JPS58198040A - パタ−ン形成方法 - Google Patents
パタ−ン形成方法Info
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- JPS58198040A JPS58198040A JP8095982A JP8095982A JPS58198040A JP S58198040 A JPS58198040 A JP S58198040A JP 8095982 A JP8095982 A JP 8095982A JP 8095982 A JP8095982 A JP 8095982A JP S58198040 A JPS58198040 A JP S58198040A
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- Japan
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- layer
- film
- resist
- etched
- coated
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/091—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers characterised by antireflection means or light filtering or absorbing means, e.g. anti-halation, contrast enhancement
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Architecture (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は被エツチング材をパターン形成するために用い
られるレジスト膜の形成方法に関するものである。
られるレジスト膜の形成方法に関するものである。
集積回路等の製造過程では、光学的手段によって任意の
回路パターンを描画しであるマスクを介してレジストに
パターン転写し、そして基板を加工する写真蝕刻技術が
数回用いられている。
回路パターンを描画しであるマスクを介してレジストに
パターン転写し、そして基板を加工する写真蝕刻技術が
数回用いられている。
しかし、近年、集積回路の高集積化に伴い、パターン寸
法の微細化が進んできている。微細パターンを形成し、
しかも基板に精度良く転写するだめにレジスト膜に要求
される事柄がいくつかある。
法の微細化が進んできている。微細パターンを形成し、
しかも基板に精度良く転写するだめにレジスト膜に要求
される事柄がいくつかある。
１つはレジストが凹凸のない平担面上に薄く、均一に塗
膜されること、他の１つはレジストがイオン衝撃を伴う
ドライエツチングのマスクとして使用されるため、蝕刻
に耐えるだけの十分な膜厚が確保されることである。こ
れらの相反する制約を満たす方法として三層レジスト膜
を用いる方法がジヱー・エム・モラン（Ｊ、 ＭｏＭａ
ｒａｎ）他１名によってジャーナル・オブ・バキューム
・サイエンスアンド・テクノジロー、 １９７９年第
１６巻第６号１６２０頁から１６２４頁（Ｊｏｕｒｎａ
ｌ ｏｆ ＶａｃｕｎｍＳｃｉｅｎｃｅ ａｎｄ Ｔｅ
ｃｈｎｏｌｏｇｙ、 ｖｏｌ、１６（６）、 １６２０
（１９７９）に記載されている。三層レジストパターン
の形成は、第１図に模式的断面を示すように、まず比較
的厚い最下層２に比してエツチング速度の小さい金属薄
膜や無機物薄膜等の中間層３を最下層２の上に堆積し、
さらにレジスト膜４を堆積する。
膜されること、他の１つはレジストがイオン衝撃を伴う
ドライエツチングのマスクとして使用されるため、蝕刻
に耐えるだけの十分な膜厚が確保されることである。こ
れらの相反する制約を満たす方法として三層レジスト膜
を用いる方法がジヱー・エム・モラン（Ｊ、 ＭｏＭａ
ｒａｎ）他１名によってジャーナル・オブ・バキューム
・サイエンスアンド・テクノジロー、 １９７９年第
１６巻第６号１６２０頁から１６２４頁（Ｊｏｕｒｎａ
ｌ ｏｆ ＶａｃｕｎｍＳｃｉｅｎｃｅ ａｎｄ Ｔｅ
ｃｈｎｏｌｏｇｙ、 ｖｏｌ、１６（６）、 １６２０
（１９７９）に記載されている。三層レジストパターン
