JPS5851937A - シリカゲルの再生方法 - Google Patents
シリカゲルの再生方法Info
- Publication number
- JPS5851937A JPS5851937A JP14904181A JP14904181A JPS5851937A JP S5851937 A JPS5851937 A JP S5851937A JP 14904181 A JP14904181 A JP 14904181A JP 14904181 A JP14904181 A JP 14904181A JP S5851937 A JPS5851937 A JP S5851937A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silica gel
- coenzyme
- solvent
- column
- hexane
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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- Preparation Of Compounds By Using Micro-Organisms (AREA)
- Solid-Sorbent Or Filter-Aiding Compositions (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、シリカゲルの再生方法に関し、さらに詳細に
は補酵素Qの精製に使用されたシリカゲルの再生方法に
係わる。補酵素Qは、生体内では電子伝達系1こ関与し
、心不全等疾病の治療薬として使用されている。この補
酵素Qは合成、WI酵および天然物からの抽出などの方
法により製造されるが、医薬であるためには高純度であ
ることを必要とされている。そのため、工業的に優れた
精製手段が要求される。
は補酵素Qの精製に使用されたシリカゲルの再生方法に
係わる。補酵素Qは、生体内では電子伝達系1こ関与し
、心不全等疾病の治療薬として使用されている。この補
酵素Qは合成、WI酵および天然物からの抽出などの方
法により製造されるが、医薬であるためには高純度であ
ることを必要とされている。そのため、工業的に優れた
精製手段が要求される。
そのための精製法として、吸着剤としてシリカゲルを使
用するカラムクロマトグラフィーが行なわれているが、
カラムでの補酵素Qと不純物との分離性の点から、シリ
カゲルの再生が不十分であるので再使用することは困難
であった。
用するカラムクロマトグラフィーが行なわれているが、
カラムでの補酵素Qと不純物との分離性の点から、シリ
カゲルの再生が不十分であるので再使用することは困難
であった。
このようなことからシリカゲルを使用するカラムクロマ
トグラフィーは作業性の点およびシリカゲルの使用量の
点で工業的な精製方法として問題があった。
トグラフィーは作業性の点およびシリカゲルの使用量の
点で工業的な精製方法として問題があった。
本発明者らは、シリカゲルカラムクロマトクラフィーに
おいて、シリカゲルの再生方法を種々検討した結果、吸
着、溶出および洗浄を行なった後のシリカゲルを、さら
に加熱下で溶剤に接触させて再生することにより、シリ
カゲルに吸着されている水分および洗浄に用いた溶剤を
取り除くことが可能であり、この方法によって得られた
再生シリカゲルを使用したカラムクロマトグラフィーは
、補酵素Qと不純物との分離性がよく、シリカゲルの反
覆使用が可能となり。
おいて、シリカゲルの再生方法を種々検討した結果、吸
着、溶出および洗浄を行なった後のシリカゲルを、さら
に加熱下で溶剤に接触させて再生することにより、シリ
カゲルに吸着されている水分および洗浄に用いた溶剤を
取り除くことが可能であり、この方法によって得られた
再生シリカゲルを使用したカラムクロマトグラフィーは
、補酵素Qと不純物との分離性がよく、シリカゲルの反
覆使用が可能となり。
シリカゲルの使用量をへらすことが出来る。また、この
再生方法はカラム容器に充填されたまトのシリカゲルに
適用されるので、シリカゲルの充填、取り出しなどの作
業を省略することが出来ることが判明し1本発明を完成
した。
再生方法はカラム容器に充填されたまトのシリカゲルに
適用されるので、シリカゲルの充填、取り出しなどの作
業を省略することが出来ることが判明し1本発明を完成
した。
すなわら9本発明はシリカゲルを吸着剤として補酵素Q
を精製し6吸着、溶出および洗浄したのちのカラム中の
シリカゲルの再生方法において、洗浄後のシリカゲルに
加熱下で溶剤を接触させることを特徴とするシリカゲル
の再生方法である。
