JPS5857128A - ポジ型フオトレジストの現像液 - Google Patents
ポジ型フオトレジストの現像液Info
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- JPS5857128A JPS5857128A JP15517881A JP15517881A JPS5857128A JP S5857128 A JPS5857128 A JP S5857128A JP 15517881 A JP15517881 A JP 15517881A JP 15517881 A JP15517881 A JP 15517881A JP S5857128 A JPS5857128 A JP S5857128A
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- Japan
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- photoresist
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- type photoresist
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、デジ型フォトレジストの現像液に関する。
近年、ＩＣ−ＬＳＩの高密度化に伴い、フォトリソグラ
フィ技術におけるノ量ターンの倣−化に対する要望が強
まっている。フォトリソグラフィにおいて用いられるフ
ォトレノストはこれまでネガ型レジストが主流であった
が、解像力において優れるボッ型レゾストへと移行しつ
つある。ポジ型レジストとしては、ナフトキノン−１，
２−ジアジドスルホニルクロライドとノゲラック樹脂の
縮合物が最も一般的に用いられており、税＊液としては
テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド水浴液が
最も代表的なものである。一般的にフォトレジストは疎
水性であるために、水溶液である現像液は本質的にはな
じみ離い。そのために、特に微細な穴あけパターンにお
いては、穴の底まできれいに現像が行われないために、
解像度や寸法精度の低下、歩留の低下等を招くことがあ
る。
フィ技術におけるノ量ターンの倣−化に対する要望が強
まっている。フォトリソグラフィにおいて用いられるフ
ォトレノストはこれまでネガ型レジストが主流であった
が、解像力において優れるボッ型レゾストへと移行しつ
つある。ポジ型レジストとしては、ナフトキノン−１，
２−ジアジドスルホニルクロライドとノゲラック樹脂の
縮合物が最も一般的に用いられており、税＊液としては
テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド水浴液が
最も代表的なものである。一般的にフォトレジストは疎
水性であるために、水溶液である現像液は本質的にはな
じみ離い。そのために、特に微細な穴あけパターンにお
いては、穴の底まできれいに現像が行われないために、
解像度や寸法精度の低下、歩留の低下等を招くことがあ
る。
本発明は、かかる点に鑑みてなされたもので、解像度や
寸法精度を高めて歩留の向上を図ることができるポジ型
フォトレジストの現像液を提供するものである。即ち、
本発明のポジ型フォトレゾストの現像液は、ボッ型フォ
トレノスト用現像液に有機溶剤或は界面活性剤を１〜５
０ｗｔ％絵加したものである。
寸法精度を高めて歩留の向上を図ることができるポジ型
フォトレジストの現像液を提供するものである。即ち、
本発明のポジ型フォトレゾストの現像液は、ボッ型フォ
トレノスト用現像液に有機溶剤或は界面活性剤を１〜５
０ｗｔ％絵加したものである。
ここで、有ａｅ浴剤としては、メタノール、エタノール
、イングロピルアルコール、ブチルアルコール等のアル
コール系溶剤、アセトン、メチルエチルケトン、メチル
イソブチルケトン等のケトン系溶剤、酢酸メチル、酢酸
エチル、酢酸ブチル等のエステル系溶剤、メチルセロソ
ルブアセテート、エチルセロソルブ等のセロツル！糸溶
剤、ヘキサン、オクタン等の炭化水素系溶剤、ベンゼン
、トルエン、キシレン等の芳香族系溶剤等が挙けられる
。界面活性剤としては、ホメデリン（花王石ケン社商品
名） 、ＮＣＷ （和光純薬社商品名）、ライＩン（ラ
イオン油脂社商品名）等を使用することができる。有機
溶剤或は界面活性剤の添加蓋が、１％未満の場合には十
分な効果が得られず、５０ｓを越えると現塚能力の低下
や像質の劣化を招き、好ましくない。
、イングロピルアルコール、ブチルアルコール等のアル
コール系溶剤、アセトン、メチルエチルケトン、メチル
イソブチルケトン等のケトン系溶剤、酢酸メチル、酢酸
エチル、酢酸ブチル等のエステル系溶剤、メチルセロソ
