JPS599068B2 - 薄膜エレクトロルミネツセンスパネルの消去方法 - Google Patents
薄膜エレクトロルミネツセンスパネルの消去方法Info
- Publication number
- JPS599068B2 JPS599068B2 JP11046976A JP11046976A JPS599068B2 JP S599068 B2 JPS599068 B2 JP S599068B2 JP 11046976 A JP11046976 A JP 11046976A JP 11046976 A JP11046976 A JP 11046976A JP S599068 B2 JPS599068 B2 JP S599068B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- voltage
- power supply
- film electroluminescent
- erasing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Transforming Electric Information Into Light Information (AREA)
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
- Control Of El Displays (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は薄膜エレクトロルミネッセンスパネル（以下Ｅ
ＬＰと言ラ。
ＬＰと言ラ。
）の消去方法に関する。最初にＥＬ表示装置の構成を説
明する。第１図に示したようにガラス基板１の上に透明
電極２を縞状に配置する。この上に例えばＹ２０３等の
誘電物質３を、更にこの上に例えばＭｎをドープしたＺ
ｎＳ等の螢光層４を、更にその上に更にＹ２０３等の誘
電物質３’を蒸着法、スパッタ法等により各層を５００
〜１００００λ被着して２重絶縁型の３層構造にし、そ
の上に透明電極２と直交するような電極５を縞状に配置
する。かかる構造にすると、第１の電極群２のうちの一
つと、第２の電極群５のうちの一つに適当な交流電圧が
印加された場合、両電極が交叉して挾まれた微小面積の
みが発光することになり、これが画面の一絵素に相当す
る。ＥＬ発光する螢光層４を誘電体３、ぎで挾んでその
上に更に電極２、５を形成すればＥＬ表示装置は構成で
きるのであるが、上記の如く、電極２、５の形成を格子
状にしておくと、マトリックス表示パネルが形成できる
のである。
明する。第１図に示したようにガラス基板１の上に透明
電極２を縞状に配置する。この上に例えばＹ２０３等の
誘電物質３を、更にこの上に例えばＭｎをドープしたＺ
ｎＳ等の螢光層４を、更にその上に更にＹ２０３等の誘
電物質３’を蒸着法、スパッタ法等により各層を５００
〜１００００λ被着して２重絶縁型の３層構造にし、そ
の上に透明電極２と直交するような電極５を縞状に配置
する。かかる構造にすると、第１の電極群２のうちの一
つと、第２の電極群５のうちの一つに適当な交流電圧が
印加された場合、両電極が交叉して挾まれた微小面積の
みが発光することになり、これが画面の一絵素に相当す
る。ＥＬ発光する螢光層４を誘電体３、ぎで挾んでその
上に更に電極２、５を形成すればＥＬ表示装置は構成で
きるのであるが、上記の如く、電極２、５の形成を格子
状にしておくと、マトリックス表示パネルが形成できる
のである。
このような構造のＥＬにおいては輝度や寿命・安定性の
点で従来の分散型ＥＬ素子に比して優れた特性を有して
いるが、個々の絵素は新たに輝度と印加電圧の間に第２
図ｂの如き履歴現象を示す。
点で従来の分散型ＥＬ素子に比して優れた特性を有して
いるが、個々の絵素は新たに輝度と印加電圧の間に第２
図ｂの如き履歴現象を示す。
