JPH02213089A - 薄膜el素子の構造 - Google Patents
薄膜el素子の構造Info
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- JPH02213089A JPH02213089A JP1032685A JP3268589A JPH02213089A JP H02213089 A JPH02213089 A JP H02213089A JP 1032685 A JP1032685 A JP 1032685A JP 3268589 A JP3268589 A JP 3268589A JP H02213089 A JPH02213089 A JP H02213089A
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- 238000010276 construction Methods 0.000 title abstract 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
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- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(イ)産業上の利用分野
この発明は、薄膜EL素子の構造に関する。
(ロ)従来技術・発明が解決しようと1°る問題点従来
の薄膜EL素子の構造としては、例えば、第3図に示す
ように構成したものが知られている。
の薄膜EL素子の構造としては、例えば、第3図に示す
ように構成したものが知られている。
第3図の薄膜発光素子は、ガラス基板1の上に第1の電
極(透明電極)2をスパッタ等で膜形成して電極パター
ンを構成し、次で、第1の絶縁層3を形成している。さ
らに、この第1の絶縁層3の上にZnS:Mn(ft化
亜鉛)等からなる発光層4を蒸着またはスパッタ等で形
成した後、真空中熱処理を施し、第2の絶縁層5をスパ
ッタ等で形成する。そして、この第2の絶縁層5の上に
第2の電極(背面電極)6を形成したものである。
極(透明電極)2をスパッタ等で膜形成して電極パター
ンを構成し、次で、第1の絶縁層3を形成している。さ
らに、この第1の絶縁層3の上にZnS:Mn(ft化
亜鉛)等からなる発光層4を蒸着またはスパッタ等で形
成した後、真空中熱処理を施し、第2の絶縁層5をスパ
ッタ等で形成する。そして、この第2の絶縁層5の上に
第2の電極(背面電極)6を形成したものである。
また、このように構成された第3図の薄膜EL素子は、
第1の電極2と第2の電V)6にそれぞわ駆動用の電源
Va、υbが接続され、第1の電極2と第2の電極6と
にそれぞれ印加される電圧に応答して発光層4が発光を
行うものである。
第1の電極2と第2の電V)6にそれぞわ駆動用の電源
Va、υbが接続され、第1の電極2と第2の電極6と
にそれぞれ印加される電圧に応答して発光層4が発光を
行うものである。
第4図は薄膜EL素子が発光状態の電源υa。
υbの波形を示し、tlの時点では、第2の電極6に尖
頭値Vt、(V)電圧が印加され、結果として、第1の
電極2と第2の電極6とに交流電圧υCが印加されるこ
とを示している。
頭値Vt、(V)電圧が印加され、結果として、第1の
電極2と第2の電極6とに交流電圧υCが印加されるこ
とを示している。
第5図は薄膜EL素子が非発光状態の各電源υa、υト
の波形を示し、電源υbはO■に保たれているので、結
果として、第1の電極2と第2の電極6とに第5図に示
す交流電圧υCが印加されるから薄膜EL素子は発光し
ない。
の波形を示し、電源υbはO■に保たれているので、結
果として、第1の電極2と第2の電極6とに第5図に示
す交流電圧υCが印加されるから薄膜EL素子は発光し
ない。
′s6図も薄膜EL素子が非発光の状態の各電源zta
、 vbの波形を示し、電源υbの尖頭値は発光状態
の尖頭値のV L(V)の約半分であるため、結果とし
て、第1の電極2と第2の電極6とに第6図に示す交流
電圧υCが印加され、したがって、発光層4は発光しな
い。
、 vbの波形を示し、電源υbの尖頭値は発光状態
の尖頭値のV L(V)の約半分であるため、結果とし
て、第1の電極2と第2の電極6とに第6図に示す交流
電圧υCが印加され、したがって、発光層4は発光しな
い。
しかし、上記した従来のものにおいては、高圧のドライ
ブ回路が必要であり、特に、第5図の波形の電圧を第1
の電極2と第2の電8i6との間に加えたときには薄膜
EL素子に絶縁破壊が起きて素子の信頼性を低下させる
こともあり、また、第6図の波形の電圧を第1の電極2
と第2の電極6との間に加えるためには複雑な駆動回路
が必要になるという欠点があった。
ブ回路が必要であり、特に、第5図の波形の電圧を第1
の電極2と第2の電8i6との間に加えたときには薄膜
EL素子に絶縁破壊が起きて素子の信頼性を低下させる
こともあり、また、第6図の波形の電圧を第1の電極2
と第2の電極6との間に加えるためには複雑な駆動回路
が必要になるという欠点があった。
この発明は上記した点に鑑みてなされたものであり、そ