の形成は、第１図に模式的断面を示すように、まず比較
的厚い最下層２に比してエツチング速度の小さい金属薄
膜や無機物薄膜等の中間層３を最下層２の上に堆積し、
さらにレジスト膜４を堆積する。
続いて、露光・現像プロセスによってレジスト膜４のパ
ターンを形成した後、それをマスクとして中間層のエツ
チングを行ない、さらに中間層をマスクとして最下層を
エツチングするという手法が多用される。この時最下層
として段差発生の有無にか力１わらず、平担な表面を得
ることができる有機高分子体塗布膜が一般的に選ばれて
いる。
ターンを形成した後、それをマスクとして中間層のエツ
チングを行ない、さらに中間層をマスクとして最下層を
エツチングするという手法が多用される。この時最下層
として段差発生の有無にか力１わらず、平担な表面を得
ることができる有機高分子体塗布膜が一般的に選ばれて
いる。
しかるに、これらの有機高分子体の多くは紫外あるいは
近紫外領域の波長成分を、かなり透過する性質を有して
いるので、入射光は基板１まで容易に達し、光学的な反
射や散乱等の作用を与える。
近紫外領域の波長成分を、かなり透過する性質を有して
いるので、入射光は基板１まで容易に達し、光学的な反
射や散乱等の作用を与える。
このため上層レジストの現像パターンは、散乱による基
板表面形状を反映する効果を強く受けだシ層間の光学的
干渉による定在波を生じる。こうした従来の三層レジス
ト膜では、第１図中人で示される基板散乱の影響や同図
中Ｂで示される定在波によって段差の上下の間に線幅寸
法の変化を起こ写真蝕刻技術の問題点となっていた。
板表面形状を反映する効果を強く受けだシ層間の光学的
干渉による定在波を生じる。こうした従来の三層レジス
ト膜では、第１図中人で示される基板散乱の影響や同図
中Ｂで示される定在波によって段差の上下の間に線幅寸
法の変化を起こ写真蝕刻技術の問題点となっていた。
本発明は基板表面段差の形状や有無に依らず、寸法変化
を生じない三層レジスト膜の形成方法を提供するもので
ある。
を生じない三層レジスト膜の形成方法を提供するもので
ある。
本発明によれば、被エツチング材上に有機高分子塗膜、
中間層、フォトレジスト膜を、この順に積層した三層レ
ジストを用いたパターン形成方法において、前記中間層
として５５０ａｍより短い波長の光を吸収する染料を含
有する肴機物の膜を用いることを特徴としたパターン形
成方法が得られる。
中間層、フォトレジスト膜を、この順に積層した三層レ
ジストを用いたパターン形成方法において、前記中間層
として５５０ａｍより短い波長の光を吸収する染料を含
有する肴機物の膜を用いることを特徴としたパターン形
成方法が得られる。
本発明を用いることにより、上層レジストを十分感光し
て残った剰余エネルギーは、上層レジスト直下の光吸収
剤を含む中間層によって、そのほとんどが吸収されるの
で、基板表面からの散乱効果は全くなくなるばかりでな
く、単一波長光源を用いた場合に発生し易い光干渉によ
る定在波も生じないという効果がある。このため基板の
反射率の大小や基板段差の有無に関わらないで、常にマ
スク寸法に忠実なパターン形成が可能となり、よ
゛り高解像性の微細パターンを再現性良く実現でき
る。さらに、染料として用いられる多くの光吸収剤は有
機珪酸物が含有されている有機溶媒に溶解するので、含
有濃度を制御することが容易で、しかもスピン塗布法等
の手段で中間層の塗膜と同時に形成でき、非常に製造工
程が簡便である。
て残った剰余エネルギーは、上層レジスト直下の光吸収
剤を含む中間層によって、そのほとんどが吸収されるの
で、基板表面からの散乱効果は全くなくなるばかりでな
く、単一波長光源を用いた場合に発生し易い光干渉によ
る定在波も生じないという効果がある。このため基板の
反射率の大小や基板段差の有無に関わらないで、常にマ
スク寸法に忠実なパターン形成が可能となり、よ
゛り高解像性の微細パターンを再現性良く実現でき
る。さらに、染料として用いられる多くの光吸収剤は有
機珪酸物が含有されている有機溶媒に溶解するので、含
有濃度を制御することが容易で、しかもスピン塗布法等
の手段で中間層の塗膜と同時に形成でき、非常に製造工
程が簡便である。
以下実施例を用いて本発明の詳細な説明する。
第２図は本実施例を説明するだめの図で、主要工程での
断面を順を追って模式的に示しだものである。段差の形
成されているシリコン基板１０１ニ、例えば、真空蒸着
