JPH053082A - エレクトロルミネツセント素子および光感応装置 - Google Patents
エレクトロルミネツセント素子および光感応装置Info
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- JPH053082A JPH053082A JP3180284A JP18028491A JPH053082A JP H053082 A JPH053082 A JP H053082A JP 3180284 A JP3180284 A JP 3180284A JP 18028491 A JP18028491 A JP 18028491A JP H053082 A JPH053082 A JP H053082A
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- electroluminescent element
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Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 エレクトロルミネセント（ＥＬ）素子１２
と、該素子１２に対して光照射を行う光源１４とを備え
ている。ＥＬ素子１２は、その発光層１８に接近して、
ナローバンドギャップの電子供給層３２を設けるととも
に、十分な輝度による発光を行う直前の大きさの電圧Ｖ
ｓを印加している。光源１４は、前記したＥＬ素子１２
中の電子供給層３２を励起可能な特定波長の光３０を発
生可能としている。 【効果】 光３０の照射と連動して、ＥＬ素子１２の発
光時期を容易に制御することができる。
と、該素子１２に対して光照射を行う光源１４とを備え
ている。ＥＬ素子１２は、その発光層１８に接近して、
ナローバンドギャップの電子供給層３２を設けるととも
に、十分な輝度による発光を行う直前の大きさの電圧Ｖ
ｓを印加している。光源１４は、前記したＥＬ素子１２
中の電子供給層３２を励起可能な特定波長の光３０を発
生可能としている。 【効果】 光３０の照射と連動して、ＥＬ素子１２の発
光時期を容易に制御することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、特定波長の光に反応
して発光するエレクトロルミネッセント素子（以下「Ｅ
Ｌ素子」という）、及び該ＥＬ素子を用いた光感応装置
に関する。
して発光するエレクトロルミネッセント素子（以下「Ｅ
Ｌ素子」という）、及び該ＥＬ素子を用いた光感応装置
に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のＥＬ素子は、その電極に印加する
電圧の大小に対応して発光輝度を変化可能としたものが
一般的であった。また、ＥＬ素子に交番状の閾値電圧を
印加した状態で外部光を入力すると、所定の発光を開始
することも知られている。
電圧の大小に対応して発光輝度を変化可能としたものが
一般的であった。また、ＥＬ素子に交番状の閾値電圧を
印加した状態で外部光を入力すると、所定の発光を開始
することも知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】一方、光情報処理回路
の研究が進むにつれて、光入力に反応して所定の論理処
理動作を行う光素子の開発が望まれているが、上記した
様に単に光を入力するだけでは、閾値として高い電圧を
必要とするなど取り扱いが難しい。
の研究が進むにつれて、光入力に反応して所定の論理処
理動作を行う光素子の開発が望まれているが、上記した
様に単に光を入力するだけでは、閾値として高い電圧を
必要とするなど取り扱いが難しい。
【０００４】かかる要望に対し、本発明者等は、従来と
略同様な構成のＥＬ素子における発光層に接近してナロ
ーバンドギャップの薄膜層を設けることにより、該薄膜
層のバンドギャップに対応した特定波長の光源との組み
合わせで、容易に光回路を構成できることを知見した。
略同様な構成のＥＬ素子における発光層に接近してナロ
ーバンドギャップの薄膜層を設けることにより、該薄膜
層のバンドギャップに対応した特定波長の光源との組み
合わせで、容易に光回路を構成できることを知見した。
【０００５】本発明は上記した知見に基づいてなされた
ものであって、比較的簡単な構成で、発光開始電圧を下
げることができるＥＬ素子を提供することを目的とす
る。本発明は更に、かかるＥＬ素子を用いた光感応装置
を提供することを目的とする。
ものであって、比較的簡単な構成で、発光開始電圧を下
げることができるＥＬ素子を提供することを目的とす
る。本発明は更に、かかるＥＬ素子を用いた光感応装置
を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明にかかるＥＬ素子
１２は、図１にその全体的な構成を示す如く、従来と略
同様な構成のＥＬ素子における発光層１８に接近して、
ナローバンドギャップの電子供給層３２を設けたことを
特徴とする。
１２は、図１にその全体的な構成を示す如く、従来と略
同様な構成のＥＬ素子における発光層１８に接近して、