を精製し6吸着、溶出および洗浄したのちのカラム中の
シリカゲルの再生方法において、洗浄後のシリカゲルに
加熱下で溶剤を接触させることを特徴とするシリカゲル
の再生方法である。
本発明において精製される出発物質は6合成。
醗酵および天然物からの抽出などの方法により補酵素Q
を製造する際に混入されたたとえば各種の脂質などの不
純物を含んでいる粗補酵素Qである。本発明における補
酵IQは、補酵素Q1〜Q11のいずれでもよく、その
2種以上の混合物でもよい。
を製造する際に混入されたたとえば各種の脂質などの不
純物を含んでいる粗補酵素Qである。本発明における補
酵IQは、補酵素Q1〜Q11のいずれでもよく、その
2種以上の混合物でもよい。
本発明に使用されるシリカゲルには特に制限はないが、
実用上たとえばワフーゲル C−200およびワフーゲ
ル C−300(両者とも和光紬薬製)、シリカゲル
アート(Art )7734およびシリカゲル アート
9385(両者ともメルク社製)ならびにシリカゲル
KT−4063およびシリカゲル 4B(いずれもフジ
ゲル社製)などの市販品が好適に使用される。
実用上たとえばワフーゲル C−200およびワフーゲ
ル C−300(両者とも和光紬薬製)、シリカゲル
アート(Art )7734およびシリカゲル アート
9385(両者ともメルク社製)ならびにシリカゲル
KT−4063およびシリカゲル 4B(いずれもフジ
ゲル社製)などの市販品が好適に使用される。
シリカゲルによる吸着、シリカゲルからの溶出およびシ
リカゲルの洗浄は常法によって行なわれる。
リカゲルの洗浄は常法によって行なわれる。
溶出で使用する展開溶媒は実用上2通常はたとえばベン
ゼンおよびトルエンなどの単一溶剤またはn−ヘキサン
、n−ペンタン、n−ヘプシ タン、インオクタン、−+クロヘキサンおよび石油エー
テルなどの無極性溶剤と、クロロホルム。
ゼンおよびトルエンなどの単一溶剤またはn−ヘキサン
、n−ペンタン、n−ヘプシ タン、インオクタン、−+クロヘキサンおよび石油エー
テルなどの無極性溶剤と、クロロホルム。
二手ルエーテル、イソプロピルエーテル、ベンゼン。酢
酸工壬ル、アセトン、メタノールおよびエタノールなど
の極性溶剤とを混合して極性を調節した混合溶剤が用い
られる。
酸工壬ル、アセトン、メタノールおよびエタノールなど
の極性溶剤とを混合して極性を調節した混合溶剤が用い
られる。
展開を行なった後のシリカゲルに吸着されている不純物
を除去するためのシリカゲルの洗浄ハウクロロホルム、
エチルエーテル、イソプロピルエーテル、ベンゼン、酢
酸工壬ル、アセトン、メタノールおよびエタノールなど
をそれぞれ単独でもしくはこれらの混合物またはこれら
と前記の無極性溶剤との混合物を使用して行なわれる。
を除去するためのシリカゲルの洗浄ハウクロロホルム、
エチルエーテル、イソプロピルエーテル、ベンゼン、酢
酸工壬ル、アセトン、メタノールおよびエタノールなど
をそれぞれ単独でもしくはこれらの混合物またはこれら
と前記の無極性溶剤との混合物を使用して行なわれる。
なお、洗浄に使用される溶剤は、溶出に使用された展開
溶媒よりも極性が大きくなければならない。洗浄に用い
られる溶剤量はシリカゲルに吸着されている不純物を脱
着するに必要な量であれば特に制限はないが、一般には
シリカゲル1に9あたり約2〜51程度が使用される。
溶媒よりも極性が大きくなければならない。洗浄に用い
られる溶剤量はシリカゲルに吸着されている不純物を脱
着するに必要な量であれば特に制限はないが、一般には
シリカゲル1に9あたり約2〜51程度が使用される。
本発明での再生1こおいて、シリカゲルに接触させる溶
剤としては、展開溶媒として混合溶剤を使用したときに
はローヘキサン、n−ペンタン、n−へブタン、イソオ
クタン、シクロヘキサンおよび石油エーテルなどの無極
性溶剤が使用され、また展開溶媒としてベンゼンおよび
トルエンなどの単一溶剤を用いた場合は、その展開溶媒
と同じ溶剤が使用される。
剤としては、展開溶媒として混合溶剤を使用したときに
はローヘキサン、n−ペンタン、n−へブタン、イソオ
クタン、シクロヘキサンおよび石油エーテルなどの無極
性溶剤が使用され、また展開溶媒としてベンゼンおよび
トルエンなどの単一溶剤を用いた場合は、その展開溶媒
と同じ溶剤が使用される。
−15−
これらの溶剤にシリカゲルを接触させてシリカゲルを再
生するが、この再生は加熱下で行なわれる。この温度は
1通常は使用される溶剤の沸点以下とされるが、好まし
くは40℃乃至使用される溶剤の沸点以下とされる。こ
の温度を使用される溶剤の沸点よりも高くするとカラム
中での溶剤の流れが円滑でなくなりシリカゲルと溶剤と
の接触が悪くなり、シリカゲルの再生は行なわれないか
