JPS5851517A - フォトエッチング方法 - Google Patents
フォトエッチング方法Info
- Publication number
- JPS5851517A JPS5851517A JP14999581A JP14999581A JPS5851517A JP S5851517 A JPS5851517 A JP S5851517A JP 14999581 A JP14999581 A JP 14999581A JP 14999581 A JP14999581 A JP 14999581A JP S5851517 A JPS5851517 A JP S5851517A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- exposed
- photo
- monochromatic light
- lower layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/091—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers characterised by antireflection means or light filtering or absorbing means, e.g. anti-halation, contrast enhancement
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Architecture (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、ステップアンドリピート方式の無光装置を用
いてフォトレジスト膜を選択的に露光した後、露光され
又は露光されなかった領域のフォトレジスト膜を選択的
に除去するフォトエツチング方法の改良に関する。
いてフォトレジスト膜を選択的に露光した後、露光され
又は露光されなかった領域のフォトレジスト膜を選択的
に除去するフォトエツチング方法の改良に関する。
ステップアンドリピート方式の露光装置においてｔｉｍ
ｅ力を向上するため単色光を使用する場合が一般である
。例えに、波長が４３６１ｍであり輝度も十分大きな水
銀灯等を使用する場合が多い。
ｅ力を向上するため単色光を使用する場合が一般である
。例えに、波長が４３６１ｍであり輝度も十分大きな水
銀灯等を使用する場合が多い。
そのため、レジスト膜の厚さによってはフォトレジスト
膜中に定在波が発生することがあり、フォトレジスト膜
の膜厚が不均一な場合は、フォトレジスト膜の露光の程
度に極端なばらつきが発生し、バターニングの妨げにな
る。又、フォトレジスト膜が塗布される基板表面に凹凸
が存在する場合はフォトレジスト膜の膜厚の不均一の原
因となり、上記の理由により露光の不均一の原因ともな
るばかりでなく、乱反射の原因となり、解儂力を低下さ
せる原因となる。
膜中に定在波が発生することがあり、フォトレジスト膜
の膜厚が不均一な場合は、フォトレジスト膜の露光の程
度に極端なばらつきが発生し、バターニングの妨げにな
る。又、フォトレジスト膜が塗布される基板表面に凹凸
が存在する場合はフォトレジスト膜の膜厚の不均一の原
因となり、上記の理由により露光の不均一の原因ともな
るばかりでなく、乱反射の原因となり、解儂力を低下さ
せる原因となる。
そこで、ステップアンドリピート方式の露”光装置を用
いてフォトレジスト膜を選択的に露光してなすフォトエ
ツチング方法においてバターニング精度を向上するには
、フォトレジストが塗布される基板表面に凹凸が存在せ
ず、又、その基板からの反射光が極力少ないことが望ま
しい。しかし。
いてフォトレジスト膜を選択的に露光してなすフォトエ
ツチング方法においてバターニング精度を向上するには
、フォトレジストが塗布される基板表面に凹凸が存在せ
ず、又、その基板からの反射光が極力少ないことが望ま
しい。しかし。
フォトエツチング方法が多く使用される半導体装置にお
いては基板表面に多少の凹凸が存在することはやむをえ
ないところであり、又、フォトレジストが透明又は半透
明であり、又シリコン（８１）等の基板材が完全黒体で
ない以上この面からの反射光は存在するから、上記の要
望を充足することは本質的に不可能である。
いては基板表面に多少の凹凸が存在することはやむをえ
