JPH05121285A - パターン形成方法 - Google Patents
パターン形成方法Info
- Publication number
- JPH05121285A JPH05121285A JP3281057A JP28105791A JPH05121285A JP H05121285 A JPH05121285 A JP H05121285A JP 3281057 A JP3281057 A JP 3281057A JP 28105791 A JP28105791 A JP 28105791A JP H05121285 A JPH05121285 A JP H05121285A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoresist
- exposure
- pattern
- transparent film
- coating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ホトレジストの露光時の定在波効果を抑制
し、パターン寸法精度を向上させることができるパター
ン形成方法を提供する。 【構成】 基板３上にホトレジストを塗布し、所定部を
露光する。その後さらに膜厚がλ／４ｎ（λ：露光波
長、ｎ：ホトレジストの屈折率）の現像液可溶性の透明
膜を塗布し、その透明膜上から前の露光と同じ波長で再
露光し、現像を行う。この方法により定在波効果を抑制
し、パターン寸法精度の向上が図れる。
し、パターン寸法精度を向上させることができるパター
ン形成方法を提供する。 【構成】 基板３上にホトレジストを塗布し、所定部を
露光する。その後さらに膜厚がλ／４ｎ（λ：露光波
長、ｎ：ホトレジストの屈折率）の現像液可溶性の透明
膜を塗布し、その透明膜上から前の露光と同じ波長で再
露光し、現像を行う。この方法により定在波効果を抑制
し、パターン寸法精度の向上が図れる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ホトリソグラフィーに
よるパターン形成方法に関する。
よるパターン形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、パターンを形成する方法とし
て、ｇ線，ｉ線，エキシマレーザー等のＵＶ光によるホ
トリソグラフィーが用いられている。
て、ｇ線，ｉ線，エキシマレーザー等のＵＶ光によるホ
トリソグラフィーが用いられている。
【０００３】以下、従来のパターン形成方法について説
明する。図４は従来のパターン形成方法のプロセスフロ
ーの概略図であり、１は被露光ホトレジスト、２は未露
光ホトレジスト、３は基板である。その形成方法は図４
（ａ）のように露光された部分のホトレジストは現像液
に溶解し、乾燥，リンスにより図４（ｂ）のようなレジ
ストパターンが得られる。
明する。図４は従来のパターン形成方法のプロセスフロ
ーの概略図であり、１は被露光ホトレジスト、２は未露
光ホトレジスト、３は基板である。その形成方法は図４
（ａ）のように露光された部分のホトレジストは現像液
に溶解し、乾燥，リンスにより図４（ｂ）のようなレジ
ストパターンが得られる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
の方法では、定在波効果が発生し、パターンの寸法精度
が著しく低下するという課題があった。たとえば、ホト
レジスト膜厚が変動した場合、定在波効果により、図５
のようにレジストパターン寸法は波状に著しく変動す
る。すなわち、微小ホトレジスト膜厚変動が大きな寸法
変動を引き起こすという課題が発生する。
の方法では、定在波効果が発生し、パターンの寸法精度
が著しく低下するという課題があった。たとえば、ホト
レジスト膜厚が変動した場合、定在波効果により、図５
のようにレジストパターン寸法は波状に著しく変動す
る。すなわち、微小ホトレジスト膜厚変動が大きな寸法
変動を引き起こすという課題が発生する。
【０００５】本発明は上記従来の課題を解決するもの
で、定在波効果を抑制し、パターンの寸法精度を向上さ
せることができるパターン形成方法を提供することを目
的とする。
で、定在波効果を抑制し、パターンの寸法精度を向上さ
せることができるパターン形成方法を提供することを目
的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明のパターン形成方法は、ホトレジストを塗布，
露光する工程と、その上にさらにλ／４ｎ（λ：露光波
長、ｎ：透明膜の屈折率）膜厚の現像液可溶性の透明膜
を塗布し、露光，現像を行う工程とを備えている。
に本発明のパターン形成方法は、ホトレジストを塗布，
露光する工程と、その上にさらにλ／４ｎ（λ：露光波
長、ｎ：透明膜の屈折率）膜厚の現像液可溶性の透明膜
を塗布し、露光，現像を行う工程とを備えている。
【０００７】
【作用】この構成によって、１回目の露光の定在波と、
位相が９０度異なる２回目の露光の定在波とが重なるた
めに、定在波が消滅し、ホトレジスト寸法精度を向上さ
せることができる。
位相が９０度異なる２回目の露光の定在波とが重なるた
めに、定在波が消滅し、ホトレジスト寸法精度を向上さ
せることができる。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の一実施例について、図面を参
照しながら説明する。
照しながら説明する。
【０００９】図１は本発明の一実施例におけるパターン
形成方法の原理図である。図１において、１は被露光ホ
トレジスト、２は未露光ホトレジスト、３は基板であ
る。
形成方法の原理図である。図１において、１は被露光ホ
トレジスト、２は未露光ホトレジスト、３は基板であ
る。
【００１０】その形成方法はまず、図１（ａ）のように
露光されたホトレジスト１を、図１（ｂ）のように現像
液可溶性の透明膜４をλ／４ｎ厚塗布する。本実施例で
は透明膜４として、ビニルアルコールを用いた。次に、
図１（ｃ）のように１回目と同じ露光波長，露光量で２
回目の露光を行い、最終の現像，リンス，乾燥を行う