の目的とするところは、低い制御電圧で薄膜EL素子の
発光・非発光を制御可能にした薄膜EL素子の構造を提
供することにある。
の目的とするところは、低い制御電圧で薄膜EL素子の
発光・非発光を制御可能にした薄膜EL素子の構造を提
供することにある。
(ハ)問題を解決するための手段
この発明の薄膜EL素子の構造は、透明電極と背面電極
と発光層からなる薄膜EL素子において、この薄膜EL
素子の発光・非発光を制御するための制御電極を設けた
ものである。
と発光層からなる薄膜EL素子において、この薄膜EL
素子の発光・非発光を制御するための制御電極を設けた
ものである。
(ニ)作用
この発明によれば、透明電極と背面電極と発光層からな
る薄膜EL素子において、この薄膜EL素子の発光・非
発光を制御するための制御電極を設けたので、素子の信
頼性を低下させることなく、シかも、複雑な駆動回路を
用いることなく、薄1iEL素子の発光・非発光を制御
することができる。
る薄膜EL素子において、この薄膜EL素子の発光・非
発光を制御するための制御電極を設けたので、素子の信
頼性を低下させることなく、シかも、複雑な駆動回路を
用いることなく、薄1iEL素子の発光・非発光を制御
することができる。
(ホ)実施例
この発明の薄膜EL素子の構造の実施例を第1図及び第
2図に基づき説明する。
2図に基づき説明する。
なお、従来例と同一部分には同一符号を付してその説明
を省略する。
を省略する。
図中、7は第2の絶縁層5上に設けた制御電極、8は第
2の絶縁層5上に設けた第3の絶縁層である。
2の絶縁層5上に設けた第3の絶縁層である。
そして、第1の絶縁層3と発光層4と第2の絶縁層5と
第3の絶縁層8の膜厚は、第1の電極2と第2の電極6
との間に直流の電圧VL(V)を加えたとき、第1の電
極2と制御電圧7との電位差をV I(V)、 制#4
極7と第2の電8i6との電位差をV 2(V)とした
場合、 Vl(V)>V2(V)となるようにそれぞれ
設定している。
第3の絶縁層8の膜厚は、第1の電極2と第2の電極6
との間に直流の電圧VL(V)を加えたとき、第1の電
極2と制御電圧7との電位差をV I(V)、 制#4
極7と第2の電8i6との電位差をV 2(V)とした
場合、 Vl(V)>V2(V)となるようにそれぞれ
設定している。
このように構成した薄膜EL素子において、発光層4を
発光させるために、第4図に示した波形の電源υaを第
2の電極6とアース間に印加し、更に、第4図に示した
波形の電源vbを第1の電極2とアース間に印加する。
発光させるために、第4図に示した波形の電源υaを第
2の電極6とアース間に印加し、更に、第4図に示した
波形の電源vbを第1の電極2とアース間に印加する。
そして、第1の電極2にVL(V)、第2の電極6に0
〔v〕がそれぞれ印加されたときの制御電極7の電位を
VSI(V)とし、また、第1の電極2に: 0(V)
、第2の電極6kmV (V)をそれぞれ印加した
ときの制御’を極フの電位をVS2(V)とすれば、制
御電極7の電位はQ(V)。
〔v〕がそれぞれ印加されたときの制御電極7の電位を
VSI(V)とし、また、第1の電極2に: 0(V)
、第2の電極6kmV (V)をそれぞれ印加した
ときの制御’を極フの電位をVS2(V)とすれば、制
御電極7の電位はQ(V)。
Vl(V)、 V2(V)の値をとりながら変動しテ
イル(VSI (V ) < VS2 (V ) )。
イル(VSI (V ) < VS2 (V ) )。
この状態において、制御電極7とアース間に低圧駆動回
路9を介してVK(V)の電圧を印加する。
路9を介してVK(V)の電圧を印加する。
第2図は制御電極7に電圧 ■に(V)を印加したとき
の制御電極7と第1の電極2間の電圧波形を示した図で
ある。電源υbが0(V)からvL(V)まで変化する
ので2素子間の電圧は−vK(V)からV L V
K(V)まで変化する。
の制御電極7と第1の電極2間の電圧波形を示した図で
ある。電源υbが0(V)からvL(V)まで変化する
ので2素子間の電圧は−vK(V)からV L V
K(V)まで変化する。
しかし、第4図に示すような電圧υCとならないので発
光層4は発光しない。
光層4は発光しない。
勿論、 VK(V)、または、 VL−VK(V)の電
圧が2素子間に印加されても2発光層4がわずかでも発
光しないようにVK(V)を選択しなければならない。
圧が2素子間に印加されても2発光層4がわずかでも発
光しないようにVK(V)を選択しなければならない。
制御電極7に印加される電圧VK(V)はO乃至VL(
V)の値をとることが可能であるが、薄膜EL素子の信
頼性を低下させないために、VSI(V)乃至VS2
(V )の値が適当である。
V)の値をとることが可能であるが、薄膜EL素子の信
頼性を低下させないために、VSI(V)乃至VS2
(V )の値が適当である。
このように、この発明の薄11iE L素子の構造は、
薄l1lEL素子の発光、非発光を制御するための制御
電極を設け、この制御電極をフローティングすることに
より発光状態にし、また、電源υa、υbの尖頭電圧’
/ L(V)より低い電圧V&(V)をilJ御電極電
極7加することにより、薄膜EL素子を非発光状態に制