法によって反射率の極めて高いＡｔ膜１０２を堆積する
。次いで、シラプレー社が膜し、１５０℃以上の温度で
熱処理する。
断面を順を追って模式的に示しだものである。段差の形
成されているシリコン基板１０１ニ、例えば、真空蒸着
法によって反射率の極めて高いＡｔ膜１０２を堆積する
。次いで、シラプレー社が膜し、１５０℃以上の温度で
熱処理する。
アルコール中に約５．９％のＣＨ，Ｓ ｉ （ＯＨ）、
を溶解した溶液に約２〜３重量％の染料を溶かし、この
溶液通常のスピン塗布法によって約２００ＯＡの膜厚に
なるように塗膜する。ここで用いられた染料は４３（ｌ
ｌｘの波長の光を約９５％吸収する住友化学■で市販さ
れているオレオゾール・ファースト・イエロー・ＧＣＮ
であるが、特に限定されるものではなく、５ｓｏ＊ｗよ
り短い波長の光を大部分吸収するものであればよい。１
００℃以上の熱処理を施すことによって溶媒は５１し、
光吸収剤を含むシリコン酸化膜１０４が第２図（ａｌで
示されるように堆積される。その後、シラプレー社のＡ
Ｚ−１３７０ポジ型レジスト１０５を平均膜厚０．７μ
ｍで回転塗布法によって被膜し、８０°０，３０分間の
ブリベータを行いてスプレー現像を行ない、１２０°０
． ３０分間のポストベークを行って、第２図（ｂ）に
示すごとくレジストパターン１０５を形成する。次いで
ＣＦ４に２０と、拡散された前述の吸収剤と同様に除去
される。
を溶解した溶液に約２〜３重量％の染料を溶かし、この
溶液通常のスピン塗布法によって約２００ＯＡの膜厚に
なるように塗膜する。ここで用いられた染料は４３（ｌ
ｌｘの波長の光を約９５％吸収する住友化学■で市販さ
れているオレオゾール・ファースト・イエロー・ＧＣＮ
であるが、特に限定されるものではなく、５ｓｏ＊ｗよ
り短い波長の光を大部分吸収するものであればよい。１
００℃以上の熱処理を施すことによって溶媒は５１し、
光吸収剤を含むシリコン酸化膜１０４が第２図（ａｌで
示されるように堆積される。その後、シラプレー社のＡ
Ｚ−１３７０ポジ型レジスト１０５を平均膜厚０．７μ
ｍで回転塗布法によって被膜し、８０°０，３０分間の
ブリベータを行いてスプレー現像を行ない、１２０°０
． ３０分間のポストベークを行って、第２図（ｂ）に
示すごとくレジストパターン１０５を形成する。次いで
ＣＦ４に２０と、拡散された前述の吸収剤と同様に除去
される。
続いて、０２ガスを含むスパッタエツチング法で下層Ａ
Ｚ−１３５０Ｊをエツチングして上層レジストのパター
ンを最下層に高精度パターン転写を行う。
Ｚ−１３５０Ｊをエツチングして上層レジストのパター
ンを最下層に高精度パターン転写を行う。
この時上層のレジストパターン１０５は完全にエツチン
グ除去される。シリコン酸化膜１０４は表面に残りエツ
チングマスクとなる。こうして第２図（Ｃ）に示したよ
うなシリコン酸化膜１０４と下層ＡＺ−１３５０Ｊ１０
３からなるパターンを得る。
グ除去される。シリコン酸化膜１０４は表面に残りエツ
チングマスクとなる。こうして第２図（Ｃ）に示したよ
うなシリコン酸化膜１０４と下層ＡＺ−１３５０Ｊ１０
３からなるパターンを得る。
三層レジスト膜構造を使って得られた最下層ＡＺ−１３
５０Ｊ膜１０３としてＡ、ｆｆ層１０２をＣＦ４ガスを
含む反応性スパッタエツチング法でエツチングするとサ
イドエツチングのほとんど無い垂直な側面形状を有する
Ａ７パターンが得られ、最後に最下層Ａ″Ｚ−１３５０
Ｊ１０３を除去すると、第２図（ｄ）の如＜Ａｌのパタ
ーンが残る。本レジスト構造を用いてパターン化した高
反射率を有するＡｌ配線は、基板の段差部分を横切って
も段差の上の配線でも下の配線でも、全く寸法の変化は
無いので、信頼性と歩留りの向上に著しい効果をもつげ
ふりでなく、パターン化に要する余裕を低減できるので
、より微細化することが可能である。ここで最下層とし
てＡＺ−１３５０Ｊレジストを例に用いたが、他の膜状
有機高分子体を用いても本来の効果を変えることは′全
くない。
５０Ｊ膜１０３としてＡ、ｆｆ層１０２をＣＦ４ガスを
含む反応性スパッタエツチング法でエツチングするとサ
イドエツチングのほとんど無い垂直な側面形状を有する
Ａ７パターンが得られ、最後に最下層Ａ″Ｚ−１３５０
Ｊ１０３を除去すると、第２図（ｄ）の如＜Ａｌのパタ
ーンが残る。本レジスト構造を用いてパターン化した高
反射率を有するＡｌ配線は、基板の段差部分を横切って