乃至は不十分となる。加熱の方法としては、加熱した溶
剤をカラムに注入してもよく、またカラム全体を加熱し
てもよいが。
生するが、この再生は加熱下で行なわれる。この温度は
1通常は使用される溶剤の沸点以下とされるが、好まし
くは40℃乃至使用される溶剤の沸点以下とされる。こ
の温度を使用される溶剤の沸点よりも高くするとカラム
中での溶剤の流れが円滑でなくなりシリカゲルと溶剤と
の接触が悪くなり、シリカゲルの再生は行なわれないか
乃至は不十分となる。加熱の方法としては、加熱した溶
剤をカラムに注入してもよく、またカラム全体を加熱し
てもよいが。
実用上、後者が好ましい。
再生においてシリカゲルと接触させる溶剤の量には特に
制限はないが1通常はシリカゲル1KPあたり約5〜3
0Jであり、15〜25/が好ましい。
制限はないが1通常はシリカゲル1KPあたり約5〜3
0Jであり、15〜25/が好ましい。
このようにして本発明で再生されたシリカゲルは、その
才\吸着に再使用することができる。
才\吸着に再使用することができる。
補酵素Qの精製に使用されたシリカゲルは。
従来は再生が不十分で再使用が不可能とされて6一
いたが1本発明によってシリカゲルの吸着9分離能を回
復させ再使用を可能とし、シリカゲルの交換を不要とし
、またシリカゲルの使用量を節減でき、従って操作上か
らもまたコスト的にも改善され、工業的に大きな意義が
ある。
復させ再使用を可能とし、シリカゲルの交換を不要とし
、またシリカゲルの使用量を節減でき、従って操作上か
らもまたコスト的にも改善され、工業的に大きな意義が
ある。
以下、実施例により本発明をさらに具体的に説明する。
実施例 1
メタノールを含有する合成培地で、メタノール資化性細
菌のプロタミノバクタ−ルバーNCIB 2879を
接穫し、28℃で空気を通気し、かつ機械攪拌しながら
培養した。培養終了後、遠心分離機で集菌し、スプレー
−ライヤーで乾燥して18KPの乾燥菌体を得た。
菌のプロタミノバクタ−ルバーNCIB 2879を
接穫し、28℃で空気を通気し、かつ機械攪拌しながら
培養した。培養終了後、遠心分離機で集菌し、スプレー
−ライヤーで乾燥して18KPの乾燥菌体を得た。
乾燥菌体 18に9に60IIのアセト/を加え30℃
で1時間攪拌、抽出を行ない菌体をF別した。この操作
を6回反復し、3回分の抽出液を合わせて減圧濃縮、乾
固し、これに1000dのn−ヘキサンを加え、溶解し
、不溶物を除去した。これに28 wt%のアンモニア
水を5 vo1%含むメタノール溶液 200dを加え
、20分間攪拌したのち静置し、n−ヘキサン層とアン
モニア水・メタノール層を分離させ、アンモニア水・メ
タノール層を除去した。その後、n−ヘキサン層に5v
oj?%の水を含むメタノール水溶液 200dを加え
、20分間攪拌したのち静置し、n−ヘキ+/層と水・
メタノール層を分離させ、水・メタノール層を除去した
On−ヘキサン層を減圧濃縮および乾固して固形物を得
、これを1501のアセトンに溶解し、不純物を除去し
た。この液にメタノール 150dを加え、−10℃の
ディープフリーザーに入れ一昼夜装置し、結晶を析出さ
せ、F別し、補酵素QIGを含む粗結晶(純度81.0
%) 20yを得た。
で1時間攪拌、抽出を行ない菌体をF別した。この操作
を6回反復し、3回分の抽出液を合わせて減圧濃縮、乾
固し、これに1000dのn−ヘキサンを加え、溶解し
、不溶物を除去した。これに28 wt%のアンモニア
水を5 vo1%含むメタノール溶液 200dを加え
、20分間攪拌したのち静置し、n−ヘキサン層とアン
モニア水・メタノール層を分離させ、アンモニア水・メ
タノール層を除去した。その後、n−ヘキサン層に5v
oj?%の水を含むメタノール水溶液 200dを加え
、20分間攪拌したのち静置し、n−ヘキ+/層と水・
メタノール層を分離させ、水・メタノール層を除去した
On−ヘキサン層を減圧濃縮および乾固して固形物を得
、これを1501のアセトンに溶解し、不純物を除去し
た。この液にメタノール 150dを加え、−10℃の
ディープフリーザーに入れ一昼夜装置し、結晶を析出さ
せ、F別し、補酵素QIGを含む粗結晶(純度81.0
%) 20yを得た。
径26 m 、長さ600龍のカラム容器にn−へキサ
/に懸濁させたワコーゲル C−300を50y充填し
、n−ヘキサンに溶解した前記の粗結晶 5yをカラム
上部にチャージし、アセトン含有率1 voA’%のア
セトンとn−ヘキサンとの混合物を流速2001/hr
で流下したところ、流下開始から約2.2時間後に補酵
素り〇を含む流出液がカラムから流出しはじめた。補酵
素QIG含有区分として500dを分取し、これから溶
剤を除去して3.63&の純補酵素Q、。
