JPS62188421A - 入力回路 - Google Patents
入力回路Info
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- JPS62188421A JPS62188421A JP61030088A JP3008886A JPS62188421A JP S62188421 A JPS62188421 A JP S62188421A JP 61030088 A JP61030088 A JP 61030088A JP 3008886 A JP3008886 A JP 3008886A JP S62188421 A JPS62188421 A JP S62188421A
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- JP
- Japan
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- circuit
- transistor
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- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 235000021395 porridge Nutrition 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K19/00—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
- H03K19/0005—Modifications of input or output impedance
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K19/00—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
- H03K19/02—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components
- H03K19/08—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices
- H03K19/094—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices using field-effect transistors
- H03K19/0944—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices using field-effect transistors using MOSFET or insulated gate field-effect transistors, i.e. IGFET
- H03K19/09441—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices using field-effect transistors using MOSFET or insulated gate field-effect transistors, i.e. IGFET of the same canal type
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
し産業上の利用分野1
本発明は入力回路に関し、特に入力しきい電圧の変更可
能なMO3型半導体集積回路の入力回路に関する。
能なMO3型半導体集積回路の入力回路に関する。
MO3型半導体集積回路の入力回路における入力しきい
電圧を決定する場合、この入力回路を駆動する前段回路
の出力電圧にあわせて、入力しきい電圧を決定する必要
がある。しかし、前段回路はCMO3型、TTL型など
の回路が使われ一様でなく、このため従来は、入力回路
の入力しきい電圧を前段回路に適した値とするために、
異る入力しきい電圧を有する入力回路を複数設け、この
複数の入力回路の出力を選択するという手段をとってい
た。
電圧を決定する場合、この入力回路を駆動する前段回路
の出力電圧にあわせて、入力しきい電圧を決定する必要
がある。しかし、前段回路はCMO3型、TTL型など
の回路が使われ一様でなく、このため従来は、入力回路
の入力しきい電圧を前段回路に適した値とするために、
異る入力しきい電圧を有する入力回路を複数設け、この
複数の入力回路の出力を選択するという手段をとってい
た。
第3図は従来の入力回路の一例を示す回路図である。
また、第2図は第3図に示す従来の入力回路の入力電圧
Vlに対する出力電圧V。の特性図である。
Vlに対する出力電圧V。の特性図である。
一般に、CMO3型の入力回路は、これらを構或するP
型及びN型のトランジスタのチャンネル長やチャンネル
幅などを変えることにより、そのトランジスタのしきい
電圧やオン抵抗を変えることができるので、このことを
利用しその入力回路の入力しきい電圧を変えることがで
きる。
型及びN型のトランジスタのチャンネル長やチャンネル
幅などを変えることにより、そのトランジスタのしきい
電圧やオン抵抗を変えることができるので、このことを
利用しその入力回路の入力しきい電圧を変えることがで
きる。
第2図に示された曲線C,,C2は、トランジスタ1.
la、2.2aのチャンネル長やチャンネ、ル幅等を変
えて得られた第1及び第2の入力回路10.20の入力
電圧■iに対する出力電圧■0の特性曲線(以下V、−
V。曲線という)である。
la、2.2aのチャンネル長やチャンネ、ル幅等を変
えて得られた第1及び第2の入力回路10.20の入力
電圧■iに対する出力電圧■0の特性曲線(以下V、−