この特性を第２図に従い説明すると、最初第２図ａの如
く電圧振幅Ｖ１のパネルを印加すると輝度は同図ｂ、ｃ
に示すようにＢ１のレベルにある。こゝで維持電圧Ｖ、
は発光閾値電圧をＶｔｈとするとＶ１＞Ｖｔｈである。
これに書込み電圧Ｖ２をＪ 印加すると輝度は一挙にＢ
３まで上昇し、以後電圧値を再び維持電圧Ｖ１に戻して
も輝度はＢ、より大きいＢ２に落着く、これに消去電圧
Ｖ３を印加すると輝度レベルは急激に減少し、再び維持
電圧Ｖ１まで戻すと輝度はＢ、に落着く。これら時・
時的な関係は第２図ａに附された記号ｔｌ、を３・・・
・・・・・・を２１が同図ｃの各同じ記号の位置に対応
させることにより示されている。この履歴現象は第２図
ｂの細線で示された如く、書込み電圧の振幅やパルス幅
（図示せず）に応じて任意の小ループをとり得る。即ち
中間調の表示も可能である。一度書込み電圧を与えると
、各絵素は維持パルスによつてそれぞれ与えられた階調
を失わずに発光し続けるのがＥＬＰの他の表示素子に無
い大きな特徴である。上記の各電圧は組成や膜厚及び印
加波形により大分異なるが、因みにある試作例ではＶｔ
ｈ＝２００Ｖ，．Ｖ１＝２１０Ｖ，．Ｖ２＝２１０〜２
８０Ｖ，．Ｖ３＝１９０Ｖである。以上のようにヒステ
リシス特性を有する薄膜ＥＬは電気的書込を行うことも
できるが、以下に述べるような光書込も可能である。
く電圧振幅Ｖ１のパネルを印加すると輝度は同図ｂ、ｃ
に示すようにＢ１のレベルにある。こゝで維持電圧Ｖ、
は発光閾値電圧をＶｔｈとするとＶ１＞Ｖｔｈである。
これに書込み電圧Ｖ２をＪ 印加すると輝度は一挙にＢ
３まで上昇し、以後電圧値を再び維持電圧Ｖ１に戻して
も輝度はＢ、より大きいＢ２に落着く、これに消去電圧
Ｖ３を印加すると輝度レベルは急激に減少し、再び維持
電圧Ｖ１まで戻すと輝度はＢ、に落着く。これら時・
時的な関係は第２図ａに附された記号ｔｌ、を３・・・
・・・・・・を２１が同図ｃの各同じ記号の位置に対応
させることにより示されている。この履歴現象は第２図
ｂの細線で示された如く、書込み電圧の振幅やパルス幅
（図示せず）に応じて任意の小ループをとり得る。即ち
中間調の表示も可能である。一度書込み電圧を与えると
、各絵素は維持パルスによつてそれぞれ与えられた階調
を失わずに発光し続けるのがＥＬＰの他の表示素子に無
い大きな特徴である。上記の各電圧は組成や膜厚及び印
加波形により大分異なるが、因みにある試作例ではＶｔ
ｈ＝２００Ｖ，．Ｖ１＝２１０Ｖ，．Ｖ２＝２１０〜２
８０Ｖ，．Ｖ３＝１９０Ｖである。以上のようにヒステ
リシス特性を有する薄膜ＥＬは電気的書込を行うことも
できるが、以下に述べるような光書込も可能である。
即ちまず第３図ａに示したようにＥＬＰの両端に常時交
流の維持パルスを加えながら、Ｔ２期間のみに外部から
光を照射する場合を考える。第３図ｂに駆動波形に対応
した発光波形の様子を、また同図ｃには時間積分した輝
度変化を示す。これから分るように光照射する前のＴ１
期間に発光輝度がＢｓにあつたものが、光照射後のＴ３
期間でＢｗに上昇する。第３図にＥＬＰの電圧一輝度曲
線上の変化を示している。この輝度レベルＢｗは勿論Ｔ
２期間の長さや維持パルスの振幅Ｖｓやパルス幅ｔ及び
外部光の強度や波長にも大きく依存する。維持パルスの
印加されている＋ＶＳｌ−ＶＢ期間中外部から光を照射
すると、光照射によつてＥＬＰに分極電場が発生し、維
持パルスの加わつていない０Ｖの期間はこの分極電場が
緩和即ち消去が行われている。即ちもしＥＬＰに第３図
のような電圧が印加されている場合光照射しているＴ２
間では、分極電荷の発生と緩和を交互に絞り返している
ことになるが通常同一光源に対しては、前者即ち分極電
荷の発生の方が早く進行する。普通は第３図の印加波形
においてデユーデイ比が約１０％以上では分極電荷発生
の方が優勢である。以上の説明において書込にも電気的