ナローバンドギャップの電子供給層３２を設けたことを
特徴とする。
【０００７】上記した電子供給層３２としては、Ｇｅ、
Ｓｉ、ＳｉＣ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＣｄＳ、ＣｄＴ
ｅ、ＣｄＳｅから選ばれる単層、若しくはＣｄＳとＣｄ
Ｔｅの積層から構成することが可能であり、またその膜
厚を、５〜１００Ａの範囲に設定することが好ましい。
Ｓｉ、ＳｉＣ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＣｄＳ、ＣｄＴ
ｅ、ＣｄＳｅから選ばれる単層、若しくはＣｄＳとＣｄ
Ｔｅの積層から構成することが可能であり、またその膜
厚を、５〜１００Ａの範囲に設定することが好ましい。
【０００８】また光感応装置１０は、上記したＥＬ素子
１２と、該ＥＬ素子１２の電子供給層３２を励起可能な
特定波長の光３０を発生する光源１４とを備えている。
更にＥＬ素子１２には、それ単独で十分な輝度による発
光を可能とする電圧より稍小さい電圧Ｖｓを印加する様
にしている。
１２と、該ＥＬ素子１２の電子供給層３２を励起可能な
特定波長の光３０を発生する光源１４とを備えている。
更にＥＬ素子１２には、それ単独で十分な輝度による発
光を可能とする電圧より稍小さい電圧Ｖｓを印加する様
にしている。
【０００９】
【作用】上記した構成により、ＥＬ素子１２に対して光
３０を照射した場合、その光３０の波長がＥＬ素子１２
における電子供給層３２のバンドギャップに対応した特
定波長であると、その電子供給層３２は励起イオン化さ
れて電極２０・２２間で電子を発生する。
３０を照射した場合、その光３０の波長がＥＬ素子１２
における電子供給層３２のバンドギャップに対応した特
定波長であると、その電子供給層３２は励起イオン化さ
れて電極２０・２２間で電子を発生する。
【００１０】従って、光を何ら照射しない状態で電極２
０・２２間の電圧を上昇しながら発光輝度との関係を求
めると、図２の一点鎖線の様になるが、上記した特定波
長の光３０を照射した状態で印加電圧を変化すると、電
子供給層３２から発生される電子が発光開始電圧の閾値
を下げ、実線で示す様に低い印加電圧でＥＬ素子１２は
発光を開始するのである。
０・２２間の電圧を上昇しながら発光輝度との関係を求
めると、図２の一点鎖線の様になるが、上記した特定波
長の光３０を照射した状態で印加電圧を変化すると、電
子供給層３２から発生される電子が発光開始電圧の閾値
を下げ、実線で示す様に低い印加電圧でＥＬ素子１２は
発光を開始するのである。
【００１１】一方、図２の一点鎖線で示す輝度曲線にお
いて、発光を開始する付近の電圧ＶｓをＥＬ素子１２に
対して印加した状態で特定波長の光３０を発生する光源
１４を用いて光照射を行うと、前記した様にＥＬ素子１
２の発光開始の閾値が低下する結果、光３０の照射に感
応したＥＬ素子１２の発光時期制御が行われるのであ
る。
いて、発光を開始する付近の電圧ＶｓをＥＬ素子１２に
対して印加した状態で特定波長の光３０を発生する光源
１４を用いて光照射を行うと、前記した様にＥＬ素子１
２の発光開始の閾値が低下する結果、光３０の照射に感
応したＥＬ素子１２の発光時期制御が行われるのであ
る。
【００１２】
【実施例】本発明にかかる光感応装置１０は、図１にそ
の全体的な構成を概略的に示す如く、ＥＬ素子１２と、
該ＥＬ素子１２に対して光３０の照射を行う光源１４と
から構成される。
の全体的な構成を概略的に示す如く、ＥＬ素子１２と、
該ＥＬ素子１２に対して光３０の照射を行う光源１４と
から構成される。
【００１３】ＥＬ素子１２は薄膜の交流駆動型であっ
て、従来と略同様に、絶縁物層１６・１７で周囲が包囲
された発光層１８の両面を第１および第２電極２０・２
２で挟持し、両電極２０・２２間に電源２３からの出力
電圧を印加することによって発光層１８を励起可能とす
る。
て、従来と略同様に、絶縁物層１６・１７で周囲が包囲
された発光層１８の両面を第１および第２電極２０・２
２で挟持し、両電極２０・２２間に電源２３からの出力
電圧を印加することによって発光層１８を励起可能とす
る。
【００１４】第１電極２０は、ガラスの様な透明基板２
４の裏面２６側の略全面を覆うものであって、インヂウ
ム−スズ酸化物あるいはスズ酸化物を使用することによ
って導電性の透明薄膜層を形成し、透明基板２４の前面
２８側から電極２０・２２間に向けて、光源１４から放
出される光３０の照射を可能とする。第２電極２２は、
アルミニュウム蒸着層の様な不透明な薄膜層、あるいは
第１電極２０と同様な透明な薄膜層により、導電性の薄
膜が形成される。
４の裏面２６側の略全面を覆うものであって、インヂウ
ム−スズ酸化物あるいはスズ酸化物を使用することによ
って導電性の透明薄膜層を形成し、透明基板２４の前面
２８側から電極２０・２２間に向けて、光源１４から放
出される光３０の照射を可能とする。第２電極２２は、
アルミニュウム蒸着層の様な不透明な薄膜層、あるいは
第１電極２０と同様な透明な薄膜層により、導電性の薄
膜が形成される。
【００１５】絶縁物層１６・１７は、Ａｌ2Ｏ3、Ｔａ2