ルブアセテート、エチルセロソルブ等のセロツル！糸溶
剤、ヘキサン、オクタン等の炭化水素系溶剤、ベンゼン
、トルエン、キシレン等の芳香族系溶剤等が挙けられる
。界面活性剤としては、ホメデリン（花王石ケン社商品
名） 、ＮＣＷ （和光純薬社商品名）、ライＩン（ラ
イオン油脂社商品名）等を使用することができる。有機
溶剤或は界面活性剤の添加蓋が、１％未満の場合には十
分な効果が得られず、５０ｓを越えると現塚能力の低下
や像質の劣化を招き、好ましくない。
一般に２ＮＩ間のなじみ（滴れ）の栓度は、拡散係数（
８１，りＫよって表わされ、拡散係数と表面張力は次の
関係にある。
８１，りＫよって表わされ、拡散係数と表面張力は次の
関係にある。
８１、！” σ 里 −（σ 意 ＋ σ １．
２ ）Ｓｌ−が正であれＦ！第２相は薄膜状に拡がシ
、Ｓｌ−が負であれは、レンズ状になる。第１相をフォ
トレノスト、第２相を現像液とすれは、フォトレノスト
に対する現像液の濡れを良くするためには、８１．！を
正に近づけることが望ましい。例えば、各植ポリマーの
σ１は、はぼ２０〜４０ ａｙｎ／ａｎであるのに対し
て、水のσ３は約７２ ｄｙｎ／ｃｉｇと大きいために
、Ｓｌ、雪はほぼ−７０〜−１００ｄｙｎ／ｃｒｎとい
う負の値になり、ポリマー上では水はレンズ状の水滴と
なる。従って、ポリマーであるフォトレジスト上に現像
液を１洒落すとレンズ状の水滴となシ、濡れが悪い・ 而して、上述の有機溶剤や界面活性剤を添加したポジ型
フォトレノスト現像液では、表面張力が小さくなシ、濡
れを良くすることができる。
２ ）Ｓｌ−が正であれＦ！第２相は薄膜状に拡がシ
、Ｓｌ−が負であれは、レンズ状になる。第１相をフォ
トレノスト、第２相を現像液とすれは、フォトレノスト
に対する現像液の濡れを良くするためには、８１．！を
正に近づけることが望ましい。例えば、各植ポリマーの
σ１は、はぼ２０〜４０ ａｙｎ／ａｎであるのに対し
て、水のσ３は約７２ ｄｙｎ／ｃｉｇと大きいために
、Ｓｌ、雪はほぼ−７０〜−１００ｄｙｎ／ｃｒｎとい
う負の値になり、ポリマー上では水はレンズ状の水滴と
なる。従って、ポリマーであるフォトレジスト上に現像
液を１洒落すとレンズ状の水滴となシ、濡れが悪い・ 而して、上述の有機溶剤や界面活性剤を添加したポジ型
フォトレノスト現像液では、表面張力が小さくなシ、濡
れを良くすることができる。
その舶来、解Ｏ＃度や寸法精度を高めて歩留りを向上さ
せることができる。
せることができる。
次に本発明の実施例に９いて説明する。
実施例１
フォトレジストに対する現像液のなじみ（濡れ）を接触
角を測定することによって調べた。
角を測定することによって調べた。
まず、シリコンウェハ上に厚さ１．０μｍのボッ型フォ
トレジストを塗布した後９０℃で５分間熱処理を施した
。このようにして作成したフォトレジスト膜の上にマイ
クロシリンジで現像液を１洒落とし、その接触角を測定
した。現像液としては、通常の／ジ型フォトレノスト用
視像液、それＫ（−れぞれ５％、１０１２０％、５０％
、７０ｑｂのメタノールを添加し念ものを１史用した。
トレジストを塗布した後９０℃で５分間熱処理を施した
。このようにして作成したフォトレジスト膜の上にマイ
クロシリンジで現像液を１洒落とし、その接触角を測定
した。現像液としては、通常の／ジ型フォトレノスト用
視像液、それＫ（−れぞれ５％、１０１２０％、５０％
、７０ｑｂのメタノールを添加し念ものを１史用した。
接触角を測定した結果、第１図に示す！うに、メタノー
ルを添加しない現像液では６８°もあるのに対して、メ
タノールの施加量が増加するのに従って急激に小さくな
り、７０チのメタノールを添加した現像液ではほぼＯｏ
になることがわかった。このように３＃！像液に＆面張
力の小さいメタノールを添加することによって、フォト
レジストに対する濡れが良くなることが確認された。
ルを添加しない現像液では６８°もあるのに対して、メ
タノールの施加量が増加するのに従って急激に小さくな
り、７０チのメタノールを添加した現像液ではほぼＯｏ
になることがわかった。このように３＃！像液に＆面張
力の小さいメタノールを添加することによって、フォト
レジストに対する濡れが良くなることが確認された。
実施例２
シリコンウェハ上に厚さ１．５μｍのボッ型フォトレジ
ストを塗布した後、９０℃で５分間熱処理を施した０次
に、各軸寸法の矩形及び正方形パターンを有するマスク
を介して、紫外線無光を行った。続いて７％のエタノー
ルを添加した現像液によってｍｓを行った後、水洗、乾
燥した。得られたレジストパターンの解像度を顕微鏡に
よって観察した結果、通常の現像液の場合、矩形パター
ンでは１．４μｍ１正方形／ｌターンでは１．６μｍま
でしか解像できなかったのに対して本ｆＪｉ像液の場合
は、矩形）９ターンでは１．０μｍ１正方形パターンで
は１．２μｍまで解像されていることがわかった。すな