ないところであり、又、フォトレジストが透明又は半透
明であり、又シリコン（８１）等の基板材が完全黒体で
ない以上この面からの反射光は存在するから、上記の要
望を充足することは本質的に不可能である。
本発明の目的＝、フォトレジストが塗布される基板が完
全黒体でなく、反射率を有する材料であり、かつ、フォ
トレジストも当然透明又は半透明であることを帥提とし
て、フォトレジストが塗布される基板表面に凹凸が存在
していてもすぐれたパターニング精度の見られる、ステ
ップアンドリピート方式の露光装置を用いてフォトレジ
スト膜を露光してなすフォトエツチング方法を提供する
ことにおる。
全黒体でなく、反射率を有する材料であり、かつ、フォ
トレジストも当然透明又は半透明であることを帥提とし
て、フォトレジストが塗布される基板表面に凹凸が存在
していてもすぐれたパターニング精度の見られる、ステ
ップアンドリピート方式の露光装置を用いてフォトレジ
スト膜を露光してなすフォトエツチング方法を提供する
ことにおる。
その要旨は、ステップアンドリピート方式の露光装置を
用いて７オトレジス）１１１を選択的に奥光してなすフ
ォトエツチング方法において、無光されるフォトレジス
ト膜の塗布に先立ち、その下層に、露光に使用される光
を吸収する染料−顔料等の色素を含有し、耐酸素（ｑプ
ラズマ性の弱い物質よりなる薄層を形成し、その上に従
来技術におけるフォトレジスト膜を塗布し、これら２層
を一括して選択的に露光し、酸素（Ｑプラズマを用いて
なす反応性イオンエツチング装置を使用して、使用され
たフォトレジストの性質に対応して、露光された領域又
は露光されなかった領域から上記２層を選択的に除去す
ることにある。−例として、露光源として発光波長が４
３６１ｍの水鎖灯を使用する場合添加すべ鰺染料として
はベーシック フレービｙ ８Ｇ（Ｂａ５ｉｃ Ｆｌ
ａｖｉｎｅ ８Ｇ）、オーラミン（Ａｕｒａｍｉｎｅ）
、スレーン ゴールド イｚｏ−ＧＫ（Ｔｈｒｅｎｅ
Ｇｏｌｄｅｎ Ｙｅｌｌｏｗ ＧＫ）、ディスパース
ファーストオレンジ ＧＬ （Ｄｉｓｐｅｒｓｅ Ｆａ
ｓｔ ＯｒａｎｇｅＧＬ）等が適当であり、これらの染
料が添加される基材としてはポリメチルメタクリレート
（ＰＭＭＡ）ポリメチルインプロペニルケトン（ＰＭＩ
ＰＫ）等が適当である。露光光源が上記と相違する場合
は、夫々、上記の要件を具体化し九物質で下層を形成す
る必要のあることはぎうまでもない。
用いて７オトレジス）１１１を選択的に奥光してなすフ
ォトエツチング方法において、無光されるフォトレジス
ト膜の塗布に先立ち、その下層に、露光に使用される光
を吸収する染料−顔料等の色素を含有し、耐酸素（ｑプ
ラズマ性の弱い物質よりなる薄層を形成し、その上に従
来技術におけるフォトレジスト膜を塗布し、これら２層
を一括して選択的に露光し、酸素（Ｑプラズマを用いて
なす反応性イオンエツチング装置を使用して、使用され
たフォトレジストの性質に対応して、露光された領域又
は露光されなかった領域から上記２層を選択的に除去す
ることにある。−例として、露光源として発光波長が４
３６１ｍの水鎖灯を使用する場合添加すべ鰺染料として
はベーシック フレービｙ ８Ｇ（Ｂａ５ｉｃ Ｆｌ
ａｖｉｎｅ ８Ｇ）、オーラミン（Ａｕｒａｍｉｎｅ）
、スレーン ゴールド イｚｏ−ＧＫ（Ｔｈｒｅｎｅ
Ｇｏｌｄｅｎ Ｙｅｌｌｏｗ ＧＫ）、ディスパース
ファーストオレンジ ＧＬ （Ｄｉｓｐｅｒｓｅ Ｆａ
ｓｔ ＯｒａｎｇｅＧＬ）等が適当であり、これらの染
料が添加される基材としてはポリメチルメタクリレート
（ＰＭＭＡ）ポリメチルインプロペニルケトン（ＰＭＩ
ＰＫ）等が適当である。露光光源が上記と相違する場合
は、夫々、上記の要件を具体化し九物質で下層を形成す
る必要のあることはぎうまでもない。
以下、図面を参照しつつ、段差を有するシリコン（８ｉ
）基板上に形成された二酸化シリコン（Ｓｔｏｌ）層の
一部領域を選択的に除去する目的をもりてなす１本発明
の一実施例に係るフォトエツチング方法を説明し、本発
明の構成と特有の効果とを明らかにする。
）基板上に形成された二酸化シリコン（Ｓｔｏｌ）層の
一部領域を選択的に除去する目的をもりてなす１本発明
の一実施例に係るフォトエツチング方法を説明し、本発
明の構成と特有の効果とを明らかにする。
第１図参照
シリコン（８Ｋ）基板１上に存在する段差を有する二酸
