JPS584979A - 電界効果トランジスタ - Google Patents
電界効果トランジスタInfo
- Publication number
- JPS584979A JPS584979A JP5714382A JP5714382A JPS584979A JP S584979 A JPS584979 A JP S584979A JP 5714382 A JP5714382 A JP 5714382A JP 5714382 A JP5714382 A JP 5714382A JP S584979 A JPS584979 A JP S584979A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- active layers
- gate
- electrodes
- photoetching
- constitution
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000005669 field effect Effects 0.000 title claims description 13
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 8
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 abstract description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 5
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 abstract description 4
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 abstract description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 abstract 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 abstract 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 abstract 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 abstract 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000927 Ge alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BYDQGSVXQDOSJJ-UHFFFAOYSA-N [Ge].[Au] Chemical compound [Ge].[Au] BYDQGSVXQDOSJJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 235000013372 meat Nutrition 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/80—Field effect transistors with field effect produced by a PN or other rectifying junction gate, i.e. potential-jump barrier
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/80—Field effect transistors with field effect produced by a PN or other rectifying junction gate, i.e. potential-jump barrier
- H01L29/812—Field effect transistors with field effect produced by a PN or other rectifying junction gate, i.e. potential-jump barrier with a Schottky gate
- H01L29/8124—Field effect transistors with field effect produced by a PN or other rectifying junction gate, i.e. potential-jump barrier with a Schottky gate with multiple gate
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は特にショットキーバリア型の電界効果トランジ
スタの構造に関する。
スタの構造に関する。
ショッキーバリア型電界効果トランジスタは、半導体層
とショットキー接合をなすゲート電極を有するものであ
り、その構造や製造方法は種々提案され実用化されてい
る。しかしながら、簡単な構造で高出力の電界効果トラ
ンジスタはいまだ実現されていない。
とショットキー接合をなすゲート電極を有するものであ
り、その構造や製造方法は種々提案され実用化されてい
る。しかしながら、簡単な構造で高出力の電界効果トラ
ンジスタはいまだ実現されていない。
本発明の目的は、高出力のショットキーバリア型電界効
果トランジスタを提供することにある。
果トランジスタを提供することにある。
本発明によれば、高比抵抗層上に独立して形成された二
つの半導体活性層と、これら二つの半導体層の双方と接
するゲート電極と、チャンネル領域部を挾み、かつ半導
体活性層と接して高比抵抗層上に延在するソースおよび
ドレイン電極とを含むデュアルゲート電界効果トランジ
スタが得られる。
つの半導体活性層と、これら二つの半導体層の双方と接
するゲート電極と、チャンネル領域部を挾み、かつ半導
体活性層と接して高比抵抗層上に延在するソースおよび
ドレイン電極とを含むデュアルゲート電界効果トランジ
スタが得られる。
