JPS59816Y2 - 差動増幅回路 - Google Patents

差動増幅回路

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JPS59816Y2
JPS59816Y2 JP1979158629U JP15862979U JPS59816Y2 JP S59816 Y2 JPS59816 Y2 JP S59816Y2 JP 1979158629 U JP1979158629 U JP 1979158629U JP 15862979 U JP15862979 U JP 15862979U JP S59816 Y2 JPS59816 Y2 JP S59816Y2
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健司 横山
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Description

【考案の詳細な説明】 この考案は、歪率、電源電圧変動抑圧比等の電気的特性
の向上を計った差動増幅回路に関する。
バイポーラトランジスタを用いた差動増幅回路において
は、この回路の入力インピーダンスを上昇させることを
目的として、同回路を構成するトランジスタのベース側
にソースフォロアによるドライブ回路を挿入することが
ある。
ところで、このような差動増幅回路においては、前記ソ
ースフォロアを構成する電界効果トランジスタのドレイ
ン−ソース間電圧を一定化させた場合に、歪率特性の向
上や電源電圧変動抑圧比(以下S、V、R,Rと言う)
を改善することができる。
従来このような差動増幅回路としては、例えば第1図に
示すものが提供されている。
すなわち第1図に示す差動増幅回路は、バイポーラ形の
トランジスタ1,2を有する差動増幅回路において、ト
ランジスタ1,2のベース側に各々電界効果トランジス
タ3,4(ソースフォロア)を接続し、これら電界効果
トランジスタ3,4の各ドレインーソース間電圧VDs
を、前記トランジスタ1,2の共通エミッタに接続した
抵抗5の電圧降下を利用して一定化するようにしたもの
である。
しかしてこの差動増幅回路によれば、入力信号の値が変
化した場合にも電界効果トランジスタ3,4の各ドレイ
ンーソース間電圧VDSが一定であるため、これら電界
効果トランジスタ3,4の各ドレイン電流りを一定とな
し得てS、V、R,Rを改善することができる一方、同
電界効果トランジスタ3,4の各ドレインーゲート間容
量CDGの変化を防止し得、もって同容量CDGの変化
に伴う歪の発生を防止することができる。
なおこの場合前記容量CDGの変化に伴う歪の発生は、
この差動増幅回路を各種増幅器の初段に用いた場合に負
帰還による改善を計り得ない。
したがってこの歪の発生を抑えることはこの種の差動増
幅回路にとって極めて有益である。
ところで、上記の差動増幅回路においては、回路構成が
正負非対称のため出力信号はDC領域まで含めて正負対
称となるように取り出すことが困難であり、後段の回路
構成が制約される欠点があつた。
この考案は上記の事情に鑑み、各種型の発生を抑えるこ
とができると共に5VRRの改善を計ることができ、し
かも構成が簡単である差動増幅回路を提供するもので、
第1、第2のバイポーラトランジスタおよびこれら第1
、第2のバイポーラトランジスタとは逆導電性の第3.
第4のバイポーラトランジスタを各々差動接続するとと
もに前記第1、第3のバイポーラトランジスタの両ベー
スおよび前記第2、第4のバイポーラトランジスタの両
ベースを各々共通接続し、各ゲートが第1、第2の入力
端子に各々接続されドレインが共通接続されソースが各
々負荷抵抗を介して共通接続される第1、第2の電界効
果トランジスタの前記各ソースを前記第1、第3のバイ
ポーラトランジスタの共通ベースおよび前記第2、第4
のバイポーラトランジスタの共通ベースに各々接続し、
前記第1、第2のバイポーラトランジスタの共通エミッ
タと前記負荷抵抗共通接続点との間および前記第3、第
4のバイポーラトランジスタの共通エミッタと前記第1
、第2の電界効果トランジスタの共通ドレインとの間に
第1、第2の定電圧回路を各々接続してなることを特徴
としている。
以下、この考案の実施例を第2図、第3図を参照して説
明する。
第2図はこの考案による差動増幅回路Aの基本的構成を
示す回路図である。
この図に示される差動増幅回路Aは、それぞれソースフ
ォロアとして構成された電界効果トランジスタ11.1
2と、これら電界効果I・ランジスタを通して入力信号
の供給を受けるコンプリメンタリ差動増幅回路、すなわ
ちバイポーラ形のトランジスタ13〜16を有して構成
されたコンプリメンタリ差動増幅回路17とからなるも
のである。
すなわち、前記電界効果トランジスタ11.12は、そ
のゲートが各々第1、第2の入力端子18a、19aに
接続され、そのソースが各々トランジスタ13.15の
共通ベース20、トランジスタ14.16の共通ベース
21に接続され、そのドレインが各々共通接続されてい
る。
また、これら電界効果トランジスタ11.12のソース
には各々負荷抵抗22、23の一端が接続され、負荷抵
抗22.23の他端は共通接続されている。
そして、電界効果トランジスタ11.12の共通ドレイ
ン24とトランジスタ15.16の共通エミッタ25と
の間には電源26が介挿され、共通エミッタ25へは定
電流源CCIを介して正電源端子34から電流が供給さ