わち、本現像ａｔ使用することによってレジストと現像
液のなじみが良くなったために倣帷ノ譬ターンの底まで
きれいに現像されるため解像度が向上したものである。
ストを塗布した後、９０℃で５分間熱処理を施した０次
に、各軸寸法の矩形及び正方形パターンを有するマスク
を介して、紫外線無光を行った。続いて７％のエタノー
ルを添加した現像液によってｍｓを行った後、水洗、乾
燥した。得られたレジストパターンの解像度を顕微鏡に
よって観察した結果、通常の現像液の場合、矩形パター
ンでは１．４μｍ１正方形／ｌターンでは１．６μｍま
でしか解像できなかったのに対して本ｆＪｉ像液の場合
は、矩形）９ターンでは１．０μｍ１正方形パターンで
は１．２μｍまで解像されていることがわかった。すな
わち、本現像ａｔ使用することによってレジストと現像
液のなじみが良くなったために倣帷ノ譬ターンの底まで
きれいに現像されるため解像度が向上したものである。
実施例３
実施例２と同様の工程において、５チの酢酸エチルを添
加した現像液によって現像を行った仮、各軸寸法の矩形
穴あけノ４ターンについて４インチウェハ内１００点の
寸法を測定し、パタ−ン寸法精度の関係を求めた。その
結果、第２図に示すように、通常の現像液（ＩＩ）に比
べて本現像液を使用した方（１）が寸法精度が向上し、
特に微細パターンにおいて顕著であることが明らかとな
った。
加した現像液によって現像を行った仮、各軸寸法の矩形
穴あけノ４ターンについて４インチウェハ内１００点の
寸法を測定し、パタ−ン寸法精度の関係を求めた。その
結果、第２図に示すように、通常の現像液（ＩＩ）に比
べて本現像液を使用した方（１）が寸法精度が向上し、
特に微細パターンにおいて顕著であることが明らかとな
った。
実施例４
厚さ４０００Ｘの酸化膜を有するウェハ上に厚さ４００
０Ｘの導電性のぼりシリコン誤をｒポジシ冒ンした。さ
らに厚さ１．２μｍのＩジ型フォトレジストを塗布した
後９０℃で５分間熱処理を施・した。次いで２本の２μ
ｍラインが各種スペースで並行して走ることＫよって２
本の間のショート率が測定できるよう設計され九マスク
を用いて、紫外線露光した。その彼、５ｓのエチルセロ
ソルブを添加した現像液によって現像を行った抜、水洗
、乾燥し、さらに１２０℃で１０分間熱処理を施した。
０Ｘの導電性のぼりシリコン誤をｒポジシ冒ンした。さ
らに厚さ１．２μｍのＩジ型フォトレジストを塗布した
後９０℃で５分間熱処理を施・した。次いで２本の２μ
ｍラインが各種スペースで並行して走ることＫよって２
本の間のショート率が測定できるよう設計され九マスク
を用いて、紫外線露光した。その彼、５ｓのエチルセロ
ソルブを添加した現像液によって現像を行った抜、水洗
、乾燥し、さらに１２０℃で１０分間熱処理を施した。
このようにして作成されたレジント／４ターンをマスク
にして、ポリシリコンをプラズマエツチングした彼、レ
ジストをハクリして、各槍スペースに対するシーート単
を測定した。その結果、第３図に示すように、通常の現
像液（Ｉｔ）に比べて本現像液（１）を使用した方がシ
璽−ト率が低下していることがわかった。本現像液を使
用することによって寸法精度が向上し、あるいはレジス
ト残シ等のディフェクトが減少したために、シ１−トが
発生し難くなったためである。
にして、ポリシリコンをプラズマエツチングした彼、レ
ジストをハクリして、各槍スペースに対するシーート単
を測定した。その結果、第３図に示すように、通常の現
像液（Ｉｔ）に比べて本現像液（１）を使用した方がシ
璽−ト率が低下していることがわかった。本現像液を使
用することによって寸法精度が向上し、あるいはレジス
ト残シ等のディフェクトが減少したために、シ１−トが
発生し難くなったためである。
実施例５
厚さ４０００ Ｘ（Ｄｆｌｔ化Ｍｔ有するウエノ・上に
、厚さ１．２μｍのボッ型フォトレジストを塗布したｉ
、９０℃で５分間熱処理を施した。次いで４！ｒ〜寸法
の正方形穴あけパターン（コンタクトホール）をそれぞ
れ１万個有するマスクを用いて、紫外線露光した。その
後、３チのＮＣＷを添加した現像液によって現像を行い
、水洗、乾旨し先後−１１２０℃で１０分間熱処理を施
した。
、厚さ１．２μｍのボッ型フォトレジストを塗布したｉ
、９０℃で５分間熱処理を施した。次いで４！ｒ〜寸法
の正方形穴あけパターン（コンタクトホール）をそれぞ
れ１万個有するマスクを用いて、紫外線露光した。その
後、３チのＮＣＷを添加した現像液によって現像を行い
、水洗、乾旨し先後−１１２０℃で１０分間熱処理を施
した。
このようにして得られたレジス） ノ４ターンをマスク
にして、リアクティブイオンエツチングによって酸化膜
をエツチングしコンタクトホールを形成した１次いでア
ルゝヂτ１．０μｍの厚さで全面に蒸看した。その上に
厚さ１．０μｍの４ジ型フオトレジストを塗布した後、