以下、本発明を第一および第二ゲート電極を有するデュ
アルゲート型電界効果トランジスタに適用した実施例で
図画により詳細に説明する。
アルゲート型電界効果トランジスタに適用した実施例で
図画により詳細に説明する。
嬉１図−〜ａ）は本ｆｆＩ！４０一実施例によるデ。
アルゲート電界効果Ｆランジスメを製造工ｌｉｓに示す
図で、同図（転）、（２）およびａ）紘それぞれ同図（
ロ）、（ｅ））よび（・）Ｏム−ム１方肉の断面図であ
る。
図で、同図（転）、（２）およびａ）紘それぞれ同図（
ロ）、（ｅ））よび（・）Ｏム−ム１方肉の断面図であ
る。
り四五をドープし丸高抵抗例えば１０・Ω−一の比抵抗
をもつ半絶縁性ガリクムヒ素基板１上に、不純物として
例えばシリコンを例えば１０１１伽→の濃度で含むｍｌ
＆ガリウムし素層２を例えｄＱＩＪＩＩの厚さでエピタ
キシャル成長させ、写真食−決を用いて１１ｍガリウム
ヒ素屡０一部をその厚み方向に＄１−いて半絶縁性ガリ
ウムヒ素基板に到適すゐ迄、例えば、硫酸と過酸化水素
水と純水との混合液を用いて除去して二つの活性層２を
形成する（菖１１１１１ａ）、（ロ））０次に写真食刻
法を用いて、活性層２と接して基板ｌ上に極在する二つ
のソース電極パターン＄、８１およびドレイン電極パタ
ーン４．４１を例えに真空蒸着法によシ形成する０例え
ば金グルマ二りム合金を各電極配置に＠轟する位置に被
着させ、例えば水素雰囲気中において４００℃でＷＩｋ
Ｉ＆鳳することにより、金ゲルマニウム合金はＩＩＨガ
リウムヒ嵩層２とオーミ、り接触してソース電極パター
ン８、ｌｌ’＄Ｐよびドレイン電極パターン４．４１が
得られる（嬉１図（Ｃ）、（２））０次に例えば、中は
シ写真食刻法を用いて、籐−グーＦおよび第二ゲート用
の金属として例えにアルミニウムを例えと真空蒸着法に
よりガリウムヒ素上に被着し、嬉−ゲート電極パターン
６ｓＰよび嬉を電極パターン６を形成せしめる（嬉１図
（・）、＆））。
をもつ半絶縁性ガリクムヒ素基板１上に、不純物として
例えばシリコンを例えば１０１１伽→の濃度で含むｍｌ
＆ガリウムし素層２を例えｄＱＩＪＩＩの厚さでエピタ
キシャル成長させ、写真食−決を用いて１１ｍガリウム
ヒ素屡０一部をその厚み方向に＄１−いて半絶縁性ガリ
ウムヒ素基板に到適すゐ迄、例えば、硫酸と過酸化水素
水と純水との混合液を用いて除去して二つの活性層２を
形成する（菖１１１１１ａ）、（ロ））０次に写真食刻
法を用いて、活性層２と接して基板ｌ上に極在する二つ
のソース電極パターン＄、８１およびドレイン電極パタ
ーン４．４１を例えに真空蒸着法によシ形成する０例え
ば金グルマ二りム合金を各電極配置に＠轟する位置に被
着させ、例えば水素雰囲気中において４００℃でＷＩｋ
Ｉ＆鳳することにより、金ゲルマニウム合金はＩＩＨガ
リウムヒ嵩層２とオーミ、り接触してソース電極パター
ン８、ｌｌ’＄Ｐよびドレイン電極パターン４．４１が
得られる（嬉１図（Ｃ）、（２））０次に例えば、中は
シ写真食刻法を用いて、籐−グーＦおよび第二ゲート用
の金属として例えにアルミニウムを例えと真空蒸着法に
よりガリウムヒ素上に被着し、嬉−ゲート電極パターン
６ｓＰよび嬉を電極パターン６を形成せしめる（嬉１図
（・）、＆））。
この構造によれに、製造工程的には従来と例らかわるこ
となく高出力Ｏ電昇効果トランジスタとなる。すなわち
、活性層冨が二つに分離される良め、これらに形成され
るノースジよυドレイン電極４各に２個となる。従って
、ソースおよびドレインを１個有するものと比べて高周
波信号の増幅出力が増加する。
となく高出力Ｏ電昇効果トランジスタとなる。すなわち
、活性層冨が二つに分離される良め、これらに形成され
るノースジよυドレイン電極４各に２個となる。従って
、ソースおよびドレインを１個有するものと比べて高周
波信号の増幅出力が増加する。
さもＫまた、第１ＩＩより明らかなように、ソース電極
パターンとドレイン電極パターンとを、嬉−ゲートと嬉
２ゲートとの電極パターンをそれぞれ対称に形成すれば
、ソースとドレイン、菖−ゲートと嬉ニゲートとを同時
に４）電極配置を変更することなく交換しうるかも、デ
ュアルゲート電界効果トランジスタの多様な性能に応じ
て電極配置を多様化する必要がなく、従って特にＭＩＣ
化する場合、そＯ製造原価低減に極めて有効である。ｔ
た、個別半導体素子としても、特定の位置および方向性
をも−に１にいため、容器に入れて組立てる時の作業性
が向上し、製造原価低減にも役立つ。
パターンとドレイン電極パターンとを、嬉−ゲートと嬉
２ゲートとの電極パターンをそれぞれ対称に形成すれば
、ソースとドレイン、菖−ゲートと嬉ニゲートとを同時
に４）電極配置を変更することなく交換しうるかも、デ
ュアルゲート電界効果トランジスタの多様な性能に応じ
て電極配置を多様化する必要がなく、従って特にＭＩＣ
化する場合、そＯ製造原価低減に極めて有効である。ｔ
た、個別半導体素子としても、特定の位置および方向性
をも−に１にいため、容器に入れて組立てる時の作業性
が向上し、製造原価低減にも役立つ。
本発明は、ショットキバリヤ型でデュアルゲートのガリ
ウムヒ素電界効果トランジスタで説明したが、シングル
ゲートでも適用できる。
ウムヒ素電界効果トランジスタで説明したが、シングル
ゲートでも適用できる。
第１図は（ａ）〜（ｆ）は本発明の一実施例によるデュ
アルゲート電界効果トランジスタをその製造工程順に示
す図で、同図（ｂ）、（ｄ）および（ｆ）はそれぞれ同
図（ａ）、（ｃ）および（ａ）のＡ−Ａ′方向の断面図
である。 １・・・半絶縁性ガリウムヒ素基板、２・・・ｎ型ガリ
ウムヒ素活性層、３、３′・・・ソース電極パターン、
４、４′・・・ドレイン電極パターン、５・・・第一ゲ
ート電極パターン、６・・・第二ゲート電極パターン。 （ｄ） （ｊ） （ｄ）
アルゲート電界効果トランジスタをその製造工程順に示
す図で、同図（ｂ）、（ｄ）および（ｆ）はそれぞれ同
図（ａ）、（ｃ）および（ａ）のＡ−Ａ′方向の断面図
である。 １・・・半絶縁性ガリウムヒ素基板、２・・・ｎ型ガリ
ウムヒ素活性層、３、３′・・・ソース電極パターン、
４、４′・・・ドレイン電極パターン、５・・・第一ゲ
ート電極パターン、６・・・第二ゲート電極パターン。 （ｄ） （ｊ） （ｄ）
