JPS585672A - 絶縁抵抗検出方法 - Google Patents
絶縁抵抗検出方法Info
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- JPS585672A JPS585672A JP56103718A JP10371881A JPS585672A JP S585672 A JPS585672 A JP S585672A JP 56103718 A JP56103718 A JP 56103718A JP 10371881 A JP10371881 A JP 10371881A JP S585672 A JPS585672 A JP S585672A
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- resistance
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R27/00—Arrangements for measuring resistance, reactance, impedance, or electric characteristics derived therefrom
- G01R27/02—Measuring real or complex resistance, reactance, impedance, or other two-pole characteristics derived therefrom, e.g. time constant
- G01R27/025—Measuring very high resistances, e.g. isolation resistances, i.e. megohm-meters
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は活線状態で電路等の絶縁抵抗を測定監視する方
法の改良に関する。
法の改良に関する。
変圧器の第２種接地線をして、測定用信号である低周波
電圧會発振する発振トランスまたは低周波電圧の印加さ
れたトランスのコア管貫通せしめる等のことにより接地
１ｓを通して電路に低周波電圧を電磁誘導で印加し、接
地線に帰還する漏洩電流を零相変流器等で検出し、この
漏洩電流中の低周波成分の有効分を算出することによシ
絶縁抵抗を測定する第１の測定方法例、また変圧器の第
２種接地ＩＩ管切断し、これに直列結合して低周波電圧
を印加する発振器と共に接地線に帰還する電流を検出す
る抵抗を直列に挿入接続し、この抵抗の両端に得られる
漏洩電流中の低周波成分の絶縁抵抗による有効分を算出
することにより絶縁抵抗ｒｉＩｌ定する第２の測定方法
例等がある。
電圧會発振する発振トランスまたは低周波電圧の印加さ
れたトランスのコア管貫通せしめる等のことにより接地
１ｓを通して電路に低周波電圧を電磁誘導で印加し、接
地線に帰還する漏洩電流を零相変流器等で検出し、この
漏洩電流中の低周波成分の有効分を算出することによシ
絶縁抵抗を測定する第１の測定方法例、また変圧器の第
２種接地ＩＩ管切断し、これに直列結合して低周波電圧
を印加する発振器と共に接地線に帰還する電流を検出す
る抵抗を直列に挿入接続し、この抵抗の両端に得られる
漏洩電流中の低周波成分の絶縁抵抗による有効分を算出
することにより絶縁抵抗ｒｉＩｌ定する第２の測定方法
例等がある。
本発明は従来のこのような活線状態で絶縁抵抗をｉｌｌ