９０℃で５分間熱処理を施した。そして、１万個のコン
タクトホールをすべてラインが通過するように設計され
たマスクを用いてマスク合わせを行い、紫鰺７４ターン
を形成した。以上のようＫして作成した試料につい七、
１万個のコンタクトホールの導通率を測定し、各徳コン
タクトホール寸法と導通率の関係を求めた。その結果、
第４図に示すように、通常の現像液（ｎ）に比べて本現
像液（１）を使用した方が導通率が向上していることが
わかった。本現像液を使用することによって解像度が向
上し、またレジスト残り等のディフェクトが減少したた
めに導通率が向上したものである。
にして、リアクティブイオンエツチングによって酸化膜
をエツチングしコンタクトホールを形成した１次いでア
ルゝヂτ１．０μｍの厚さで全面に蒸看した。その上に
厚さ１．０μｍの４ジ型フオトレジストを塗布した後、
９０℃で５分間熱処理を施した。そして、１万個のコン
タクトホールをすべてラインが通過するように設計され
たマスクを用いてマスク合わせを行い、紫鰺７４ターン
を形成した。以上のようＫして作成した試料につい七、
１万個のコンタクトホールの導通率を測定し、各徳コン
タクトホール寸法と導通率の関係を求めた。その結果、
第４図に示すように、通常の現像液（ｎ）に比べて本現
像液（１）を使用した方が導通率が向上していることが
わかった。本現像液を使用することによって解像度が向
上し、またレジスト残り等のディフェクトが減少したた
めに導通率が向上したものである。
以上説明した如く、本発明に体るボッ型フォトレジスト
の現像液によれば、フォトレゾストに対する現像液のな
じみが曳くなるので、微細な穴あけパターンにおいても
レノスト残シ等がなくきれいに現像を行うことかで１、
解像度や寸法精度を向上して高い歩留りを得ることがで
きる等顕著な効果を有するものである。
の現像液によれば、フォトレゾストに対する現像液のな
じみが曳くなるので、微細な穴あけパターンにおいても
レノスト残シ等がなくきれいに現像を行うことかで１、
解像度や寸法精度を向上して高い歩留りを得ることがで
きる等顕著な効果を有するものである。
第１図は、メタノール添加蓋と接触角の関係を示す特性
図、第２図は、・Ｉターン寸法と寸法側建値の標準偏差
との関係を示す特性図、第３図は、ス（−ス寸法とシ、
−）率の関係を示す特性図、第４図は、コンタクトホー
ル寸法と導通率の関係を示す特性図である。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦を薯（ζ 吐トツ・セ艷訃禰ｌ ｙ−工癩←Ｉ ｌ＋檎呼Ｎ易や−一
図、第２図は、・Ｉターン寸法と寸法側建値の標準偏差
との関係を示す特性図、第３図は、ス（−ス寸法とシ、
−）率の関係を示す特性図、第４図は、コンタクトホー
ル寸法と導通率の関係を示す特性図である。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦を薯（ζ 吐トツ・セ艷訃禰ｌ ｙ−工癩←Ｉ ｌ＋檎呼Ｎ易や−一
Claims (1)
- ４ジ型フオトレジスト用現像液に有機溶剤或いは界面活
性剤を１〜５０ ｖｔチ添加してなることを特徴とする
／ジ型フォトレジストの境葎赦０
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15517881A JPS5857128A (ja) | 1981-09-30 | 1981-09-30 | ポジ型フオトレジストの現像液 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15517881A JPS5857128A (ja) | 1981-09-30 | 1981-09-30 | ポジ型フオトレジストの現像液 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5857128A true JPS5857128A (ja) | 1983-04-05 |
Family
ID=15600192
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15517881A Pending JPS5857128A (ja) | 1981-09-30 | 1981-09-30 | ポジ型フオトレジストの現像液 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5857128A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60241051A (ja) * | 1984-05-15 | 1985-11-29 | Fujitsu Ltd | ポジ型レジスト現像液 |