/に懸濁させたワコーゲル C−300を50y充填し
、n−ヘキサンに溶解した前記の粗結晶 5yをカラム
上部にチャージし、アセトン含有率1 voA’%のア
セトンとn−ヘキサンとの混合物を流速2001/hr
で流下したところ、流下開始から約2.2時間後に補酵
素り〇を含む流出液がカラムから流出しはじめた。補酵
素QIG含有区分として500dを分取し、これから溶
剤を除去して3.63&の純補酵素Q、。
を得た。これは粗結晶中の補酵素Q 1Gの約90%に
相当する。
相当する。
シリカゲルカラムにはアセトン:n−ヘキサンの1:1
溶液(vol )を6001流して洗浄し、不純物を取
り除いた後にカラムを外部から加熱して55℃に保ちな
からn−ヘキサノを10001Ll流し、カラムの再生
を行なった。
溶液(vol )を6001流して洗浄し、不純物を取
り除いた後にカラムを外部から加熱して55℃に保ちな
からn−ヘキサノを10001Ll流し、カラムの再生
を行なった。
再生した弁与4シリカゲルが充填されているカラムに、
n−へキサンに溶解した前記の粗結晶 5yをカラム上
部にチャージし、アセトン含有率1voj?%のアセト
ンとn−ヘキサンとの混合液を流速2001/brで流
下させた。純補区 酵素Q +o含含有仕分して50011/を分取し、こ
れから溶剤を除去して3,50.Vの純補酵素QIO9
− を得た。これは粗結晶中の補酵素Q1゜の約86%に相
当する。
n−へキサンに溶解した前記の粗結晶 5yをカラム上
部にチャージし、アセトン含有率1voj?%のアセト
ンとn−ヘキサンとの混合液を流速2001/brで流
下させた。純補区 酵素Q +o含含有仕分して50011/を分取し、こ
れから溶剤を除去して3,50.Vの純補酵素QIO9
− を得た。これは粗結晶中の補酵素Q1゜の約86%に相
当する。
比較例 1
シリカゲルとn−へキサンを室温で接触させてシリカゲ
ルを再生したほかは実施例1と同様にして行なったとこ
ろ、純補酵素Q +oo有区分として250ゴが得られ
、これから溶剤を除去して1.6Mの純補酵素Q、。を
得た。これは粗結晶中の補酵素Q、。の約40%に相当
する。
ルを再生したほかは実施例1と同様にして行なったとこ
ろ、純補酵素Q +oo有区分として250ゴが得られ
、これから溶剤を除去して1.6Mの純補酵素Q、。を
得た。これは粗結晶中の補酵素Q、。の約40%に相当
する。
実施例 2
インデカレノールと2.3−ジメトキシ−5−メチルハ
イトロキノノとを反応させて得られた補酵素Q1゜を含
む反応生成液 50yに油剤としてアセトニトリル 2
500m/を添加し。
イトロキノノとを反応させて得られた補酵素Q1゜を含
む反応生成液 50yに油剤としてアセトニトリル 2
500m/を添加し。
30℃で10分間抽出を行なって抽出液を得。
この抽出液をF別した。この操作を5回行ない。
得られた抽出液を合して減圧濃縮し、乾固して固形物を
得た。この固形物にメチルエチルケト−10= 7200mA!を加えて涙過し、このF液を20℃にて
攪拌溶解し、−10℃のディープフリーザーへ入れ2時
間放置し、液が一10℃になったことを確認した後、純
度99.4%の粉末補酵素Q+o O,5■を添加し
、さらに5日間放置して結晶を析出した。析出した結晶
を戸取し。
得た。この固形物にメチルエチルケト−10= 7200mA!を加えて涙過し、このF液を20℃にて
攪拌溶解し、−10℃のディープフリーザーへ入れ2時
間放置し、液が一10℃になったことを確認した後、純
度99.4%の粉末補酵素Q+o O,5■を添加し
、さらに5日間放置して結晶を析出した。析出した結晶
を戸取し。
これを真空乾燥したところ、補酵素Q+oを含む粗結晶
(純度73.0%) 20yを得た。
(純度73.0%) 20yを得た。
径26ym 、長さ500 Illのカラム容器に、n
−へブタンに懸濁させたシリカゲル アート7734を
50.!l/充填し、n−へブタンに溶解した前記の粗
結晶 5yをカラム上部に千ヤージし、酢酸エチル含有
率5vo1%の酢酸エチルとn−へブタノとの混合液を
流速180 Illhrで流下したところ、流下開始か
ら約2時間後に補酵素QIl+を含む流出液がカラムか
ら流出しはじめた。
−へブタンに懸濁させたシリカゲル アート7734を
50.!l/充填し、n−へブタンに溶解した前記の粗
結晶 5yをカラム上部に千ヤージし、酢酸エチル含有
率5vo1%の酢酸エチルとn−へブタノとの混合液を
流速180 Illhrで流下したところ、流下開始か
ら約2時間後に補酵素QIl+を含む流出液がカラムか
ら流出しはじめた。
純補酵素Q +o含有区分として400mjを分取し、
これから溶剤を除去して5,25.j7の純補酵素Q
