JPS5853798Y2 - 信号読み出し回路 - Google Patents

信号読み出し回路

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Publication number
JPS5853798Y2
JPS5853798Y2 JP2650578U JP2650578U JPS5853798Y2 JP S5853798 Y2 JPS5853798 Y2 JP S5853798Y2 JP 2650578 U JP2650578 U JP 2650578U JP 2650578 U JP2650578 U JP 2650578U JP S5853798 Y2 JPS5853798 Y2 JP S5853798Y2
Authority
JP
Japan
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transistor
voltage
signal readout
resistor
differential amplifier
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Expired
Application number
JP2650578U
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JPS54131421U (ja
Inventor
和弘 佐藤
守司 泉田
Original Assignee
株式会社日立製作所
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Publication date
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Description

【考案の詳細な説明】 固体撮像素子の信号読み出し回路としては従来第1図の
ような構成が考えられていた。
1は固体撮像素子、2はこの素子を正常に動作させるた
めに必要とされるバイアス電圧(DC数■)を印加させ
るための抵抗R,3はバイアス電源、4は結合コンデン
サ、5はプリアンプである。
ここで、抵抗Rはプリアンプの入力インピーダンスに比
べて十分に大きな値にしないと、信号成分がこの抵抗R
を通して流れるためS/Hの劣化を引き起こす。
抵抗を大きくすると素子に強い光が照射された場合には
大きな電流が流れるためにこの抵抗による電圧降下が起
こり、素子に正常なバイアス電圧が印加されないという
問題が起こる。
また、結合コンデンサ4を使用しているために、信号が
大きく変化する部分ではストリーキングと呼ばれる尾引
き現象が発生し画質を劣化させる。
本考案は上述した問題点を解消する方法として直結形プ
リアンプを用いた場合の最適回路構成を提供する。
本考案によれば、バイアス電圧は負帰還型増幅器の帰還
抵抗を通して印加され、かつバイアス電圧の可変を上記
負帰還型増幅器の初段(トランジスタ)の(エミッタ)
抵抗を可変することによって行なう。
本考案の一実施例を第2図に示す。
バイアス電圧は正と仮定する。
1は固体撮像素子、6は帰還抵抗R1,7は固体撮像素
子1の映像信号を出力する信号読み出し線に接続される
トランジスタ、8はトランジスタのコレクタ負荷抵抗、
9は可変抵抗、10はコンデンサ、11は直流結合差動
アンプ、12は基準電源である。
この回路の直流分について考えると、差動アンプ11の
非反転入力Aの電圧は反転入力Bの電圧、すなわち基準
電源12の電圧にほぼ等しくなるように帰還がかかる。
入力AとBの差はほぼ零だが、差動アンプ11のオーグ
ループのゲインが非常に大きいので、出力電圧は数ボル
トとなる。
したがってトランジスタのエミッタ電圧と(ベース)電
圧の1 は常に一定となり、一定の(コレクタ)電流
が流れる回路となっている。
このため、(エミッタ)電位を可変抵抗9により可変す
ると、(ベース)電位を数V程度可変することができ、
最適なバイアス電圧を、固体撮像素子に印加することが
できる。
すなわち、トランジスタ70ペース電圧をei。
ドレイン電圧を62、基準電源12の電圧をe。
、負荷抵抗8をRD、可変抵抗9をR8、コンデンサi
0をCs、トランジスタ7のしきい値電圧を■T1差
動アンプ11のゲインをG1電源電圧Vとすると、初段
の直流成分については、 となるから、R8を可変とすればelを可変できる。
例えばV=12V、eo=7Vとし、RD−1にΩ、R
8を100Ω〜IKΩまで可変したとすると、VT=0
.2Vのとき、e、は0.7V〜5.2■まで可変でき
る。
特に直流結合差動アンプを第3図に詳述した。
第3図では、トランジスタのかわりにFETを使用した
例を示す。
交流分についてはFETのソースにコンデンサ10を付
けることにより、ゲイン及び必要とする帯域での周波数
特性を一定にすることができる。
コンデンサ10を付加しない場合には、初段FETのゲ
インは可変抵抗9と負荷抵抗8の比で決定される。
したがって、可変抵抗9を変えると初段のゲインは変化
してしまう。
特に交流分のゲインの変化は望ましくないため、可変抵
抗9にコンデンサ10を付加する。
こうすると交流分のゲインはFET7の性能と負荷抵抗
8だゆで決定されようになる。
但し、帰還抵抗6を介した帰還があり、全体のゲインは
この帰還抵抗R16によってほぼ決定される。
つまり信号電流なIaとすると出力電圧は■s−にとな
る。
コンデンサ10を付加すると交流分に対するS/Nが改
善できる。
この回路によりバイアス電圧を設定すると、強い光が素
子に照射されても、ゲート電位が常に一定となるように
帰還がかかるために、バイアス電圧の変動はなくなる。
また、第1図のようなバイアスを与えるための抵抗は不
用となるためにこの抵抗によるS/Nの劣化をさげるこ
とができる。
さらに、結合コンデンサ4を使用していないためにスト
リーキングも発生しないという利点がある。
第2図のバイアス電圧は正の電圧と仮定したが負の電圧
の場合でも、同じ考え方で回路を構成できることはいう
までもない。
また第3図に示したように初段にトランジスタではなく
FETを使用すると、ゲート電流がほとんど流れないた
めS/Nの向上をはかることができる。
なお、本考案は何ら固体撮像素子に限定されず、他の撮
像装置等に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来例図、第2図、第3図は本考案の実施例図
である。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 撮像手段の映像信号を出力する信号読み出し線に、その
    制御端が接続されたトランジスタと、該トランジスタの
    コレクタ端子が接続された直結形差動増幅器と、該差動
    増幅器の出力を上記トランジスタの制御端に帰還する帰
    還路とを有し、上記トランジスタのエミッタ抵抗を可変
    とした信号読み出し回路。
JP2650578U 1978-03-03 1978-03-03 信号読み出し回路 Expired JPS5853798Y2 (ja)

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JP2650578U JPS5853798Y2 (ja) 1978-03-03 1978-03-03 信号読み出し回路

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JPS54131421U JPS54131421U (ja) 1979-09-12
JPS5853798Y2 true JPS5853798Y2 (ja) 1983-12-07

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