書込と、光書込があり、また消去においても電気的消去
と光消去があることを示した。
流の維持パルスを加えながら、Ｔ２期間のみに外部から
光を照射する場合を考える。第３図ｂに駆動波形に対応
した発光波形の様子を、また同図ｃには時間積分した輝
度変化を示す。これから分るように光照射する前のＴ１
期間に発光輝度がＢｓにあつたものが、光照射後のＴ３
期間でＢｗに上昇する。第３図にＥＬＰの電圧一輝度曲
線上の変化を示している。この輝度レベルＢｗは勿論Ｔ
２期間の長さや維持パルスの振幅Ｖｓやパルス幅ｔ及び
外部光の強度や波長にも大きく依存する。維持パルスの
印加されている＋ＶＳｌ−ＶＢ期間中外部から光を照射
すると、光照射によつてＥＬＰに分極電場が発生し、維
持パルスの加わつていない０Ｖの期間はこの分極電場が
緩和即ち消去が行われている。即ちもしＥＬＰに第３図
のような電圧が印加されている場合光照射しているＴ２
間では、分極電荷の発生と緩和を交互に絞り返している
ことになるが通常同一光源に対しては、前者即ち分極電
荷の発生の方が早く進行する。普通は第３図の印加波形
においてデユーデイ比が約１０％以上では分極電荷発生
の方が優勢である。以上の説明において書込にも電気的
書込と、光書込があり、また消去においても電気的消去
と光消去があることを示した。
ところで光消去の場合は強力な短波長の光を、光書込に
比べてかなり長時間照射しなければならず、またその際
両端を０Ｖ（短絡）に近い電位状態に保たねばならない
こと等応答速度や駆動方式の面倒さ等の欠点を有してい
た。
比べてかなり長時間照射しなければならず、またその際
両端を０Ｖ（短絡）に近い電位状態に保たねばならない
こと等応答速度や駆動方式の面倒さ等の欠点を有してい
た。
本発明はＥＬＰ自身の電気特性を利用し、光書込みと電
気的消去の手段をうまく組合せて上記のような欠点がな
い消去方法に関する。
気的消去の手段をうまく組合せて上記のような欠点がな
い消去方法に関する。
まず第３図のような維持パルスを供給する回路は種々考
えられる。
えられる。
一例として第４図のような回τ 路が考えられよう。第
４図において６は電源接続端子、７，８はそれぞれトラ
ンジスタ１１，１３を０Ｎ１０ＦＦさせるタイミング信
号入力端子、９ａ，９ｂはＥＬＰへ維持パルスを供給す
る出力端子、１０，９１１，１２，１３はトランジスタ
、１４，１５は抵抗、１６，１７はダイオードである。
４図において６は電源接続端子、７，８はそれぞれトラ
ンジスタ１１，１３を０Ｎ１０ＦＦさせるタイミング信
号入力端子、９ａ，９ｂはＥＬＰへ維持パルスを供給す
る出力端子、１０，９１１，１２，１３はトランジスタ
、１４，１５は抵抗、１６，１７はダイオードである。
第４図７，８の入力端子に与えられるタイミング信号を
それぞれ第５図Ａ，ｂに示す。もしこの入力信号ａがハ
イレベルのときはトランジスタ１１は０Ｎするので出力
端子９ａはＯ電圧レベルである。また入力信号ａがロー
レベルのときはトランジスタ１１は０ＦＦトランジスタ
１０は０Ｎなので出力端子９ａは６から供給される電源
電圧のレベルになる。第５図の入力信号ｂに対してもト
ランジスタ１２，１３は同様の働きをする。従つて第４
図の出力端子からＥＬＰに与えられる電圧波形は第５図
ｃのようになる。本発明は第４図の端子６に接続される
電源回路に第６図のような電流制限特性を有するものを
用いる。
それぞれ第５図Ａ，ｂに示す。もしこの入力信号ａがハ
イレベルのときはトランジスタ１１は０Ｎするので出力
端子９ａはＯ電圧レベルである。また入力信号ａがロー
レベルのときはトランジスタ１１は０ＦＦトランジスタ
１０は０Ｎなので出力端子９ａは６から供給される電源
電圧のレベルになる。第５図の入力信号ｂに対してもト
ランジスタ１２，１３は同様の働きをする。従つて第４
図の出力端子からＥＬＰに与えられる電圧波形は第５図
ｃのようになる。本発明は第４図の端子６に接続される