と、図１（ｄ）のようなレジストパターンが形成され
る。
露光されたホトレジスト１を、図１（ｂ）のように現像
液可溶性の透明膜４をλ／４ｎ厚塗布する。本実施例で
は透明膜４として、ビニルアルコールを用いた。次に、
図１（ｃ）のように１回目と同じ露光波長，露光量で２
回目の露光を行い、最終の現像，リンス，乾燥を行う
と、図１（ｄ）のようなレジストパターンが形成され
る。
【００１１】以上のように本実施例によれば、図１
（ａ）の状態でのホトレジスト膜厚を初期ホトレジスト
膜厚と呼ぶと、初期ホトレジスト膜厚と露光強度の関係
は図２における曲線ａのようなｓｉｎ曲線を描くのに対
して、λ／４ｎの透明膜４を塗布し、再露光を行った場
合の初期ホトレジスト膜厚と反射率の関係は図２におけ
る曲線ｂが示すように図２の曲線ａに対して位相が９０
度シフトする。したがって、合計の全露光強度は図２に
おけるｃのようになり、ホトレジスト膜厚が変化して
も、ホトレジストの露光強度を常に一定にすることがで
きる。図３は本発明によるホトレジスト膜厚と１．０μ
ｍラインパターン寸法との関係である。１回目露光量は
１００ｍｊ／cm2、２回目露光量も１００ｍｊ／cm2であ
る。ホトレジスト膜厚変動によるホトレジストパターン
寸法の変動は大幅に改善されていることがわかる。
（ａ）の状態でのホトレジスト膜厚を初期ホトレジスト
膜厚と呼ぶと、初期ホトレジスト膜厚と露光強度の関係
は図２における曲線ａのようなｓｉｎ曲線を描くのに対
して、λ／４ｎの透明膜４を塗布し、再露光を行った場
合の初期ホトレジスト膜厚と反射率の関係は図２におけ
る曲線ｂが示すように図２の曲線ａに対して位相が９０
度シフトする。したがって、合計の全露光強度は図２に
おけるｃのようになり、ホトレジスト膜厚が変化して
も、ホトレジストの露光強度を常に一定にすることがで
きる。図３は本発明によるホトレジスト膜厚と１．０μ
ｍラインパターン寸法との関係である。１回目露光量は
１００ｍｊ／cm2、２回目露光量も１００ｍｊ／cm2であ
る。ホトレジスト膜厚変動によるホトレジストパターン
寸法の変動は大幅に改善されていることがわかる。
【００１２】
【発明の効果】以上の実施例から明らかなように本発明
は、基板上にホトレジストを塗布，露光する工程と、そ
の上にさらにλ／４ｎ膜厚の現像液可溶性の透明膜を塗
布し、同一波長で再露光，現像を行う工程とを有するこ
とにより、定在波効果を抑制し、パターンの寸法精度を
向上させることができる優れたパターン形成方法を提供
できる。
は、基板上にホトレジストを塗布，露光する工程と、そ
の上にさらにλ／４ｎ膜厚の現像液可溶性の透明膜を塗
布し、同一波長で再露光，現像を行う工程とを有するこ
とにより、定在波効果を抑制し、パターンの寸法精度を
向上させることができる優れたパターン形成方法を提供
できる。
【図１】本発明の一実施例におけるパターン形成方法を
示す工程断面図
示す工程断面図
【図２】図１における初期ホトレジスト膜厚と露光強度
の関係を示す図
の関係を示す図
【図３】図１の本発明のパターン形成方法によるホトレ
ジスト膜厚とホトレジスト寸法の関係を示す図
ジスト膜厚とホトレジスト寸法の関係を示す図
【図４】従来のパターン形成方法を示す工程断面図
【図５】図４の従来のパターン形成方法におけるホトレ
ジスト膜厚とホトレジスト寸法の関係を示す図
ジスト膜厚とホトレジスト寸法の関係を示す図
１ 被露光ホトレジスト ２ 未露光ホトレジスト ３ 基板 ４ 現像液可溶性の透明膜
Claims (1)
- 【請求項１】 基板上にホトレジストを塗布しそのホト
レジストの所定部を露光する工程と、前記ホトレジスト
上にさらにλ／４ｎ（λ：露光波長、ｎ：透明膜の屈折
率）の膜厚の現像液可溶性の透明膜を塗布しその透明膜
上から前記露光と同一波長で再露光し現像を行う工程と
を有することを特徴とするパターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3281057A JPH05121285A (ja) | 1991-10-28 | 1991-10-28 | パターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3281057A JPH05121285A (ja) | 1991-10-28 | 1991-10-28 | パターン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05121285A true JPH05121285A (ja) | 1993-05-18 |
Family
ID=17633711
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3281057A Pending JPH05121285A (ja) | 1991-10-28 | 1991-10-28 | パターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05121285A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6268907B1 (en) | 1998-05-13 | 2001-07-31 | International Business Machines Corporation | Elimination of standing waves in photoresist |
-
1991
- 1991-10-28 JP JP3281057A patent/JPH05121285A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6268907B1 (en) | 1998-05-13 | 2001-07-31 | International Business Machines Corporation | Elimination of standing waves in photoresist |
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