も段差の上の配線でも下の配線でも、全く寸法の変化は
無いので、信頼性と歩留りの向上に著しい効果をもつげ
ふりでなく、パターン化に要する余裕を低減できるので
、より微細化することが可能である。ここで最下層とし
てＡＺ−１３５０Ｊレジストを例に用いたが、他の膜状
有機高分子体を用いても本来の効果を変えることは′全
くない。
また、上記実施例において、中間層の形成後、々トレジ
ストの形成後に、それぞれベータを行なったが、フォト
レジストの形成後に］ＯＯ′Ｏ以上のベータをするだけ
でもよい。
ストの形成後に、それぞれベータを行なったが、フォト
レジストの形成後に］ＯＯ′Ｏ以上のベータをするだけ
でもよい。
また、上記実施例において、中間層を形成するとき、Ｃ
Ｈ３Ｓ ｉ （ＯＨ）、を含有する溶液を塗布して１０
０℃以上で熱処理してシリコン酸化１換となし、上記オ
レオゾール・ファースト藝イエローＧＣＮを昇華法でシ
リコン酸化膜中に拡散してもよい。
Ｈ３Ｓ ｉ （ＯＨ）、を含有する溶液を塗布して１０
０℃以上で熱処理してシリコン酸化１換となし、上記オ
レオゾール・ファースト藝イエローＧＣＮを昇華法でシ
リコン酸化膜中に拡散してもよい。
また、中間層の形成はこの実施例の方法に限定する必要
はなく、プラズマＣＶＴ）法等によって基板温度１５０
°０以下で、８ｉ０．膜を厚さ約１５０ＯＡだけ形成し
、次に前記オレオゾール・ファースト・イエロー・ＧＣ
Ｎを昇華法で少くともＳｉ Ｏ２膜巾に拡散してもよＸ
Ａ。
はなく、プラズマＣＶＴ）法等によって基板温度１５０
°０以下で、８ｉ０．膜を厚さ約１５０ＯＡだけ形成し
、次に前記オレオゾール・ファースト・イエロー・ＧＣ
Ｎを昇華法で少くともＳｉ Ｏ２膜巾に拡散してもよＸ
Ａ。
また、中間層としてはシリコン酸化膜のみならず、シリ
コン窒化膜、シリコン、ゲルマニウム、クロム等の無機
物であれば用いることができ、シリコン酸化膜の形成材
料としてはＣＨ３Ｓｉ （ＯＨ）ｎに限らず、他のオル
ガノシラノールでもよく、また更に一般に有機珪素酸で
あればよい。
コン窒化膜、シリコン、ゲルマニウム、クロム等の無機
物であれば用いることができ、シリコン酸化膜の形成材
料としてはＣＨ３Ｓｉ （ＯＨ）ｎに限らず、他のオル
ガノシラノールでもよく、また更に一般に有機珪素酸で
あればよい。
また、露光の光源の波長は上記実施例では４３６ｎｍを
用いたが、適切なレジストを用いれば、他の波長の光、
例えば４０５ｎｍ、３６５ｎｍの光を用いることができ
、露光装置も縮小投影露光装置に限らず密着型あるいは
投影型の露光装置も用いることができる。
用いたが、適切なレジストを用いれば、他の波長の光、
例えば４０５ｎｍ、３６５ｎｍの光を用いることができ
、露光装置も縮小投影露光装置に限らず密着型あるいは
投影型の露光装置も用いることができる。
第１図は従来構造の三層レジスト膜を模式的に示しであ
る断面図である。第２図は本発明構造の実施例を主要工
程順に追って模式的に示した模式的な断面図である。図
中用いられた番号と記号は１、 １０１・・・・・・・
・・基板、１０２−・・・・・・・・高反射率をもつ材
料で例えばｋｔ膜、２． １０３・・・・・・・・・最
下層有機高分子体、３，１０４・・・・・・・・・光吸
収剤を含むシリコン酸化物塗膜、１０５・・・・・・・
・・上層光レジスト膜、Ａ・・・・・・・・基板からの
光反射によって起る散乱領域、Ｂ・・・・・・・・・定
在波を発生した上層レジスト形状。 代理人弁理士 内 原 晋 第１図
る断面図である。第２図は本発明構造の実施例を主要工
程順に追って模式的に示した模式的な断面図である。図
中用いられた番号と記号は１、 １０１・・・・・・・
・・基板、１０２−・・・・・・・・高反射率をもつ材
料で例えばｋｔ膜、２． １０３・・・・・・・・・最
下層有機高分子体、３，１０４・・・・・・・・・光吸
収剤を含むシリコン酸化物塗膜、１０５・・・・・・・
・・上層光レジスト膜、Ａ・・・・・・・・基板からの
光反射によって起る散乱領域、Ｂ・・・・・・・・・定
在波を発生した上層レジスト形状。 代理人弁理士 内 原 晋 第１図
Claims (1)
- 被エツチング材上に有機高分子塗膜、中間層、フォトレ
ジスト膜を、この順に積層した三層レジストを用いたパ
ターン形成方法において、前記中間層として５５０鳩よ
り短い波長の光を吸収する染料を含有する無機物の膜を
