JPS5854513B2 - 光起電力装置の製造方法 - Google Patents
光起電力装置の製造方法Info
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- JPS5854513B2 JPS5854513B2 JP57154875A JP15487582A JPS5854513B2 JP S5854513 B2 JPS5854513 B2 JP S5854513B2 JP 57154875 A JP57154875 A JP 57154875A JP 15487582 A JP15487582 A JP 15487582A JP S5854513 B2 JPS5854513 B2 JP S5854513B2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は光起電力装置の製造方法に関する。
太陽電池や光検出器のような光起電力装置は太陽光線を
直接電気工オルギに変換することができるが、この種装
置の最大の問題として、他の電気工オルギ発生手段と比
較して発電費用が極めて大きいことが言われている。
直接電気工オルギに変換することができるが、この種装
置の最大の問題として、他の電気工オルギ発生手段と比
較して発電費用が極めて大きいことが言われている。
その主な原因は、装置の主体を構成する半導体材料の利
用効率が低いこと、更には斯る材料を製造するに要する
工茅ルギが多いことにある。
用効率が低いこと、更には斯る材料を製造するに要する
工茅ルギが多いことにある。
ところが最近、この様な欠点を一挙に解決する技術とし
て、上記半導体材料に非晶質シリコンの如き非晶質半導
体を使用することが提案された。
て、上記半導体材料に非晶質シリコンの如き非晶質半導
体を使用することが提案された。
即ち非晶質シリコンはシランやフロルシリコンなどのシ
リコン化合物雰囲気中でのグロー放電によって安価かつ
大量に形成することができ、その場合の非晶質シリコン
(以下GD−asiと略記する)では、禁止帯の幅中の
平均局在状態密要がI Q”cm−3以下と小さく、結
晶シリコンと同じ様にP型、N型の不純物匍脚が可能と
なるのである。
リコン化合物雰囲気中でのグロー放電によって安価かつ
大量に形成することができ、その場合の非晶質シリコン
(以下GD−asiと略記する)では、禁止帯の幅中の
平均局在状態密要がI Q”cm−3以下と小さく、結
晶シリコンと同じ様にP型、N型の不純物匍脚が可能と
なるのである。
第1図は、GD−asiを用いた典型的な従来の太陽電
池を示し、1は可視光を透過するガラス基板、2は該基
板上に形成された透明電極、3゜4及び5は夫々透明電
極2上に順次形成されたGD−asiOP型層、GD−
asiのノンドープ(不純物無添加)層及びGD−as
iON型層でブ(不純物無添加)層及びGD−aSiの
N型層あり、6は該N型層上に設けられたオーミックコ
ンタクト用電極である。
池を示し、1は可視光を透過するガラス基板、2は該基
板上に形成された透明電極、3゜4及び5は夫々透明電
極2上に順次形成されたGD−asiOP型層、GD−
asiのノンドープ(不純物無添加)層及びGD−as
iON型層でブ(不純物無添加)層及びGD−aSiの
N型層あり、6は該N型層上に設けられたオーミックコ
ンタクト用電極である。
上記太陽電池において、ガラス基板1及び透明電極2を
介して光がGD−aSiからなるP型層3、ノンドープ
層4及びN型層5に入ると、主にノンドープ層4におい
て自由状態の電子及び又は正札が発生し、これらは上記
各層の作るPIN接合電界により引かれて移動した後透
明電極2やオーミックコンタクト用電極6に集められ両
電極間に電圧が発生する。
介して光がGD−aSiからなるP型層3、ノンドープ
層4及びN型層5に入ると、主にノンドープ層4におい
て自由状態の電子及び又は正札が発生し、これらは上記
各層の作るPIN接合電界により引かれて移動した後透
明電極2やオーミックコンタクト用電極6に集められ両
電極間に電圧が発生する。
ところで、斯る太陽電池にあっては、その光起電圧は約
O,S V程要であるため、より大きな電源電圧を必要
とする機器の電源としては上記太陽電池はそのまま使用
できない。
O,S V程要であるため、より大きな電源電圧を必要
とする機器の電源としては上記太陽電池はそのまま使用
できない。
従って本発明の目的は、上記GD−asiの如き非晶質
半導体を用い簡単かつ量産性に富んだ方法により多設に
電気的に直列関係に配置し、任意の電圧発生を得んとす
る光起電力装置の製造方法を提供することにある。
半導体を用い簡単かつ量産性に富んだ方法により多設に
電気的に直列関係に配置し、任意の電圧発生を得んとす
る光起電力装置の製造方法を提供することにある。
第2図は本発明製造方法により作製された光起電力装置
を示し、7は可視光透過可能なガラスなどからなる平担
な絶縁基板、8,9,10は該絶縁基板上に膜状に形成
された第1.第2.第3の発電区域である。
を示し、7は可視光透過可能なガラスなどからなる平担
な絶縁基板、8,9,10は該絶縁基板上に膜状に形成
された第1.第2.第3の発電区域である。
該発電区域の各々はGD−aSi層11と該層を挾んで
対向する第1電極12及び第2電極13から構成されて