定する方法に伏在する問題点を明らかにしその解決方法
を提案するものである。
定する方法に伏在する問題点を明らかにしその解決方法
を提案するものである。
第１図は上記第１の方法例の説明図であり、トランスＴ
の負荷ｔ−Ｚとする。ここでは説明を容品にするために
電路（１，２）を単相２線の場合で示しているが単相３
線、３相３線等の場合も以下に述べる原理は同じである
。電路の絶縁抵抗會Ｒ２対地浮遊容量ｔ−Ｃとする。接
地線ＢＬは測定用信号である周波数ｆ１（商用周波数ｆ
ｏとは異なる。）を発振する発振トランスＯＴまたは周
波数ｆ１の電圧の印加されたトランスのコアを貫通して
いる。
の負荷ｔ−Ｚとする。ここでは説明を容品にするために
電路（１，２）を単相２線の場合で示しているが単相３
線、３相３線等の場合も以下に述べる原理は同じである
。電路の絶縁抵抗會Ｒ２対地浮遊容量ｔ−Ｃとする。接
地線ＢＬは測定用信号である周波数ｆ１（商用周波数ｆ
ｏとは異なる。）を発振する発振トランスＯＴまたは周
波数ｆ１の電圧の印加されたトランスのコアを貫通して
いる。
この時接地線ＥＬに誘起された周波数ｆ１の電圧ｔＶｌ
（ボルト）とする。（ＩＩＩＪ定用信号は正弦波でも矩
形波でもよいが、ここでは正弦波として扱う。）接地線
ＥＬｔ−貫通する零相変流器ＺＣＴは、これにより漏洩
電流を検出するもので、検出した漏洩電流を周波数ｆ１
１式を検出するフィルタＦＩＬに加え商用周波数成分の
漏洩電流を除去すればフィルタＦＩＬの出力ｉ。
（ボルト）とする。（ＩＩＩＪ定用信号は正弦波でも矩
形波でもよいが、ここでは正弦波として扱う。）接地線
ＥＬｔ−貫通する零相変流器ＺＣＴは、これにより漏洩
電流を検出するもので、検出した漏洩電流を周波数ｆ１
１式を検出するフィルタＦＩＬに加え商用周波数成分の
漏洩電流を除去すればフィルタＦＩＬの出力ｉ。
が得られる。
発振回路Ｏ８Ｃの出力電圧をｅ、（ボルト〕としくかけ
算器ＭＵＬＴを使って）Ｉｆ との積を得る。したがっ
てかけ算器ＭＵＬＴの出力をローパスフィルタＬＰＰＫ
通してｉ、ｘＪｅ、畠ｉω１ｔの直流分を得るとローパ
スフィルタＬＰＦの出力ＯＵＴ即ち有効分は とな９、ｅｌと■、が一定ならばＯＵＴの値を知ること
により絶縁抵抗を測定することができる。
算器ＭＵＬＴを使って）Ｉｆ との積を得る。したがっ
てかけ算器ＭＵＬＴの出力をローパスフィルタＬＰＰＫ
通してｉ、ｘＪｅ、畠ｉω１ｔの直流分を得るとローパ
スフィルタＬＰＦの出力ＯＵＴ即ち有効分は とな９、ｅｌと■、が一定ならばＯＵＴの値を知ること
により絶縁抵抗を測定することができる。
ところで上記説明から明らかなように０式で得られる絶
縁抵抗は必ずしも電路のみによるものだけでなく負荷２
の絶縁抵抗も含まれるものである。近年半導体を利用し
た負荷が多数あるためトラフ１１０２次側から負荷１１
１ｔｌ−みた絶縁抵抗を高電圧絶縁抵抗測定計（所請メ
ガ−）にて一定することは負荷を高圧破壊する可能性が
あるため測定困難な場合が多い。したがって所■メガ−
で絶縁抵抗ｔｆｌＪＪる際には半導体等を用い九負荷を
切シ離してから測定せざるを得ないことになる。上記第
１の方法例管用いた絶縁抵抗一定にて活線で各所の絶？
＃を測定した例では電路の絶縁にくらべ一般に負荷自身
の絶縁抵抗値が著しく低い傾向にあることが確認されて
いる。この理由社絶縁抵抗Ｒ９浮遊容量Ｃが電路、負荷
等すべての、「並列合成値」である点に存する。上記巷
キラ第２の方法例は電路に測定信号としての低周波電圧
を印加する点は第１の方法例と同じであるが、印加方法