化シリコン（８Ｋ０１層ｚ上に、染料ベーシック フレ
ービｙ ８Ｇ（Ｂａｓｉｃ Ｆｌａｖｉｎｅ ８Ｇ）
を含有するポジ型レジストであるポリメチルイソプロペ
ニルケトン（ＰＭＩＰ’Ｋ）よりなる下層３を厚さ１．
０〜２０μｍ程度にスピンコードする。この場合、下層
３０表面は図示の如く比較的平坦化されると同時にその
厚さには極端な不均一が生ずる。
化シリコン（８Ｋ０１層ｚ上に、染料ベーシック フレ
ービｙ ８Ｇ（Ｂａｓｉｃ Ｆｌａｖｉｎｅ ８Ｇ）
を含有するポジ型レジストであるポリメチルイソプロペ
ニルケトン（ＰＭＩＰ’Ｋ）よりなる下層３を厚さ１．
０〜２０μｍ程度にスピンコードする。この場合、下層
３０表面は図示の如く比較的平坦化されると同時にその
厚さには極端な不均一が生ずる。
更に０ＦＰＲ−８００等通常のポジ型フォトレジストよ
りなる層４をスピンコードする。ここにおいても、フォ
トレジスト層４０表面は平坦化されるとともＫその厚さ
１ｆｃｄ不均一が生ずる。
りなる層４をスピンコードする。ここにおいても、フォ
トレジスト層４０表面は平坦化されるとともＫその厚さ
１ｆｃｄ不均一が生ずる。
第２図参照
残留すべき領域に不透過領域を有するフォトマスク５を
使用して、波長４３６ｎｍの紫外線をもって露光する。
使用して、波長４３６ｎｍの紫外線をもって露光する。
このとき、この紫外線の入射光は下層３中で殆んど吸収
され、二酸化シリコン（８ｉ０諺） 層２の表面には
到達しないので、当然反射光はありえず、下層３とフォ
トレジスト層４とは入射光の入射方向に対応して正確に
露光される。反射光の量が無視しうる糧食ないから、定
在波の問題も、二酸化シリコン（８Ｋ０ｇ、）層２の表
面における乱反射の問題も無視しうるからである。
され、二酸化シリコン（８ｉ０諺） 層２の表面には
到達しないので、当然反射光はありえず、下層３とフォ
トレジスト層４とは入射光の入射方向に対応して正確に
露光される。反射光の量が無視しうる糧食ないから、定
在波の問題も、二酸化シリコン（８Ｋ０ｇ、）層２の表
面における乱反射の問題も無視しうるからである。
第３図参照
酸素０プラズマを用いてなす反応性イオンエツチング法
を使用してフォトレジスト層４と下層３とを除去する。
を使用してフォトレジスト層４と下層３とを除去する。
このと良、下層空の材料は耐酸素０プラズマ性の弱い材
料から選択されているので。
料から選択されているので。
図示の如く正確なエツチングマスクが形成されも以下、
所望により弗酸（ＨＦ）系溶剤を使用すれば、二酸化シ
リコン（８Ｋ０ｇ）層２をフォトマスクツ々ターン５に
対応して正確にエツチングするととができる。
所望により弗酸（ＨＦ）系溶剤を使用すれば、二酸化シ
リコン（８Ｋ０ｇ）層２をフォトマスクツ々ターン５に
対応して正確にエツチングするととができる。
以上説明せるとおり、本発明によれば、フォトレジスト
が塗布される基板が完全黒体でなく反射率を有する材料
であり、かつ、フォトレジス）４当然透明又は半透明で
あることを紡機として、フォトレジストが塗布される基
板表面に凹凸が存在していても高精度のパターニングが
可能な、ステップアンドリピート方式の露光装置を用い
てフォトレジスト膜を露光してなすフォトエツチング方
法を提供することができる。
が塗布される基板が完全黒体でなく反射率を有する材料
であり、かつ、フォトレジス）４当然透明又は半透明で
あることを紡機として、フォトレジストが塗布される基
板表面に凹凸が存在していても高精度のパターニングが
可能な、ステップアンドリピート方式の露光装置を用い
てフォトレジスト膜を露光してなすフォトエツチング方
法を提供することができる。
露光に使用する光の波長範囲に対し、夫々、適応しうる
下層材の数例を下記に表記する。
下層材の数例を下記に表記する。
項 波長範囲 下層材料（染料）樹脂は、ＰＭＩＰ
ＫＰｌ’ｍ１ ２５Ｏｎｍ付近 ４．４′−ジアジド
フェニルメタン２ ３００〜４００ｎｍ ２ 、＠
−ジー４−メチルシクロヘキサノン
ＫＰｌ’ｍ１ ２５Ｏｎｍ付近 ４．４′−ジアジド
フェニルメタン２ ３００〜４００ｎｍ ２ 、＠
−ジー４−メチルシクロヘキサノン
第１．２．３図は基板上に段差を有する二酸化シリコン
層の一部領域を選択的に除去する目的をもってなす、本
発明の一実施例に係るフォトエツチング方法の主要工程
を説明する基板断面図である。 １＠−＠基板（シリコン基板）、 ２１・最終的にエツチングされる層（二酸化シリコン層