いる。
対向する第1電極12及び第2電極13から構成されて
いる。
GD−asi層11は図示していないが第1図の構造と
同様に基板7側から順次堆積されたP型層、ノンドープ
層及びN型層の3層からなり、斯るGD−asi層11
は第1〜第3の発電区域に連続して延びている。
同様に基板7側から順次堆積されたP型層、ノンドープ
層及びN型層の3層からなり、斯るGD−asi層11
は第1〜第3の発電区域に連続して延びている。
第1電極12は可視光透過性を有し、酸化錫、酸化イン
ジウム、酸化インジウム・錫(I n2 o3+xSn
02.x≦0.1)などで構成することができるが、酸
化インジウム、錫が特に好ましい。
ジウム、酸化インジウム・錫(I n2 o3+xSn
02.x≦0.1)などで構成することができるが、酸
化インジウム、錫が特に好ましい。
第2電極13はアルミニウム、クロムなどで構成される
。
。
第1〜第3発電区域8〜10の夫々の第1電極12及び
第2電極13は基板7上において夫々の発電区域の外へ
延びる延長部14及び15を有し、第1発電区域8の第
2電極13の延長部14と第2発電区域9の第1電極1
2の延長部14とが、又第2発電区域9の第2電極13
の延長部15と第3発電区域10の第1電極12の延長
部14とが夫々互いに重畳して電気的に接続されている
。
第2電極13は基板7上において夫々の発電区域の外へ
延びる延長部14及び15を有し、第1発電区域8の第
2電極13の延長部14と第2発電区域9の第1電極1
2の延長部14とが、又第2発電区域9の第2電極13
の延長部15と第3発電区域10の第1電極12の延長
部14とが夫々互いに重畳して電気的に接続されている
。
又第1発電区域8の第1電極12の延長部14には第2
電極13と同材料からなる接続部16が重畳被着されて
いる。
電極13と同材料からなる接続部16が重畳被着されて
いる。
上記装置の製造方法を以下に説明する。
第1工程で絶縁基板7上に延長部14を3んだ第1電極
12の各々が選択エツチング手法又は選択スパッタ付着
手法により、第1〜第3の発電区域8,9,10の夫々
に分離して形成される。
12の各々が選択エツチング手法又は選択スパッタ付着
手法により、第1〜第3の発電区域8,9,10の夫々
に分離して形成される。
第2工程では先ずシランやフロルシリコンなどのシリコ
ン化合部雰囲気中にP型不純物を添加しグロー放電を生
起せしめドープ量o、oi〜1%、膜厚40〜100O
AのP型層を被着し1次いで斯るP型層上に不純物を除
くシリコン化合物雰囲気中でのグロー放電により膜厚0
.5〜2μ扉のノンドープ層並びにN型不純物を添加し
てドープ量0.1〜3係、膜厚200〜100OAのN
型層を順次堆積せしめる。
ン化合部雰囲気中にP型不純物を添加しグロー放電を生
起せしめドープ量o、oi〜1%、膜厚40〜100O
AのP型層を被着し1次いで斯るP型層上に不純物を除
くシリコン化合物雰囲気中でのグロー放電により膜厚0
.5〜2μ扉のノンドープ層並びにN型不純物を添加し
てドープ量0.1〜3係、膜厚200〜100OAのN
型層を順次堆積せしめる。
この3層構成から成るG D −a S i層11は第
1〜第3の発電区域8,9,100各々に連続的に連な
って形成される。
1〜第3の発電区域8,9,100各々に連続的に連な
って形成される。
このとき、該層は上記延長部14,15に存在してはな
らないので、基板7上全面に上記3層からなるGD−a
Si層11を形成した後、選択エツチング手法により不
要部を除去するか、あるいは不要部を覆うマスクを用い
ることにより所望部のみに上記3層からなるGD−aS
i層11が形成される。
らないので、基板7上全面に上記3層からなるGD−a
Si層11を形成した後、選択エツチング手法により不
要部を除去するか、あるいは不要部を覆うマスクを用い
ることにより所望部のみに上記3層からなるGD−aS
i層11が形成される。
続く最終工程において延長部15を自む第2電極13及
び接続部16が第1〜第3発電区域8゜9.10毎に選
択蒸着手法などにより形成され、左隣りの発電区域8,
9から夫々延出した延長部15.15と右隣りの発電区
域9,10から夫々延出した延長部14,14とが非晶
質半導体層11の一方の外線で電気的に結合される。
び接続部16が第1〜第3発電区域8゜9.10毎に選
択蒸着手法などにより形成され、左隣りの発電区域8,
9から夫々延出した延長部15.15と右隣りの発電区
域9,10から夫々延出した延長部14,14とが非晶
質半導体層11の一方の外線で電気的に結合される。
この様にして製造された第2図の如き光起電力装置にお
いて、基板7及び第1電極12を介して光がGD−aS
i層11に入ると、第1〜第3発電区域8〜10の夫々
において第1図の場合と同様に起電圧が生じ、各区域の
第1、第2電極12゜13はその延長部において交互に
接続されているので各区域の起電圧は直列的に相加され
、第1発電区域8に連なる接続部16を電極、第3発電
区域10の第2電極13に連なる延長部15を一極とし
て両極の間に上記の如く相加された電圧が発生する。
いて、基板7及び第1電極12を介して光がGD−aS
i層11に入ると、第1〜第3発電区域8〜10の夫々
において第1図の場合と同様に起電圧が生じ、各区域の