が異なっている。
縁抵抗は必ずしも電路のみによるものだけでなく負荷２
の絶縁抵抗も含まれるものである。近年半導体を利用し
た負荷が多数あるためトラフ１１０２次側から負荷１１
１ｔｌ−みた絶縁抵抗を高電圧絶縁抵抗測定計（所請メ
ガ−）にて一定することは負荷を高圧破壊する可能性が
あるため測定困難な場合が多い。したがって所■メガ−
で絶縁抵抗ｔｆｌＪＪる際には半導体等を用い九負荷を
切シ離してから測定せざるを得ないことになる。上記第
１の方法例管用いた絶縁抵抗一定にて活線で各所の絶？
＃を測定した例では電路の絶縁にくらべ一般に負荷自身
の絶縁抵抗値が著しく低い傾向にあることが確認されて
いる。この理由社絶縁抵抗Ｒ９浮遊容量Ｃが電路、負荷
等すべての、「並列合成値」である点に存する。上記巷
キラ第２の方法例は電路に測定信号としての低周波電圧
を印加する点は第１の方法例と同じであるが、印加方法
が異なっている。
第２の方法例を第２図に示す。この例では低周波印加ト
ランスＴｌと漏洩電流検出用抵抗ｒが接地＠ＢＬＩＩＣ
直列接続されている。低周波の印加及び漏洩電流の検出
法が第１図と異なっているが、その他の点は上述の問題
点を含めてすべて同じである。
ランスＴｌと漏洩電流検出用抵抗ｒが接地＠ＢＬＩＩＣ
直列接続されている。低周波の印加及び漏洩電流の検出
法が第１図と異なっているが、その他の点は上述の問題
点を含めてすべて同じである。
ところで、本発明の問題とするところは次の点にある。
第３図に示されるごとく絶縁抵抗Ｒ１浮遊容量Ｃの並列
合成値以外に抵抗Ｒ１，静電容量Ｃ１を直列に接続した
形の絶縁劣化（故障等によってこれに等価な接地が発生
した場合も含む）が発生した場合、上記第１．第２の方
法例で検出される絶縁抵抗にどのような影ＩＩｌをする
ことはすでに雑誌図説電気（Ｖｏｌ、２０゜Ｎｏ、１，
１９７９年、２３ページ）にも述べられている。
合成値以外に抵抗Ｒ１，静電容量Ｃ１を直列に接続した
形の絶縁劣化（故障等によってこれに等価な接地が発生
した場合も含む）が発生した場合、上記第１．第２の方
法例で検出される絶縁抵抗にどのような影ＩＩｌをする
ことはすでに雑誌図説電気（Ｖｏｌ、２０゜Ｎｏ、１，
１９７９年、２３ページ）にも述べられている。
第３図で絶縁劣化状況が近位される場合、フィルタＦＩ
Ｌの出力ｉ２１は 鍋ω、ｔ ■ と表すことができる。ｔ、、 ｘＪｅ、ｓｉｎω、ｔの
演算をすれば このときの有効分即ちローパスフィルタＬＰＦ出力０Ｕ
Ｔｌは となる。０式から ω１Ｃ，Ｒ１＞＞１のとき ０ＵＴＩ’；（’Ｒ＋Ｂ
、） ｅｓ■ｉ■６）、Ｃ，Ｒ１＜＜ １ （Ｄとき
０ＵＴＩ＝ ７．ｅ、Ｖ、 ■ω、Ｃ，
Ｒ，”＝ １のとき ０ＵＴＩ；（１＋２Ｂ、）”ｌ
ｖｌ ■となる。
Ｌの出力ｉ２１は 鍋ω、ｔ ■ と表すことができる。ｔ、、 ｘＪｅ、ｓｉｎω、ｔの
演算をすれば このときの有効分即ちローパスフィルタＬＰＦ出力０Ｕ
Ｔｌは となる。０式から ω１Ｃ，Ｒ１＞＞１のとき ０ＵＴＩ’；（’Ｒ＋Ｂ
、） ｅｓ■ｉ■６）、Ｃ，Ｒ１＜＜ １ （Ｄとき
０ＵＴＩ＝ ７．ｅ、Ｖ、 ■ω、Ｃ，
Ｒ，”＝ １のとき ０ＵＴＩ；（１＋２Ｂ、）”ｌ
ｖｌ ■となる。
ＬＰＦ出力０ＵＴ１からＩＩＩ定される絶縁抵抗Ｒ。
は０式から
となるが、■、■、■式から認められるようＫことＫな
る。１１１定周波数ｆ１が十分に高ければ数を十分に高
くすると、一般に０式の第３項を含む浮遊容量による充
電電流が着しく大きくなシかけ算器ＭＵＬＴ （同期検
波器でもよい）の演算誤差が大きくなり０式の算出結果