Ｏ5、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、ＢａＴｉＯ3などの絶縁物中か
ら選ばれた単層膜、あるいはこれらを組み合わせた積層
膜から構成され、第１および第２電極２０・２２と発光
層１８間の絶縁を保つ。
Ｏ5、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、ＢａＴｉＯ3などの絶縁物中か
ら選ばれた単層膜、あるいはこれらを組み合わせた積層
膜から構成され、第１および第２電極２０・２２と発光
層１８間の絶縁を保つ。
【００１６】発光層１８は、ＺｎＳ：Ｍｎ、ＺｎＳ：Ｔ
ｂ、ＳｒＳ：Ｃｅ、ＣａＳ：Ｅｕなど、従来から使用さ
れている発光物質中から、必要とする発光色に対応させ
て適宜選択される。本発明は、前記した発光層１８に接
して電子供給層３２を設けたことを特徴とする。
ｂ、ＳｒＳ：Ｃｅ、ＣａＳ：Ｅｕなど、従来から使用さ
れている発光物質中から、必要とする発光色に対応させ
て適宜選択される。本発明は、前記した発光層１８に接
して電子供給層３２を設けたことを特徴とする。
【００１７】この電子供給層３２は、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｓｉ
Ｃ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＣｄＳ、ＣｄＴｅ、ＣｄＳｅ
から選ばれる単層膜、若しくはＣｄＳとＣｄＴｅの積層
膜であって、金属蒸着法あるいはスパッタ法の様な既知
の薄膜作成方法を利用して形成される。その膜厚は５〜
１００Ａの範囲から任意に設定されるが、５Ａ以下では
電子供給層３２としての効果はなく、１００Ａ以上では
発光輝度が低下するので、好ましくない。
Ｃ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＣｄＳ、ＣｄＴｅ、ＣｄＳｅ
から選ばれる単層膜、若しくはＣｄＳとＣｄＴｅの積層
膜であって、金属蒸着法あるいはスパッタ法の様な既知
の薄膜作成方法を利用して形成される。その膜厚は５〜
１００Ａの範囲から任意に設定されるが、５Ａ以下では
電子供給層３２としての効果はなく、１００Ａ以上では
発光輝度が低下するので、好ましくない。
【００１８】本発明にあっては更に、上記したＥＬ素子
１２における第１および第２電極２０・２２間に所定の
設定電圧を印加する様に構成している。すなわち、ＥＬ
素子１２に光３０を照射しない状態で電極２０・２２間
印加する電圧を上昇していくと、図２の一点鎖線で示す
如く、ある電圧を境にして発光輝度は急激に上昇し、Ｅ
Ｌ素子１２は発光を行う。したがって電極２０・２２間
には、発光輝度が上昇する直前の電圧Ｖｓを設定電圧と
して印加している。
１２における第１および第２電極２０・２２間に所定の
設定電圧を印加する様に構成している。すなわち、ＥＬ
素子１２に光３０を照射しない状態で電極２０・２２間
印加する電圧を上昇していくと、図２の一点鎖線で示す
如く、ある電圧を境にして発光輝度は急激に上昇し、Ｅ
Ｌ素子１２は発光を行う。したがって電極２０・２２間
には、発光輝度が上昇する直前の電圧Ｖｓを設定電圧と
して印加している。
【００１９】一方、ＥＬ素子１２に対して光３０を照射
する光源１４は、上記したＥＬ素子１２内に形成した電
子供給層３２の励起イオン化を可能とする特定波長の光
を発生可能とするものであって、かかる光３０の照射に
対応して、ＥＬ素子１２の発光時期が制御されるのであ
る。
する光源１４は、上記したＥＬ素子１２内に形成した電
子供給層３２の励起イオン化を可能とする特定波長の光
を発生可能とするものであって、かかる光３０の照射に
対応して、ＥＬ素子１２の発光時期が制御されるのであ
る。
【００２０】
【他の実施例】図３は本発明の他の実施例であって、透
明基板２４の裏面２６側に、上記したものと略同様な構
成のＥＬ素子１２を複数個、電気的に分離して形成する
とともに、各ＥＬ素子１２の第２電極２２側から光ファ
イバー３４を用いて発光層１８における発光を引き出
し、光ファイバー３４の先端に接続した受光素子３６に
より、各発光層１８の発光状態を個別に検知できる様に
構成している。
明基板２４の裏面２６側に、上記したものと略同様な構
成のＥＬ素子１２を複数個、電気的に分離して形成する
とともに、各ＥＬ素子１２の第２電極２２側から光ファ
イバー３４を用いて発光層１８における発光を引き出
し、光ファイバー３４の先端に接続した受光素子３６に
より、各発光層１８の発光状態を個別に検知できる様に
構成している。
【００２１】更に、各ＥＬ素子１２に形成する電子供給
層３２のバンドギャップを、予め設定した配列に従って
複数種類に相違させる一方、各バンドギャップに対応し
た特定波長の光３０を発生させる光源１４・１４ａを用
意することにより、光照射を行う光源１４の種類に対応
して発光するＥＬ素子１２が選択されるのである。な
お、上記した交流駆動型に代えて、絶縁物層１６・１７
がない直流駆動型でも略同様に実施できる。
層３２のバンドギャップを、予め設定した配列に従って
複数種類に相違させる一方、各バンドギャップに対応し
