190A true JPS5857190A (ja) | 1983-04-05 |
| JPS645318B2 JPS645318B2 (ja) | 1989-01-30 |
Family
ID=15643160
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15714581A Granted JPS5857190A (ja) | 1981-08-31 | 1981-09-30 | 薄膜ｅｌ表示装置の駆動回路 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5857190A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US6568619B1 (en) | 1998-11-12 | 2003-05-27 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Reel of magnetic tape cartridge |
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Citations (3)
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1981
- 1981-09-30 JP JP15714581A patent/JPS5857190A/ja active Granted
Patent Citations (3)
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS645318B2 (ja) | 1989-01-30 |
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