JPS5854530B2 - デンカイコウカトランジスタカイロ - Google Patents

デンカイコウカトランジスタカイロ

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JPS5854530B2
JPS5854530B2 JP49013813A JP1381374A JPS5854530B2 JP S5854530 B2 JPS5854530 B2 JP S5854530B2 JP 49013813 A JP49013813 A JP 49013813A JP 1381374 A JP1381374 A JP 1381374A JP S5854530 B2 JPS5854530 B2 JP S5854530B2
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JP
Japan
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transistor
field effect
power supply
effect transistor
gate
Prior art date
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Expired
Application number
JP49013813A
Other languages
English (en)
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JPS50109640A (ja
Inventor
準 宮川
寛 新矢
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
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Publication date
Application filed by Tokyo Shibaura Electric Co Ltd filed Critical Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は電界効果トランジスタ回路に関するものである
このような回路には目的や機能によって種々のものがあ
るが従来の中間レベルを含む3つの安定出力レベルを得
る回路は非常に複雑なものであった。
本発明はこのような3つの安定出力レベルを簡単に得る
ことを目的としてなされたものであって2つの入力端子
を有し2種類のレベルをそれぞれが採り得るような2つ
の信号を入力信号としてその示すレベルによってスイッ
チングされる2つのトランジスタの回路により達成でき
るものである。
以下にその詳細を図を用いて説明する。第1図は本発明
の1実施例であってQl は第1のトランジスタでテブ
レツション形(D形)の絶縁ゲート形電界効果トランジ
スタ(IG−FET)、G2は第2のトランジスタでエ
ンハンスメント形(E形)のIG−FETでありそのド
レインd2は前記第1のトランジスタのソースS1 に
接続され、そのソースS2は第2電源VSSに接続され
、前記第1のトランジスタのドレインd1は第1の電源
VDDに接続されている。
5OB1.5UB2はそれぞれ第1、第2トランジスタ
の基板を示し、これは接地電位或は基板を逆バイアスさ
せる電位が与えられる。
G1. G2はそれぞれ第1、第2トランジスタのゲー
トである。
このような実施例はゲートG1.G2にそれぞれ第2図
の動作波形図の■G1.VG2が加えられてQ+ −G
2共にPチャンネル形とすれば次いような動作を行なう
第2図に示されたS% H“レベルは例えばVSS例え
ば+5ボルトで、XXL“レベルは例えばVDD例えば
−5ボルトである。
第2図のタイミングt1においてはVGI 、VO2共
にゝL“でQl、G2が共にONするから出力点Cの電
位■0はQl、G2の導通時の抵抗によって分割されて
きまる電位、例えばQ1+ Q2C’−Jgm比を適当
にとった場合はは70ボルトの安定レベル1M“が得ら
れる。
この条件においてタイミングt2においてはVGtがゝ
H”でVO2か1L″ であるからQlはD形のため僅
かfiONでG2がONであるから第1図の出力点Cの
電位Vcl:1lcVSs即ちゝH“となる。
次にタイミングt3においてはVO1が′XH“で■。
2もXXH″であるからQlは僅かなONでG2はOF
Fで第1図の出力点Cの電位VcはVDD即ち’XL“
となる。
又タイミングt4においてはVGtが1L“でVO2が
S(H“であるからQlがONでG2がOFFで出力点
Cの電位VcはVl)D即ちゝL“となる。
第3図はこのような論理関係を表にして示している。
第4図は本発明実施例のドレイン・ソース間の電圧対ド
レイン電流特性を示したものでカーブ1、カーブ1′及
びカーブ2はそれぞれ第2トランジスタのゲート・ソー
ス間電圧がゝH“及び5L“の場合のもの、カーブ3及
びカーブ4はそれぞれ第1トランジスタのゲート・ソー
ス−閾電圧かゝL”及びH“の場合のものであり図中の
交点A、B。
Cはそれぞれ第3図の表中に括弧内に併記されたレベル
と対応関係にあるものである。
上記はQljQ2共にPチャンネルのものとして説明し
たがNチャンネルでは電源極性を逆にするだけで全く同
様である。
本発明は以上のように構成され作動するものであってフ
ロートしない第3のレベルと共に3つの安定したレベル
が2つのゲートを制御することによって容易に得られる
簡単にして有用な回路である。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明1実施例の回路図、第2図は第1図回路
の動作波形図、第3図は第1図回路の論理関係表、第4
図は論理レベルを示すV−I特性図である。 Ql:第1のトランジスタ、G2:第2のトランジスタ
、vDD:’i電源、VSS ’電源2、Sl:Qlの
ソース、dl:Q10)ドルイン、S2’Q2のソース
、d2:G2のドレイン、G、:Q10)ゲート、G2
:G2のゲート。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 第1及び第2のトランジスタを有する回路に′j6
    0)で前記第1のトランジスタとしてテ゛プレッション
    形の絶縁ゲート形電界効果トランジスタを用いそのトレ
    インを電源1に接続し前記第2のトランジスタとしてエ
    ンハンスメント形の絶縁ゲート形電界効果トランジスタ
    を用いそのドレインを前記第1のトランジスタのソース
    に接続しソースを電源2に接続し第1のトランジスタの
    ゲートG1及び第2のトランジスタのゲートG2のそれ
    ぞれを位相の異なる2値レベルのパルス波形を持つ電源
    又は回路出力によって駆動し前記第1及び第2のトラン
    ジスタの可変抵抗動作により3つの異なる安定な電圧レ
    ベルを第1.第2のトランジスタの接続点に発生させる
    ことを特徴とする電界効果トランジスタ回路。
JP49013813A 1974-02-02 1974-02-02 デンカイコウカトランジスタカイロ Expired JPS5854530B2 (ja)

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JPS50109640A JPS50109640A (ja) 1975-08-28
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JPS5669666A (en) * 1979-11-12 1981-06-11 Konishiroku Photo Ind Co Ltd Copying machine

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JPS50109640A (ja) 1975-08-28

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