用いることを特徴としたパターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8095982A JPS58198040A (ja) | 1982-05-14 | 1982-05-14 | パタ−ン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8095982A JPS58198040A (ja) | 1982-05-14 | 1982-05-14 | パタ−ン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58198040A true JPS58198040A (ja) | 1983-11-17 |
Family
ID=13733044
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8095982A Pending JPS58198040A (ja) | 1982-05-14 | 1982-05-14 | パタ−ン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58198040A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60111243A (ja) * | 1983-11-21 | 1985-06-17 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 有機高分子膜のエツチング方法 |
| JPS60129745A (ja) * | 1983-12-16 | 1985-07-11 | Shuzo Hattori | ３層構造レジストおよびこれを用いて高解像度製版を達成する方法 |
| WO1992012466A1 (en) * | 1990-12-27 | 1992-07-23 | Japan Synthetic Rubber Co., Ltd. | Method of forming minute resist pattern |
| JP2006251369A (ja) * | 2005-03-10 | 2006-09-21 | Rasa Ind Ltd | 多層レジスト中間層形成用塗布液及びこれを用いたパターン形成方法 |
-
1982
- 1982-05-14 JP JP8095982A patent/JPS58198040A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60111243A (ja) * | 1983-11-21 | 1985-06-17 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 有機高分子膜のエツチング方法 |
| JPS60129745A (ja) * | 1983-12-16 | 1985-07-11 | Shuzo Hattori | ３層構造レジストおよびこれを用いて高解像度製版を達成する方法 |
| JPH0422260B2 (ja) * | 1983-12-16 | 1992-04-16 | Shuzo Hatsutori | |
| WO1992012466A1 (en) * | 1990-12-27 | 1992-07-23 | Japan Synthetic Rubber Co., Ltd. | Method of forming minute resist pattern |
| US5340702A (en) * | 1990-12-27 | 1994-08-23 | Japan Synthetic Rubber Co., Ltd. | Method of forming fine resist pattern |
| JP2006251369A (ja) * | 2005-03-10 | 2006-09-21 | Rasa Ind Ltd | 多層レジスト中間層形成用塗布液及びこれを用いたパターン形成方法 |
| JP4552132B2 (ja) * | 2005-03-10 | 2010-09-29 | ラサ工業株式会社 | 多層レジスト中間層形成用塗布液及びこれを用いたパターン形成方法 |
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