第1、第2電極12゜13はその延長部において交互に
接続されているので各区域の起電圧は直列的に相加され
、第1発電区域8に連なる接続部16を電極、第3発電
区域10の第2電極13に連なる延長部15を一極とし
て両極の間に上記の如く相加された電圧が発生する。
同上記装置において第1電極12に連なる延長部14に
は電極材料の性質により外部リード線を超音波ボデイン
グなどにより接続するのが困難であるが、接続部16の
存在はこれを容易になすものである。
は電極材料の性質により外部リード線を超音波ボデイン
グなどにより接続するのが困難であるが、接続部16の
存在はこれを容易になすものである。
又、上記装置において、各発電区域の隣接間隔が小さい
と、隣り合う区域の第1電極12どうし。
と、隣り合う区域の第1電極12どうし。
あるいは第2電極どうしの間で直接電流が流れる現象、
即ち漏れ電流の発生が認められるが、 GD−asi層
11の光照射時の抵抗値が数〜数+MΩであることを考
慮すると、上記隣接間隔は1層扉以上に設定することに
より、上記漏れ電流の影響は実質的に問題とならない。
即ち漏れ電流の発生が認められるが、 GD−asi層
11の光照射時の抵抗値が数〜数+MΩであることを考
慮すると、上記隣接間隔は1層扉以上に設定することに
より、上記漏れ電流の影響は実質的に問題とならない。
本発明は以上の説明から明らかな如く1発電区域を構成
する非晶質半導体層は電気的に直列関係に接続される複
数の発電区域の各々に連続的に連なって形成されるので
、半導体層形成時に各発電区域毎に分割せんがために使
用される金属マスクの正確な位置決めが不要となると共
に、金属マスクによる各発電区域の分離間隔の増大を防
止することができ、製造簡単にして基板面積に対する発
電区域の占有率を向上せしめることができる。
する非晶質半導体層は電気的に直列関係に接続される複
数の発電区域の各々に連続的に連なって形成されるので
、半導体層形成時に各発電区域毎に分割せんがために使
用される金属マスクの正確な位置決めが不要となると共
に、金属マスクによる各発電区域の分離間隔の増大を防
止することができ、製造簡単にして基板面積に対する発
電区域の占有率を向上せしめることができる。
第1図は従来装置を示す側面図、第2図Aは本発明方法
により製造された実施例装置を示す平面図、第2図B及
びCは夫々第2図AにおけるB −B及びC−C断面図
である。 7・・・絶縁基板、8,9,10・・・第1.第2.第
3発電区域、11・・・非晶質シリコン層。
により製造された実施例装置を示す平面図、第2図B及
びCは夫々第2図AにおけるB −B及びC−C断面図
である。 7・・・絶縁基板、8,9,10・・・第1.第2.第
3発電区域、11・・・非晶質シリコン層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 絶縁基板上に複数の発電区域を有し、該複数数の発
電区域を電気的に直接関係になるべく互いに接続される
光起電力装置の製造方法であって。 上記絶縁基板の一主面に設けられた電極上に複数の発電
区域の各々に連続的に連なった非晶質半導体層を形成す
る工程を名んでいることを特徴とした光起電力装置の製
造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57154875A JPS5854513B2 (ja) | 1982-09-06 | 1982-09-06 | 光起電力装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57154875A JPS5854513B2 (ja) | 1982-09-06 | 1982-09-06 | 光起電力装置の製造方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP54014497A Division JPS5821827B2 (ja) | 1979-02-09 | 1979-02-09 | 光起電力装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5848973A JPS5848973A (ja) | 1983-03-23 |
JPS5854513B2 true JPS5854513B2 (ja) | 1983-12-05 |
Family
ID=15593839
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57154875A Expired JPS5854513B2 (ja) | 1982-09-06 | 1982-09-06 | 光起電力装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5854513B2 (ja) |
-
1982
- 1982-09-06 JP JP57154875A patent/JPS5854513B2/ja not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5848973A (ja) | 1983-03-23 |
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