V。曲線という)である。
出力信号V、により駆動される次段の内部回路の入力し
きい電圧をVlとすると、曲線C1から、第1の入力回
路10の入力しきい電圧V、が得られ、曲線C2から、
第2の入力回路20の入力しきい電圧V2が得られる。
きい電圧をVlとすると、曲線C1から、第1の入力回
路10の入力しきい電圧V、が得られ、曲線C2から、
第2の入力回路20の入力しきい電圧V2が得られる。
従って、切換回路2により、前段回路の出力電圧が高い
場合には第1の入力回路10の出力を選択し、前段回路
の出力電圧が低い場合には第2の入力回路20の出力を
選択し、前段回路に適合した入力しきい電圧を得ること
ができる。
場合には第1の入力回路10の出力を選択し、前段回路
の出力電圧が低い場合には第2の入力回路20の出力を
選択し、前段回路に適合した入力しきい電圧を得ること
ができる。
上述した従来の入力回路は、入力しきい電圧分決定する
場合、異る入力しきい電圧を有する入力回路を複数設け
、この複数の入力回路の出力を選択する構成となってい
るので、素子数の増加を招き、チ・・Iプ面積が増大す
るという欠点があった。
場合、異る入力しきい電圧を有する入力回路を複数設け
、この複数の入力回路の出力を選択する構成となってい
るので、素子数の増加を招き、チ・・Iプ面積が増大す
るという欠点があった。
また、これら複数の入力回路の入力しきい電圧は、それ
ぞれ固定された値となっているので、これらの入力しき
い電圧とは異なる人力しきい電圧が必要な回路には適用
できず、汎用性が低下する欠点があった。
ぞれ固定された値となっているので、これらの入力しき
い電圧とは異なる人力しきい電圧が必要な回路には適用
できず、汎用性が低下する欠点があった。
本発明の目的は、素子数が増加しチップ面積が増大する
ことを防止でき、かつ汎用性の向−ヒをはかることので
きる入力回路を提供する。
ことを防止でき、かつ汎用性の向−ヒをはかることので
きる入力回路を提供する。
本発明の入力回路は、ゲート電極を共に信号入力端に接
続しドレイン電極を共に信号出力端に接続して直列接続
された第1及び第2のトランジスタと、これら第1及び
第2のトランジスタの何れか一方のトランジスタのソー
ス電極及びドレイン電極にそれぞれ同電極を接続した少
なくとも1個の同型の第3のトランジスタと、この第3
のトランジスタのゲート電極に前記信号入力端又はこの
第3のトランジスタを非導通にする電圧の電源端の何れ
かを選択して接続し入力しきい電圧を変更する切換回路
とを有している。
続しドレイン電極を共に信号出力端に接続して直列接続
された第1及び第2のトランジスタと、これら第1及び
第2のトランジスタの何れか一方のトランジスタのソー
ス電極及びドレイン電極にそれぞれ同電極を接続した少
なくとも1個の同型の第3のトランジスタと、この第3
のトランジスタのゲート電極に前記信号入力端又はこの
第3のトランジスタを非導通にする電圧の電源端の何れ
かを選択して接続し入力しきい電圧を変更する切換回路
とを有している。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第1図は本発明の一実施例を示す回路図である。
この実施例は、ゲーI・電極を共に信号入力端に接続し
、ドレイン電極を共に信号出力端に接して直列接続され
たP型の第1のトランジスタQ+及びN型の第2のトラ
ンジスタQ2と、この第2のトランジスタQ2のソース
電極及びドレイン電極にそれぞれ同電極を接続したN型
の第3のトランジスタQ3と、この第3のトランジスタ
Q3のゲート電極を接続する点を、接地電位端とするか
信号入力端とするかを制御信号■5により選択する切換
回路1とを有する構成となっている。
、ドレイン電極を共に信号出力端に接して直列接続され
たP型の第1のトランジスタQ+及びN型の第2のトラ
ンジスタQ2と、この第2のトランジスタQ2のソース
電極及びドレイン電極にそれぞれ同電極を接続したN型
の第3のトランジスタQ3と、この第3のトランジスタ
Q3のゲート電極を接続する点を、接地電位端とするか
信号入力端とするかを制御信号■5により選択する切換
回路1とを有する構成となっている。
切換回路1により第3のトランジストQ3のゲート電極
が接地電位端に接続されると、この第3のトランジスタ
Q3は非導通となり、第1及び第2のトランジスタQ+
、Qzで、入力回路が構成され、入力信号V、を入力し
出力信号V (lを出力する。このとき、この入力回路
のもつ’v’ 1 V (+曲線は、第2図に示す曲
線C1と同様のV、 −VO曲線となる。
が接地電位端に接続されると、この第3のトランジスタ
Q3は非導通となり、第1及び第2のトランジスタQ+
、Qzで、入力回路が構成され、入力信号V、を入力し
出力信号V (lを出力する。このとき、この入力回路
のもつ’v’ 1 V (+曲線は、第2図に示す曲
線C1と同様のV、 −VO曲線となる。
次に、切換回路1により第3のトランジスタQ、のゲー
ト電極が信号入力端に接続されると、第2のトランジス
タQ2に第3のトランジスタQ3が並列接続された型と
なり、第3のトラ〉・ジスタQ3がらつしきい電圧、オ
ン抵抗等によりこの入力回路のもつV、−Vo曲線を変
えることができ、第2図に示す曲線02と同様のV+
Vol′II]線を得ることができる2 従って、この実施例の入力回路は、第2図に示す入力し
きい電圧V+/(びV2の何れかを選択することができ
、前段回路に適合した入力しきい電圧を得ることができ
る。
ト電極が信号入力端に接続されると、第2のトランジス
タQ2に第3のトランジスタQ3が並列接続された型と
なり、第3のトラ〉・ジスタQ3がらつしきい電圧、オ
ン抵抗等によりこの入力回路のもつV、−Vo曲線を変
えることができ、第2図に示す曲線02と同様のV+
Vol′II]線を得ることができる2 従って、この実施例の入力回路は、第2図に示す入力し