I6を得た1、これは粗結晶中の補酵素Q r。
これから溶剤を除去して5,25.j7の純補酵素Q
I6を得た1、これは粗結晶中の補酵素Q r。
の約89%に相当する。
このシリカゲルカラム1こ酢酸エチル溶液を300m流
して洗浄し不純物を取り除いた後、カラムを外部から加
熱して75℃に保ちなからn−ヘプタンを600 ml
流し、カラムの再生を行なった。
して洗浄し不純物を取り除いた後、カラムを外部から加
熱して75℃に保ちなからn−ヘプタンを600 ml
流し、カラムの再生を行なった。
再生されたシリカゲルが充填されているカラオ
ムにn−へブタンに溶解した前記の粗結晶 乎yをカラ
ム上部にチャ一ジし、酢酸ヱ+ル含有率5 vo/%の
酢酸エチルとn−ヘプタンとの混合液を流速180m/
hrで流下させた。
ム上部にチャ一ジし、酢酸ヱ+ル含有率5 vo/%の
酢酸エチルとn−ヘプタンとの混合液を流速180m/
hrで流下させた。
純補酵素Q IQ含有区分として400−を分取し、こ
れから溶剤を除去して、3,101Vの純補酵素Q r
oを得た。これは粗結晶中の補酵素Q+。
れから溶剤を除去して、3,101Vの純補酵素Q r
oを得た。これは粗結晶中の補酵素Q+。
の約85%に相当する。
比較例 2
シリカゲルとn−ヘキ→トンを室温で接触させてシリカ
ゲルを再生したほかは実施例2と同様にして行なったと
ころ、純補酵素Q 1o金含有分として500ゴが得ら
れ、これから溶剤を除去して2.5yの純補酵素Q r
oを得た。これは粗結晶中の補酵素Q roの約68%
に相当する。
ゲルを再生したほかは実施例2と同様にして行なったと
ころ、純補酵素Q 1o金含有分として500ゴが得ら
れ、これから溶剤を除去して2.5yの純補酵素Q r
oを得た。これは粗結晶中の補酵素Q roの約68%
に相当する。
特許出願人 三菱瓦斯化学株式会社
代表者長野和吉
−13=
Claims (1)
- シリカゲルを吸着剤として補酵1gQを精製し、吸着、
溶出および洗浄したのちのカラム中のシリカゲルの再生
方法において、洗浄後のシリカゲルに加熱下で溶剤を接
触させることを特徴とするシリカゲルの再生方法
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14904181A JPS5851937A (ja) | 1981-09-21 | 1981-09-21 | シリカゲルの再生方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14904181A JPS5851937A (ja) | 1981-09-21 | 1981-09-21 | シリカゲルの再生方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5851937A true JPS5851937A (ja) | 1983-03-26 |
JPH0253032B2 JPH0253032B2 (ja) | 1990-11-15 |
Family
ID=15466354
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14904181A Granted JPS5851937A (ja) | 1981-09-21 | 1981-09-21 | シリカゲルの再生方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5851937A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2000061493A1 (en) * | 1999-04-07 | 2000-10-19 | Silicycle, Inc. | Process for the regeneration of used silica gel |
-
1981
- 1981-09-21 JP JP14904181A patent/JPS5851937A/ja active Granted
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2000061493A1 (en) * | 1999-04-07 | 2000-10-19 | Silicycle, Inc. | Process for the regeneration of used silica gel |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0253032B2 (ja) | 1990-11-15 |
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