に大きい誤差の発生する可能性が；１ｂｖｏぞましくな
い。
る。１１１定周波数ｆ１が十分に高ければ数を十分に高
くすると、一般に０式の第３項を含む浮遊容量による充
電電流が着しく大きくなシかけ算器ＭＵＬＴ （同期検
波器でもよい）の演算誤差が大きくなり０式の算出結果
に大きい誤差の発生する可能性が；１ｂｖｏぞましくな
い。
例えば Ｒ＝５００にΩ＝Ｒ１＝１０にΩ、Ｃ１＝１μ
Ｆ、ω１／２ｇ ＝ ２０ Ｃヘルツ〕 のとき［Ｆ］
式から得られる絶縁抵抗Ｂｆは 〜 １ １１Ｌ＠１ となシＲ，≧１５．８（ＫΩ〕が得られる。すなわちり
、は凡とＲＩが並列接続された値９．８にΩと４異なる
ことになる。
Ｆ、ω１／２ｇ ＝ ２０ Ｃヘルツ〕 のとき［Ｆ］
式から得られる絶縁抵抗Ｂｆは 〜 １ １１Ｌ＠１ となシＲ，≧１５．８（ＫΩ〕が得られる。すなわちり
、は凡とＲＩが並列接続された値９．８にΩと４異なる
ことになる。
しかし、所謂メガ−でトランスＴの２次側からｊＩＬ−
荷をみ九絶縁抵抗拡直流にて測定するためＣＩ、ＲＩ
Ｋは関係なく絶縁抵抗８分による値が測定されること
になる（上記例では５００にΩ）。
荷をみ九絶縁抵抗拡直流にて測定するためＣＩ、ＲＩ
Ｋは関係なく絶縁抵抗８分による値が測定されること
になる（上記例では５００にΩ）。
しかし、例えば電路電圧が２００Ｖの場合、Ｒ１５ＣＩ
Ｋ流れる商用周波電流は、ω。／２ｆ ＝ ５０〔ヘル
ツ〕とすれば ：ｚｏｘｘｏ−” ［相］とな９約２０
ｍＡでＲ１で消費される電力は４〔ワット） （１０Ｘ
１０”Ｘ４００Ｘ１０−’）とな夛発熱の可能性があシ
危険である。
Ｋ流れる商用周波電流は、ω。／２ｆ ＝ ５０〔ヘル
ツ〕とすれば ：ｚｏｘｘｏ−” ［相］とな９約２０
ｍＡでＲ１で消費される電力は４〔ワット） （１０Ｘ
１０”Ｘ４００Ｘ１０−’）とな夛発熱の可能性があシ
危険である。
すなわち０式で得られる絶縁抵抗のみでは第３図で示さ
れたＲ、、Ｃ，のような絶縁劣化の存在を知ることがで
きない。
れたＲ、、Ｃ，のような絶縁劣化の存在を知ることがで
きない。
前述のように第２図の絶縁抵抗Ｒ１浮遊容容量社総合並
列値で示していて、第３図のＣ，、Ｒ。
列値で示していて、第３図のＣ，、Ｒ。
の直列形の劣化が複数個所に存在するか否かは分らない
。一般に静電容量Ｃｉ、抵抗Ｒ１が直列接続された劣化
がｎケ所存在する場合には０式から測定される絶縁抵抗
Ｒｙ（ｎ）はとなる。
。一般に静電容量Ｃｉ、抵抗Ｒ１が直列接続された劣化
がｎケ所存在する場合には０式から測定される絶縁抵抗
Ｒｙ（ｎ）はとなる。
０式で示される曹数個所で同時に発生する形の絶縁劣化
は極めて少なく、一般には０式による比較的単純な絶縁
劣化形態が大部分を占める。
は極めて少なく、一般には０式による比較的単純な絶縁
劣化形態が大部分を占める。
ｔＲｆｌとすれば０式から（ＣＩＲ１＝ Ｔｔとする。
）０式から、ゴ會求めると
Ｔ１
となる。ところで＠、０式からゴが得られたＴ１
が求まる。
したがってＯ式第２項
ωｌ！
−） ［相］
１
が算出され同様に０式の第１項はＯｌｏからが求まる。
、これらから０式のａｔ−求め、次に麿とω重、ω工ω
３によシ［相］式でゴを求める。
３によシ［相］式でゴを求める。
Ｔ１
次に求められたゴと−、 、 （１３１、（ａＪ＠
か〒Ｉ Ｔ１４ｘ 駒 ら０式で−を得る。得られたーとω１．マー、
Ｒ１から［相］式が得られ、次
に０式により一が得られる。また０式からＴ１を求めれ
ば コンデンサＣ１，抵抗Ｒ１を直列接続したインピーダン