電源回路に第６図のような電流制限特性を有するものを
用いる。
即ち電源回路の出力電流が低い間は一定電圧Ｖｓ（これ
そのものは可変でよい）を供給しているが、出力電流が
ある閾値１０ｔｈを越えると直ちに出力電圧が低下する
。最悪の場合負荷が短絡しても出力電流はＩｓに制限さ
れる。過負荷状態でなくなれば出力電圧は元の状態に復
帰する。所謂１１フ１１字形特性を示すものでその回路
例を第７図に示す。この回路の動作は周知なので省略す
る。本発明はこの６゜フ１１字形特性を有する電源に対
して、操作者の制御信号により過負荷状態を一時的に発
生させることを特徴とする。薄膜ＥＬＰｆ５素子自身は
等価回路的に第８図のように表現できる。第８図におい
て、２１は螢光体層のキャバシタンス、２２は誘電体層
のキヤバシタンス、２３は螢光体層の抵抗である。
そのものは可変でよい）を供給しているが、出力電流が
ある閾値１０ｔｈを越えると直ちに出力電圧が低下する
。最悪の場合負荷が短絡しても出力電流はＩｓに制限さ
れる。過負荷状態でなくなれば出力電圧は元の状態に復
帰する。所謂１１フ１１字形特性を示すものでその回路
例を第７図に示す。この回路の動作は周知なので省略す
る。本発明はこの６゜フ１１字形特性を有する電源に対
して、操作者の制御信号により過負荷状態を一時的に発
生させることを特徴とする。薄膜ＥＬＰｆ５素子自身は
等価回路的に第８図のように表現できる。第８図におい
て、２１は螢光体層のキャバシタンス、２２は誘電体層
のキヤバシタンス、２３は螢光体層の抵抗である。
ところでこの抵抗２３の抵抗値は一定ではなく印加電圧
が低い非発光状態では高抵抗を示し、高電場でＥＬが発
光しだすと抵抗値は急激に低下する非線形特性を有して
いる。そこで文字・数字や画像等部分的に一旦書込まれ
たパネルに対して、第５図ｃのような維持パルスを与え
ながら例えばフラツシユランプのような強い光源で全面
に亘つて光を照射してやる。そうすると一瞬全面が光書
込みされるが、上に述べた理由によりＥＬの抵抗値が下
るので負荷電流が急激に増大する。そうすると電源回路
の電流容量特性から出力電圧が低下する。このとき低下
した電圧値が消去電圧の大きさであるように電源回路は
設定されている。即ち第９図ａのように光照射すると、
電源の出力電圧が第９図ｂのように低下し、その結果Ｅ
ＬＰに供給される駆動電圧波形はｃのようになり、消去
パルスが与えられることになる。以上のように本発明は
簡単な手段で全面消去が実現できる。通常必要とされる
消去のための別の電源、タイミング信号及び回路素子等
は必要としないので非常に有効な方法である。
が低い非発光状態では高抵抗を示し、高電場でＥＬが発
光しだすと抵抗値は急激に低下する非線形特性を有して
いる。そこで文字・数字や画像等部分的に一旦書込まれ
たパネルに対して、第５図ｃのような維持パルスを与え
ながら例えばフラツシユランプのような強い光源で全面
に亘つて光を照射してやる。そうすると一瞬全面が光書
込みされるが、上に述べた理由によりＥＬの抵抗値が下
るので負荷電流が急激に増大する。そうすると電源回路
の電流容量特性から出力電圧が低下する。このとき低下
した電圧値が消去電圧の大きさであるように電源回路は
設定されている。即ち第９図ａのように光照射すると、
電源の出力電圧が第９図ｂのように低下し、その結果Ｅ
ＬＰに供給される駆動電圧波形はｃのようになり、消去
パルスが与えられることになる。以上のように本発明は
簡単な手段で全面消去が実現できる。通常必要とされる
消去のための別の電源、タイミング信号及び回路素子等
は必要としないので非常に有効な方法である。
【図面の簡単な説明】
第１図Ａ，ｂはＥＬＰの一部切載斜視図と断面図、第２
図はＥＬＰの印加電圧と発光輝度との関係図、第３図は
ＥＬＰの印加パルスと発光輝度との関係を示すタイムチ
ヤート、第４図はＥＬＰに維持パルスを供給する駆動回