）、 ３・・・下層（露光に使用される光を吸収し、酸素プラ
ズマによって酸化されやすい物質よりなる層）、 ４
・・・フォトレジスト層、５＠１１＠フオトマスク。
層の一部領域を選択的に除去する目的をもってなす、本
発明の一実施例に係るフォトエツチング方法の主要工程
を説明する基板断面図である。 １＠−＠基板（シリコン基板）、 ２１・最終的にエツチングされる層（二酸化シリコン層
）、 ３・・・下層（露光に使用される光を吸収し、酸素プラ
ズマによって酸化されやすい物質よりなる層）、 ４
・・・フォトレジスト層、５＠１１＠フオトマスク。
Claims (1)
- 単色光を用いてフォトレジスト膜を選択的に露光した後
、露光され又は露光されなかった領域のフォトレジスト
膜を選択的に除去するフォトエツチング方法におい工、
露光されるフォトレジスト膜の下層として、該単色光を
吸収する薄層を形成し、前記フォトレジスト膜を選択的
に露光し、前記露光され又は露光されなかりた領域の前
記フォトレジスト膜と前記下層とを選択的に除去するこ
とを特徴とするフォトエツチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14999581A JPS5851517A (ja) | 1981-09-22 | 1981-09-22 | フォトエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14999581A JPS5851517A (ja) | 1981-09-22 | 1981-09-22 | フォトエッチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5851517A true JPS5851517A (ja) | 1983-03-26 |
Family
ID=15487158
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14999581A Pending JPS5851517A (ja) | 1981-09-22 | 1981-09-22 | フォトエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5851517A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6331117A (ja) * | 1986-07-15 | 1988-02-09 | シ−メンス、アクチエンゲゼルシヤフト | リソグラフイ装置における位置合わせ装置とその運転方法 |
| JPS6360527A (ja) * | 1986-08-27 | 1988-03-16 | Yokogawa Hewlett Packard Ltd | プロジェクション・プリンタ−の焦点合わせ方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50113171A (ja) * | 1974-02-13 | 1975-09-05 |
-
1981
- 1981-09-22 JP JP14999581A patent/JPS5851517A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50113171A (ja) * | 1974-02-13 | 1975-09-05 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6331117A (ja) * | 1986-07-15 | 1988-02-09 | シ−メンス、アクチエンゲゼルシヤフト | リソグラフイ装置における位置合わせ装置とその運転方法 |
| JPH0770462B2 (ja) * | 1986-07-15 | 1995-07-31 | シ−メンス、アクチエンゲゼルシヤフト | リソグラフイ装置における位置合わせ装置とその運転方法 |
| JPS6360527A (ja) * | 1986-08-27 | 1988-03-16 | Yokogawa Hewlett Packard Ltd | プロジェクション・プリンタ−の焦点合わせ方法 |
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