スＸは となり電路電圧が決まればｘｆ：流れる商用周波電流が
算出でき、”１での消費電力が求まり過熱事故の子側判
定ができる。
か〒Ｉ Ｔ１４ｘ 駒 ら０式で−を得る。得られたーとω１．マー、
Ｒ１から［相］式が得られ、次
に０式により一が得られる。また０式からＴ１を求めれ
ば コンデンサＣ１，抵抗Ｒ１を直列接続したインピーダン
スＸは となり電路電圧が決まればｘｆ：流れる商用周波電流が
算出でき、”１での消費電力が求まり過熱事故の子側判
定ができる。
所翻メガ−で測定される絶縁抵抗は前述の絶縁抵抗凡で
＃１１！７、頭記の測定方法で測定される抵抗は０式、
または０式で表わされる抵抗となる。したがりてメガ−
による測定（直流測定）結果と等価な絶縁抵抗を得たい
ときには、例えば［相］式の演算を利用する。即ち測定
周波数り、Ｔ８における測定結果Ｒｆ １ ＋ ”ｆ
２が等しけれげ、ＲｆｌはＲと等しいか、そりでないと
きには０．０式の計算を必要とする。本発明の方法は活
線での絶縁抵抗測定においてメガ−による測定と等価な
結果を得られるだけでなく、メガ−では測定できない絶
縁劣下要素上分離測定することを可能とするものである
。
＃１１！７、頭記の測定方法で測定される抵抗は０式、
または０式で表わされる抵抗となる。したがりてメガ−
による測定（直流測定）結果と等価な絶縁抵抗を得たい
ときには、例えば［相］式の演算を利用する。即ち測定
周波数り、Ｔ８における測定結果Ｒｆ １ ＋ ”ｆ
２が等しけれげ、ＲｆｌはＲと等しいか、そりでないと
きには０．０式の計算を必要とする。本発明の方法は活
線での絶縁抵抗測定においてメガ−による測定と等価な
結果を得られるだけでなく、メガ−では測定できない絶
縁劣下要素上分離測定することを可能とするものである
。
と
本発明塾第３図を用いてまとめて説明すると発振回路０
８Ｃｔｖ発振周・波数ｔｆｔとし、そのとき得られる有
効分から測定結果Ｒｒｔｔ−得る。
８Ｃｔｖ発振周・波数ｔｆｔとし、そのとき得られる有
効分から測定結果Ｒｒｔｔ−得る。
次に発振回路Ｏ８Ｃの発振周波数ｔｆ＊となるように発
振回路の定数を切替える。このとき得られる有効分から
測定結果ＦＬｔｘｔ得る。先に得られている凡ｆ１とＲ
Ｆｌの差を求めＲ１≧ＲｔｓのときはＲｆｌ又はＲｆ＊
はメガ−で測定する絶縁抵抗と同じあると判定し出力す
る。またＲｆｌζＲ，！のときは更に発振回路Ｏ８Ｃの
発振周波数ｔｆｓに切替え、このとき得られる有効分か
ら測定結果Ｒｆｌを得て、［相］〜［相］式を演算回路
で演算することによりメガ−で測定できない絶縁劣下要
素を算出すると共に０式の演算によフメガーで測定でき
る絶縁抵抗と等価な抵抗値全知ることができる。なおフ
ィルタＦＩＬの中心周数数は発振回路０８Ｃの周波数切
替と共に切替えられるものがのぞましい。また上記説明
では１つの発振回路の発振周波数を切替えて用いたが、
複数の発振周波数の異なる発振器を同時に発振させ、フ
ィルタ→かけ算器→ローパスフィルタの系を複数設けて
並列に処理することもできるなお前記説明においてＩ！
１図、第３図のｚＣＴならびＫＯＴは接地＊’を貫通し
ているが、これらのいずれかまたは両者が電路１，２ｔ
−貫通しても同様な結果の得られることは明らかである
。
振回路の定数を切替える。このとき得られる有効分から
測定結果ＦＬｔｘｔ得る。先に得られている凡ｆ１とＲ
Ｆｌの差を求めＲ１≧ＲｔｓのときはＲｆｌ又はＲｆ＊
はメガ−で測定する絶縁抵抗と同じあると判定し出力す