れ、また前記負荷抵抗22.23の共通接続点27とト
ランジスタ13.14の共通エミッタ28との間には電
源29が介挿され、共通エミッタ28からは定電流源C
C2を介して、負電源端子38へ電流が供給されている
また、トランジスタ13.14のコレクタは、各々第1
の出力端子30a、30bに接続されると共に負荷抵抗
31.32を介して電源回路33の正電源端子34に接
続されている。
また更にトランジスタ15.16のコレクタは、各々第
2の出力端子35 a 、35 bに接続されると共に
負荷抵抗36.37を介して電源回路33の負電源端子
38に接続されている。
しかしてこの差動増幅回路Aにおいては、例えば第1の
入力端子18 a 、18 bに入力信号vi1が印加
され、第2の入力端子19 a 、19 bに入力信号
vi2が印加された場合に、これらの入力信号が電界効
果トランジスタ11.12を通してトランジスタ13〜
16に供給され、同トランジスタ13〜16が差動動作
して第1、第2の出力端子30 a 、30 b 、3
5a、35bに各々入力信号Vi1.■12の差電圧に
比例した増幅された出力電圧Vo、Vo’(これらの電
圧は互いに逆相)が出力される。
ところで、この差動増幅回路Aにおいては、トランジス
タ13.14の共通エミッタ28の電位およびトランジ
スタ15.16の共通エミッタ25の電位がそれぞれ電
界効果トランジスタ11.12の各ソース電位と略等し
くなっている。
(正しくは、これらのトランジスタのV8E分だけ相違
している)また、電界効果トランジスタ11.12の共
通ドレイン24の電位は前記共通エミッタ25の電位を
電源26の電圧Vaだけプラス方向ヘシフトした電位と
なっており、前記負荷抵抗22.23の共通接続点の電
位は前記共通エミッタ28の電位を電源29の電圧vb
だけマイナス方向へシフトシた電圧となっている。
したがってこの回路においては、電界効果トランジスタ
11.12の各ドレインーソース間電圧VD5を常に一
定に保つことができると共に、FET11゜12の各ド
レイン電流は負荷抵抗22.23の値とバイアスvbに
よってきまるため、これらの電界効果トランジスタ11
.12の各ドレイン電流■。
を電源電圧にかかわらず常に一定に保ち得てS、V、R
,Rを良好に保つことができ、またこれら電界効果トラ
ンジスタ11,12の各ドレインーゲート間電圧VD6
を一定になし得てドレイン−ゲート間容量CDGの変化
を防止し得、もって同容量CDGの変化に伴う歪の発生
を防止することができる。
また第3図は、第2図に示す差動増幅回路Aの具体的構
成例を示す図である。
すなわちこの図に示す差動増幅回路Aは、第2図に示す
電源26をツェナーダイオード40と定電流源41とト
ランジスタ42とで構成し、第2図に示す電源29をツ
ェナーダイオード43と定電流源44とトランジスタ4
5どで構成してなるものである。
しかしてこの図に示す差動増幅回路Aによれば、電界効
果I・ランジスタ11,12の各ドレイン電位を略ツェ
ナーダイオード40のカソード電位におくことができる
と共に負荷抵抗22.23の接続点27の電位をツェナ
ーダイオード43のアノード電位におくことができ、も
って電界効果トランジスタ11.12の各ドレインーソ
ース間電圧VD5を一定に保ち得て第2図の回路と同様
の作用、効果を得ることができる。
以上の説明から明らかなように、この考案によれは゛、
第1、第2のバイポーラトランジスタおよびこれら第1
、第2のバイポーラトランジスタとは逆導電性の第3、
第4のバイポーラトランジスタを各々差動接続するとと
もに前記第1、第3のバイポーラトランジスタの両ベー
スおよび前記第2、第4のバイポーラトランジスタの両
ベースを各々共通接続し、各ゲートが第1、第2の入力
端子に各々接続されドレインが共通接続されソースが各
々負荷抵抗を介して共通接続される第1、第2の電界効
果トランジスタの前記各ソースを前記第1、第3のバイ
ポーラトランジスタの共通ベースおよび第2、第4のバ
イポーラトランジスタの共通ベースに各々接続し、前記
第1、第2のバイポーラトランジスタの共通エミッタと
前記負荷抵抗共通接続点との間および前記第3.第4の
バイポーラトランジスタの共通エミッタと、前記第1、
第2の電界効果トランジスタの共通ドレインとの間に第
1、第2の定電圧回路を各々接続したので、前記第1、
第2の電界効果トランジスタのドレイン電流を電源電圧
の変化に対して一定になし得てS、V、R。
Rの改善を計ることができると共に、同電界効果トラン
ジスタのドレイン−ゲート間容量の変化を防止し得て同
容量の変化に基づく歪の発生を防止することができ、し
かも正負対称に出力電圧が得られるので後段の回路構成
に自由度が得られる等の効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の差動増幅回路の一例を示す回路図、第2
図はこの考案による差動増幅回路Aの基本的構成を示す
回路図、第3図は同差動増幅回路Aの具体的構成例を示
す回路図である。 11・・・・・・電界効果トランジスタ(第1の電界効
果トランジスタ)、12・・・・・・電界効果トランジ
スタ(第2の電界効果トランジスタ)、13.14・・
・・・・バイポーラトランジスタ(第1、第2のバイポ
ーラトランジスタ)、15.16・・・・・・バイポー
ラトランジスタ(第3、第4のバイポーラトランジスタ
)、18 a 、19 a・・・・・・入力端子(第1
、第2の入力端子)、22.23・・・・・・負荷抵抗