路、第５図は第４図の回路の動作を説明するタイムチヤ
ート、第６図は本発明の回路に使用される電源回路の電
圧一電流特性図、第７図は本発明の一実施例の電源回路
図、第８図はＥＬＰ自身の等価回路図、第９図は本発明
による消去方法の動作を説明するタイムチヤートである
。 ２，５は電極、３，３′は誘電物質層、４は螢光層。
図はＥＬＰの印加電圧と発光輝度との関係図、第３図は
ＥＬＰの印加パルスと発光輝度との関係を示すタイムチ
ヤート、第４図はＥＬＰに維持パルスを供給する駆動回
路、第５図は第４図の回路の動作を説明するタイムチヤ
ート、第６図は本発明の回路に使用される電源回路の電
圧一電流特性図、第７図は本発明の一実施例の電源回路
図、第８図はＥＬＰ自身の等価回路図、第９図は本発明
による消去方法の動作を説明するタイムチヤートである
。 ２，５は電極、３，３′は誘電物質層、４は螢光層。
Claims (1)
- １ 印加電圧と発光輝度との間にヒステリシス特性を持
ち、非発光状態のとき高抵抗、発光状態のとき低抵抗と
なる非線形特性を持つ薄膜エレクトロルミネッセンスパ
ネルにおいて、上記薄膜エレクトロルミネッセンスパネ
ル全面に光照射して該全面をすべて光書込み状態とし、
該光書込みによる一瞬の全面発光により、上記薄膜エレ
クトロルミネッセンスパネルに維持電圧を供給する電源
回路に対して、過負荷状態を作り上記電源回路の過負荷
状態より上記電源回路の出力電圧を消去電圧まで低下さ
せて、上記薄膜エレクトロルミネッセンスパネルを全面
消去することを特徴とする薄膜エレクトロルミネッセン
スパネルの消去方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11046976A JPS599068B2 (ja) | 1976-09-14 | 1976-09-14 | 薄膜エレクトロルミネツセンスパネルの消去方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11046976A JPS599068B2 (ja) | 1976-09-14 | 1976-09-14 | 薄膜エレクトロルミネツセンスパネルの消去方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5335490A JPS5335490A (en) | 1978-04-01 |
| JPS599068B2 true JPS599068B2 (ja) | 1984-02-29 |
Family
ID=14536486
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11046976A Expired JPS599068B2 (ja) | 1976-09-14 | 1976-09-14 | 薄膜エレクトロルミネツセンスパネルの消去方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS599068B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0438Y2 (ja) * | 1984-02-29 | 1992-01-06 |
-
1976
- 1976-09-14 JP JP11046976A patent/JPS599068B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0438Y2 (ja) * | 1984-02-29 | 1992-01-06 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5335490A (en) | 1978-04-01 |
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