る。またＲｆｌζＲ，！のときは更に発振回路Ｏ８Ｃの
発振周波数ｔｆｓに切替え、このとき得られる有効分か
ら測定結果Ｒｆｌを得て、［相］〜［相］式を演算回路
で演算することによりメガ−で測定できない絶縁劣下要
素を算出すると共に０式の演算によフメガーで測定でき
る絶縁抵抗と等価な抵抗値全知ることができる。なおフ
ィルタＦＩＬの中心周数数は発振回路０８Ｃの周波数切
替と共に切替えられるものがのぞましい。また上記説明
では１つの発振回路の発振周波数を切替えて用いたが、
複数の発振周波数の異なる発振器を同時に発振させ、フ
ィルタ→かけ算器→ローパスフィルタの系を複数設けて
並列に処理することもできるなお前記説明においてＩ！
１図、第３図のｚＣＴならびＫＯＴは接地＊’を貫通し
ているが、これらのいずれかまたは両者が電路１，２ｔ
−貫通しても同様な結果の得られることは明らかである
。
第４図は従来提案されている活線状態で絶縁測定を行な
う第３の方法例であるが、この例では第１図、第２図の
例と違って電路に測定用の低周波電圧を印加せずに商用
電源電圧をそのまま用いている。第４図では単相２線式
電路に適応した場合を示している。しかしこの方法では
これを単相３線式電路に適応する時、２つの非接地電路
が同時に同じ絶縁劣化をおこすと、各非接地電路から発
生する漏洩電流が接地線ＥＬで互に電流方向が異なるた
め打消してしまい正確な絶縁抵抗が提供されないため、
一般に第４図のように単相２綜式の場合のみに使用され
る。
う第３の方法例であるが、この例では第１図、第２図の
例と違って電路に測定用の低周波電圧を印加せずに商用
電源電圧をそのまま用いている。第４図では単相２線式
電路に適応した場合を示している。しかしこの方法では
これを単相３線式電路に適応する時、２つの非接地電路
が同時に同じ絶縁劣化をおこすと、各非接地電路から発
生する漏洩電流が接地線ＥＬで互に電流方向が異なるた
め打消してしまい正確な絶縁抵抗が提供されないため、
一般に第４図のように単相２綜式の場合のみに使用され
る。
この場合、接地線に帰還する漏洩電流は０式のω１をＧ
ｊｏ （（ａｌｏ−２ｇｆｏ ＊ ｆｏは商用周波数）
、■１を電路電圧■ｏにおきかえたものに相当する。電
路１，２から得た電圧をトランスＴ、でω１ｆ：ω０に
変えれものに郷しく、シたがって、ｈ！ ローパスフィルタの出力線 となる。この凰 例でも電路１が第３図の如の０１．Ｒ，で接地されれば
、第１．第２の方法と同じ問題が生じ、このときローパ
スフィルタＬＰＦの出力に得られるＯＵＴは■式ｔＤ
ｅ、ｖｌｔ ｅｏｖｅ Ｉ ａｔ、 ’ｋｃｍ。
ｊｏ （（ａｌｏ−２ｇｆｏ ＊ ｆｏは商用周波数）
、■１を電路電圧■ｏにおきかえたものに相当する。電
路１，２から得た電圧をトランスＴ、でω１ｆ：ω０に
変えれものに郷しく、シたがって、ｈ！ ローパスフィルタの出力線 となる。この凰 例でも電路１が第３図の如の０１．Ｒ，で接地されれば
、第１．第２の方法と同じ問題が生じ、このときローパ
スフィルタＬＰＦの出力に得られるＯＵＴは■式ｔＤ
ｅ、ｖｌｔ ｅｏｖｅ Ｉ ａｔ、 ’ｋｃｍ。
におきかえたものに等しく、このときのローパスフィル
タＬＰＦの出力はメガ−で測定した絶縁抵抗とは一致し
ない。これが一致するか否か１知るためには接地！１を
介して上述のように電路に商用周波数以外の低周波電圧
を印加してはじめて前記と同様に絶縁抵抗の正確な測定
が可能となる〇 なお０式で示される絶縁劣化に対してｎ ＝ １のとき
周波１’ ｆ １． ｆ ｓ 、 ｆ ｓの３周波を使