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 第1、第2のバイポーラトランジスタおよびこれら第1
    、第2のバイポーラトランジスタとは逆導電性の第3、
    第4のバイポーラトランジスタを各々差動接続するとと
    もに前記第1、第3のバイポーラトランジスタの両ベー
    スおよび前記第2、第4のバイポーラトランジスタの両
    ベースを各々共通接続し、各ゲートが第1、第2の入力
    端子に各々接続されドレインが共通接続されソースが各
    々負荷抵抗を介して共通接続される第1、第2の電界効
    果トランジスタの前記各ソースを前記第1、第3のバイ
    ポーラトランジスタの共通ベースおよび前記第2、第4
    のバイポーラトランジスタの共通ベースに各々接続し、
    前記第1、第2のバイポーラトランジスタの共通エミッ
    タと前記負荷抵抗共通接続点との間および前記第3、第
    4のバイポーラトランジスタの共通エミッタと前記第1
    、第2の電界効果トランジスタの共通ドレインとの間に
    第1、第2の定電圧回路を各々接続してなることを特徴
    とする差動増幅回路。
JP1979158629U 1979-11-15 1979-11-15 差動増幅回路 Expired JPS59816Y2 (ja)

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JP1979158629U JPS59816Y2 (ja) 1979-11-15 1979-11-15 差動増幅回路
US06/203,512 US4349786A (en) 1979-11-15 1980-11-03 Complementary differential amplifier circuit having source-follower driving circuits

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JPS5677121U JPS5677121U (ja) 1981-06-23
JPS59816Y2 true JPS59816Y2 (ja) 1984-01-11

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