た特定波長の光３０を発生させる光源１４・１４ａを用
意することにより、光照射を行う光源１４の種類に対応
して発光するＥＬ素子１２が選択されるのである。な
お、上記した交流駆動型に代えて、絶縁物層１６・１７
がない直流駆動型でも略同様に実施できる。
【００２２】
【発明の効果】本発明は上記の如く、ＥＬ素子１２にお
ける発光層１８に接近して電子供給層３２を設けること
により、簡単な構成でＥＬ素子１２の発光時期が光入力
を利用して制御することが可能となった。
ける発光層１８に接近して電子供給層３２を設けること
により、簡単な構成でＥＬ素子１２の発光時期が光入力
を利用して制御することが可能となった。
【図１】本発明にかかる光感応装置の基本的な構成を示
す概略図である。
す概略図である。
【図２】図１におけるＥＬ素子に対する印加電圧と発光
輝度との関係を示すグラフである。
輝度との関係を示すグラフである。
【図３】本発明の他の実施例を示す概略図である。
１０ 光感応装置
１２ エレクトロルミネッセント（ＥＬ）素子
１４ 光源
１８ 発光層
２０ 第１電極
２２ 第２電極
２４ 透明基板
３０ 照射光
３２ 電子供給層
３４ 光ファイバー
３６ 受光素子
Claims (4)
- 【請求項１】 発光層（１８）に接近して、ナローバン
ドギャップの電子供給層（３２）を設けたことを特徴と
するエレクトロルミネッセント素子。 - 【請求項２】 上記した電子供給層（３２）が、Ｇｅ、
Ｓｉ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＣｄＳ、ＳｉＣ、ＣｄＴ
ｅ、ＣｄＳｅから選ばれる単層、若しくはＣｄＳとＣｄ
Ｔｅの積層からなることを特徴とする請求項１記載のエ
レクトロルミネッセント素子。 - 【請求項３】 上記した電子供給層（３２）の膜厚が、
５〜１００Ａの範囲に設定されることを特徴とする請求
項１または２記載のエレクトロルミネッセント素子。 - 【請求項４】 請求項１ないし３の何れかに記載のエレ
クトロルミネッセント素子（１２）と、該エレクトロル
ミネッセント素子（１２）中の電子供給層（３２）を励
起可能な特定波長の光（３０）を発生する光源（１４）
とを備え、上記したエレクトロルミネッセント素子（１
２）に対し、それ単独で発光を行う電圧より稍小さい電
圧Ｖｓを印加することを特徴とする光感応装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3180284A JPH053082A (ja) | 1991-06-24 | 1991-06-24 | エレクトロルミネツセント素子および光感応装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3180284A JPH053082A (ja) | 1991-06-24 | 1991-06-24 | エレクトロルミネツセント素子および光感応装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH053082A true JPH053082A (ja) | 1993-01-08 |
Family
ID=16080526
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3180284A Withdrawn JPH053082A (ja) | 1991-06-24 | 1991-06-24 | エレクトロルミネツセント素子および光感応装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH053082A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007029648A1 (ja) * | 2005-09-05 | 2007-03-15 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | エレクトロルミネッセンス素子及び表示装置 |
| US8299585B2 (en) | 2004-05-11 | 2012-10-30 | Infineon Technologies Ag | Power semiconductor device |
-
1991
- 1991-06-24 JP JP3180284A patent/JPH053082A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8299585B2 (en) | 2004-05-11 | 2012-10-30 | Infineon Technologies Ag | Power semiconductor device |
| WO2007029648A1 (ja) * | 2005-09-05 | 2007-03-15 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | エレクトロルミネッセンス素子及び表示装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19980903 |