Claims (1)
- 高比抵抗層上に独立して形成された二つの半導体活性層
と、該二つの活性層の双方に接するゲート電極と、チャ
ンネル領域部を挾み、かつ前記半導体活性層に接して前
記高比抵抗層上に延在するソースおよびドレイン電極と
を含むことを特徴とする電界効果トランジスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5714382A JPS584979A (ja) | 1982-04-05 | 1982-04-05 | 電界効果トランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5714382A JPS584979A (ja) | 1982-04-05 | 1982-04-05 | 電界効果トランジスタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS584979A true JPS584979A (ja) | 1983-01-12 |
| JPS643075B2 JPS643075B2 (ja) | 1989-01-19 |
Family
ID=13047346
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5714382A Granted JPS584979A (ja) | 1982-04-05 | 1982-04-05 | 電界効果トランジスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS584979A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4996570A (en) * | 1987-12-23 | 1991-02-26 | U.S. Philips Corp. | Semiconductor structure having a conductive channel |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6113879A (ja) * | 1984-06-29 | 1986-01-22 | Toshiba Corp | フアクシミリ装置 |
-
1982
- 1982-04-05 JP JP5714382A patent/JPS584979A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6113879A (ja) * | 1984-06-29 | 1986-01-22 | Toshiba Corp | フアクシミリ装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4996570A (en) * | 1987-12-23 | 1991-02-26 | U.S. Philips Corp. | Semiconductor structure having a conductive channel |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS643075B2 (ja) | 1989-01-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3368449B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPS584979A (ja) | 電界効果トランジスタ | |
| JPH0964341A (ja) | 高電子移動度トランジスタ | |
| JPH02109360A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS63161677A (ja) | 電界効果トランジスタ | |
| JPS62291181A (ja) | 電界効果型半導体装置 | |
| JPH01183859A (ja) | ヘテロ接合電界効果トランジスタ | |
| JPH0969611A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPH08172104A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2991297B2 (ja) | 電界効果トランジスタ及びその製造方法 | |
| JPS61170073A (ja) | 電界効果トランジスタ | |
| JPS61234570A (ja) | 電界効果トランジスタ | |
| JPH04145629A (ja) | 電界効果型トランジスタおよびその製造方法 | |
| JPS6118169A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH03179782A (ja) | 電界効果型トランジスタ | |
| JPH06232168A (ja) | 電界効果トランジスタおよびその製造方法 | |
| JPS6232660A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH01264271A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPH05198601A (ja) | 電界効果トランジスタおよびその製造方法 | |
| JPH04122033A (ja) | 電界効果トランジスタの製造方法 | |
| JPH07273296A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH07106525A (ja) | 電界効果トランジスタおよび化合物半導体集積回路 | |
| JPS62226669A (ja) | 電界効果トランジスタの製造方法 | |
| JPS5910076B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS61102069A (ja) | 電界効果トランジスタ |