| US4741989A (en) * | 1983-04-01 | 1988-05-03 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Positive photoresist aqueous developer solution containing quaternary ammonium hydroxide with aliphatic ketone or cyclic ether alone or with amine as development modifier |
| US4833067A (en) * | 1985-08-06 | 1989-05-23 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Developing solution for positive-working photoresist comprising tmah and non-ionic surfactant |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52143019A (en) * | 1976-05-25 | 1977-11-29 | Toshiba Corp | Developing agent for positive type radiation sensitive material |
| JPS534423A (en) * | 1976-07-02 | 1978-01-17 | Hitachi Ltd | Surface plate for color pick up tube |
| JPS54116226A (en) * | 1978-03-01 | 1979-09-10 | Fujitsu Ltd | Formation method for positive type resist image |
| JPS561935A (en) * | 1979-06-18 | 1981-01-10 | Eastman Kodak Co | Stabilized developing material composition |
-
1981
- 1981-09-30 JP JP15517881A patent/JPS5857128A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52143019A (en) * | 1976-05-25 | 1977-11-29 | Toshiba Corp | Developing agent for positive type radiation sensitive material |
| JPS534423A (en) * | 1976-07-02 | 1978-01-17 | Hitachi Ltd | Surface plate for color pick up tube |
| JPS54116226A (en) * | 1978-03-01 | 1979-09-10 | Fujitsu Ltd | Formation method for positive type resist image |
| JPS561935A (en) * | 1979-06-18 | 1981-01-10 | Eastman Kodak Co | Stabilized developing material composition |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4741989A (en) * | 1983-04-01 | 1988-05-03 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Positive photoresist aqueous developer solution containing quaternary ammonium hydroxide with aliphatic ketone or cyclic ether alone or with amine as development modifier |
| JPS60241051A (ja) * | 1984-05-15 | 1985-11-29 | Fujitsu Ltd | ポジ型レジスト現像液 |
| US4833067A (en) * | 1985-08-06 | 1989-05-23 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Developing solution for positive-working photoresist comprising tmah and non-ionic surfactant |
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