きい電圧V+/(びV2の何れかを選択することができ
、前段回路に適合した入力しきい電圧を得ることができ
る。
なお、を記実施例では、第3のトランジスタが1藺の場
合について述べたが、この第3のトランジスタヒして異
ったしきい電圧、オン抵抗をもつ複数の1〜ラシジスタ
を設けることができ、これらのトランジスタのデー1〜
電極を選釈、切IQえることにより、多くの人力しきい
電圧を得ることができるので、汎用性を高めることがで
きる。
合について述べたが、この第3のトランジスタヒして異
ったしきい電圧、オン抵抗をもつ複数の1〜ラシジスタ
を設けることができ、これらのトランジスタのデー1〜
電極を選釈、切IQえることにより、多くの人力しきい
電圧を得ることができるので、汎用性を高めることがで
きる。
1発明の効果]1
rノ、上説明したように、本発明は、入力回路を構成す
る二つのトランジスタの片方に第3のトランジスタを設
け、このトランジスタのゲート電極を信号入力端に接続
するか、このトランジスタが非導通となる電位に接続す
るかを選沢することにより、1つの入力回路で異る入力
しきい電圧を得ることができるので、素子数の増加及び
チップ面積の増大を防ぎ、かつ汎用性の向」−をはかる
ことができる効果がある。
る二つのトランジスタの片方に第3のトランジスタを設
け、このトランジスタのゲート電極を信号入力端に接続
するか、このトランジスタが非導通となる電位に接続す
るかを選沢することにより、1つの入力回路で異る入力
しきい電圧を得ることができるので、素子数の増加及び
チップ面積の増大を防ぎ、かつ汎用性の向」−をはかる
ことができる効果がある。
第1図は本発明の一実施例を示す回路図、第2図は第3
図に示す従来の入力回路の入力電圧に対す出力電圧の特
性図、第3図は従来入力回路の一例を示す回路図である
。 1.2・・・切換回路、10・・・第1の入力回路、2
0・・・第2の入力回路、Q、〜Q5・・・トランジス
タ。 DD ′FJ1 図 め 消2図 °粥3図
図に示す従来の入力回路の入力電圧に対す出力電圧の特
性図、第3図は従来入力回路の一例を示す回路図である
。 1.2・・・切換回路、10・・・第1の入力回路、2
0・・・第2の入力回路、Q、〜Q5・・・トランジス
タ。 DD ′FJ1 図 め 消2図 °粥3図
Claims (1)
- ゲート電極を共に信号入力端に接続しドレイン電極を共
に信号出力端に接続して直列接続された第1及び第2の
トランジスタと、これら第1及び第2のトランジスタの
何れか一方のトランジスタのソース電極及びドレイン電
極にそれぞれ同電極を接続した少なくとも1個の同型の
第3のトランジスタと、この第3のトランジスタのゲー
ト電極に前記信号入力端又はこの第3のトランジスタを
非導通にする電圧の電源端の何れかを選択して接続し入
力しきい電圧を変更する切換回路とを有することを特徴
とする入力回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61030088A JPS62188421A (ja) | 1986-02-13 | 1986-02-13 | 入力回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61030088A JPS62188421A (ja) | 1986-02-13 | 1986-02-13 | 入力回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62188421A true JPS62188421A (ja) | 1987-08-18 |
Family
ID=12294035
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61030088A Pending JPS62188421A (ja) | 1986-02-13 | 1986-02-13 | 入力回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62188421A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0247918A (ja) * | 1988-08-08 | 1990-02-16 | Fujitsu Ltd | バッファ回路 |
JPH02147875A (ja) * | 1988-11-29 | 1990-06-06 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体集積回路 |
JP2004040757A (ja) * | 2002-06-29 | 2004-02-05 | Hynix Semiconductor Inc | スイッチングポイント感知回路及びそれを用いた半導体装置 |
-
1986
- 1986-02-13 JP JP61030088A patent/JPS62188421A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0247918A (ja) * | 1988-08-08 | 1990-02-16 | Fujitsu Ltd | バッファ回路 |
JPH02147875A (ja) * | 1988-11-29 | 1990-06-06 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体集積回路 |
JP2004040757A (ja) * | 2002-06-29 | 2004-02-05 | Hynix Semiconductor Inc | スイッチングポイント感知回路及びそれを用いた半導体装置 |
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