御するように構成したものである。
薄l1lEL素子の発光、非発光を制御するための制御
電極を設け、この制御電極をフローティングすることに
より発光状態にし、また、電源υa、υbの尖頭電圧’
/ L(V)より低い電圧V&(V)をilJ御電極電
極7加することにより、薄膜EL素子を非発光状態に制
御するように構成したものである。
(へ)発明の効果
この発明の薄膜EL素子の構造によりば上述のように構
成したので、素子の信頼性を低下させることなく、しか
も、複雑な駆動回路を用いることなく薄膜EL素子の発
光・非発光を制御することができる。
成したので、素子の信頼性を低下させることなく、しか
も、複雑な駆動回路を用いることなく薄膜EL素子の発
光・非発光を制御することができる。
第1図及び第2図はこの発明に係る薄膜EL素子の構造
の実施例を示し、第1図は断面図、第2図は非発光状態
の制御電極と第1の電極間に印加される電圧の波形図で
ある。 第3図乃至第6図は従来の実施例を示し、第3図は従来
の断面図、第4図は発光状態の電源及び第1の電極と第
2の電極間に印加される電圧の波形図、第5図及び第6
図は非発光状態の電源及び第1の電極と第2の電極間に
印加される電圧の波形図である。 主要部分の符号の説明 1ニガラス基板 2:第1の電極 3:第1の絶縁層 4:発光層 5;第2の絶縁層 6:第2の電極 7:制御電極 8:第3の絶縁層 9:低圧駆動回路 υa、υb=電源
の実施例を示し、第1図は断面図、第2図は非発光状態
の制御電極と第1の電極間に印加される電圧の波形図で
ある。 第3図乃至第6図は従来の実施例を示し、第3図は従来
の断面図、第4図は発光状態の電源及び第1の電極と第
2の電極間に印加される電圧の波形図、第5図及び第6
図は非発光状態の電源及び第1の電極と第2の電極間に
印加される電圧の波形図である。 主要部分の符号の説明 1ニガラス基板 2:第1の電極 3:第1の絶縁層 4:発光層 5;第2の絶縁層 6:第2の電極 7:制御電極 8:第3の絶縁層 9:低圧駆動回路 υa、υb=電源
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 透明電極と背面電極と発光層からなる薄膜EL素子に
おいて、 この薄膜EL素子の発光・非発光を制御するための制
御電極を設けたことを特徴とする薄膜EL素子の構造。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1032685A JPH02213089A (ja) | 1989-02-14 | 1989-02-14 | 薄膜el素子の構造 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1032685A JPH02213089A (ja) | 1989-02-14 | 1989-02-14 | 薄膜el素子の構造 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02213089A true JPH02213089A (ja) | 1990-08-24 |
Family
ID=12365729
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1032685A Pending JPH02213089A (ja) | 1989-02-14 | 1989-02-14 | 薄膜el素子の構造 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02213089A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1997035456A1 (fr) * | 1996-03-15 | 1997-09-25 | Hitachi, Ltd. | Element electroluminescent a couches minces et element d'affichage et dispositif d'affichage l'utilisant |
KR100406780B1 (ko) * | 1996-09-20 | 2004-02-14 | 삼성에스디아이 주식회사 | 면 광원장치 |
-
1989
- 1989-02-14 JP JP1032685A patent/JPH02213089A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1997035456A1 (fr) * | 1996-03-15 | 1997-09-25 | Hitachi, Ltd. | Element electroluminescent a couches minces et element d'affichage et dispositif d'affichage l'utilisant |
KR100406780B1 (ko) * | 1996-09-20 | 2004-02-14 | 삼성에스디아이 주식회사 | 면 광원장치 |
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