用したが、ｎ＝２のときは４周波という具合にｎの増大
にともなって測定用低周波の周波数の種類を増加させる
ことにより、それぞれの場合の有効分を得ると共に０式
の周波数特性に適応するように逐次必ｌ！測定周波数の
種類を増加させればよいことは明らかである。
タＬＰＦの出力はメガ−で測定した絶縁抵抗とは一致し
ない。これが一致するか否か１知るためには接地！１を
介して上述のように電路に商用周波数以外の低周波電圧
を印加してはじめて前記と同様に絶縁抵抗の正確な測定
が可能となる〇 なお０式で示される絶縁劣化に対してｎ ＝ １のとき
周波１’ ｆ １． ｆ ｓ 、 ｆ ｓの３周波を使
用したが、ｎ＝２のときは４周波という具合にｎの増大
にともなって測定用低周波の周波数の種類を増加させる
ことにより、それぞれの場合の有効分を得ると共に０式
の周波数特性に適応するように逐次必ｌ！測定周波数の
種類を増加させればよいことは明らかである。
本発明の方法は従来提案されている活線状態確にするも
のでめり、その工業的価値は大なるものである。
のでめり、その工業的価値は大なるものである。
第１図は従来のＩＲｌの絶縁測定方法を説明する図
第２図は従来の第２の絶縁測定方法を説明する図
第３図は本発明の実施例を示す図
第４図は従来の第３の絶縁測定方法を説明する図
Ｔ ニドランス
Ｔ１：低周波印加トランス
ＺＣＴ ：零相変流器
ＯＴ ：発振トランスコア
０８Ｃ：発振回路
ＦＩＬ ：フィルタ
ＭＵＬＴ ：かけ算器（または同期検波＠）ＬＰＦ
：ローバスフィルタ ＢＬ ：１＆地縁 Ｒ：絶縁抵抗 Ｃ： 対地浮遊容量 Ｚ ：負荷 Ｃ１：コンデンサ Ｒ１：抵抗 ｒ ：漏洩電流検出用抵抗 Ｔ雪 ：分圧トランス 特許出願人 東洋通信機株式会社
：ローバスフィルタ ＢＬ ：１＆地縁 Ｒ：絶縁抵抗 Ｃ： 対地浮遊容量 Ｚ ：負荷 Ｃ１：コンデンサ Ｒ１：抵抗 ｒ ：漏洩電流検出用抵抗 Ｔ雪 ：分圧トランス 特許出願人 東洋通信機株式会社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、変圧器の接地線を通じて電路に測定信号である低周
波の電圧を電磁誘導または直列結合によって印加し、該
接地線に帰還する該低周波の漏洩電流を検出してその有
効分を演算算出することＫよシ活線状態で絶縁抵抗管測
定する方法において、該低周波電圧の周波数を変えて骸
有効分の演算算出値が変らないかを検証することを特徴
とする絶縁抵抗検出方法。 λ 特許請求の範囲Ｉにおいて、該演算算出値が変らな
いときは該演算算出値から直接該電路の絶縁抵抗を決定
することを特徴とする絶縁抵抗検出方法。 ３、 ＃許請求の範囲Ｉにおいて該演算算出値が変る
ときは該低周波電圧の周波数をさらに別の豪数の周波数
に変えてそれぞれの演算算出値を求め、該演算算出値を
用いて所定の算式によつ方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56103718A JPS585672A (ja) | 1981-07-01 | 1981-07-01 | 絶縁抵抗検出方法 |
| PCT/JP1982/000251 WO1988004055A1 (en) | 1981-07-01 | 1982-07-01 | Method and device for detecting insulation resistance |
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